全面了解cmos电路中esd保护结构原理及应用

电子设计 2017-12-05 09:03 次阅读

   ESD(静电放电)是CMOS电路中最为严重的失效机理之一,严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性,研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理,分析了该结构对版图的相关要求,重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。

    1 引言

    静电放电会给电子器件带来破坏性的后果,它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展,CMOS电路的特征尺寸不断缩小,管子的栅氧厚度越来越薄,芯片的面积规模越来越大,MOS管能承受的电流和电压也越来越小,而外围的使用环境并未改变,因此要进一步优化电路的抗ESD性能,如何使全芯片有效面积尽可能小、ESD性能可靠性满足要求且不需要增加额外的工艺步骤成为IC设计者主要考虑的问题。

    2 ESD保护原理

    ESD保护电路的设计目的就是要避免工作电路成为ESD的放电通路而遭到损害,保证在任意两芯片引脚之间发生的ESD,都有适合的低阻旁路将ESD电流引入电源线。这个低阻旁路不但要能吸收ESD电流,还要能箝位工作电路的电压,防止工作电路由于电压过载而受损。在电路正常工作时,抗静电结构是不工作的,这使ESD保护电路还需要有很好的工作稳定性,能在ESD发生时快速响应,在保护电路的同时,抗静电结构自身不能被损坏,抗静电结构的负作用(例如输入延迟)必须在可以接受的范围内,并防止抗静电结构发生闩锁。

    3 CMOS电路ESD保护结构的设计

    大部分的ESD电流来自电路外部,因此ESD保护电路一般设计在PAD旁,I/O电路内部。典型的I/O电路由输出驱动和输入接收器两部分组成。ESD 通过PAD导入芯片内部,因此I/O里所有与PAD直接相连的器件都需要建立与之平行的ESD低阻旁路,将ESD电流引入电压线,再由电压线分布到芯片各个管脚,降低ESD的影响。具体到I/O电路,就是与PAD相连的输出驱动和输入接收器,必须保证在ESD发生时,形成与保护电路并行的低阻通路,旁路 ESD电流,且能立即有效地箝位保护电路电压。而在这两部分正常工作时,不影响电路的正常工作。

    常用的ESD保护器件有电阻、二极管、双极性晶体管、MOS管、可控硅等。由于MOS管与CMOS工艺兼容性好,因此常采用MOS管构造保护电路。

    CMOS工艺条件下的NMOS管有一个横向寄生n-p-n(源极-p型衬底-漏极)晶体管,这个寄生的晶体管开启时能吸收大量的电流。利用这一现象可在较小面积内设计出较高ESD耐压值的保护电路,其中最典型的器件结构就是栅极接地NMOS(GGNMOS,GateGroundedNMOS)。

    在正常工作情况下,NMOS横向晶体管不会导通。当ESD发生时,漏极和衬底的耗尽区将发生雪崩,并伴随着电子空穴对的产生。一部分产生的空穴被源极吸收,其余的流过衬底。由于衬底电阻Rsub的存在,使衬底电压提高。当衬底和源之间的PN结正偏时,电子就从源发射进入衬底。这些电子在源漏之间电场的作用下,被加速,产生电子、空穴的碰撞电离,从而形成更多的电子空穴对,使流过n-p-n晶体管的电流不断增加,最终使NMOS晶体管发生二次击穿,此时的击穿不再可逆,则NMOS管损坏。

    为了进一步降低输出驱动上NMOS在ESD时两端的电压,可在ESD保护器件与GGNMOS之间加一个电阻。这个电阻不能影响工作信号,因此不能太大。画版图时通常采用多晶硅(poly)电阻。

    只采用一级ESD保护,在大ESD电流时,电路内部的管子还是有可能被击穿。GGNMOS导通,由于ESD电流很大,衬底和金属连线上的电阻都不能忽略,此时GGNMOS并不能箝位住输入接收端栅电压,因为让输入接收端栅氧化硅层的电压达到击穿电压的是GGNMOS与输入接收端衬底间的IR压降。为避免这种情况,可在输入接收端附近加一个小尺寸GGNMOS进行二级ESD保护,用它来箝位输入接收端栅电压,如图1所示。

2015114114844144.jpg

    在画版图时,必须注意将二级ESD保护电路紧靠输入接收端,以减小输入接收端与二级ESD保护电路之间衬底及其连线的电阻。为了在较小的面积内画出大尺寸的NMOS管子,在版图中常把它画成手指型,画版图时应严格遵循I/OESD的设计规则。

    如果PAD仅作为输出,保护电阻和栅短接地的NMOS就不需要了,其输出级大尺寸的PMOS和NMOS器件本身便可充当ESD防护器件来用,一般输出级都有双保护环,这样可以防止发生闩锁。

    在全芯片的ESD结构设计时,注意遵循以下原则:

    (1)外围VDD、VSS走线尽可能宽,减小走线上的电阻;

    (2)设计一种 VDD-VSS之间的电压箝位结构,且在发生ESD时能提供VDD-VSS直接低阻抗电流泄放通道。对于面积较大的电路,最好在芯片的四周各放置一个这样的结构,若有可能,在芯片外围放置多个VDD、VSS的PAD,也可以增强整体电路的抗ESD能力;

    (3)外围保护结构的电源及地的走线尽量与内部走线分开,外围ESD保护结构尽量做到均匀设计,避免版图设计上出现ESD薄弱环节;

    (4)ESD保护结构的设计要在电路的ESD性能、芯片面积、保护结构对电路特性的影响如输入信号完整性、电路速度、输出驱动能力等进行平衡考虑设计,还需要考虑工艺的容差,使电路设计达到最优化;

    (5)在实际设计的一些电路中,有时没有直接的VDD-VSS电压箝位保护结构,此时,VDD-VSS之间的电压箝位及ESD电流泄放主要利用全芯片整个电路的阱与衬底的接触空间。所以在外围电路要尽可能多地增加阱与衬底的接触,且N+P+的间距一致。若有空间,则最好在VDD、VSS的PAD旁边及四周增加VDD-VSS电压箝位保护结构,这样不仅增强了VDD-VSS模式下的抗ESD能力,也增强了I/O-I/O模式下的抗ESD能力。

    一般只要有了上述的大致原则,在与芯片面积折中的考虑下,一般亚微米CMOS电路的抗ESD电压可达到2500V以上,已经可以满足商用民品电路设计的ESD可靠性要求。

    对于深亚微米超大规模CMOS IC的ESD结构设计,常规的ESD保护结构通常不再使用了,通常大多是深亚微米工艺的Foundry生产线都有自己外围标准的ESD结构提供,有严格标准的ESD结构设计规则等,设计师只需调用其结构就可以了,这可使芯片设计师把更多精力放在电路本身的功能、性能等方面的设计。

    4 结束语

    ESD保护设计随着CMOS工艺水平的提高而越来越困难,ESD保护已经不单是输入脚或输出脚的ESD保护设计问题,而是全芯片的静电防护问题。

    芯片里每一个I/O电路中都需要建立相应的ESD保护电路,此外还要从整个芯片全盘考虑,采用整片(whole-chip)防护结构是一个好的选择,也能节省I/OPAD上ESD元件的面积。

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LM98722 具有 LVDS/CMOS 输出和集成 CCD/CIS 传感器定时发送器的 3 通道 16 位 45 MSPS AFE

LM98722是一款完全集成的高性能16位,45 MSPS信号处理解决方案,适用于数码彩色复印机,扫描仪和其他图像处理应用。采用相关双采样(CDS)的创新架构实现了高速信号吞吐量,CDS通常用于CCD阵列,或采样和保持(S /H)输入(用于高速CCD或CMOS图像传感器)。信号路径采用8位可编程增益放大器(PGA),+ /?? 9位偏移校正DAC和每个输入独立控制的数字黑电平校正环路。 PGA和偏移DAC独立编程,为三个模拟输入中的每一个提供唯一的增益和偏移值。然后将信号路由至45 MHz高性能模数转换器(ADC)。全差分处理通道具有出色的抗噪能力,噪声基底极低,为74dB。 16位ADC具有出色的动态性能,使LM98722在图像复制链中透明。 包含一个非常灵活的集成扩频时钟生成(SSCG)调制器,有助于EM兼容性并降低系统成本。 特性 LVDS /CMOS输出 带PLL的LVDS /CMOS /晶体时钟源 乘法 < li>集成灵活扩频时钟生成 CCD或CIS传感器的CDS或S /H处理 每个通道的独立增益/偏移校正 ...

发表于 09-25 11:37 25次 阅读
LM98722 具有 LVDS/CMOS 输出和集成 CCD/CIS 传感器定时发送器的 3 通道 16 位 45 MSPS AFE

为什么关断隔离性能在较低频率时会下降?

简介 ADG9xx CMOS宽带开关主要设计用来满足工业、科研和医用(ISM)频段 (900 MHz....

的头像 电子设计 发表于 09-25 09:44 1153次 阅读
为什么关断隔离性能在较低频率时会下降?

CP2524电容性触摸检测芯片的详细中文数据手册免费下载

CP2524 是一款支持 4 通道的电容式触摸传感芯片。内嵌高精度电容数字转换(CDC)模块,并结合....

发表于 09-25 08:00 55次 阅读
CP2524电容性触摸检测芯片的详细中文数据手册免费下载

CP2528电容式触摸传感芯片的中文详细数据手册免费下载

CP2528 是一款支持 8 通道的电容式触摸传感芯片。内嵌高精度电容数字转换(CDC)模块,并结合....

发表于 09-25 08:00 57次 阅读
CP2528电容式触摸传感芯片的中文详细数据手册免费下载

VC0701和热释电红外传感器实现的人体检测系统

本文提出了一种基于VC0701和热释电红外传感器实现的人体检测系统的设计方法。该系统在高噪声环境下,....

的头像 电子设计 发表于 09-21 09:46 433次 阅读
VC0701和热释电红外传感器实现的人体检测系统

VKD233DR单按键触摸检测芯片的中文数据手册免费下载

VKD233DH TonTouch™ 是单按键触摸检测芯片,此触摸检测芯片内建稳压电路,提供稳定的电....

发表于 09-20 08:00 53次 阅读
VKD233DR单按键触摸检测芯片的中文数据手册免费下载

TLC5510和TLC5510A 8位高速模数转换器的详细

TLC5510和TLC5510A是CMOS,8位,20MSPS模数转换器(ADC),它们采用半闪存结....

发表于 09-19 16:54 85次 阅读
TLC5510和TLC5510A 8位高速模数转换器的详细

LMT87 具有 AB 类输出的 LMT87 - 1.5V、SC70、多增益模拟温度传感器

LMT87器件是一款精密CMOS温度传感器,其典型精度为±0.4°C(最大值为±2.7°C),且线性模拟输出电压与温度成反比关系.2.7V工作电源电压,5.4μA静态电流和0.7ms开通时间可实现有效的功率循环架构,以最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗.LMT87LPG穿孔TO-92S封装快速热时间常量支持非板载时间温度敏感型应用,例如烟雾和热量探测器。得益于宽工作范围内的精度和其他特性,使得LMT87成为热敏电阻的优质替代产品。 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件,请参阅类似替代器件了解LMT8x系列中的替代器件。 特性 LMT87LPG(TO-92S封装)具有快速热时间常量,典型值为10s(气流速度为1.2m /s) 非常精确:典型值±0.4°C 2.7V低压运行 -13.6mV /°C的平均传感器增益 5.4μA低静态电流 宽温度范围:-50°C至150°C 输出受到短路保护 具有±50μA驱动能力的推挽输出< /li> 封装尺寸兼...

发表于 09-18 17:17 0次 阅读
LMT87 具有 AB 类输出的 LMT87 - 1.5V、SC70、多增益模拟温度传感器

LM94021-Q1 具有多个增益模拟输出选项的汽车级 ±1.5°C 温度传感器

LM94021是一款精密模拟输出CMOS集成电路温度传感器,工作电压低至1.5V。在-50°C至+ 150°C的宽温度范围内工作时,LM94021可提供与测量温度成反比的输出电压。 LM94021的低电源电流使其成为电池供电系统以及一般温度传感应用的理想选择。 两个逻辑输入,增益选择1(GS1)和增益选择0(GS0),选择增益温度 - 电压输出传递函数。可选择四个斜率:-5.5 mV /°C,-8.2 mV /°C,-10.9 mV /°C和-13.6 mV /°C。在最低增益配置中(GS1和GS0均为低电平),LM94021可以在1.5V电源下工作,同时测量整个-50°C至+ 150°C工作温度范围内的温度。将两个输入都拉高会导致传递函数具有-13.6 mV /°C的最大增益,以获得最大温度灵敏度。增益选择输入可以直接连接到V DD 或接地,无需任何上拉或下拉电阻,从而减少了元件数量和电路板面积。这些输入也可以由逻辑信号驱动,允许系统在操作或系统诊断期间优化增益。 特性 LM94021Q is AEC-Q100 Grade 0 Qualified and is Manufactured on an Automotive Grade Flow ...

发表于 09-18 17:01 2次 阅读
LM94021-Q1 具有多个增益模拟输出选项的汽车级 ±1.5°C 温度传感器

LMT84 具有 AB 类输出的 LMT84 - 1.5V、SC70、多增益模拟温度传感器

LMT84 是一款精密 CMOS 温度传感器,其典型精度为 ±0.4°C(最大值为 ±2.7°C),且线性模拟输出电压与温度成反比关系。1.5V 工作电源电压、5.4µA 静态电流和 0.7ms 开通时间可实现有效的功率循环架构,以最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电 应用 的功耗。LMT84 LPG 穿孔 TO-92S 封装快速热时间常量支持非板载时间温度敏感型 应用, 例如烟雾和热量探测器。 得益于宽工作范围内的精度和其他 特性, 使得 LMT84 成为热敏电阻的优质替代产品。 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件,请参阅 类似替代器件 了解 LMT8x 系列中的替代器件。 特性 LMT84LPG(TO-92S封装)具有快速热时间常量,典型值为10s(气流速度为1.2m /s) 非常精确:典型值±0.4°C 1.5V低压运行 -5.5mV /°C的平均传感器增益 5.4μA低静态电流 宽温度范围:-50°C至150°C 输出受到短路保护 具有±50μA驱动能力的推挽输出< ...

发表于 09-18 16:54 19次 阅读
LMT84 具有 AB 类输出的 LMT84 - 1.5V、SC70、多增益模拟温度传感器

CD54HC251 具有三态输出的高速 CMOS 逻辑 8 输入多路复用器

?? HC251和?? HCT251是具有三态输出的8通道数字多路复用器,采用高速硅栅CMOS技术制造。加上标准CMOS集成电路的低功耗,它们能够驱动10个LSTTL负载。三态特性使它们非常适合与面向总线的系统中的总线连接。 该多路复用器具有真(Y)和补(Y)输出以及输出使能( OE \)输入。 OE \必须处于低逻辑电平才能启用此设备。当OE \输入为高电平时,两个输出都处于高阻态。启用后,数据选择输入的地址信息确定哪个数据输入路由到Y和Y \输出。 ?? HCT251逻辑系列的速度,功能和引脚兼容标准?? LS251。 特性 选择八个二进制数据输入之一 三态输出能力 真实和补充输出 典型(数据到输出)传输延迟为14ns,V CC = 5V,C L = 15pF,T A = 25°C 扇出(超温范围) 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 LSTTL负载 总线驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15 LSTTL负载 宽工作温度范围...

发表于 09-06 16:22 2次 阅读
CD54HC251 具有三态输出的高速 CMOS 逻辑 8 输入多路复用器

CD74HC138-Q1 汽车类高速 CMOS 逻辑 3 至 8 线路解码器多路解复用器(反向和非反向)

CD74HC138是一款高速硅栅CMOS解码器,非常适合存储器地址解码或数据路由应用。该电路具有低功耗,通常与CMOS电路相关,但速度可与低功耗肖特基TTL逻辑相媲美。该电路有三个二进制选择输入(A0,A1和A2)。如果器件使能,这些输入将确定HC138的8个常高输出中的哪一个将变低。 两个低电平有效和一个高电平有效( E1 , E2 和E3)以简化解码器的级联。解码器的8个输出可以驱动10个低功率肖特基TTL等效负载。 特性 符合汽车应用的要求 选择八种数据输出中的一种低电平 I /O端口或存储器选择器 三个使能输入以简化级联 典型传播延迟为13 ns,V CC = 5 V,C L < /sub> = 15 pF,T A = 25°C 扇出(超温范围) 标准输出。 。 。 10 LSTTL负载 总线驱动器输出。 。 。 15 LSTTL负载 平衡传播延迟和转换时间 与LSTTL逻辑IC相比显着降低功耗 2-V至6VV CC 操作 高抗噪性; N IL 或N IH = 30%的V CC ,V CC = 5 V < /ul> 参数 与其它产品相比 编码器和解码器   Function Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Channels ...

发表于 09-05 16:23 7次 阅读
CD74HC138-Q1 汽车类高速 CMOS 逻辑 3 至 8 线路解码器多路解复用器(反向和非反向)

CD54HC42 高速 CMOS 逻辑 BCD 至十进制解码器(10 选 1)

?? HC42和CD74HCT42 BCD-to-Decimal解码器利用硅栅CMOS技术实现类似于LSTTL解码器的运行速度,具有低功耗标准CMOS集成电路。这些器件能够驱动10个LSTLL负载,并与标准LS逻辑系列兼容。根据BCD输入选择十个输出之一(选择低电平)。无效的BCD输入导致没有选择任何输出(所有输出均为高电平)。 特性 缓冲输入和输出 典型传播延迟:V CC = 5V时为12ns, C L = 15pF,T A = 25°C 扇出(超温范围) 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 LSTTL负载 总线驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15 LSTTL负载 宽工作温度范围。 。 。 -55°C至125°C 平衡传播延迟和转换时间 与LSTTL逻辑IC相比显着降低功耗 HC类型 2V至6V工作 高抗噪性:N IL = 30%,N IH = 30%V CC 在V CC = 5V HCT类型 4.5V至5.5V操作 直接LSTTL输入逻辑兼容性,V IL = 0.8V(最大值),V IH = 2V(最小值) CMOS输入兼容性,I l V OL 时为1μA,V OH 参数 与其它产品相比 解码器/编码器/...

发表于 09-05 15:42 70次 阅读
CD54HC42 高速 CMOS 逻辑 BCD 至十进制解码器(10 选 1)

CD54HC354 具有三态输出的高速 CMOS 逻辑 8 输入多路复用器/寄存器

CD54HC354,CD74HC354和CD74HCT354是数据选择器/多路复用器,可选择八个源中的一个。在这两种类型中,数据选择位S0,S1和S2存储在透明锁存器中,由低锁存使能输入LE \使能。 在HC /HCT354中数据使能输入,E \ ,控制透明锁存器,当E \为高电平时将数据传递到输出,并在E \为低电平时锁存新数据。 在这两种类型中,三态输出由三个输出使能输入OE1控制\,OE2 \和OE3。 特性 HC /HCT354 透明数据和选择锁存器 缓冲输入 三态互补输出 总线驱动能力 典型传播延迟:V CC = 5V,C < sub> L = 15pF,T A = 25°C 数据输出= 18ns 扇出(过温度范围) 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 LSTTL负载 总线驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15 LSTTL负载 宽工作温度范围。 。 。 -55°C至125°C 平衡传播延迟和转换时间 与LSTTL逻辑IC相比显着降低功耗 HC类型 2V至6V工作 高抗噪性:N IL = 30%,N IH = 30%V CC 在V CC = 5V HCT类型 4.5V至5.5V操作 直接LSTTL输入逻辑兼容性,V IL = 0.8V(...

发表于 09-03 15:51 9次 阅读
CD54HC354 具有三态输出的高速 CMOS 逻辑 8 输入多路复用器/寄存器

CD54HC151 高速 CMOS 逻辑 8 输入多路复用器

?? HC151和?? HCT151是单通道8通道数字多路复用器,具有三个二进制控制输入,S0,S1和S2以及低电平有效使能( E)\输入。三个二进制信号选择8个通道中的1个。输出均为反相(Y \)和非反相(Y)。 特性 互补数据输出 缓冲输入和输出 扇出(超温范围) 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 LSTTL负载 总线驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15 LSTTL负载 宽工作温度范围。 。 。 -55°C至125°C 平衡传播延迟和转换时间 与LSTTL逻辑IC相比显着降低功耗 备用光源为Philips /Signetics < /li> HC类型 2V至6V操作 高抗噪性:N IL = 30%,N IH = V CC 在V CC = 5V HCT类型 4.5 V至5.5V操作 直接LSTTL输入逻辑兼容性,V IL = 0.8V(最大值),V IH = 2V(最小值) CMOS输入兼容性,我 l Vμ1μA sub> OL ,V OH 参数 与其它产品相比 解码器/编码器/多路复用器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Channels (#) Voltage (Nom) (V) F @ Nom Voltage...

发表于 09-03 15:50 0次 阅读
CD54HC151 高速 CMOS 逻辑 8 输入多路复用器

CD54HC157 高速 CMOS 逻辑四路 2 输入多路复用器

?? HC157,?? HCT157,?? HC158和?? HCT158是四路2输入多路复用器,从两个源中选择四位数据在公共选择输入(S)的控制下。启用输入(E \)为低电平有效。当(E \)为高电平时,158中的所有输出,反相类型,(1Y \ -4Y \)被强制为高电平,157中为非反相类型,所有输出(1Y \ -4Y)无论所有其他输入条件如何,都强制为低电压。 将数据从两组寄存器移动到四条公共输出总线是这些器件的常见用途。 Select输入的状态决定了数据来自的特定寄存器。它们也可以用作函数发生器。 特性 公共选择输入 单独启用输入 缓冲输入和输出 < li>扇出(超温范围) 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 LSTTL负载 总线驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15 LSTTL负载 宽工作温度范围。 。 。 -55°C至125°C 平衡传播延迟和转换时间 与LSTTL逻辑IC相比显着降低功耗 HC类型 2V至6V工作 高抗噪性:N IL = 30%,N IH = 30%V CC 在V CC = 5V HCT类型 4.5V至5.5V操作 直接LSTTL输入逻辑兼容性,V IL = 0.8V(最大值),V IH = 2V(最小值) C...

发表于 09-03 15:49 3次 阅读
CD54HC157 高速 CMOS 逻辑四路 2 输入多路复用器

CD54HC138 高速 CMOS 逻辑反向和同向 3 至 8 线路解码器多路解复用器

?? HC138,?? HC238,?? HCT138和?? HCT238是高速硅栅CMOS解码器,非常适合存储器地址解码或数据路由应用程序两种电路都具有通常与CMOS电路相关的低功耗,但具有与低功率肖特基TTL逻辑相当的速度。两个电路都有三个二进制选择输入(A0,A1和A2)。如果设备已启用,这些输入将确定HC /HCT138系列的8个常高输出中的哪一个将变低或HC /HCT238系列的正常低输出中的哪个将变高。 提供两个低电平有效和一个高电平有效(E1 \,E2 \和E3),以简化解码器的级联。解码器的8个输出可以驱动10个低功率肖特基TTL等效负载。 特性 选择八个数据输出中的一个为低电平有效138,高电平有效为238 I /O端口或存储器选择器 三个使能输入以简化级联 典型传播延迟为13ns,V CC = 5V,C L = 15pF, T A = 25°C 扇出(超温范围) 标准输出。 。 。 。 10 LSTTL负载 总线驱动器输出。 。 。 。 15 LSTTL负载 宽工作温度范围。 。 。 ?55°C至125°C 平衡传播延迟和转换时间 与LSTTL逻辑IC相比显着降低功耗 HC类型 < li> 2V至6V操作 高噪声抗扰度:N IL = 30%,N IH = V CC的...

发表于 09-03 15:48 2次 阅读
CD54HC138 高速 CMOS 逻辑反向和同向 3 至 8 线路解码器多路解复用器

CD54HC139 高速 CMOS 逻辑双路 2 至 4 线路解码器/多路解复用器

?? HC139和?? HCT139器件包含两个独立的二进制到四个解码器之一,每个解码器都有一个低电平有效使能输入(1E \或2E \ )。选择输入(1A0和1A1或2A0和2A1)上的数据会使四个常高输出中的一个变为低电平。 如果使能输入为高电平,则所有四个输出都保持高电平。对于解复用器操作,使能输入是数据输入。当这些器件级联时,使能输入也可用作芯片选择。该器件在功能上与CD4556B相同,并与其引脚兼容。 这些器件的输出可驱动10个低功率肖特基TTL等效负载。 HCT逻辑系列在功能上与引脚等效于LS逻辑系列。 特性 多功能能力 二进制至4个解码器中的1个或1至4个线路解复用器 < /li> 低电压互斥输出 扇出(温度范围过大) 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 LSTTL负载 总线驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15 LSTTL负载 宽工作温度范围。 。 。 -55°C至125°C 平衡传播延迟和转换时间 与LSTTL逻辑IC相比显着降低功耗 HC类型 2V至6V工作 高抗噪性:N IL = 30%,N IH = 30%V CC 在V CC = 5V HCT类型 4.5V至5.5V操作 直接LSTTL输入逻辑兼...

发表于 09-03 15:36 33次 阅读
CD54HC139 高速 CMOS 逻辑双路 2 至 4 线路解码器/多路解复用器

CD54HC237 具有地址锁存器的高速 CMOS 逻辑 3 至 8 线路解码器多路解复用器

CD74HC137,CD74HCT137,?? HC237和CD74HCT237是高速硅栅CMOS解码器,非常适合存储器地址解码或数据路由应用。两种电路都具有低功耗,通常与CMOS电路相关,但速度可与低功耗肖特基TTL逻辑相媲美。 两个电路都有三个二进制选择输入(A0,A1和A2),可通过有效高锁存使能(LE)信号可将输出与选择输入变化隔离。 “低”LE使输出对输入透明,电路作为八分之一解码器。提供两个输出使能输入(OE \ 1 和OE 0 )以简化级联并促进多路分解。通过使用A 0 ,A 1 ,A 2 输入来选择所需的输出并使用其他输出之一来完成解复用功能。将输入作为数据输入,同时将另一个输出使能输入保持在其活动状态。在CD74HC137和CD74HCT137中,所选输出为“低”;在?? HC237和CD74HCT237中,所选输出为“高”。 特性 选择八个数据输出之一 CD74HC137和CD74HCT137的低电平 高电平有效? ?HC237和CD74HCT237 I /O端口或存储器选择器 两个使能输入以简化级联 典型的传播延迟13 CC = 5V,15pF,T A = 25°C(CD74HC237) 扇出(超温范围) 标准输出。 。 。 。 10 LSTTL负载 总线...

发表于 09-03 15:34 0次 阅读
CD54HC237 具有地址锁存器的高速 CMOS 逻辑 3 至 8 线路解码器多路解复用器

CD54HC154 高速 CMOS 逻辑 4 至 16 线路解码器/多路解复用器

?? HC154和?? HCT154是4到16行解码器/解复用器,带有两个使能输入E1和E2。启用输入的高电平会强制输出进入高电平状态。通过使用四条输入线A0至A3来选择输出线Y0 \至Y15 \,并使用一个使能作为数据输入,同时保持另一个使能低电平,执行多路分解功能。 特性 两个启用输入以促进多路分解和级联功能 扇出(超温范围) 标准输出。 。 。 。 。 。 10 LSTTL负载 总线驱动器输出。 。 。 15 LSTTL负载 宽工作温度范围。 。 。 ?55°C至125°C 平衡传播延迟和转换时间 与LSTTL逻辑IC相比显着降低功耗 HC类型 < li> 2V至6V操作 高噪声抗扰度:N IL = 30%,N IH = V CC的30% at V CC = 5V HCT类型 4.5V至5.5V操作 直接LSTTL输入逻辑兼容性,V IL = 0.8V(最大值),V IH = 2V(最小值) CMOS输入兼容性,I l V OL 时为1μA,V OH 从Harris Semiconductor获得的数据表 参数 与其它产品相比 解码器/编码器/多路复用器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Channels (#) Voltage (Nom) (V) ...

发表于 09-03 15:30 0次 阅读
CD54HC154 高速 CMOS 逻辑 4 至 16 线路解码器/多路解复用器

CD54HC238 高速 CMOS 逻辑 3 至 8 线路解码器多路解复用器(反向和同向)

?? HC138,?? HC238,?? HCT138和?? HCT238是高速硅栅CMOS解码器,非常适合存储器地址解码或数据路由应用程序两种电路都具有通常与CMOS电路相关的低功耗,但具有与低功率肖特基TTL逻辑相当的速度。两个电路都有三个二进制选择输入(A0,A1和A2)。如果设备已启用,这些输入将确定HC /HCT138系列的8个常高输出中的哪一个将变低或HC /HCT238系列的正常低输出中的哪个将变高。 提供两个低电平有效和一个高电平有效(E1 \,E2 \和E3),以简化解码器的级联。解码器的8个输出可以驱动10个低功率肖特基TTL等效负载。 特性 Select One Of Eight Data Outputs Active Low for 138, Active High for 238 I/O Port or Memory Selector Three Enable Inputs to Simplify Cascading Typical Propagation Delay of 13ns at VCC = 5V, CL = 15pF, TA = 25°C Fanout (Over Temperature Range) Standard Outputs . . . . 10 LSTTL Loads Bus Driver Outputs . . . . 15 LSTTL Loads Wide Operating Temperature Range . . . –55°C to 125°C Balanced Propagation D...

发表于 09-03 15:29 0次 阅读
CD54HC238 高速 CMOS 逻辑 3 至 8 线路解码器多路解复用器(反向和同向)

CD54HC257 具有三态输出的高速 CMOS 逻辑同向四路 2 输入多路复用器

?? HC257和?? HCT257是四通道2输入多路复用器,它在一个公共选择输入的控制下从两个源中选择四位数据( S)。输出使能输入(OE \)为低电平有效。当OE \为高电平时,无论其他所有输入条件如何,所有输出(1Y-4Y)都处于高阻态。 将数据从两组寄存器移动到四条公共输出总线是常见的使用257. Select输入的状态决定了数据来自的特定寄存器。它也可以用作函数发生器。 特性 缓冲输入 典型传播延迟(输入到输出)= 12ns,V CC = 5V,C L = 15pF,T A = 25°C 扇出(过温度范围) 标准输出。 ..10 LSTTL负载 总线驱动器输出... 15 LSTTL负载 宽工作温度范围...... ?? 55°C至125 °C 平衡传播延迟和转换时间 与LSTTL逻辑IC相比显着降低功耗 HC类型 2V至6V操作< /li> 高噪声抗扰度:N IL = 30%,N IH = V CC 在V 的30% CC = 5V HCT类型 4.5V至5.5V操作 直接LSTTL输入逻辑兼容性,V IL = 0.8V(Max),V IH = 2V(Min) CMOS输入兼容性,I l < img src =“http://focus.ti.com/graphics/shared/symbols/lc/leq.gif”> V OL 1μA,V OH...

发表于 09-03 15:28 4次 阅读
CD54HC257 具有三态输出的高速 CMOS 逻辑同向四路 2 输入多路复用器

CD54HC153 高速 CMOS 逻辑双路 4 输入多路复用器

?? HC153和?? HCT153是双4到1线选择器/多路复用器,通过公共选择为每个部分选择四个源中的一个输入,S0和S1。当使能输入(1E \,2E \)为高电平时,输出处于低电平状态。 特性 公共选择输入 单独启用输入 缓冲输入和输出 < li>扇出(超温范围) 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 10 LSTTL负载 总线驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 15 LSTTL负载 宽工作温度范围。 。 。 -55°C至125°C 平衡传播延迟和转换时间 与LSTTL逻辑IC相比显着降低功耗 HC类型 2V至6V工作 高抗噪性:N IL = 30%,N IH = 30%V CC 在V CC = 5V HCT类型 4.5V至5.5V操作 直接LSTTL输入逻辑兼容性,V IL = 0.8V(最大值),V IH = 2V(最小值) CMOS输入兼容性,I l V OL 时为1μA,V OH 参数 与其它产品相比 解码器/编码器/多路复用器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Channels (#) Voltage (Nom) (V) F @ Nom Voltage (Max) (Mhz) ICC @ Nom Voltage (Max) (mA) tpd @ Nom Voltage...

发表于 09-03 15:19 0次 阅读
CD54HC153 高速 CMOS 逻辑双路 4 输入多路复用器