1、正向偏置安全工作区
正向偏置安全工作区,如图4所示。它是由最大漏源电压极限线I、最大漏极电流极限线Ⅱ、漏源通态电阻线Ⅲ和最大功耗限制线Ⅳ,4条边界极限所包围的区域。图中示出了4种情况:直流DC,脉宽10ms,1ms,10μs。它与GTR安全工作区比有2个明显的区别:①因无二次击穿问题,所以不存在二次击穿功率PSB限制线;②因为它通态电阻较大,导通功耗也较大,所以不仅受最大漏极电流的限制,而且还受通态电阻的限制。
2、开关安全工作区
开关安全工作区为器件工作的极限范围,如图5所示。它是由最大峰值电流IDM、最小漏极击穿电压BUDS和最大结温TJM决定的,超出该区域,器件将损坏。
3、转换安全工作区
因电力场效应管工作频率高,经常处于转换过程中,而器件中又存在寄生等效二极管,它影响到管子的转换问题。为限制寄生二极管的反向恢复电荷的数值,有时还需定义转换安全工作区。
器件在实际应用中,安全工作区应留有一定的富裕度。
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原文标题:【技术文章】mosfet的安全工作区
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