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关于静电放电(ESD)原理以及其保护方法的详细分析

2017-12-19 14:03 次阅读

一直想给大家讲讲ESD的理论,很经典。但是由于理论性太强,任何理论都是一环套一环的,如果你不会画鸡蛋,注定了你就不会画大卫。

先来谈静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)是什么?这应该是造成所有电子元器件集成电路系统造成过度电应力破坏的主要元凶。因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏),所以这种损伤是毁灭性和永久性的,会造成电路直接烧毁。所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题。

静电,通常都是人为产生的,如生产、组装、测试、存放、搬运等过程中都有可能使得静电累积在人体、仪器或设备中,甚至元器件本身也会累积静电,当人们在不知情的情况下使这些带电的物体接触就会形成放电路径,瞬间使得电子元件或系统遭到静电放电的损坏(这就是为什么以前修电脑都必须要配戴静电环托在工作桌上,防止人体的静电损伤芯片),如同云层中储存的电荷瞬间击穿云层产生剧烈的闪电,会把大地劈开一样,而且通常都是在雨天来临之际,因为空气湿度大易形成导电通到。

关于静电放电(ESD)原理以及保护方法的详细分析

那么,如何防止静电放电损伤呢?首先当然改变坏境从源头减少静电(比如减少摩擦、少穿羊毛类毛衣、控制空气温湿度等),当然这不是我们今天讨论的重点。

我们今天要讨论的时候如何在电路里面涉及保护电路,当外界有静电的时候我们的电子元器件或系统能够自我保护避免被静电损坏(其实就是安装一个避雷针)。这也是很多IC设计和制造业者的头号难题,很多公司有专门设计ESD的团队,今天我就和大家从最基本的理论讲起逐步讲解ESD保护的原理及注意点,你会发现前面讲的PN结/二极管三极管、MOS管、snap-back全都用上了。。。

以前的专题讲解PN结二极管理论的时候,就讲过二极管有一个特性:正向导通反向截止,而且反偏电压继续增加会发生雪崩击穿而导通,我们称之为钳位二极管(Clamp)。这正是我们设计静电保护所需要的理论基础,我们就是利用这个反向截止特性让这个旁路在正常工作时处于断开状态,而外界有静电的时候这个旁路二极管发生雪崩击穿而形成旁路通路保护了内部电路或者栅极(是不是类似家里水槽有个溢水口,防止水龙头忘关了导致整个卫生间水灾)。

那么问题来了,这个击穿了这个保护电路是不是就彻底死了?难道是一次性的?答案当然不是。PN结的击穿分两种,分别是电击穿和热击穿,电击穿指的是雪崩击穿(低浓度)和齐纳击穿(高浓度),而这个电击穿主要是载流子碰撞电离产生新的电子-空穴对(electron-hole),所以它是可恢复的。但是热击穿是不可恢复的,因为热量聚集导致硅(Si)被熔融烧毁了。所以我们需要控制在导通的瞬间控制电流,一般会在保护二极管再串联一个高电阻,

另外,大家是不是可以举一反三理解为什么ESD的区域是不能form Silicide的?还有给大家一个理论,ESD通常都是在芯片输入端的Pad旁边,不能在芯片里面,因为我们总是希望外界的静电需要第一时间泄放掉吧,放在里面会有延迟的(关注我前面解剖的那个芯片PAD旁边都有二极管。甚至有放两级ESD的,达到双重保护的目的。

在讲ESD的原理和Process之前,我们先讲下ESD的标准以及测试方法,根据静电的产生方式以及对电路的损伤模式不同通常分为四种测试方式:人体放电模式(HBM: Human-Body Model)、机器放电模式(Machine Model)、元件充电模式(CDM: Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM: Field-Induced Model),但是业界通常使用前两种模式来测试(HBM, MM)。

1、人体放电模式(HBM):当然就是人体摩擦产生了电荷突然碰到芯片释放的电荷导致芯片烧毁击穿,秋天和别人触碰经常触电就是这个原因。业界对HBM的ESD标准也有迹可循(MIL-STD-883C method 3015.7,等效人体电容为100pF,等效人体电阻为1.5Kohm),或者国际电子工业标准(EIA/JESD22-A114-A)也有规定,看你要follow哪一份了。如果是MIL-STD-883C method 3015.7,它规定小于<2kV的则为Class-1,在2kV~4kV的为class-2,4kV~16kV的为class-3。

2、机器放电模式(MM):当然就是机器(如robot)移动产生的静电触碰芯片时由pin脚释放,次标准为EIAJ-IC-121 method 20(或者标准EIA/JESD22-A115-A),等效机器电阻为0 (因为金属),电容依旧为100pF。由于机器是金属且电阻为0,所以放电时间很短,几乎是ms或者us之间。但是更重要的问题是,由于等效电阻为0,所以电流很大,所以即使是200V的MM放电也比2kV的HBM放电的危害大。而且机器本身由于有很多导线互相会产生耦合作用,所以电流会随时间变化而干扰变化。

ESD的测试方法类似FAB里面的GOI测试,指定pin之后先给他一个ESD电压,持续一段时间后,然后再回来测试电性看看是否损坏,没问题再去加一个step的ESD电压再持续一段时间,再测电性,如此反复直至击穿,此时的击穿电压为ESD击穿的临界电压(ESD failure threshold Voltage)。通常我们都是给电路打三次电压(3 zaps),为了降低测试周期,通常起始电压用标准电压的70% ESD threshold,每个step可以根据需要自己调整50V或者100V。

(1). Stress number = 3 Zaps. (5 Zaps, the worst case)
(2). Stress step ΔVESD = 50V(100V) for VZAP <=1000VΔVESD = 100V(250V, 500V) for VZAP > 1000V
(3). Starting VZAP = 70% of averaged ESD failure threshold (VESD)

1. I/O pins:就是分别对input-pin和output-pin做ESD测试,而且电荷有正负之分,所以有四种组合:input+正电荷、input+负电荷、output+正电荷、output+负电荷。测试input时候,则output和其他pin全部浮接(floating),反之亦然。

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2. pin-to-pin测试: 静电放电发生在pin-to-pin之间形成回路,但是如果要每每两个脚测试组合太多,因为任何的I/O给电压之后如果要对整个电路产生影响一定是先经过VDD/Vss才能对整个电路供电,所以改良版则用某一I/O-pin加正或负的ESD电压,其他所有I/O一起接地,但是输入和输出同时浮接(Floating)。

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3、Vdd-Vss之间静电放电:只需要把Vdd和Vss接起来,所有的I/O全部浮接(floating),这样给静电让他穿过Vdd与Vss之间。

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4、Analog-pin放电测试:因为模拟电路很多差分比对(Differential Pair)或者运算放大器(OP AMP)都是有两个输入端的,防止一个损坏导致差分比对或运算失效,所以需要单独做ESD测试,当然就是只针对这两个pin,其他pin全部浮接(floating)。

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好了,ESD的原理和测试部分就讲到这里了,下面接着讲Process和设计上的factor

随着摩尔定律的进一步缩小,器件尺寸越来越小,结深越来越浅,GOX越来越薄,所以静电击穿越来越容易,而且在Advance制程里面,Silicide引入也会让静电击穿变得更加尖锐,所以几乎所有的芯片设计都要克服静电击穿问题。

关于静电放电(ESD)原理以及保护方法的详细分析

静电放电保护可以从FAB端的Process解决,也可以从IC设计端的Layout来设计,所以你会看到Prcess有一个ESD的option layer,或者Design rule里面有ESD的设计规则可供客户选择等等。当然有些客户也会自己根据SPICE model的电性通过layout来设计ESD。

1、制程上的ESD:要么改变PN结,要么改变PN结的负载电阻,而改变PN结只能靠ESD_IMP了,而改变与PN结的负载电阻,就是用non-silicide或者串联电阻的方法了。

1) Source/Drain的ESD implant:因为我们的LDD结构在gate poly两边很容易形成两个浅结,而这个浅结的尖角电场比较集中,而且因为是浅结,所以它与Gate比较近,所以受Gate的末端电场影响比较大,所以这样的LDD尖角在耐ESD放电的能力是比较差的(<1kV),所以如果这样的Device用在I/O端口,很容造成ESD损伤。所以根据这个理论,我们需要一个单独的器件没有LDD,但是需要另外一道ESD implant,打一个比较深的N+_S/D,这样就可以让那个尖角变圆而且离表面很远,所以可以明显提高ESD击穿能力(>4kV)。但是这样的话这个额外的MOS的Gate就必须很长防止穿通(punchthrough),而且因为器件不一样了,所以需要单独提取器件的SPICE Model。

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2) 接触孔(contact)的ESD implant:在LDD器件的N+漏极的孔下面打一个P+的硼,而且深度要超过N+漏极(drain)的深度,这样就可以让原来Drain的击穿电压降低(8V-->6V),所以可以在LDD尖角发生击穿之前先从Drain击穿导走从而保护Drain和Gate的击穿。所以这样的设计能够保持器件尺寸不变,且MOS结构没有改变,故不需要重新提取SPICE model。当然这种智能用于non-silicide制程,否则contact你也打不进去implant。

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3) SAB (SAlicide Block):一般我们为了降低MOS的互连电容,我们会使用silicide/SAlicide制程,但是这样器件如果工作在输出端,我们的器件负载电阻变低,外界ESD电压将会全部加载在LDD和Gate结构之间很容易击穿损伤,所以在输出级的MOS的Silicide/Salicide我们通常会用SAB(SAlicide Block)光罩挡住RPO,不要形成silicide,增加一个photo layer成本增加,但是ESD电压可以从1kV提高到4kV。

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4)串联电阻法:这种方法不用增加光罩,应该是最省钱的了,原理有点类似第三种(SAB)增加电阻法,我就故意给他串联一个电阻(比如Rs_NW,或者HiR,等),这样也达到了SAB的方法。

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2、设计上的ESD:这就完全靠设计者的功夫了,有些公司在设计规则就已经提供给客户solution了,客户只要照着画就行了,有些没有的则只能靠客户自己的designer了,很多设计规则都是写着这个只是guideline/reference,不是guarantee的。一般都是把Gate/Source/Bulk短接在一起,把Drain结在I/O端承受ESD的浪涌(surge)电压,NMOS称之为GGNMOS (Gate-Grounded NMOS),PMOS称之为GDPMOS (Gate-to-Drain PMOS)。

以NMOS为例,原理都是Gate关闭状态,Source/Bulk的PN结本来是短接0偏的,当I/O端有大电压时,则Drain/Bulk PN结雪崩击穿,瞬间bulk有大电流与衬底电阻形成压差导致Bulk/Source的PN正偏,所以这个MOS的寄生横向NPN管进入放大区(发射结正偏,集电结反偏),所以呈现Snap-Back特性,起到保护作用。PMOS同理推导。

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这个原理看起来简单,但是设计的精髓(know-how)是什么?怎么触发BJT?怎么维持Snap-back?怎么撑到HBM>2KV or 4KV?

如何触发?必须有足够大的衬底电流,所以后来发展到了现在普遍采用的多指交叉并联结构(multi-finger)。但是这种结构主要技术问题是基区宽度增加,放大系数减小,所以Snap-back不容易开启。而且随着finger数量增多,会导致每个finger之间的均匀开启变得很困难,这也是ESD设计的瓶颈所在。

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如果要改变这种问题,大概有两种做法(因为triger的是电压,改善电压要么是电阻要么是电流):1、利用SAB(SAlicide-Block)在I/O的Drain上形成一个高阻的non-Silicide区域,使得漏极方块电阻增大,而使得ESD电流分布更均匀,从而提高泄放能力;2、增加一道P-ESD (Inner-Pickup imp,类似上面的接触孔P+ ESD imp),在N+Drain下面打一个P+,降低Drain的雪崩击穿电压,更早有比较多的雪崩击穿电流(详见文献论文: Inner Pickup on ESD of multi-finger NMOS.pdf)。

对于Snap-back的ESD有两个小小的常识要跟大家分享一下:

1)NMOS我们通常都能看到比较好的Snap-back特性,但是实际上PMOS很难有snap-back特性,而且PMOS耐ESD的特性普遍比NMOS好,这个道理同HCI效应,主要是因为NMOS击穿时候产生的是电子,迁移率很大,所以Isub很大容易使得Bulk/Source正向导通,但是PMOS就难咯。

2) Trigger电压/Hold电压: Trigger电压当然就是之前将的snap-back的第一个拐点(Knee-point),寄生BJT的击穿电压,而且要介于BVCEO与BVCBO之间。而Hold电压就是要维持Snap-back持续ON,但是又不能进入栅(Latch-up)状态,否则就进入二次击穿(热击穿)而损坏了。还有个概念就是二次击穿电流,就是进入Latch-up之后I^2*R热量骤增导致硅融化了,而这个就是要限流,可以通过控制W/L,或者增加一个限流高阻,最简单最常用的方法是拉大Drain的距离/拉大SAB的距离(ESD rule的普遍做法)。

3、栅极耦合(Gate-Couple) ESD技术:我们刚刚讲过,Multi-finger的ESD设计的瓶颈是开启的均匀性,假设有10只finger,而在ESD 放电发生时,这10 支finger 并不一定会同时导通(一般是因Breakdown 而导通),常见到只有2-3 支finger会先导通,这是因布局上无法使每finger的相对位置及拉线方向完全相同所致,这2~3 支finger 一导通,ESD电流便集中流向这2~3支的finger,而其它的finger 仍是保持关闭的,所以其ESD 防护能力等效于只有2~3 支finger的防护能力,而非10 支finger 的防护能力。

这也就是为何组件尺寸已经做得很大,但ESD 防护能力并未如预期般地上升的主要原因,增打面积未能预期带来ESD增强,怎么办?其实很简单,就是要降低Vt1(Trigger电压),我们通过栅极增加电压的方式,让衬底先开启代替击穿而提前导通产生衬底电流,这时候就能够让其他finger也一起开启进入导通状态,让每个finger都来承受ESD电流,真正发挥大面积的ESD作用。

但是这种GCNMOS的ESD设计有个缺点是沟道开启了产生了电流容易造成栅氧击穿,所以他不见的是一种很好的ESD设计方案,而且有源区越小则栅压的影响越大,而有源区越大则snap-back越难开启,所以很难把握。

4、还有一种复杂的ESD保护电路: 可控硅晶闸管(SCR: Silicon Controlled Rectifier),它就是我们之前讲过的CMOS寄生的PNPN结构触发产生Snap-Back并且Latch-up,通过ON/OFF实现对电路的保护,大家可以回顾一下,只要把上一篇里面那些抑制LATCH-up的factor想法让其发生就可以了,不过只能适用于Layout,不能适用于Process,否则Latch-up又要fail了。

最后,ESD的设计学问太深了,我这里只是抛砖引玉给FAB的人科普一下了,基本上ESD的方案有如下几种:电阻分压、二极管、MOS、寄生BJT、SCR(PNPN structure)等几种方法。而且ESD不仅和Design相关,更和FAB的process相关,而且学问太深了,我也不是很懂。


原文标题:一文讲透静电放电(ESD)保护!

文章出处:【微信号:gh_d145c2054c9d,微信公众号:RF与EMC小助手】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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评论

Carroso
作者大大能不能系统地讲一讲GGNMOS的栅耦合效应啊?我们在流片测试时,发现同一工艺批次下的GGNMOS的触发电压低于三极管,且二者发生雪崩击穿的PN结是相同的,不仅如此,我们还发现GGNMOS的触发与栅长也有关系,这其中栅的耦合效应到底是怎样的?

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[table=98%] [tr][td]假设 红外源辐射强度5mw/sr,0.5m出接受二极管光电流多少,接受二极管主要参数[/td][/tr] [tr][td] IR(...
发表于 04-21 02:29 64次 阅读
请问怎么根据辐射强度计算距离R处接受红外二极管的电流?

智能服装在健康监护领域有什么研究?

智能服装(smart/intelligentclothing)是近年来的一个研究热点,它的理 念最早起源于上世纪70年代末80年代初流行的“可穿戴计算...
发表于 04-20 06:24 156次 阅读
智能服装在健康监护领域有什么研究?

首款SPAD图像传感器的光子计数相机可以高速度在弱光下进行拍摄

据外媒报道,国外研究人员开发出了第一款基于新一代图像传感器技术的百万像素光子计数相机,该技术使用了单....
的头像 牵手一起梦 发表于 04-17 17:16 965次 阅读
首款SPAD图像传感器的光子计数相机可以高速度在弱光下进行拍摄

LED全彩显示屏是怎样来处理色度的

人们对LED全彩屏的要求越来越高,只对LED色坐标进行细分和筛选已无法满足人们挑剔的目光,对显示屏进....
发表于 04-17 09:01 97次 阅读
LED全彩显示屏是怎样来处理色度的

TEVA0R4V05D4X静电放电抑制器的数据手册免费下载

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发表于 04-17 08:00 58次 阅读
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IEC60747-2-2016分立器件整流二极管的规格标准免费下载

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发表于 04-17 08:00 91次 阅读
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50个典型电路的实例讲解

电路 1 简单电感量测量装置在电子制作和设计,经常会用到不同参数的电感线圈,这些线圈的电感量不像电阻....
发表于 04-17 08:00 538次 阅读
50个典型电路的实例讲解

LED静电失效原理是怎样的

随着LED业内竞争的不断加剧,LED品质受到了前所未有的重视。
发表于 04-16 17:57 124次 阅读
LED静电失效原理是怎样的

接口防护ESD指导教程说明

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发表于 04-16 08:00 77次 阅读
接口防护ESD指导教程说明

TEVA0R3V3D4X静电放电抑制器的数据手册免费下载

TEVA0R3V3D4X静电放电抑制器的数据手册免费下载
发表于 04-16 08:00 34次 阅读
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ESD抑制器TEVA0R3V05B1X的数据手册免费下载

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TEVA10R0V05B1X静电放电抑制器的数据手册免费下载

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发表于 04-16 08:00 41次 阅读
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TEVB0R3V05B1X静电放电抑制器的数据手册免费下载

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TEVB0R5V05B1X ESD抑制器的数据手册免费下载

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TEVB20R0V12B1X静电放电抑制器的数据手册免费下载

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TEVC3R0V05B1X ESD抑制器的数据手册免费下载

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TEVD22R0V15B1X ESD抑制器的数据手册免费下载

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发表于 04-16 08:00 74次 阅读
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TEVG15R0V24B2X静电放电抑制器的数据手册免费下载

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发表于 04-16 08:00 57次 阅读
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肖特基二极管和普通稳压二极管有什么区别

肖特基二极管和普通稳压二极管有什么区别
发表于 04-13 17:11 366次 阅读
肖特基二极管和普通稳压二极管有什么区别

英飞凌ESD增强型器件的特点及仿真性能分析

汽车制造业在超高频(UHF)频段的应用要求晶体管不但具有良好的射频性能,还要很好鲁棒性。英飞凌公司生....
的头像 牵手一起梦 发表于 04-06 10:58 639次 阅读
英飞凌ESD增强型器件的特点及仿真性能分析

NCV70628 LIN微步进电机驱动器800mA

28是一款带有位置控制器和控制/诊断接口的单芯片微步进电机驱动器。它已准备好构建与LIN主站远程连接的专用机电一体化解决方案。 芯片通过总线接收定位指令,然后将电机线圈驱动到所需位置。片上位置控制器可配置(OTP或RAM),用于不同的电机类型,定位范围和速度,加速度和减速度参数。 NCV70628充当LIN总线上的从机,主机可以从每个单独的从节点获取特定的状态信息,如实际位置,错误标志等。 集成的无传感器步进丢失检测功能可防止定位器从失步中退出并在进入失速时停止电机。这样可以在参考运行期间进行静音但精确的位置校准,并在接近机械终点时实现半闭环操作。 该芯片采用I3T50技术实现,可实现高压模拟电路和数字同一芯片上的功能。 NCV70628完全兼容汽车电压要求。由于采用了该技术,该器件特别适用于电池供电波动的应用。 特性 低温升压电流高达1100 mA 可编程电流稳定阶段 增强欠压管理 无传感器步进检测 自动选择快速和慢速衰减模式 无需外部反激二极管 可配置的速度和加速度 现场可编程节点地址 动态分配标识符 物理层和数据链路层(符合LIN rev .2.2) ...
发表于 07-31 04:02 75次 阅读
NCV70628 LIN微步进电机驱动器800mA

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-31 04:02 54次 阅读
FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

LB11961 单相全波风扇电机驱动器

1是一款单相双极驱动电机驱动器,可轻松实现直接PWM电机驱动系统,效率极高。 LB11961是个人计算机电源系统和CPU冷却风扇系统中风扇电机驱动的最佳选择。 特性 单相全波驱动(16V,1.0A)晶体管内置) 由热敏电阻输入控制的内置变速功能 内置再生二极管(Di);只需要最少数量的外部组件。 内置HB 最低速度设定引脚(启动时允许全速模式运行) 移除热敏电阻时以全速模式运行。 内置锁定保护和自动恢复电路 FG(速度检测)和RD(锁定检测)输出 内置热关机电路 应用 终端产品 个人计算机电源系统 CPU冷却风扇系统 PC 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 21:02 139次 阅读
LB11961 单相全波风扇电机驱动器

LB1668M 电机驱动器 无刷 两相

M是2相单极驱动无刷电机驱动器,具有宽泛的可用电压范围和最少的所需外部元件。它们还支持形成电机锁定保护和自动恢复电路。 特性 输出保护具有可变击穿电压的齐纳二极管:当Z1和Z2引脚时开路:VOLM = 57V 当Z1和Z2引脚短路时:VOLM = 32V 外部齐纳二极管可以连接在 通过更换外部电阻可以支持12V和24V电源。 霍尔元件可以直接连接。 内置旋转检测功能,驱动时输出低电平停止时。 内置电机锁保护和自动恢复功能 热关机功能。 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 21:02 63次 阅读
LB1668M 电机驱动器 无刷 两相

LV8711T 步进电机驱动器 PWM 恒流控制

T是一款PWM恒流控制步进电机驱动器,具有低功耗,低热量和高效率的特点。该器件适用于2节电池应用。其电源电压范围为4 V至16 V,待机模式电流消耗几乎为零。由于内置电路可控制电流,因此有助于降低成本和PCB尺寸。它还可以通过几个内置保护功能为应用程序的安全设计做出贡献。 特性 优势 内置短路保护电路 短暂保护 包含异常情况警告输出引脚 安全设计 上下再生二极管 安全设计 热关断电路 热保护 两个PWM恒流控制H桥驱动器电路 控制步进电机至1-2相激励 参考电压输出:1.0V 应用 终端产品 步进/布鲁赫直流电机 计算机和外围设备 工业 消费者 打印机 平板扫描仪 文档扫描仪 PoE销售点终端 POS终端 热敏打印机 空调 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 21:02 43次 阅读
LV8711T 步进电机驱动器 PWM 恒流控制

AMIS-30621 带LIN总线的微步电动机驱动器和控制器

0621是一款带有位置控制器和控制诊断接口的单片微步进电机驱动器。它可以构建与LIN主机远程连接的专用机电一体化解决方案。芯片通过总线接收定位指令,然后将电机线圈驱动到所需位置。片上位置控制器可配置(OTP或RAM)不同的电机类型,定位范围和速度,加速度和减速度参数。 AMIS-30621充当LIN总线上的从机,主机可以从每个单独的从节点获取特定的状态信息,如实际位置,错误标志等。该芯片采用I2T100技术实现,可同时实现高压同一芯片上的模拟电路和数字功能。 AMIS-30621完全兼容汽车电压要求。 特性 自动选择快速和慢速衰减模式。 无需外部反激二极管。 可配置的速度和加速度。 现场可编程节点地址。 动态分配标识符。 物理层和数据链路层(符合LIN rev.1.3)。 LIN总线短路保护供应和地面。 高温警告和管理。 失去LIN安全操作。 Micro - 步进技术。 峰值电流高达800 mA。 固定频率PWM电流控制。 快速自动选择慢速衰减模式。 无需外部反激二极管。 符合14 V汽车系统。 这是一个无铅设备。 应用 汽车应用,...
发表于 07-30 19:02 74次 阅读
AMIS-30621 带LIN总线的微步电动机驱动器和控制器

AMIS-30543 微步电机驱动器

543是一款用于双极步进电机的微步进步进电机驱动器。芯片通过IO引脚和SPI接口与外部微控制器连接。它具有片上稳压器,复位输出和看门狗复位功能,可为外围设备供电。 AMIS30543包含一个电流转换表,根据NXT输入引脚上的时钟信号以及DIR(方向)寄存器或输入引脚的状态,进行下一个微步。芯片提供速度和负载角度输出。这允许基于负载角度创建失速检测算法和控制回路以调节扭矩和速度。它使用专有的PWM算法进行可靠的电流控制。 AMIS30543采用I2T100技术实现,可在同一芯片上实现高压模拟电路和数字功能。该芯片完全兼容汽车电压要求。 特性 优势 可编程峰值电流高达3A 高度集成和降低系统成本 128微步 更高的系统分辨率和更安静的电机操作 速度和负载角度输出 启用真正的无传感器闭环控制电机 可编程PWM电压斜率 优化的EMC配置文件 有源反激式二极管 降低BOM成本和提高可靠性 集成电源和监视器支持rt用于外部MCU 降低总系统复杂性和BOM成本 应用 终端产品 数控设备 工业制造设备 纺织设备 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 19:02 132次 阅读
AMIS-30543 微步电机驱动器

NCV8881 LDO稳压器 1.5 A 低压差

1由一个降压开关稳压器(SMPS)和一个SMPS输出欠压监控器和CPU看门狗电路组成。此外,还提供两个固定电压低压差稳压器输出,并共享LDO输出电压状态输出。一旦使能,稳压器操作将继续,直到看门狗信号不再存在。 NCV8881适用于必须承受40 V负载突降的汽车电池连接应用。开关稳压器能够将典型的9 V至19 V汽车输入电压范围转换为3.3 V至8 V的输出,并具有恒定的开关频率,可以通过电阻编程或与外部时钟信号同步。使能输入阈值和迟滞是可编程的,使能输入状态在开漏点火缓冲器输出处复制。稳压器受限流,输入过压和过温关断以及SMPS短路关断保护。 特性 1.5 A开关稳压器(内部电源开关) 100 mA,5 V LDO输出 40 mA,8.5 V LDO输出 工作范围5 V至19 V 可编程SMPS频率 SMPS可以同步到外部时钟 可编程SMPS输出电压低至0.8 V ±2%参考电压容差 内部SMPS软启动 电压模式SMPS控制 SMPS逐周期电流限制和短路保护 内部自举二极管 逻辑电平使能输入 使能外部电阻分压器可编程输入迟滞 启用输入状态在开放...
发表于 07-30 19:02 94次 阅读
NCV8881 LDO稳压器 1.5 A 低压差

NUD3160 继电器驱动器 48 V

微集成器件提供单组件解决方案,可以在不需要续流二极管的情况下切换感应负载,如继电器,螺线管和小型直流电机。它接受逻辑电平输入,因此允许它由各种设备驱动,包括逻辑门,逆变器和微控制器。 特性 在DC之间提供强大的接口继电器线圈和敏感逻辑 能够在12 V,24 V时驱动额定电流高达150 mA的继电器线圈或48 V 以更低的成本取代3或4个离散组件 内部齐纳二极管消除了对自由二极管的需求 符合装载转储和其他汽车规格 应用 终端产品 驱动器窗口,门闩,门和天线继电器 汽车 工业设备 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 12:02 100次 阅读
NUD3160 继电器驱动器 48 V

NUD3105D 继电器驱动器 5.0 V 双通道

备用于切换感应负载,如继电器,螺线管白炽灯和小型直流电机,无需使用空转二极管。该器件集成了所有必需的产品,如MOSFET开关,ESD保护和齐纳钳位。它接受逻辑电平输入,因此允许它由各种设备驱动,包括逻辑门,反相器和微控制器。 特性 在DC之间提供强大的驱动程序接口继电器线圈和敏感逻辑电路 优化开关继电器从3.0 V到5.0 V电压轨 能够驱动额定功率高达2.5 W,5.0 V 的继电器线圈 内部齐纳二极管消除了对续流二极管的需求 内部齐纳钳位路由引起的电流接地以实现更安静的系统操作 低VDS(on)降低系统电流排水 应用 电信:线路卡,调制解调器,答录机和传真 计算机和办公室:复印机,打印机和台式电脑 消费者:电视和录像机,立体声接收器,CD播放器,盒式录音机 工业:小家电,安全系统,自动测试设备,车库门开启器 汽车:5.0V驱动继电器,电机控制,电源锁和灯驱动器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 12:02 82次 阅读
NUD3105D 继电器驱动器 5.0 V 双通道

NUD3124 继电器驱动器 24 V

微集成器件提供单组件解决方案,可以在不需要续流二极管的情况下切换感应负载,如继电器,螺线管和小型直流电机。它接受逻辑电平输入,因此允许它由各种设备驱动,包括逻辑门,逆变器和微控制器。 特性 在DC之间提供强大的接口继电器线圈和敏感逻辑 能够在12伏特下驱动额定电流高达150 mA的继电器线圈 以更低的成本取代3或4个离散组件 内部齐纳二极管消除了对自由二极管的需求 满足负载转储和其他汽车规格 应用 终端产品 驱动窗口,门闩,门,天线继电器 汽车 工业设备 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 12:02 79次 阅读
NUD3124 继电器驱动器 24 V

MC79L 线性稳压器 100 mA 5 V 负极

0负线性稳压器是一款价格低廉,易于使用的器件,适用于需要高达100 mA电流的众多应用。与功率更高的MC7900系列负调节器一样,该线性稳压器具有热关断和电流限制功能,使其非常坚固耐用。在大多数应用中,无需外部元件即可运行。 MC79L00线性稳压器适用于卡上调节或需要适度电流水平的稳压负电压的任何其他应用。与常见的电阻/齐纳二极管方法相比,该稳压器具有明显的优势。 规格: MC79L00AB MC79L00AC 容差 4% 4% 温度范围 -40°C到+ 125°C 0°C至+ 125°C 封装 SOIC-8,TO-92 SOIC-8,TO-92 特性 无需外部组件 内部短路电流限制 内部热过载保护 低成本 提供的互补正稳压器(MC78L00系列) 无铅封装是Av ailable 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 53次 阅读
MC79L 线性稳压器 100 mA 5 V 负极

MC78L 线性稳压器 100 mA 5至24 V 正极

0A系列线性稳压器是价格低廉,易于使用的器件,适用于需要高达100 mA稳压电源的众多应用。与其更高功率的MC7800和MC78M00系列同类产品一样,这些稳压器具有内部限流和热关断功能,使其非常坚固耐用。在许多应用中,MC78L00设备无需外部组件。与传统的齐纳二极管 - 电阻器组合相比,这些线性稳压器具有显着的性能优势,因为输出阻抗和静态电流显着降低。 规格: MC78L00AB MC78L00AC 容差 4% 4% 温度范围 -40°C至+ 125°C 0°C至+ 125°C 封装 SOIC-8,TO-92 SOIC-8,TO-92,SOT -89 特性 广泛的可用固定输出电压 低成本 内部短路电流限制 内部热过载保护 无需外部组件 互补提供负调节器(MC79L00系列) 无铅封装是Av ailable 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 05:02 135次 阅读
MC78L 线性稳压器 100 mA 5至24 V 正极

FAN4868UC33X 3 MHz 同步稳压器

8是一款低功耗升压稳压器,旨在通过单节锂离子或锂离子电池提供稳定的3.3 V输出。输出电压选项固定为3.3 V,在VIN = 2.3 V时保证最大负载电流为200 mA,在VIN = 3.3 V时保证300 mA。关断模式下的输入电流小于1μA,从而最大限度地延长电池寿命。 PFM操作是自动的并且“无故障”。该稳压器可在低负载时保持低至37μA静态电流的输出调节。内置功率晶体管,同步整流和低电源电流的组合使FAN4868成为电池供电应用的理想选择.FAN4868可在6-凸点0.4 mm间距晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)。 特性 使用少量外部元件工作:1μH电感和0402外壳尺寸输入和输出电容 输入电压范围为2.3 V至3.2 V 固定3.3 V输出电压选项 最大负载电流> 150 mA,VIN = 2.3 V 最大负载电流300 mA,VIN = 2.7 V,VOUT = 3.3 V 低工作静态电流 True Load Disc关机期间的连接 具有轻载省电模式的可变导通时间脉冲频率调制(PFM) 内部同步整流器(无需外部二极管) 热关断和过载保护 6-Bump WLCSP,0.4 mm间距 应用 终端产品 为3.3 V核心导轨供电 PDA...
发表于 07-30 05:02 59次 阅读
FAN4868UC33X 3 MHz 同步稳压器

NCP302155 集成驱动器和MOSFET 55 A.

155将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成在一个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP302155集成解决方案大大降低了封装寄生效应和电路板空间。 特性 平均电流高达55A 能够以高达2 MHz的频率切换 兼容3.3 V或5 V PWM输入 支持Intel®PowerState 4 使用3级PWM的零交叉检测选项 内部自举二极管 热警告输出和热关机 应用 终端产品 台式机和笔记本微处理器 服务器和工作站,V-Core和非V核DC-DC转换器 大电流DC-DC负载点转换器 小型电压调节器模块 电源和笔记本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 22:02 253次 阅读
NCP302155 集成驱动器和MOSFET 55 A.

NCP303151 集成驱动器和带集成电流监视器的MOSFET

151将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成到单个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP303151集成解决方案大大降低了封装寄生效应和电路板空间。 特性 能够达到50 A的平均电流 30 V / 30 V击穿电压MOSFET具有更高的长期可靠性 能够以高达1 MHz的频率切换 与3.3兼容V或5 V PWM输入 正确响应3级PWM输入 精确电流监测 具有3级PWM的过零检测选项 内部自举二极管 欠压锁定 支持英特尔®PowerState 4 应用 桌面和笔记本微处理器 图形卡 路由器和交换机 支持英特尔®PowerState 4 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 22:02 397次 阅读
NCP303151 集成驱动器和带集成电流监视器的MOSFET

NCP302055 集成驱动器和MOSFET 50 A.

055将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成在一个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP302055集成解决方案大大减少了封装寄生效应和电路板空间。 特性 平均电流高达50A 能够以高达2 MHz的频率切换 兼容3.3 V或5 V PWM输入 支持Intel®PowerState 4 使用3级PWM的零交叉检测选项 内部自举二极管 热警告输出和热关机 热关机 应用 终端产品 台式机和笔记本微处理器 服务器和工作站,V -Core和非V-DC DC-DC转换器 大电流DC-DC负载点转换器 小型电压调节器模块 电源和笔记本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 21:02 176次 阅读
NCP302055 集成驱动器和MOSFET 50 A.

NCV8872 汽车级非同步升压控制器

2是一款可调输出非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 工厂可编程 灵活性 4.8 V至45 V操作 使用反极性保护二极管通过起动和负载转储进行操作 -40 C至150 C操作 汽车级 双功能启用/同步引脚 紧凑SOIC8包中的额外功能 应用 终端产品 仪表盘 引擎集群 启动/停止应用程序 导航 LED背光 汽车应用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 21:02 54次 阅读
NCV8872 汽车级非同步升压控制器

NCP81174 具有省电模式和PWM VID接口的多相同步降压控制器

74是一款通用型四相同步降压控制器。它结合了差分电压检测,差分相电流检测和PWM VID接口,为计算机或图形控制器提供精确的稳压电源。它可以从处理器接收节电命令(PSI),并以单相二极管仿真模式工作,以获得轻载时的高效率。双边沿多相PWM调制确保快速瞬态响应,并尽可能减少电容。 应用 终端产品 GPU和CPU电源 显卡的电源管理 台式电脑 笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 18:02 135次 阅读
NCP81174 具有省电模式和PWM VID接口的多相同步降压控制器