设计或应用时如何攻克电源的EMI难题

ZLG致远电子 2018-01-12 09:39 次阅读

随着微电子技术的高速发展,实际应用对开关电源提出更苛刻的技术要求,不仅讲究高效率、高功率密度,且为保证模块及整体系统的可靠性,会要求电磁干扰尽可能小。那么在设计或应用时如何攻克电源的EMI 难题呢?本文将为你解答。

现今开关电源的控制方式采用脉冲宽度调制技术(PWM),当工作在高频通断状态时,开关管、整流二极管、变压器等高动态功率器件在快速瞬变过程中,产生较强的谐波干扰噪声和尖峰干扰噪声,并通过输入输出线、分布电容的传导、空间辐射、串扰等耦合途径影响自身电路及其它电子系统设备的正常工作。

一、电磁干扰(EMI)的综述

1、电磁干扰(EMI)危害

在电子终端设备系统应用中,电磁干扰(EMI)对系统的危害是显而易见的,主要有如下三个:

  • 影响电子终端设备性能,甚至导致其不能正常工作;

  • 由于电磁噪声的干扰,导致电气、电子设备的器件高压击穿、烧毁,可能引起周围易燃易爆物的起火、爆炸,带来巨大的经济损失和人身伤亡;

  • 电磁波能量会对人的身体造成一定的危害,危及人的身体健康。

2、电磁干扰产生的源头

对于高频开关电源的设计来说,有各种各样的电路拓扑形式,但它们核心噪声源的产生原因是相同的:即,瞬态变化大电流和高电压,产生高次谐波干扰和尖峰干扰。因此高动态功率器件都是电磁干扰(EMI) 噪声的源头。

3、电磁干扰(EMI)要素

开关电源电磁干扰(Electro Magnetic Interference,简称EMI)产生的条件和传播途径如图1所示:骚扰源、骚扰路径、敏感设备。传导骚扰路径主要通过共阻抗耦合、容性耦合、感性耦合,测试频段在150K~30MHz之间;以空间途径辐射为主的噪声是辐射骚扰干扰,即电磁场能量以场的形式向四周空间传播,测试频段在30M~300MHz之间。

图1 电磁干扰三大要素图

4、测定噪声的标准

电磁兼容(EMC)的标准一般由国内外权威机构、政府,甚至由军事部门组织定制的一系列的电磁兼容可靠性标准,其强制要求确保电子设备和各单元电路符合电磁兼容(EMC)的标准,目前国内外电磁兼容(EMC)标准主要有欧洲无线电干扰委员会的CISPR Pubxxx,德国的VDE xxx和美国的FCC Part xxx标准,以及我国定制的EMI标准GB9254 xxxx完全等效采用CISPR Pubxxx的标准。一般来说,只要满足CISPR Pubxxx B级的电源设备与电子设备时不会相互影响。表 1为CISPR Pubxxx B级标准。

表1 CISPR Pubxxx B级标准

表1所示,015~30MHz频率的噪声为传导干扰噪声,一般以公共地线、电源线、分布电容等途径传播;30MHz~300MHz频率的噪声源,一般以空间传播的方式对外干扰传播,这种噪声叫做辐射噪声。

二、电磁干扰(EMI)的解决途径

1、噪声源头的分布

开关电源是一个强电磁干扰源,如图2所示:

  • 开关管Q1、整流二极管D2在高频开关状态时,会产生较幅度大、频带宽的瞬态电流和瞬态电压;

  • 存在漏感的高频变压器T1的初级线圈是开关管Q1的感性负载,使得开关管Q1高频通断瞬间,产生较大的浪涌电流和衰减振荡的尖峰电压;

  • 特别在高频开关电源中,杂散参数的分布是耦合通道主要途径,特别是电路中存在的分布电容;

  • 在PCB制板时,因PCB板布局和走线不合理而产生的高次谐波干扰回路;

  • 低频特性的器件如果工作在高频状态下时,其性能会发生改变,也是噪声产生的原因之一。

图2 噪声源的分布图

这些干扰噪声源的频率从几百KHz到几十MHz,甚至上百MHz,都是宽频带的噪声信号源,在设计输入电磁干扰抑制滤波器时,必须对高次谐波噪声源产生的原理有充分的认识和了解。

2、传导干扰抑制措施

图2所示传导干扰一般分为:差模干扰(DM)和共模干扰(CM)。差模干扰指的是干扰电压存在于输入线及其地回线、输出线及其地回线之间噪声。共模干扰指的是干扰电压在输入、输出线及其地回线上的幅度相同的噪声,参考电位一般以大地为主。

(1)电源输入EMI滤波器

图3 输入EMI滤波电路图

图3是典型的输入EMI抑制电路。当电网受到雷击时,产生高压经输入线导入开关电源设备时,由FS1、ZNR1、RTH1组成防雷浪涌电路进行保护。

R1、R2、C2、C4、LF1、LF2组成的π型滤波电路,是输入滤波电路,主要是对电网串入的电磁噪声进行抑制,防止对开关电源干扰,同时也抑制开关电源内部产生的高频噪声干扰电网,绿化电网的电磁污染。

电容C1、C3、C5为Y电容,选择主要考虑漏电流,容值越大EMI效果越好,但是漏电流就越大,存在安规不符合的风险。

电感LF1、LF2为共模扼流圈,主要针对共模噪声,一般选用高磁导率、取mH级别感值;差模干扰主要通过X电容C2、C4滤除,一般不添加差模电感,因为容易饱和。

(2)开关管与整流二极管的噪声抑制措施

开关电源在工作过程中,由于开关管、整流二极管存在结电容,在快速开关的时会产生尖峰,通过耦合通道传递或发射出来。另外开关管的结电容和变压器初级绕组的漏感可能产生谐振而产生干扰信号。因此可采用的对策有:

  • 在开关管D极和G极穿接一个磁珠环,减小开关管的电流变化率,从而达到减小尖峰电压的目的;

  • 在开关管栅源间加RC缓冲吸收电路,从而减小开关管在快速通断时产生的尖峰电压;

  • 减小开关管与周边组件的压差,那么开关管的结电容可充电的程度会得到一定的降低;

  • 增大开关管的G极驱动电阻。如图4所示。

图4 用于尖峰电压吸收的几种电路

(3)高频变压器噪声抑制措施

高频变压器是开关电源的储能组件,在能量的充放过程中,会产生噪声干扰。特别是高频变压器的漏感和分布电容形成的振荡回路,产生高频振荡并且向外辐射电磁波能量,造成电磁干扰。对此可采用的对策有:

  • 变压器初次级间加屏蔽,并且铜箔要接地,将初次级的干扰噪声隔离,分布电容、接地铜箔构成共模干扰噪声的回路,使其不能传入次级端,起到电磁屏蔽的作用;

  • 降低开关电源的工作频率,减缓能量的快速充放过程;

  • 在制作变压器,采用三明治绕法,减小其漏感和匝间电容,降低电压尖峰,减小寄生振荡,起到减小干扰的作用。

3、辐射干扰抑制措施

开关电源工作时会向空间辐射干扰:

  • 辐射噪声的幅值与辐射源的距离成反比,若空间结构经凑,无法拉开距离时,则采用屏蔽技术;

  • 由于电源输入线容易通过电网引入噪声,而且输入线与高频变压器连接,产生高频动态的电流产生电磁场,会耦合到输出线上,对供电对象设备产生电磁干扰,所以输入线与输出线必须尽量远离;

  • 有动态大电流流过的导线在PCB布局时尽量的短、尽量的粗,远离低频信号线;

  • 高功率、高频通断工作的器件,在接地时应以最短、尽量粗的引线与电容的地连接;

  • 动态大电流环是辐射的感性耦合途径之一,环路面积应尽量小。

三、结论

开关电源的是否稳定可靠是整个电气设备系统的技术核心要求,特别是电磁干扰的滤波电路设计是否符合要求,决定着电气设备系统的稳定性、可靠性。在设计开关电源的EMI滤波电路时,应该综合考虑高功率器件噪声的抑制、PCB结构的布局、高频变压器的设计、接地等等,尽可能使其符合国内外电磁干扰噪声的测定标准,使设计出来的开关电源产品在市场上能得到更加广泛的应用,产生价值。

对于自主搭建的电源模块,不仅研发周期较长和生产成本较高,且产品的一致性与可靠性均难以保证,此时可以选用一款优质的电源模块进行产品设计。

致远电子自主研发、生产的隔离电源模块,具有宽输入电压范围,隔离1000VDC、1500VDC、3000VDC及6000VDC等多个系列,封装形式多样,兼容国际标准的SIP、DIP等封装。同时致远电子为保证电源产品性能建设了行业内一流的测试实验室,配备最先进、齐全的测试设备,全系列隔离DC-DC电源通过完整的EMC测试,静电抗扰度高达4KV、浪涌抗扰度高达2KV,可应用于绝大部分复杂恶劣的工业现场,为用户提供稳定、可靠的电源隔离解决方案。

原文标题:工程师该如何解决开关电源的EMI问题?

文章出处:【微信号:ZLG_zhiyuan,微信公众号:ZLG致远电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

PMU模块心得总结:PMU布局注意事项

不是电源线的信号线可以走6~10min线宽,电源线输入输出的主干道的连接必须加大线宽,或者空间足够的....

的头像 电子发烧友网工程师 发表于 12-08 10:55 238次 阅读
PMU模块心得总结:PMU布局注意事项

软特性650V IGBT降低电磁干扰和电压尖峰的优化器件

近年来,功率半导体厂商致力于提高器件的开关速度,这带来了开关损耗降低和系统能效提升的益处。这些功率器件需要优化的直流电路...

发表于 12-07 10:16 21次 阅读
软特性650V IGBT降低电磁干扰和电压尖峰的优化器件

适用于电池充电应用的非隔离式48至12V双向转换器

描述     TIDA-00653 is a non-isolated 48 to 12-V bi-directional converter reference design for 48V ba...

发表于 12-06 14:23 239次 阅读
适用于电池充电应用的非隔离式48至12V双向转换器

PCB设计高速信号走线的九种规则

随着信号上升沿时间的减小,信号频率的提高,电子产品的EMI问题,也来越受到电子工程师的重视。

的头像 电子发烧友网工程师 发表于 12-06 08:59 231次 阅读
PCB设计高速信号走线的九种规则

优化了功率级的20位1MSPS高性能数据采集系统

描述             该适用于高性能数据采集 (DAQ) 系统的参考设计优化了功率级,...

发表于 12-05 13:56 125次 阅读
优化了功率级的20位1MSPS高性能数据采集系统

非接触式产品天线设计中面临的挑战

Chung Wei Hoe 英飞凌科技亚太有限公司 汽车、工业和多元化市场部芯片卡销售与营销分部 高级系统应用工程师(系统应用工程...

发表于 12-05 09:55 73次 阅读
非接触式产品天线设计中面临的挑战

PCB设计走线的几点专家建议

直角走线为什么要避免(对信号影响的三个方面) 直角走线的对信号的影响就是主要体现在三个方面: 一是拐角可以等效为传...

发表于 12-05 09:36 123次 阅读
PCB设计走线的几点专家建议

基于MSP430 MCU实现单相位和DC仪表计量

描述     此设计采用 MSP430 MCU 实现高精度单相嵌入式计量应用。该 EVM 具有测量以下参数的内置支持:交流...

发表于 12-04 14:28 145次 阅读
基于MSP430 MCU实现单相位和DC仪表计量

反激式转换器与SiC用AC/DC转换器控制IC组合显著提高效率

ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”,是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是...

发表于 12-04 10:11 32次 阅读
反激式转换器与SiC用AC/DC转换器控制IC组合显著提高效率

采用升压转换器TPS61088的低辐射EMI解决方案

描述             This reference design delivers a low radiated EMI soluti...

发表于 12-03 16:43 140次 阅读
采用升压转换器TPS61088的低辐射EMI解决方案

几种开关电源EMI的抑制方案分析对比

    关于开关电源EMI(Electro-Magnetic Interference)的研究,有些从EMI产生的机理出发,有些从EMI产生...

发表于 12-03 11:22 87次 阅读
几种开关电源EMI的抑制方案分析对比

关于DC/DC电源和EMI的讨论

        DC/DC的噪声的影响三个参数主要为:占空比Duty;开关频率Fs;上升时间Tr。其中开...

发表于 12-03 11:18 33次 阅读
关于DC/DC电源和EMI的讨论

Xilinx Zynq SOC的动态电源管理功能的展示

此Zynq低功耗模式(LPM)演示讨论并展示了Xilinx Zynq SOC的动态电源管理功能的实例....

的头像 Xilinx视频 发表于 11-29 06:26 133次 观看
Xilinx Zynq SOC的动态电源管理功能的展示

产生EMI问题的2个原因

产生EMI问题有2个原因一个是闭合回路电流还一个就是共模。差模就是一个信号沿一个方向传播,其返回信号....

发表于 11-24 09:31 305次 阅读
产生EMI问题的2个原因

多层电路板绘制的电磁兼容性设计规则详细资料免费下载

 本书是要帮助工程师们,减少来自于元件及电路之电磁干扰,以达到EMC 之可接受程度。其谈到以下两个E....

发表于 11-23 19:17 83次 阅读
多层电路板绘制的电磁兼容性设计规则详细资料免费下载

LED类产品认证要求详细资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是LED类产品认证要求详细资料免费下载主要内容包括了:一,EN55015 ....

发表于 11-21 08:00 56次 阅读
LED类产品认证要求详细资料免费下载

MFS系列柔性弯曲光纤传感器到底有什么作用能取代传统传感器吗

MFS系列柔性光纤传感器具有很多优异的性能,例如:传感器具备超高精度和高信号强度,抗电磁干扰和原子辐....

发表于 11-20 08:00 54次 阅读
MFS系列柔性弯曲光纤传感器到底有什么作用能取代传统传感器吗

韦尔股份确认收购芯能投资、芯力投资,将带动企业总体能力得到加强

韦尔股份(603501)发布公告称,公司拟通过云南产权交易所参与竞买瑞滇投资持有的深圳市芯能投资有限....

的头像 满天芯 发表于 11-19 14:40 791次 阅读
韦尔股份确认收购芯能投资、芯力投资,将带动企业总体能力得到加强

美军为部署迸发无线电的无人机寻找商业合作伙伴

美国海军认为,想要干扰一枚导弹,其中一种方法是在其飞行路径上部署一连串可以迸发无线电的无人机,于是公....

的头像 无人机网 发表于 11-19 10:08 476次 阅读
美军为部署迸发无线电的无人机寻找商业合作伙伴

整合99条开关电源EMI实际整改经验

EMI为电磁干扰,EMI是EMC其中的一部分,EMI(Electronic Magnetic Int....

的头像 电子发烧友网工程师 发表于 11-19 08:42 683次 阅读
整合99条开关电源EMI实际整改经验

电子技术在汽车安全装置系统中的应用研究毕业论文

现代电子技术与汽车工业的结合促成了电子汽车概念的诞生和实现,概括地来说当前的汽车电子技术主要包括:智....

发表于 11-19 08:00 56次 阅读
电子技术在汽车安全装置系统中的应用研究毕业论文

关于对产品进行EMC兼容性的测试和认证方法浅析

伴随着现代电子技术的发展,各种电子设备的集成度越来越高。大量高速总线和RF功能的引入,使设备本身产生....

发表于 11-17 09:42 223次 阅读
关于对产品进行EMC兼容性的测试和认证方法浅析

中芯国际Q3营收同比增长四成,表现亮眼

中芯国际公布了截止九月的第三季度财报。财报显示,中芯国际2018年第三季度销售额达到8.507亿美元....

的头像 半导体投资联盟 发表于 11-16 16:25 1186次 阅读
中芯国际Q3营收同比增长四成,表现亮眼

罗德与施瓦茨公司显著提升EMC测试领导力

新版的R&S ELEKTRA EMC测试软件支持全自动化电磁发射EMI和电磁敏感度EMS测试,满足产....

发表于 11-13 11:39 109次 阅读
罗德与施瓦茨公司显著提升EMC测试领导力

浅谈如何应对印刷电路板的EMI噪讯

随着电子组件功能提升,各种电子产品不断朝向高速化方向发展,然而高性能化、多功能化、可携带化的结果,各....

发表于 11-13 09:14 96次 阅读
浅谈如何应对印刷电路板的EMI噪讯

IP5508多功能电源管理SOC解决方案的数据手册免费下载

IP5508 是一款集成升压转换器、锂电池充电管理、电池电量指示的多功能电源管理 SOC,为数码管显....

发表于 11-13 08:00 66次 阅读
IP5508多功能电源管理SOC解决方案的数据手册免费下载

LM25574-Q1降压开关稳压器的中文数据手册免费下载

LM25574-Q1 是一款易于使用的降压开关稳压器,可使设计工程师使用最少的组件设计并优化可靠的电....

发表于 11-12 08:00 57次 阅读
LM25574-Q1降压开关稳压器的中文数据手册免费下载

ADI与Linear合并对电源管理IC市场有何影响

ADI与Linear成功合并一年多之后,在电源领域带来了哪些新的技术和产品,对于电源管理芯片市场又将....

的头像 芯智讯 发表于 11-11 10:00 1101次 阅读
ADI与Linear合并对电源管理IC市场有何影响

EMI滤波器共模电感详解

偏磁磁通沿磁芯分布不均匀,在绕组中间部位磁密最大

发表于 11-10 09:44 419次 阅读
EMI滤波器共模电感详解

电路板传导测试EMI超标的解决方案

EMC在电子产品/设备已经成为可靠性的重要组成部分;将越来越被重视!特别对于我们的工业&消费类产品要....

发表于 11-10 09:24 411次 阅读
电路板传导测试EMI超标的解决方案

针对低压Buck转换器工作中的EMI问题进行很基础的分析

当上桥MOSFET Q1导通的时候,电流从电源流出,经Q1和L1后进入输出电容和负载,再经地线回流至....

的头像 电源研发精英圈 发表于 11-08 11:20 447次 阅读
针对低压Buck转换器工作中的EMI问题进行很基础的分析

用于实验室仪器的功率模块

因为EMI会导致设备性能下降和潜在的故障,实验室仪器对其有着极其严格的标准。由于固有的开关作用,基于....

的头像 人间烟火123 发表于 11-05 15:37 918次 阅读
用于实验室仪器的功率模块

EMC是什么?EMC培训资料包括了流程、测试、设计等资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是EMC培训资料主要内容包括了:1.电磁兼容基本概念2.产品 EMC工作流....

发表于 11-05 08:00 88次 阅读
EMC是什么?EMC培训资料包括了流程、测试、设计等资料免费下载

SAW滤波器在抗EMI领域获得的应用越来越广泛

随着科学技术的不断进步和人类生活水平的逐步提高,家电设备、移动式和个人携带式电子设备日益增多,于是各....

发表于 11-03 11:22 197次 阅读
SAW滤波器在抗EMI领域获得的应用越来越广泛

关于EMI的实战设计技巧详解

EMC(电磁兼容),包含EMI(电磁干扰)和EMS(电磁抗扰度)两大部分。本文重点讲述EMI的实战设....

发表于 11-03 09:52 994次 阅读
关于EMI的实战设计技巧详解

RT-Thread正式开源了电源管理框架

MCU 通常可以运行在不同的频率,也可以进入不同的休眠模式。在 PM 组件的底层实现里,是将这些模式....

的头像 RTThread物联网操作系统 发表于 11-02 15:45 761次 阅读
RT-Thread正式开源了电源管理框架

超宽带EMI滤波器在频率高端的处理方法浅析

近十几年来,作为微波实验基础设施的屏蔽室,其应用的频率范围不断扩展,频率高端已由1GHz增加到18G....

发表于 10-28 10:41 240次 阅读
超宽带EMI滤波器在频率高端的处理方法浅析

EMI抗干扰设计与低噪声电路设计方案浅析

EMI 是当今许多设计人员所面临的一项重大挑战。如果不能顺利通过 EMI 测试,则将导致项目成本显著....

发表于 10-28 10:34 304次 阅读
EMI抗干扰设计与低噪声电路设计方案浅析

EMP和HEMP滤波器技术保护电子系统免受IEMI和EMI的危害

自然和无意的EMI超出了这项工作的范围。然而,保护IEMI电子器件的方法也可以提供一些自然和无意EM....

发表于 10-27 11:50 387次 阅读
EMP和HEMP滤波器技术保护电子系统免受IEMI和EMI的危害

高功率单片式 Silent Switcher 2 稳压器

集成化补偿电路和旁路电容器最大限度减小了总体解决方案尺寸,并简化了低 EMI 布局。利用一个简单的铁....

的头像 人间烟火123 发表于 10-26 10:58 1524次 阅读
高功率单片式 Silent Switcher 2 稳压器

TPH1R712MD MOSFET硅P沟道MOS芯片的数据手册免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是TPH1R712MD MOSFET硅P沟道MOS芯片的数据手册免费下载。

发表于 10-26 08:00 86次 阅读
TPH1R712MD MOSFET硅P沟道MOS芯片的数据手册免费下载

新一代手机设计中ESD和EMI问题解决方法

最新的无线终端产品大多数都装备了高速数据接口、高分辨率LCD屏和相机模块,甚至有些手机还安装了通过D....

发表于 10-20 11:04 787次 阅读
新一代手机设计中ESD和EMI问题解决方法

开关电源Layout的电路,安规,EMI,散热及制作工艺和安装使用要求

PCB Layout是开关电源研发过程中的极为重要的步骤和环节,关系到开关电源能否正常工作,生产是否....

的头像 MCU开发加油站 发表于 10-20 10:42 901次 阅读
开关电源Layout的电路,安规,EMI,散热及制作工艺和安装使用要求

使用电源模块简化低EMI设计

越来越多的应用必须通过EMI标准,制造商才获得商业转售批准。开关电源意味着器件内部有电子开关,EMI....

发表于 10-18 17:12 491次 阅读
使用电源模块简化低EMI设计

浅谈开关电源中EMI来源 电源模块如何降低EMI

本文将介绍开关电源中EMI的来源以及降低EMI的方法或技术。本文还将向您展示电源模块(控制器、高侧和....

的头像 人间烟火123 发表于 10-17 18:08 1598次 阅读
浅谈开关电源中EMI来源 电源模块如何降低EMI

浅析EMI预兼容测试内容与EMI故障排查步骤

EMI 故障排查:通过观察干扰信号的频谱,优化设计,提高 EMI 一致性测试通过率。

的头像 微波射频网 发表于 10-17 16:34 551次 阅读
浅析EMI预兼容测试内容与EMI故障排查步骤

UCC27528-Q1 UCC27528-Q1 基于 CMOS 输入阈值的双路 5A 高速低侧栅极驱动器

UCC27528-Q1器件是一款双通道,高速,低侧栅极驱动器,能够高效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关.UCC27528-Q1器件采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供高达5A的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为17ns)。除此之外,此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟,这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极输入引脚阈值基于CMOS逻辑,此逻辑是VDD电源电压的一个函数。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗噪性。使能引脚基于TTL和COMS兼容逻辑,与VDD电源电压无关。 UCC27528-Q1是一款双通道同相驱动器。当输入引脚处于悬空状态时,UCC27528-Q1器件可UCC27528-Q1器件特有使能引脚(ENA和ENB),能够更好地控制此驱动器应用的运行。这些引脚内部上拉至VDD电源以实现高电平有效逻辑运行,并且可保持断开连接状态以实现标准运行。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100器件温度等级1 工业标准引脚分配 两个独立的栅极驱动通道 5A峰值供源和吸收驱动电流 互补金属氧化...

发表于 10-16 11:19 4次 阅读
UCC27528-Q1 UCC27528-Q1 基于 CMOS 输入阈值的双路 5A 高速低侧栅极驱动器

UCC27211A 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver

UCC27211A器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升。 峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。> UCC27211A的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210A(a CMOS输入)和UCC27211A(TTL输入)已经增加了落后特性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器是独立控制的,并且在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平...

发表于 10-16 11:19 25次 阅读
UCC27211A 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver

UCC27518A-Q1 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载,此电容负载提供了轨到轨驱动的双极型晶体管(IGBT)开关。借助于固有的大大减少击穿电流的设计能力以及极小传播延迟(典型值为17ns)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在VDD = 12V时提供4A拉电流和4A灌电流(对称驱动)峰值驱动电流功能。 /p> UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在4.5V至18V的宽VDD范围以及-40°C到140°C的宽温度范围内运行.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路保持VDD运行范围之外的输出低电平。能够运行在诸如低于5V的低电压电平上,连同同类产品中最佳的开关特性,使得此器件非常适合于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市UCC27519A-Q1可按需提供(只用于预览)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1的输入引脚阀值基于CMOS逻辑电路,此逻辑电路的阀值电压是VDD电源电压的函数。通常情况下,输入高阀值(V IN-H )是V DD 的55%,而输入低阀值(V IN-L...

发表于 10-16 11:19 10次 阅读
UCC27518A-Q1 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27211A-Q1器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升。 < p>峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC27211A-Q1的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27211A-Q1已经增加了落后特性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。 UCC27211A-Q1器件采用8引脚SO-...

发表于 10-16 11:19 18次 阅读
UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

TPS51604-Q1驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有精简死区时间驱动和自动零交叉等高级特性,可用于在整个负载范围内优化效率。 SKIP 引脚提供立即CCM操作以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604-Q1还支持两种低功耗模式。借助于三态PWM输入,静态电流可减少至130μA,并支持立即响应。当跳过保持在三态时,电流可减少至8μA。此驱动器与适当的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604-Q1器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至125°C。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100的下列结果: 器件温度等级1:-40°C至125°C 器件人体模型静电放电(ESD)分类等级H2 器件的充电器件模型ESD分类等级C3B 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V...

发表于 10-16 11:19 18次 阅读
TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC27532-Q1是一款单通道高速栅极驱动器,此驱动器可借助于高达2.5A的源电流和5A的灌电流(非对称驱动)峰值电流来有效驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和IGBT电源开关。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生米勒接通效应的能力.UCC27532-Q1器件还特有一个分离输出配置,在此配置中栅极驱动电流从OUTH引脚拉出并从OUTL引脚被灌入。这个引脚安排使得用户能够分别在OUTH和OUTL引脚采用独立的接通和关闭电阻器,并且能很轻易地控制开关的转换率。 此驱动器具有轨到轨驱动功能以及17ns(典型值)的极小传播延迟。 UCC27532-Q1器件具有CMOS输入阀值,此阀值在VDD低于或等于18V时介于比VDD高55%的电压值与比VDD低45%的电压值范围内。当VDD高于18V时,输入阀值保持在其最大水平上。 此驱动器具有一个EN引脚,此引脚有一个固定的TTL兼容阀值.EN被内部上拉;将EN下拉为低电平禁用驱动器,而将其保持打开可提供正常运行。EN引脚可被用作一个额外输入,其性能与IN引脚一样。 将驱动器的输入引脚保持开状态将把输出保持为低电平。此驱动器的逻辑运行方式显示在,,和中。 VDD引脚...

发表于 10-16 11:19 12次 阅读
UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC27516 4A/4A Single Channel High-Speed Low-side Gate Driver

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...

发表于 10-16 11:19 8次 阅读
UCC27516 4A/4A Single Channel High-Speed Low-side Gate Driver

UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

UCC27324-Q1高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。采用本质上最小化直通电流的设计,这些驱动器在MOSFET开关转换期间在Miller平台区域提供最需要的4A电流。独特的双极和MOSFET混合输出级并联,可在低电源电压下实现高效的电流源和灌电流。 该器件采用标准SOIC-8(D)封装。 特性 符合汽车应用要求 行业标准引脚 高电流驱动能力±4位于Miller Plateau Region的 即使在低电源电压下也能实现高效恒流源 TTL和CMOS兼容输入独立于电源电压 典型上升时间为20 ns,典型下降时间为15 ns,负载为1.8 nF 典型传播延迟时间为25 ns,输入下降,输入时间为35 ns上升 电源电压为4 V至15 V 供电电流为0.3 mA 双输出可以并联以获得更高的驱动电流 额定值从T J = -40°C至125°C TrueDrive输出架构使用并联双极晶体管和CMOS晶体管 参数 与其它产品相比 低侧驱动器   Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Time (ns) Fall Time (ns) Prop Delay (ns) Input T...

发表于 10-16 11:19 4次 阅读
UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

LM5100A /B /C和LM5101A /B /C高压栅极驱动器设计用于驱动高侧和低侧N. - 同步降压或半桥配置的通道MOSFET。浮动高侧驱动器能够在高达100 V的电源电压下工作.A版本提供完整的3-A栅极驱动,而B和C版本分别提供2 A和1 A.输出由CMOS输入阈值(LM5100A /B /C)或TTL输入阈值(LM5101A /B /C)独立控制。 提供集成高压二极管为高端栅极充电驱动自举电容。稳健的电平转换器以高速运行,同时消耗低功率并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低侧和高侧电源轨均提供欠压锁定。这些器件采用标准SOIC-8引脚,SO PowerPAD-8引脚和WSON-10引脚封装。 LM5100C和LM5101C也采用MSOP-PowerPAD-8封装。 LM5101A还提供WSON-8引脚封装。 特性 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET ...... 独立高低 - 驱动器逻辑输入 自举电源电压高达118 V DC 快速传播时间(典型值为25 ns) 驱动1000-pF负载,8- ns上升和下降时间 优秀的传播延迟匹配(3 ns 典型值) 电源轨欠压锁定 低功耗< /li> 引脚与HIP2100 /HIP2101兼容 参数 与其它产品相比 半桥驱动器   Number of Ch...

发表于 10-16 11:19 35次 阅读
LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向双路高速 MOSFET 驱动器

TPS2811双通道高速MOSFET驱动器能够为高容性负载提供2 A的峰值电流。这种性能是通过一种设计实现的,该设计本身可以最大限度地减少直通电流,并且比竞争产品消耗的电源电流低一个数量级。 TPS2811驱动器包括一个稳压器,允许在14 V和14 V之间的电源输入工作。 40 V.稳压器输出可以为其他电路供电,前提是功耗不超过封装限制。当不需要稳压器时,REG_IN和REG_OUT可以保持断开状态,或者两者都可以连接到V CC 或GND。 TPS2811驱动器采用8引脚TSSOP封装并在-40°C至125°C的环境温度范围内工作。 特性 符合汽车应用要求 行业标准驱动程序更换 25-ns Max Rise /下降时间和40-ns Max 传播延迟,1-nF负载,V CC = 14 V 2-A峰值输出电流,V CC < /sub> = 14 V 输入电压高或低的5μA电源电流 4 V至14 V电源电压范围;内部调节器将范围扩展至40 V -40°C至125°C环境温度工作范围 参数 与其它产品相比 低侧驱动器   Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Tim...

发表于 10-16 11:19 2次 阅读
TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向双路高速 MOSFET 驱动器

UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27511和UCC27512单通道高速低侧栅极驱动器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27511和UCC27512采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为13ns)。 UCC27511特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚均可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保 UCC27 511器件的输入引脚阈值基于与TTL和COMS兼容的低电压逻辑电路,此逻辑电路是固定的且与V DD 电源电压无关。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。 UCC27511和UCC27512提供4A拉电流,8A灌电流(非对称驱动)峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生,米勒接通效应的能力.UCC27511器件还具有一个独特的分离输出配置,其中的栅极驱动电流通过OUTH引脚拉出,通过OUTL引脚灌入。这种独特的引脚排列使...

发表于 10-16 11:19 17次 阅读
UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...

发表于 10-16 11:19 12次 阅读
UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和独立的高侧和低侧驱动器输入以实现最大的控制灵活这允许在半桥,全桥,双开关正向和有源钳位正激转换器中进行N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制,并在相互之间的开启和关断之间匹配1 ns。 片内自举二极管消除了外部分立二极管。为高侧驱动器和低侧驱动器提供欠压锁定,如果驱动器电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。 提供两种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD(DDA)封装。对于所有可用封装,请参见数据手册末尾的可订购附录。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1: -40°C至125°C环境工作温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C5 驱动两个高侧和低侧配置的N沟道MOSFET 最大启动电压:120 V 最大V DD < /sub>电压:20 V 片内0.65 V VF,0.6ΩRD自举二极管 大于1 MHz的工作 20- ns传播延迟时间 3-A漏极,3A源输出电流 8-ns上升和...

发表于 10-16 11:19 21次 阅读
UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC27538 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

发表于 10-16 11:19 12次 阅读
UCC27538 栅极驱动器

UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns)。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部欠压锁定(UVLO)电路可在V DD 超出运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中最佳的开关特性,因此非常适用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 符合汽车应用要求的器件温度1级:-40°C至125°C的环境运行温度范围 器件人体放电模式(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件组件充电模式(CDM)ESD分类等级C6 低成本栅极驱动器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品 4A峰值拉电流和灌电流对称驱动 能够输入上处理负...

发表于 10-16 11:19 2次 阅读
UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受欢迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器,但性能得到了显着提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。现在,输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC2721x的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210(a CMOS输入)和UCC27211( TTL输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器接口的抗扰度得到了增强。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了2ns的延迟匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低...

发表于 10-16 11:19 40次 阅读
UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有0.5A拉电流,1.0A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含保护特性,在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至20V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者专用于自电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在UCC27710上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入,带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完全可正常工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...

发表于 10-16 11:19 32次 阅读
UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27533 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

发表于 10-16 11:19 32次 阅读
UCC27533 栅极驱动器

UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

发表于 10-16 11:19 14次 阅读
UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有降低死区时间驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项,以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制(PWM)输入三态,静态电流被减少至130μA,并支持立即响应。当 SKIP 被保持在三态时,电流被减少至8μA(恢复切换通常需要20μs)。此驱动器与合适的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至105°C。 特性 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极本)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V IN < /sub>):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 半桥驱动器   Number of Channels (#) ...

发表于 10-16 11:19 19次 阅读
TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

PCB设计EMC/EMI的仿真分析

由于PCB板上的电子器件密度越来越大,走线越来越窄,走线密度也越来越高,信号的频率也越来越高,不可避....

发表于 10-16 10:18 260次 阅读
PCB设计EMC/EMI的仿真分析

HUD的有哪些EMI问题?如何解决HUD的EMI问题?详细分析

自上世纪80年代,HUD开始从飞机嫁接于汽车,但HUD真正受到世人瞩目还是在虚拟显示概念被广泛了解的....

的头像 韬略科技EMC 发表于 10-14 11:39 778次 阅读
HUD的有哪些EMI问题?如何解决HUD的EMI问题?详细分析

如何减少D类放大器中的电磁干扰?

在手机、GPS系统、膝上型电脑和笔记本电脑、平板电脑、游戏机、玩具等,这些电子产品中通常选用的驱动扬....

的头像 电磁兼容EMC 发表于 10-14 10:44 806次 阅读
如何减少D类放大器中的电磁干扰?

苹果抛弃Imagination后,A系列芯片的GPU已经完成自研

苹果将以3亿美元现金收购Dialog Semiconductor(一家总部位于欧洲的芯片制造商)公司....

的头像 电子发烧友网工程师 发表于 10-12 14:10 1125次 阅读
苹果抛弃Imagination后,A系列芯片的GPU已经完成自研

低功耗处理器与MAX23625、MAX32630的性能介绍

本期视频主要介绍了:1. Maxim在处理器的经验,2.在可穿戴应用中可能遇到的问题,3.MA....

的头像 Maxim视频 发表于 10-12 03:07 476次 观看
低功耗处理器与MAX23625、MAX32630的性能介绍

苹果6亿美元买通Dialog电源IC技术

Dialog公司对外宣布,已经与苹果达成深入合作。苹果将以6亿美元的代价,买通了Dialog公司的电....

发表于 10-11 16:18 318次 阅读
苹果6亿美元买通Dialog电源IC技术

在Eclipse工具中如何设置MAX32630/31评估板

Venkatesh演示如何设置MAX32630和MAX32631超低功耗、Arm Cortex-M4....

的头像 Maxim视频 发表于 10-11 04:16 415次 观看
在Eclipse工具中如何设置MAX32630/31评估板

如何用MAX32630配置微控制器进行深度睡眠

In this video, Mohamed discusses some of the low-p....

的头像 Maxim视频 发表于 10-10 13:44 325次 观看
如何用MAX32630配置微控制器进行深度睡眠

什么是外设管理单元?有何特点

本系列视频总共分为5部分。在第1部分视频中,介绍Maxim独有的外设管理单元(即PMU),及其如何减....

的头像 Maxim视频 发表于 10-10 03:00 511次 观看
什么是外设管理单元?有何特点

你了解电路板的抗干扰设计吗?本文让你快速理解

抗干扰设计的基本任务是系统或装置既不因外界电磁干扰影响而误动作或丧失功能,也不向外界发送过大的噪声干....

发表于 10-09 08:00 125次 阅读
你了解电路板的抗干扰设计吗?本文让你快速理解

浅析EMC基础理论下的工业及消费电子产品设备

电源 EMI 滤波器是一种无源双向网络,它一端接电源,另一端接负载。在所关心的衰减频带的较高频段,可....

发表于 10-08 15:01 195次 阅读
浅析EMC基础理论下的工业及消费电子产品设备

电磁干扰与电磁兼容的测量和判断方法

A. 所有电磁兼容标准中的电磁干扰极限值都是在频域中定义的,而示波器显示出的时域波形。因此测试得到的....

发表于 10-08 14:36 994次 阅读
电磁干扰与电磁兼容的测量和判断方法

GT3LS01L电容式液位传感器的详细资料免费下载

 GT3LS01L是GRANTUOCH3TM电容式液位传感器系列之一。特别是GT3LS01L可以在G....

发表于 10-08 08:00 73次 阅读
GT3LS01L电容式液位传感器的详细资料免费下载

第一部分:MAX32630微控制器的设置

在本视频短片中,Mohamed介绍利用实时时钟(RTC)电路计时的不同方法。Mohamed演示在智能....

的头像 Maxim视频 发表于 10-08 03:19 680次 观看
第一部分:MAX32630微控制器的设置