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中国集成电路产业发展因投资基金助力将驶入快车道

集成电路园地 2017-12-15 11:22 次阅读

2014年6月24日《国家集成电路产业发展推进纲要》颁发,9月国家集成电路产业投资基金成立。有了政策和资金的双重保证,中国集成电路产业就驶入了发展快车道。

据中国半导体行业协会统计,2017年前三季度中国集成电路产业销售额达到3646亿元,同比增长22.37%。设计、制造、封测三个产业销售额分别为1468.4亿、899.1亿、1278.6亿,同比增长速度分别为25%、27%及16.5%,设计和制造环节增速明显快于封测,占比进一步上升,产业结构渐趋合理。

据芯思想预估,2017年全年中国集成电路产业的整体销售额将突破5000亿元大关,达到5250-5400亿元,同比增长21.5%-24.6%。其中设计业预估为2050-2100亿元,同比增长25%-27%;制造业为1400-1450亿元,同比增长24%-28%;封装业为1800-1850亿元,同比增长15%-18%。

国家集成电路产业投资基金股份有限公司总裁丁文武日前表示,大基金成立3年来,发挥了比较明显的撬动作用,带动了社会和地方的投资积极性,初步缓解了集成电路产业发展投融资瓶颈,提升了行业发展信心。

据公开信息表明,截至2017年9月20日,大基金累计决策投资55个项目,涉及40家集成电路企业,共承诺出资1003亿元,承诺投资额占首期募集资金的72%;实际出资653亿元,占到首期募集资金的将近一半。

大基金投资项目覆盖了集成电路设计、制造、封装测试、装备、材料、生态系统等全产业链,助力一批龙头公司入围国际第一梯队。

为了让大家了解大基金投资的最新情况,笔者对大基金三年来投资的企最新情况进行了梳理,以便大家了解大基金对产业的推动作用。

一、晶圆制造领域

晶圆制造领域是大基金一期重点投资方向,涉及公司包括:中芯国际、长江存储、三安光电、士兰集昕、华力集成。

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1、中芯国际(港股00981、美股SMI)

2015年 2月12日,中芯国际发布公告,宣布与中国集成电路产业投资基金达成投资协议。根据协议规定,大基金投入30.9871亿元以每股0.6593港元的认购价认购47亿股新股,占11.58%,成为公司第二大股东。

从中芯国际的公开信息可以知道,2015年6月30日持股比例为11.53%;2015年下半增持27亿股,共计74亿股,2015年12月31日持股比例为17.59%;2016年6月30日持股比例为17.54%;2016年下半年中芯国际10股并1股,至12月31日大基金持股7.4亿股,持股比例为17.40%;2017年6月30日持股比例为15.91%;2017年11月公司完成根据一般授权配售新股份,大基金在配售完成后持股比例为15.06%,保持公司第二大股东。

从2015年以来,中芯国际陆续开工了深圳12寸厂月产能40K,上海12寸厂月产能70K,扩产天津8寸厂产能135K每月。

中芯国际集成电路制造有限公司是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一,也是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业,提供0.35微米到28纳米不同技术节点的晶圆代工与技术服务。

中芯国际总部位于上海,拥有全球化的制造和服务基地。在上海建有一座300mm晶圆厂和一座200mm晶圆厂;在北京建有一座300mm晶圆厂和一座控股的300mm先进制程晶圆厂;在天津和深圳各建有一座200mm晶圆厂;在江阴有一座控股的300mm凸块加工合资厂;在意大利有一座控股的200mm晶圆厂。

2014年中芯国际营收19.7亿美元,利润1.53亿;2016年营收29.14亿美元,利润3.77亿;2017年前三季营收在23.1亿美元,同比增幅超过10%,预估全年超过31亿美元,将再创历史新高。

2015年中芯国际在全球最大的FABLESS公司高通(QUALCOMM)的支持下,工艺制程得以提升,中芯国际成为中国大陆第一家为客户提供28纳米Poly SiON制程服务的纯晶圆代工厂,2016年成功将工艺改进到28纳米HKMG,并成功流片。

2015年6月,中芯国际与华为、高通和IMEC签定协议,共同开发合作研发14nm FinFET工艺。中芯国际希望在2020年以前拥有自己的14纳米量产工艺代工工厂,以达成《国家集成电路产业发展推进纲要》提出的16/14纳米工艺实现规模量产的目标。

2017年5月赵海军出任中芯国际CEO,2017年10月梁孟松加盟,都将提振中芯国际突破14纳米节点的气势。

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2、中芯北方(中芯国际子公司)

2016年6月30日,中芯北方获得国家集成电路产业投资基金的6.36亿美金增资。本次增资后中芯北方的注册资本由原来12亿美金增加至24亿美金。国家大基金对中芯北方的入资是其目前对北京市集成电路领域最大的一笔投资行为,凸显了中芯北方28nm生产线在国家集成电路生产领域的战略重要性,同时也有利于推进中芯国际北京三期项目建设。

2016年将实现2万片产能,成为国内IC生产代工企业在产能和工艺技术方面的领军企业。

3、长江存储

长江存储成立于2016年7月26日,总投资达240亿美元,由紫光控股、国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业(有限合伙)和湖北省科技投资集团有限公司共同出资。

公司业务布局大规模存储器领域,将从3D NAND Flash切入高端芯片设计与制造。公司将采取自主研发与国际合作双轮驱动的方式,集全球资源,打造我国自主可控的世界级存储器产业基地,突破存储器核心技术,满足国家对存储器产品的巨大需求。

2017年9月28日消息,公司厂房已经封顶,预计将于2018年投入使用。

2017年12月4日消息,公司已经自主研发出了32层64G NAND FLASH,将于2018年量产。

4、华力集成

大基金、上海集成电路产业投资基金股份有限公司和上海华力微电子有限公司合资成立上海华力集成电路制造有限公司,2016年12月启动了二期建设,建设一条月产能4万片的12英寸集成电路芯片生产线。根据规划,华力二期新生产线的工艺节点为28~14纳米。它延续了一期项目55~40~28纳米的工艺发展规划,将形成相对连续完整的演进路径,重点正是国际上已经相对成熟,但对中国大陆厂商来说仍然存在极大挑战的28、14纳米工艺平台。

目前厂房主体结构顺利完成,并开始动力机电安装。预计竣工日期为2018年6月30日。

上海华力微电子有限公司拥有12英寸代工生产线,月产能达3.5万片。华力微电子建立了拥有自主知识产权的55-40-28nm逻辑工艺技术平台和延伸的特色工艺技术,可以满足客户在低功耗、高性能、射频、高压、图像传感器、嵌入式存储器等多种芯片的大规模生产需求。

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5、三安光电(600703)

2015年6月16日,三安光电发布公告,公司大股东三安集团与国家集成电路产业投资基金股份有限公司签订《股权转让协议》,三安集团将其持有的三安光电2.17 亿股(约占总股本的9.07%)通过协议转让的方式转给大基金,总金额48.391亿人民币,大基金将成三安光电第二大股东!同时公告三安光电与华芯投资(大基金的唯一管理机构)、国开行、三安集团签订《关于投资发展集成电路产业之战略合作协议》,约定四方建立战略合作关系,大力支持上市公司发展以III-V 族化合物半导体为重点的集成电路业务。

三安集成在获得大基金支持后,建设速度加快,2015年7月开始进入设备安装阶段,10月就开始试生产;获得是德科技支持,共同进行pHEMT和HBT工艺流程的PDK开发;2017年1月HBT工艺通过客户产品认证。

三安光电股份有限公司是目前国内成立最早、规模最大、品质最好的全色系超高亮度发光二极管外延及芯片供应商。

凭借公司在LED产业的优势,在砷化镓和氮化镓方面积累了丰富的经验,开始进入化合物微波集成电路及功率器件领域,成立子公司厦门市三安集成电路有限公司负责运营。

5、士兰集昕(和上市公司士兰微600460有关)

2016年3月21日士兰微发布公告,为顺利推动公司 8 英寸集成电路芯片生产线项目的实施,士兰微、士兰集成、杭州集华投资有限公司、杭州士兰集昕微电子有限公司(士兰集昕)与国家集成电路产业投资基金股份有限公司于 2016 年3 月 18 日共同签署了投资协议,大基金将参与士兰微相关下属公司的增资。

根据合同,在第一轮增资中,大基金和士兰微分别出资 2 亿元,共同增资集华投资。集华投资为士兰微全资子公司,注册资本为1000万元。共同增资后集华投资注册资本将增加到4.1亿元,士兰微和大基金将分别持有其51.22%和48.78%的股权。

在第二轮增资中,大基金和增资后的集华投资分别出资4 亿元,共同增资士兰集昕。目前士兰集昕是士兰微与士兰集成共同出资设立的控股子公司,注册资本为 2000 万元。增资后士兰集昕注册资本将增加到8.2亿元。士兰微的持股比例将由90%降至2.20%,大基金和集华投资将分别获得士兰集昕48.78%的股份。

第二轮增资完成后,8 寸线项目的实施主体由士兰集成整体变更为士兰集昕。士兰集昕的8寸晶圆制造线已经于2017年顺利投产,目前月产能7000片左右。

杭州士兰微电子股份有限公司是我国首家民营IDM公司,多年来一直稳居中国十大IC公司榜单,2016年排名第七位。士兰微电子从零起步,走出了一条中国民营企业投身集成电路产业的成功之路。成立十多年来,公司持续努力建设国内最具规模的设计、制造一体的集成电路产业发展模式,将自己的生产制造线工艺集中在特色工艺上,基于特色工艺在功率驱动、半导体功率器件与模块、MCU、音视频SOC、MEMS传感器、LED芯片等多个技术与产品领域取得了进展,设计了一批广泛应用于移动通信、物联网、汽车电子、智能硬件等信息经济重要领域以及节能环保、高端装备等领域的智能控制芯片。

杭州士兰微公司子公司士兰集成现有5/6寸生产线目前月产超过20万片。

二、设计领域

涉及的设计公司包括紫光展锐、艾派克微电子、国科微、北斗星通、中兴微电子、国微技术、盛科网络、硅谷数模、兆易创新、汇顶。

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1、紫光集团

2015年2月14日,国家集成电路产业投资基金、华芯投资、紫光集团在京共同签署三方战略合作协议。根据协议,未来五年内,国家集成电路产业投资基金拟以股权投资方式给予紫光集团总金额不超过100亿元人民币支持,用于紫光集团发展集成电路业务、扩大集成电路业务规模,提升集成电路业务核心竞争力。

从2013年7月至2014年7月的一年时间内,紫光集团连续斥资18.7亿美元和9.07亿美元收购在美国纳斯达克上市公司展讯通信和锐迪科微电子,成为世界第三大手机芯片企业。

2015年吸引了英特尔达成战略合作,英特尔向紫光集团旗下持有展讯通信和锐迪科微电子的控股子公司投资人民币90亿元获得该控股子公司20%的股权。

2、纳思达股份(002180)

2015年5月,大基金斥资5亿元人民币认购艾派克4.29%增资股,艾派克在同年以6300万美元的现金并购美国激光打印机耗材厂商Static Control Components,助力打造全产业链竞争优势。

纳思达股份(原珠海艾派克科技股份有限公司)是打印显像行业、成像和输出技术解决方案以及打印管理服务的全球领导者,行业领先的打印机耗材芯片设计企业,是全球通用耗材行业的龙头企业。

3、国科微(300672)

湖南国科微电子股份有限公司是湖南省规模最大的从事集成电路设计与整机方案开发的高新技术企业,其产品布局涵盖广电、存储、通信、数字消费、模拟、监控、汽车电子七大方向。

国科微作为高清监控芯片及解决方案供应商,2015年5月获大基金2亿元注资,在变更为股份有限公司后,2015年12月国科微电子再获大基金2亿元增资,并于2017年7月上市,在大基金的助力下,目前国科微的战略布局在原先广播电视芯片和智能监控芯片的基础上向固态存储芯片和物联网芯片方向发展。

4、北斗星通(002151)

2015年9月12日北斗星通导航技术股份有限公司披露定增预案,此次非公开发行股票数量上限为1亿股,预计募集资金总额不超过16.8亿元,用于建设“面向低功耗应用的北斗/GNSS SOC单芯片研制及产业化项目”、“面向高精度高性能应用的北斗/GNSS SOC芯片研制及产业化项目”、“基于云计算的定位增强和辅助平台系统研发及产业化项目”及补充流动资金。

大基金宣布认购认购7500万股股份,持股11.46%,位居第二大股东。新增股份于2016年7月1日在深圳证券交易所上市。

5、中兴微电子(上市公司中兴通讯000063子公司)

2015年11月23日,大基金和中兴通讯旗下子公司中兴微电子技术有限公司签署了增资协议和股东协议,即前者向中兴微斥资24亿元人民币,增资后中兴微电子的市值达到了100亿,大基金拥有24%的股份。

6、深圳国微技术(港股02239)

2016年大基金做为基石资金对其注资。

深圳国微技术有限公司是全球付费电视广播接收及中国的移动销售终端(或mPOS)支付系统的领先安全设备供货商。

7、盛科网络

2016年9月21日盛科网络(苏州)有限公司宣布完成新一轮战略融资,融资总额3.1亿元人民币。该轮战略投资由国家集成电路产业投资基金领投,另一家出资方则是来自中国电子信息产业集团有限公司旗下的中电创新基金。

盛科网络聚焦于核心以太网交换芯片的研发,已经完成自千兆到万兆的芯片产品,基于盛科芯片设计的产品广泛运用于数据中心、企业网和运营商网络。

8、万盛股份(603010)

2017年4月27日,万盛股份发布公告,公司已与标的公司的控股股东嘉兴海大数模达成协议,拟收购匠芯知本100%股权,实现间接揽入半导体企业硅谷数模,交易作价不超过38亿元,本次收购拟采用发行股份的方式,并拟配套募集资金不超过 10 亿元人民币。并向标的公司支付1亿元定金。

此次收购标的公司匠芯知本拥有硅谷数模100%的股权。通过此次收购,专注化学功能助剂主业的万盛股份跨界延伸切入半导体行业,将形成双主业格局。

匠芯知本是2016年为收购美国高性能数模混合芯片公司硅谷数模而专门设立的收购主体,2017年4月大基金已参与匠芯知本的增资。

2017年12月14日公司发布关于重大资产重组方案调整的公告,大基金将认购29,964,043股新股,在交易完成后,将持有万盛股份7.41%的股份,成为公司第三大股东。

9、兆易创新(603986)

2017年8月28日,兆易创新发布一系列权益变动书,启迪中海等三家股东通过协议转让方式转让大部分股权,接盘方为大基金与陕国投·财富28号单一资金信托。

大基金共计受让兆易创新2229.5万股,占公司股份总数的11%,转让价为65.05元/股,总价14.5亿元。大基金成为第二大股东。

10、汇顶科技(603160)

2017年11月22日汇顶发布公告,股东汇发国际、汇信投资合计将所持6.15%股份转让给国家集成电路产业投资基金股份有限公司,交易完成后,大基金将持股6.65%,成为公司第四大股东。

汇顶科技表示,大基金本次收购是为了发挥大基金支持国家集成电路产业发展的引导作用,支持汇顶科技成为全球人机交互及生物识别技术领导者,进一步提升其研发能力和技术水平,推动汇顶科技产品的产业化应用,带动国家集成电路产业的整体发展。

三、封测领域

封测业是大基金首次出手的领域。涉及的公司有长电科技、华天西安、通富微电、中芯长电。

在封装领域,通过收购或兼并重组的方式,长电科技、华天科技、通富微电三家企业已经成为国内封测三大龙头公司。在圆片封装(WLP)、硅通孔(TSV)、三维封装等先进封装和测试技术都得到了产业化生产。

1、长电科技(600584)

大基金首度展露身手便是支持长电科技收购新加坡星科金朋。

2014年12月23日,中芯国际、长电科技先后发布公告称:中芯国际全资子公司芯电上海、长电科技、国家集成电路产业投资基金股份有限公司,三方于2014年12月22日签署《共同投资协议》,分别出资1亿美元、2.6亿美元、1.5亿美元,成立100%控股公司,帮助长电科技收购原全球第四大封装测试厂新加坡星科金朋,晋级全球半导体封装测试第一梯队。

2015年10月要约收购全部交割完成后,依据《债转股协议》,大基金将对长电新朋股东借款转换为收购主体长电新朋股权。2016年4月29日,长电科技发布定增草案,作价19.91亿收购大基金持有的长电新科29.41%股权、长电新朋22.73%股权,从而将星科金朋纳入为间接全资持股的子公司;配套募资完成后,大基金持有长电科技9.53%股份,仅次于芯电半导体和原大股东新潮集团,成为第三大股东。

大基金并未止步于第三大股东。2017年9月30日,长电科技再度发布定增方案募资45.5亿元,用于投资公司主营业务以及偿还银行贷款。其中,大基金拟斥资不超过29亿元参与认购,持股比例将升至19%,跃居第一大股东。

2016年长电科技跃升为全球第三大封测厂,市场占有率高达10%。

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2、华天西安(上市公司华天科技002185子公司)

2015年12月29日华天科技公告称,公司与国家集成电路产业投资基金股份有限公司(简称“产业基金”)签订增资协议,产业基金拟出资5亿元对公司全资子公司华天科技(西安)有限公司(简称“华天西安”)进行增资,增资完成后产业基金持有华天西安27.23%股权,公司持有华天西安72.77%股权。华天科技表示,此次引入产业基金为公司未来发展提供重要的资金保障,对华天西安加大研发投入,强化管理机制,优化产品结构,提高市场竞争力和行业地位等方面将起到积极促进作用。此外,本次增资完成后华天西安仍属于公司合并报表范围内的子公司,对公司财务状况及经营成果无重大影响。

华天西安成立于2008年1月,目前具有封装测试23亿块TSSOP、QFN、DFN、BGA、FLIPCHIP等系列集成电路的能力和月1万片的CP测试生产能力,公司积极致力于集成电路中高端封装技术的研发和CSP封装技术的开发。西安基地开始向SiP(系统级封装)、MEMS、FlipChip(倒桩芯片)、CSP(芯片级封装)、Laminate等封装延伸。

2017年上半年华天西安净利润同比增长116.91%。

近几年来,公司不断加强先进封装技术和产品的研发力度,加大研发投入,完善以华天西安为主体的研发仿真平台建设,依托公司现有的研发机构,通过实施国家科技重大专项02专项等科技创新项目以及新产品、新技术、新工艺的不断研究开发,自主研发出 FC、Bumping、MEMS、MCM(MCP)、WLP、SiP、TSV、Fan-Out 等多项集成电路先进封装技术和产品,未来随着公司进一步加大技术创新力度,公司的技术竞争优势将不断提升。

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3、中芯长电(和上市公司中芯国际、长电科技有关)

中芯长电由中芯国际联合长电科技于2014年8月设立,是全球首个专注于先进凸块制造技术的专业中段硅片加工企业。中芯长电与长电科技合作,为国内外客户提供优质、高效的芯片加工,以及便利的一条龙服务,也帮助客户进一步增强全球业务的竞争力。

2015年9月16日,国家集成电路产业投资基金、中芯国际及高通旗下子公司在北京宣布达成向中芯长电半导体有限公司投资的意向并签署了不具有法律约束力的投资意向书。该项投资为2.8亿美元,将帮助中芯长电加快中国第一条12吋凸块生产线的建设进度,从而扩大市场规模和提升先进制造能力。

中芯长电已经于2016年开始承接客户订单;2017年9月开始二期建设,将开始10纳米级制程。

4、通富微电(002156)

大基金助力通富微电的海外收购活动,2016年4月与通富微电合资成立富润达和通润达两大投资平台。2016年5月通富微电完成对AMD 苏州、槟城两家子公司的收购,切入世界先进芯片封测技术。

通富微电完成对通富超威苏州等资产收购后,根据协议,大基金将所持的投资平台股权转换为上市公司股权便提上了日程。

2016年10月,通富微电公告拟向大基金发行股份来收购所持有的富润达49.48%股权、通润达47.63%股权,交易对价为19.21亿元。

2017年11月12日,通富微电发布公告称,公司拟以非公开发行A股股票的方式向国家集成电路产业投资基金股份有限公司购买其所持有的南通富润达投资有限公司49.48%股权、南通通润达投资有限公司股份47.63%股权。本次交易完成后,通富微电将直接和间接持有富润达100%股权、通润达100%股权。同时,通富微电拟采用询价发行的方式向不超过10名符合条件的特定对象非公开发行股份募集配套资金,总金额不超过96900万元人民币。

据披露,通富微电已于2017年11月10日收到证监会《关于核准通富微电子股份有限公司向国家集成电路产业投资基金股份有限公司发行股份购买资产并募集配套资金的批复》。

不考虑配套募资,届时大基金将持有通富微电15.70%股权。

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四、装备领域

涉及的公司包括中微半导体、沈阳拓荆、北方华创、上海睿励、盛美半导体、杭州长川。

1、中微半导体设备

2014年12月,中微半导体设备获得国家集成电路基金4.8亿元投资。

中微半导体设备有限公司主要的产品为半导体制造装备,包括等离子刻蚀机、MOCVD,为半导体行业及其他高科技领域服务;拥有台积电、英特尔等顶级客户。中微半导体致力于为全球集成电路和LED芯片制造商提供领先的加工设备和工艺技术解决方案;其通过创新驱动自主研发的等离子体刻蚀设备和硅通孔刻蚀设备已在国际主要芯片制造和封测厂商的生产线上广泛应用。

中微的所有产品都拥有自己的专利创新技术。设备产出量高,性能表现优异。中微的刻蚀设备独有新型的小批量多反应器系统,这使它与同类产品相比生产率提高了50%以上,加工每片芯片的成本平均节省35%。

2017年其MOCVD在市场上非常抢手。

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2、长川科技(300604)

2015年6月,大基金参与长川科技第一次增资,以4000万元认缴新增注册资本571.52万股,2017年上市后持股比例稀释为7.5%,目前是第三大股东。

杭州长川科技股份有限公司自成立以来一直专注于集成电路专用测试设备的自主研发和创新,主要产品包括测试机和分选机。

3、拓荆科技

2015年11月,国家集成电路产业投资基金、苏州聚源东方投资基金中心、中微半导体对拓荆科技进行投资,投资总额2.7亿元。其中大基金1.65亿元。

沈阳拓荆科技有限公司主要致力于研发生产创新、先进的化学气相沉积设备(CVD)。现已形成2-12英寸PECVD设备、12英寸ALD设备、OLED薄膜设备、3DNAND薄膜设备产品系列,广泛应用于集成电路、先进封装TSV、光波导、LED、OLED显示等高端技术领域。

4、北方华创(002371)

大基金积极介入七星电子吸收合并北方微电子的重组。

2015年12月26日七星电子发布重大资产重组方案,公司拟作价9.3亿元揽入北方微电子100%股权,同时拟以17.49元/股的价格向国家集成电路基金、京国瑞基金和芯动能基金合计定增5322.14万股,募集9.3亿元配套资金,用于北方微电子“微电子装备扩产项目”建设并补充上市公司流动资金。其中,国家集成电路基金认购6亿元,北京国资背景的京国瑞基金认购2亿元,芯动能基金认购1.3亿元。

2016年8月,七星电子完成重组,2017年2月更名为北方华创。

北方华创完成了完成了刻蚀机、磁控溅射、氧化炉、低压化学气相沉积、清洗机、原子层沉积等集成电路设备90/55/40/28纳米工艺验证,实现产业化,多台套设备进入中芯国际、武汉新芯的大生产线。公司的刻蚀机等三大类集成电路设备进入14纳米工艺验证阶段,首次实现与国外设备同步验证。

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5、睿励仪器

2016年公司获得大基金注资。

睿励科学仪器(上海)有限公司是一家致力于开发、生产、销售集成电路工艺检测设备的公司,公司所生产的产品拥有自主知识产权。

2008年3月,公司TFX1000送150mm集成电路生产线建立并投入生产。2011年5月18日,全自动光学膜厚测量设备TFX3000送300mm集成电路生产线建立并投入生产。

6、盛美半导体(美股ACMR)

盛美的目标是成为全球的半导体在单片清洗设备的领导者。公司在晶圆的平面清洗和硅片图形方面拥有最好的技术,有专利保护。

盛美半导体如今已拥有完善的自主产权和相关专利,目前申请超过400多项国际及国内专利,并有超过100多项已获得授权,这也是盛美半导体发展自己的技术路线图并拥有持续竞争力的保证。

2017年11月在美国上市。

五、材料领域

涉及的公司包括上海硅产业、安集微电子、江苏鑫华、烟台德邦、雅克科技。实际上万盛股份也属于材料领域。

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1、上海硅产业投资有限公司

2015年11月公司获得大基金投资。

上海硅产业投资有限公司是一家专注于硅材料产业及其生态系统发展的实业控股公司。

2015年11月11日,上海硅产业投资有限公司投资合作协议签字仪式在上海举行,上海硅产业投资有限公司注册资本20亿元,出资方包括国家集成电路产业投资基金股份有限公司、上海国盛(集团)有限公司、上海武岳峰集成电路股权投资合伙企业、上海新微电子有限公司、上海市嘉定工业区开发(集团)有限公司。

上海硅产业投资有限公司充分借力国家集成电路基金的平台及引领优势,发挥上海市的产业资本优势和科创中心聚集优势,通过投资、并购、创新发展和国际合作来提升我国硅材料产业综合竞争力。

目前上海硅产业投资有限公司持有12寸硅片生产商上海新昇62.82%和SOI晶圆供应商上海新傲53%的股份,持有全球最大的SOI晶圆商法国Soitec的12%股份,持有MEMS/SOI硅片供应商芬兰Okmetic的100%股权。

在不到两年的时间里初步完成产业布局,并取得了良好的财务回报。

新昇从2017年9月开始,每月实际出货已经达到23000片,目前月产能约45000片,首期产能达15万片。规划月总产能100万片。

Soitec是全球最大的8寸、12寸SOI晶圆供应商,市占率达70%。

2、鑫华半导体

2015年12月11日,保利协鑫能源控股有限公司公布,旗下江苏中能硅业科技发展有限公司与国家集成电路产业投资基金成立合资公司江苏鑫华半导体材料科技有限公司,在国内建设用于研发、生产及销售半导体级多晶硅及其他半导体原材料和电化产品的生产设施。保利协鑫此番进军半导体多晶硅产业,意在突破中国半导体产业在原料端的短板。

2017年11月8日,公司正式发布电子级多晶硅产品。公司称采用改良西门子法循环利用氯硅烷工艺生产的多晶硅产品指标经第三方测试超过国标一级品指标,试拉晶体效果完美。

3、安集微电子

2016年7月获得大基金注资。

安集微电子成主要产品包括多种化学机械抛光液、清洗液、光刻胶去除液、立体封装材料及相关化学品的解决方案,主要应用于集成电路、晶圆级封装、LED等领域。

公司产品技术节点涉及130-28纳米,获得国内外市场的突破,集成电路抛光材料由完全依赖进口的局面到实现稳定供货。

安集自主研发的多项产品已进入国内外多家芯片厂销售。产品商业化转化率达到90%以上。安集以自主创新作为企业发展的根本,在科技研发、市场开拓及产业化方面都取得稳步发展。

相关阅读《【02专项成果汇报】安集微电子:中国抛光材料开拓者》

4、烟台德邦

2016年10月获得大基金注资。

烟台德邦科技有限公司是集研发、生产、销售特种功能性高分子界面材料于一体的,具有高度自主知识产权的国家级高新技术企业,公司为电子、工业及新能源领域客户提供制造、封装、粘合、散热等功能性材料及应用服务。

5、雅克科技(002409)

2016年雅克科技子公司江苏先科以12亿元收购韩国UP Chemical,布局半导体材料。2017年9月大基金斥资1亿元增资江苏先科。

2017年10月17日,雅克科技也发布公告,拟24.67亿元收购科美特90%股权并全资控股江苏先科新材料。采用发行股份的方式购买成都科美特特种气体有限公司90%的股权以及江苏先科半导体新材料有限公司84.8250%的股权。这是雅克科技快速进入半导体及电子材料市场的重大举措。

2017年10月19日雅克科技公布定增方案,拟向大基金等交易对手收购所持有的江苏先科和另一家大基金前期入股的科美特,交易完成后,大基金将持股5.73%,成为雅克科技第三大股东。

此前大基金持有科美特 30.61%股权,并持有江苏先科7.4%股权。

六、待定

1、耐威科技(300456)

2016年11月10日耐威科技发布非公开发行预案,计划向国家集成电路产业基金等3名特定对象发行股票不超过3275.47万股,发行价格为61.06元/股,募集资金总额不超过20亿元。本次非公开发行股票募集资金扣除发行费用后,将用于“8英寸MEMS 国际代工线建设项目”(拟投入募集资金金额14亿元)和“航空电子产品研发及产业化项目”(拟投入募集资金金额6亿元)。

在此次非公开发行预案中,大基金总共出资20亿元,其中14亿元通过增发的形式获取上市公司股份(发行完成后预计持有上市公司10.52%并成为公司二股东);6亿元直接向耐威科技子公司纳微矽磊(负责建设8英寸MEMS国际代工线)增资,而纳微矽磊将依托Silex 成熟的制造技术和生产管理模式,打造国内先进的MEMS 产业化平台。

2、景嘉微(300474)

2017年10月22日,景嘉微公告拟定增不超13亿元,投向集成电路研发设计领域。华芯投资作为大基金的唯一管理人,有意全权代表大基金参与认购部分公司非公开发行的股票。


原文标题:大基金助力,中国集成电路产业发展驶入快车道

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MM74HC595 带输出闩锁的8位移位寄存器

MM74HC164 8位串进/并出移位寄存器

164采用先进的硅栅极CMOS技术。具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗。它还具有可比低功率肖特基器件的速度。该8位移位寄存器具有门控串行输入和CLEAR。每个寄存器位为一个D类主/从触发器。输入A& B允许对涌入数据的全面控制。在一个或两个输入上的一个低电平将禁止新数据的进入且将第一个触发器在下一个时钟脉冲时重置至低电平。在一个输入的高电平使能其他输入,将决定第一个触发器的状态。串行输入的数据在时钟为高电平或低电平时将被改变,但是仅有满足设置和保持时间要求的信息进入。在正向电压在时钟脉冲转换期间,数据串行转移入和移出8位寄存器。清零与时钟无关,通过清零输入的低电平实现.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型工作频率:50 MHz 典型传播延迟:19 ns(调时至Q) 宽工作电压范围:2V至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC系列) 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 该产品是一般用途,适用于许多不同的应用...
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MM74HC164 8位串进/并出移位寄存器

MM74HC373 3态八路d型锁存器

373高速8路D类锁存采用先进的硅栅极CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当MM74HCT373 LATCH ENABLE(锁存使能)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何.74HC逻辑系列在容量。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入[0] > 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
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MM74HC373 3态八路d型锁存器

MM74HC573 3态八路d型锁存器

573高速八路D型锁存器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。当LATCH ENABLE(LE)输入为高电平时,Q输出端将要遵照D输入端。当LATCH ENABLE变为低电平时,D输入端的数据将保留在输出端,直到LATCH ENABLE再次返回高电平。当高逻辑电平应用于输出控制OC输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么74HC逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 。信号,也不管存储元件的状态如何。和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:18 ns 宽工作电压范围2至6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值(74HC系列) 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
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MM74HC573 3态八路d型锁存器

MM74HCT74 带预设和清零功能的双通道d型触发器

T74利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与时钟无关,通过适当输入端的低电平实现.74HCT逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC...
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MM74HCT74 带预设和清零功能的双通道d型触发器

MM74HC175 带清零功能的四通道D型触发器

175高速D型触发器带互补输出,采用先进硅栅极CMOS技术达到标准CMOS集成电路的高抗干扰度和低功耗以及驱动10个LS-TTL负载的能力.MM74HC175 D输入信息在时钟脉冲的正向转换边沿被传输至Q和Q#输出。每个触发器都由外部提供原码和补充输入。所有四个触发器都由一个共用时钟和一个共用CLEAR控制。清零由CLEAR输入的一个负脉冲完成。所有四个Q输出被清零至逻辑“0”,所有四个Q#输出设为逻辑“1”.74HC逻辑系列的功能和引脚分配与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:15 ns 宽工作电压范围:2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电源电流:80μA,最大值(74HC) 高输出驱动电流:4 mA最小值(74HC) 应用 此产品是一般的用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
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MM74HC175 带清零功能的四通道D型触发器

MM74HC574 3态八通道d型边沿触发式触发器

574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口.D输入端符合设置和保持时间要求的数据在时钟(CK)输入的正向转换期间传输到Q输出。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管存储元件的状态如何。 74HC逻辑系列在速度,功能和引脚排列上与标准74LS逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延:18 ns 宽工作电压范围2V-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用程序。 电路图、引脚图和封装图...
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MM74HC574 3态八通道d型边沿触发式触发器

MM74HC74A 带预设和清零功能的双通道d型触发器

74A利用先进的硅栅极CMOS技术实现了与LS-TTL等效部件相似的操作速度。它具有标准CMOS集成电路的高抗噪能力和低功耗特点,可以驱动10个LS-TTL负载。该触发器具有独立的数据,预设,清零和时钟输入以及Q和Q#输出。数据输入上的逻辑电平在时钟脉冲正向转换期间被传输到输出。预设和清零与742C逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽电源范围:2-6V 低静态电流:40μA,最大值(74HC系列) 低输入电流: 1μA,最大值 10 LS-TTL负载的高扇出 应用 此产品是一般用途,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
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MM74HC74A 带预设和清零功能的双通道d型触发器

MM74HC374 3态八通道d型边沿触发式触发器

574高速八通道D型触发器采用先进的硅栅极P井CMOS技术。它们具有标准CMOS集成电路的高抗扰度和低功耗特点,可以驱动15个LS-TTL负载。由于具有大输出驱动能力和3态功能,这些器件非常适合与总线组织系统中的总线线路接口。在这里(CK)输入的正向转换过程中,D输入端的数据(符合设置和保持时间的要求)被传输到Q输出端。当高逻辑电平应用于OUTPUT CONTROL(输出控制)输入端时,所有输出端进入高阻抗状态,不管其他输入端存在什么信号,也不管74储逻辑系列兼容。保护所有输入端,以免因内部二极管钳位至V CC 和地线的静电放电而受到损坏。 特性 典型传播延迟:20 ns 宽工作电压范围2-6V 低输入电流:1μA,最大值 低静态电流:80μA,最大值 兼容总线导向系统 输出驱动能力:15 LS-TTL负载 应用 此产品是一般用法,适用于许多不同的应用。 电路图、引脚图和封装图...
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MM74HC374 3态八通道d型边沿触发式触发器

NCV7812 线性稳压器 1 A 12 V.

线性稳压器是单片集成电路,设计用作固定电压调节器,适用于各种应用,包括本地,卡上调节。这些稳压器采用内部限流,热关断和安全区域补偿。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器,但这些器件可以与外部元件一起使用,以获得可调电压和电流。 特性 输出电流超过1.0 A 无需外部元件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 输出电压提供1.5%,2%和4%容差 无铅封装可用 应用 可用于Surface Mount D 2 PAK和Standard 3 -Lead Transistor Packages 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 147次 阅读
NCV7812 线性稳压器 1 A 12 V.

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 139次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

NCV896530 双输出降压转换器 低电压 2.1 MHz

530双路降压DC-DC转换器是一款单片集成电路,专用于下游电压轨的汽车驾驶员信息系统。两个通道均可在0.9 V至3.3 V范围内进行外部调节,并可提供高达1600 mA的电流。转换器的工作频率为2.1 MHz,高于敏感的AM频段,并且相位差180°,以减少轨道上的大量电流需求。同步整流提高了系统效率。 NCV896530提供汽车电源系统的其他功能,如集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.1 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCV896530采用节省空间的3 x 3 mm 10引脚DFN封装。 特性 优势 同步整改 效率更高 2.1 MHz开关频率 电感更小,没有AM频段发射 热限制和短路保护 故障保护 2输出为180°异相 降低输入纹波 内部MOSFET 降低成本和解决方案规模 应用 音频 资讯娱乐t 仪器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 05:02 149次 阅读
NCV896530 双输出降压转换器 低电压 2.1 MHz

NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电路,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用提供新型多媒体设计的核心和I / O电压。两个通道均可在0.9V至3.3V之间进行外部调节,每个通道可提供高达1.6A的电流,最大电流为1.0A。转换器以2.25MHz的开关频率运行,通过允许使用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相工作来减小元件尺寸,从而减少电池的大量电流需求。自动切换PWM / PFM模式和同步整流可提高系统效率。该器件还可以工作在固定频率PWM模式,适用于需要低纹波和良好负载瞬变的低噪声应用。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.25 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCP1532采用节省空间的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引脚uDFN封装。 特性 优势 97%效率,50uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 2.25MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容 模式引脚操作:仅在轻载或PWM模式下自动切换PWM / PFM模式 允许用户在轻载或低噪声和纹波性能之间选择低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 复位输出引脚...
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NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

NCP1522B 降压转换器 DC-DC 3 MHz 600 mA

2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,针对便携式应用进行了优化,采用单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件采用0.9 V至3.3 V的可调输出电压,可提供高达600 mA的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部部件数量。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器,通过允许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1522B采用节省空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特性 优势 94%效率,50 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 3.0 MHz开关频率 允许使用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条件下PWM和PFM模式之间的自动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 应用 终端产品 电源f或应用处理器 核心电压低的处理器电源 智能手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 数码相机和摄像机 电路图、引脚图和封装图...
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NCP1522B 降压转换器 DC-DC 3 MHz 600 mA

NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

9降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,适用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用。该器件可在外部可调范围为0.9 V至3.9 V或固定为1.2 V或1.35 V的输出范围内提供高达1.0 A的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部元件数量。该器件还内置1.7 MHz(标称)振荡器,通过允许使用小型电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。 其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1529采用节省空间的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 特性 优势 96%效率,28 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池续航时间和'播放时间' 1.7 MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容器 在轻负载条件下自动切换PWM和PFM模式 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.9V 即使在PFM模式下,同类最佳低纹波 应用 终端产品 电池供电应用电源管理 核心电压低的处理器电源 USB供电设备 低压直流电源电源管理 手机,智能手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 电路图、引脚图和封装图...
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NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.

系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线路和负载调节驱动1.0 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线路和负载条件 保证1.0 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...
发表于 07-30 01:02 267次 阅读
NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.