华虹半导体第二代90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产

独角兽 2017-12-27 17:59 次阅读

香港, 2017年12月27日 - (亚太商讯) - 全球领先的200mm纯晶圆代工厂——华虹半导体有限公司 (“华虹半导体”或“公司”,连同其附属公司,统称“集团”,股份代号:1347.HK) 今天宣布其第二代90纳米嵌入式闪存 (90nm G2 eFlash) 工艺平台已成功实现量产,技术实力和竞争力再度加强。

华虹半导体在第一代90纳米嵌入式闪存 (90nm G1 eFlash) 工艺技术积累的基础上,于90nm G2 eFlash工艺平台实现了多方面的技术提升。90nm G2微缩了Flash的元胞尺寸,较第一代减小约25%,为目前全球晶圆代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸。此外,90nm G2采用了新的Flash IP设计架构,在保证高可靠性 (即10万次擦写及25年数据保持能力) 的同时,提供了极小面积的低功耗Flash IP。因此,90nm G2 eFlash能够大大缩小整体芯片面积,从而在单片晶圆上拥有更多的裸芯片数量,尤其对于具有高容量eFlash的芯片产品,90nm G2 eFlash的面积优势更为显著。值得一提的是,90nm G2 eFlash在第一代的基础上又缩减了一层光罩,使得制造成本更低。

目前,90nm G2 eFlash已实现了高良率的稳定量产,成功用于大规模生产电信卡芯片,并将为智能卡芯片、安全芯片产品以及MCU等多元化产品提供更具性价比的芯片制造技术解决方案。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“第二代的90nm G2 eFlash工艺的成功量产,标志着华虹半导体在特色化嵌入式闪存技术上的又一次成功。嵌入式非易失性存储器技术是我们的战略重点之一,长期以来凭借着高安全性、高稳定性、高性价比以及技术先进性在业界广受认可。作为全球领先的智能卡IC代工厂,华虹半导体将坚持深耕,不断优化工艺,升级平台,持续领航智能IC卡代工领域,并大力发力物联网、新能源汽车等高增长新兴市场。”

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这款带有存储器的单片四路双输入多路复用器提供了两个独立的MSI功能(SN54LS157 /SN74LS157和SN54LS175 /SN74LS175)的等效功能16引脚封装。 当字选输入为低电平时,字1(A1,B1,C1,D1)应用于触发器。字输入的高输入将导致选择字2(A2,B2,C2,D2)。所选字在时钟脉冲的正向边沿输出到输出端。 典型功耗为37毫瓦。 SN54LS399的特点是可在-55°C至125°C的整个军事范围内工作。 SN74LS399的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 特性 'LS399 上的单轨输出选择两个4位数据源中的一个并与系统同步存储数据时钟 应用程序: 算术处理器中操作数和常量的双源;可以释放处理器寄存器文件以获取新数据 实现能够并行交换内容但保留外部负载能力的单独寄存器 用于实现各种移位模式的通用类型寄存器:甚至还有复合左 - 权利能力 参数 与其它产品相比 编码器和解码器   Function Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Channels (#) Voltage (Nom) (V) F @ Nom Voltage (Max) (Mhz) ICC @ Nom Voltage (Max) (mA) tpd @ Nom Voltage (M...

发表于 08-23 16:16 0次 阅读
SN74LS399 具有存储器的四路 2 输入多路复用器