MOSFET规格书/datasheet该如何理解

张飞实战电子 2017-10-12 18:14 次阅读

 

 引言

作为一个电子工程师、技术人员,相信大家对 MOSFET 都不会陌生。

工程师们要选用某个型号的 MOSFET,首先要看的就是规格书/datasheet,拿到 MOSFET 的规格书/datasheet 时,我们要怎么去理解那十几页到几十页的内容呢?

本文的目的就是为了和大家分享一下我对 MOSFET 规格书/datasheet 的理解和一些观点,有什么错误、不当的地方请大家指出,也希望大家分享一下自己的一些看法,大家一起学习。

PS: 1. 后续内容中规格书/datasheet 统一称为 datasheet

2. 本文中有关 MOSFET datasheet 的数据截图来自英飞凌 IPP60R190C6 datasheet

1、VDS

Datasheet 上电气参数第一个就是 V(BR)DSS,即 DS 击穿电压,也就是我们关心的 MOSFET 的耐压

此处V(BR)DSS的最小值是600V,是不是表示设计中只要MOSFET上电压不超过600V MOSFET就能工作在安全状态?

相信很多人的答案是“是!”,曾经我也是这么认为的,但这个正确答案是“不是!”

这个参数是有条件的,这个最小值600V是在Tj=25℃的值,也就是只有在Tj=25℃时,MOSFET上电压不超过600V才算是工作在安全状态。

MOSFET V(BR)DSS是正温度系数的,其实datasheet上有一张V(BR)DSS与Tj的关系图,如下:

要是电源用在寒冷的地方,环境温度低到-40℃甚至更低的话,MOSFET V(BR)DSS值<560V,这时候600V就已经超过MOSFET耐压了。  

所以在MOSFET使用中,我们都会保留一定的VDS的电压裕量,其中一点就是为了考虑到低温时MOSFET V(BR)DSS值变小了,另外一点是为了应对各种恶例条件下开关机的VDS电压尖峰。

2、ID    

相信大家都知道 MOSFET 最初都是按 xA, xV 的命名方式(比如 20N60~),慢慢的都转变成Rds(on)和电压的命名方式(比如 IPx60R190C6, 190 就是指 Rds(on)~).

其实从电流到 Rds(on)这种命名方式的转变就表明 ID 和 Rds(on)是有着直接联系的,那么它们之间有什么关系呢?

在说明 ID 和 Rds(on)的关系之前,先得跟大家聊聊封装和结温:

1). 封装:影响我们选择 MOSFET 的条件有哪些?

a) 功耗跟散热性能 -->比如:体积大的封装相比体积小的封装能够承受更大的损耗;铁封比塑封的散热性能更好.

b) 对于高压 MOSFET 还得考虑爬电距离 -->高压的 MOSFET 就没有 SO-8 封装的,因为G/D/S 间的爬电距离不够

c) 对于低压 MOSFET 还得考虑寄生参数 -->引脚会带来额外的寄生电感、电阻,寄生电感往往会影响到驱动信号,寄生电阻会影响到 Rds(on)的值

d) 空间/体积 -->对于一些对体积要求严格的电源,贴片 MOSFET 就显得有优势了

2). 结温:MOSFET 的最高结温 Tj_max=150℃,超过此温度会损坏 MOSFET,实际使用中建议不要超过 70%~90% Tj_max.

回到正题,MOSFET ID和Rds(on)的关系:

(1) 封装能够承受的损耗和封装的散热性能(热阻)之间的关系

(2) MOSFET通过电流ID产生的损耗

(1), (2)联立,计算得到ID和Rds_on的关系

今天看到一篇文档,上面有提到MOSFET的寿命是跟温度有关的。(下图红色框中)

3、Rds(on)

从MOSFET Rds(on)与Tj的图表中可以看到:Tj增加Rds(on)增大,即Rds(on)是正温度系数,MOSFET的这一特性使得MOSFET易于并联使用。

4、Vgs(th)

相信这个值大家都熟悉,但是Vgs(th)是负温度系数有多少人知道,你知道吗?(下面两图分别来自BSC010NE2LS和IPP075N15N3 G datasheet.)

相信会有很多人没有注意到Vgs(th)的这一特性,这也是正常的,因为高压MOSFET的datasheet中压根就没有这个图,这一点可能是因为高压MOSFET的Vgs(th)值一般都是2.5V以上,高温时也就到2V左右。但对于低压MOSFET就有点不一样了,很多低压MOSFET的Vgs(th)在常温时就很低,比如BSC010NE2LS的Vgs(th)是1.2V~2V,高温时最低都要接近0.8V了,这样只要在Gate有一个很小的尖峰就可能误触发MOSFET开启从而引起整个电源系统异常。

所以,低压MOSFET使用时一定要留意Vgs(th)的这个负温度系数的特性!!

5、Ciss, Coss, Crss

MOSFET 带寄生电容的等效模型

Ciss=Cgd+Cgs, Coss=Cgd+Cds, Crss=Cgd

Ciss, Coss, Crss的容值都是随着VDS电压改变而改变的,如下图:

在 LLC 拓扑中,减小死区时间可以提高效率,但过小的死区时间会导致无法实现 ZVS。因此选择在 VDS 在低压时 Coss 较小的 MOSFET 可以让 LLC 更加容易实现 ZVS,死区时间也可以适当减小,从而提升效率。

6、Qg, Qgs, Qgd

从此图中能够看出:

1. Qg并不等于Qgs+Qgd!!

2. Vgs高,Qg大,而Qg大,驱动损耗大

7、SOA

SOA曲线可以分为4个部分:

1). Rds_on的限制,如下图红色线附近部分

此图中:当VDS=1V时,Y轴对应的ID为2A,Rds=VDS/ID=0.5R ==>Tj=150℃时,Rds(on)约为0.5R.当VDS=10V时,Y轴对应的ID为20A,Rds=VDS/ID=0.5R ==>Tj=150℃时,Rds(on)约为0.5R.所以,此部分曲线中,SOA表现为Tj_max时RDS(on)的限制.

MOSFET datasheet上往往只有Tc=25和80℃时的SOA,但实际应用中不会刚好就是在Tc=25或者80℃,这时候就得想办法把25℃或者80℃时的SOA转换成实际Tc时的曲线。怎样转换呢?有兴趣的可以发表一下意见......

2).最大脉冲电流限制,如下图红色线附近部分

此部分为MOSFET的最大脉冲电流限制,此最大电流对应ID_pulse.

3). VBR(DSS)击穿电压限制,如下图红色线附近部分

此部分为MOSFET VBR(DSS)的限制,最大电压不能超过VBR(DSS) ==>所以在雪崩时,SOA图是没有参考意义的

4). 器件所能够承受的最大的损耗限制,如下图红色线附近部分

上述曲线是怎么来的?这里以图中红线附近的那条线(10us)来分析。

上图中,1处电压、电流分别为:88V, 59A,2处电压、电流分别为:600V, 8.5A。

MOSFET要工作在SOA,即要让MOSFET的结温不超过Tj_max(150℃),Tj_max=Tc+PD*ZthJC, ZthJC为瞬态热阻.

SOA图中,D=0,即为single pulse,红线附近的那条线上时间是10us即10^-5s,从瞬态热阻曲线上可以得到ZthJC=2.4*10^-2

从以上得到的参数可以计算出:

1处的Tj约为:25+88*59*2.4*10^-2=149.6℃

2处的Tj约为:25+600*8.5*2.4*10^-2=147.4℃

MOSFET datasheet上往往只有Tc=25和80℃时的SOA,但实际应用中不会刚好就是在Tc=25或者80℃,这时候就得想办法把25℃或者80℃时的SOA转换成实际Tc时的曲线。怎样转换呢?

有兴趣的可以发表一下意见~

把25℃时的SOA转换成100℃时的曲线:

1). 在25℃的SOA上任意取一点,读出VDS, ID,时间等信息

如上图,1处电压、电流分别为:88V, 59A, tp=10us

计算出对应的功耗:PD=VDS*ID=88*59=5192 (a)

PD=(Tj_max-Tc)/ZthJC -->此图对应为Tc=25℃ (b)

(a),(b)联立,可以求得ZthJC=(Tj_max-25)/PD=0.024

2). 对于同样的tp的SOA线上,瞬态热阻ZthJC保持不变,Tc=100℃,ZthJC=0.024.

3). 上图中1点电压为88V,Tc=100℃时,PD=(Tj_max-100)/ZthJC=2083

从而可以算出此时最大电流为I=PD/VDS=2083/88=23.67A

4). 同样的方法可以算出电压为600V,Tc=100℃时的最大电流

5). 把电压电流的坐标在图上标出来,可以得到10us的SOA线,同样的方法可以得到其他tp对应的SOA(当然这里得到的SOA还需要结合Tc=100℃时的其他限制条件)

这里的重点就是ZthJC,瞬态热阻在同样tp和D的条件下是一样的,再结合功耗,得到不同电压条件下的电流

另外一个问题,ZthJC/瞬态热阻计算:

1. 当占空比D不在ZthJC曲线中时,怎么计算?

2. 当tp<10us是,怎么计算?

1). 当占空比D不在ZthJC曲线中时:(其中,SthJC(t)是single pulse对应的瞬态热阻)

2. 当tp<10us时:

8、Avalanche

EAS:单次雪崩能量,EAR:重复雪崩能量,IAR:重复雪崩电流

雪崩时VDS,ID典型波形:

上图展开后,如下:

MOSFET雪崩时,波形上一个显著的特点是VDS电压被钳位,即上图中VDS有一个明显的平台

MOSFET雪崩的产生:

在MOSFET的结构中,实际上是存在一个寄生三极管的,如上图。在MOSFET的设计中也会采取各种措施去让寄生三极管不起作用,如减小P+Body中的横向电阻RB。正常情况下,流过RB的电流很小,寄生三极管的VBE约等于0,三极管是处在关闭状态。雪崩发生时,如果流过RB的雪崩电流达到一定的大小,VBE大于三极管VBE的开启电压,寄生三极管开通,这样将会引起MOSFET无法正常关断,从而损坏MOSFET。

因此,MOSFET的雪崩能力主要体现在以下两个方面:

1. 最大雪崩电流 ==>IAR

2. MOSFET的最大结温Tj_max ==>EAS、EAR 雪崩能量引起发热导致的温升

1)单次雪崩能量计算:

上图是典型的单次雪崩VDS,ID波形,对应的单次雪崩能量为:

其中,VBR=1.3BVDSS, L为提供雪崩能量的电感

雪崩能量的典型测试电路如下:

计算出来EAS后,对比datasheet上的EAS值,若在datasheet的范围内,则可认为是安全的(当然前提是雪崩电流<IAR)同时,还得注意,EAS随结温的增加是减小的,如下图:

2)重复雪崩能量 EAR:

上图为典型的重复雪崩波形,对应的重复雪崩能量为:

其中,VBR=1.3BVDSS.

计算出来EAR后,对比datasheet上的EAR值,若在datasheet的范围内,则可认为是安全的(此处默认重复雪崩电流<IAR),同时也得考虑结温的影响

9、体内二极管参数

VSD,二极管正向压降 ==>这个参数不是关注的重点,trr,二极管反向回复时间 ==>越小越好,Qrr,反向恢复电荷 ==>Qrr大小关系到MOSFET的开关损耗,越小越好,trr越小此值也会小

10、不同拓扑 MOSFET 的选择

针对不同的拓扑,对MOSFET的参数有什么不同的要求呢?怎么选择适合的MOSFET?

欢迎大家发表意见,看法 

1). 反激:

反激由于变压器漏感的存在,MOSFET会存在一定的尖峰,因此反激选择MOSFET时,我们要注意耐压值。通常对于全电压的输入,MOSFET耐压(BVDSS)得选600V以上,一般会选择650V。

若是QR反激,为了提高效率,我们会让MOSFET开通时的谷底电压尽量低,这时需要取稍大一些的反射电压,这样MOSFET的耐压值得选更高,通常会选择800V MOSFET。

2). PFC、双管正激等硬开关:

a) 对于PFC、双管正激等常见硬开关拓扑,MOSFET没有像反激那么高的VDS尖峰,通常MOSFET耐压可以选500V, 600V。

b) 硬开关拓扑MOSFET存在较大的开关损耗,为了降低开关损耗,我们可以选择开关更快的MOSFET。而Qg的大小直接影响到MOSFET的开关速度,选择较小Qg的MOSFET有利于减小硬开关拓扑的开关损耗

3). LLC谐振、移相全桥等软开关拓扑:

LLC、移相全桥等软开关拓扑的软开关是通过谐振,在MOSFET开通前让MOSFET的体二极管提前开通实现的。由于二极管的提前导通,在MOSFET开通时二极管的电流存在一个反向恢复,若反向恢复的时间过长,会导致上下管出现直通,损坏MOSFET。因此在这一类拓扑中,我们需要选择trr,Qrr小,也就是选择带有快恢复特性的体二极管的MOSFET。

4). 防反接,Oring MOSFET

这类用法的作用是将MOSFET作为开关,正常工作时管子一直导通,工作中不会出现较高的频率开关,因此管子基本上无开关损耗,损耗主要是导通损耗。选择这类MOS时,我们应该主要考虑Rds(on),而不去关心其他参数。

热门推荐

原文标题:深入理解MOSFET规格书/datasheet

文章出处:【微信号:fcsde-sh,微信公众号:张飞实战电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

如何选择适合应用的MOSFET驱动器的详细中文资料概述

目前 MOSFET 驱动器的主要用途之一是进行不同类型电机的驱动控制。此应用笔记对一些基本概念进行讨....

发表于 06-20 10:26 53次 阅读
如何选择适合应用的MOSFET驱动器的详细中文资料概述

半导体产业链九大厂商推进IPO,上海博通和卓胜微备受关注

6月15日,耐威科技发布业绩预告,预计上半年净利为4095万元-4818万元,同比增长约70%-10....

的头像 电子发烧友网 发表于 06-20 09:34 832次 阅读
半导体产业链九大厂商推进IPO,上海博通和卓胜微备受关注

恒温器终端设备中SSR的组件选择过程

有两种电源可供恒温器使用:电池和24VAC电源。恒温器需要电池供电不中断运行。非常重要的一点是,这些....

的头像 Duke 发表于 06-20 09:31 416次 阅读
恒温器终端设备中SSR的组件选择过程

同步降压转换器系统功率损耗及系统的总体效率的计算方法设计的概述

当今市场上存在着大量各式各样的分立元件,为设计人员提供了近乎无限多的解决方案。这一点再加上紧密的时间....

发表于 06-19 17:26 66次 阅读
同步降压转换器系统功率损耗及系统的总体效率的计算方法设计的概述

为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动芯片,需要考虑几个方面?

SiC MOSFET与传统硅MOSFET在短路特性上有所差异,以英飞凌CoolSiC™ 系列为例,全....

的头像 英飞凌工业半导体 发表于 06-15 10:09 466次 阅读
为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动芯片,需要考虑几个方面?

IDM厂及IC设计厂均大动作争抢晶圆代工产能

据业界消息,茂矽通知至8月底前暂停工程实验及新产品试产,未满25片的非完整批暂缓投片,未满150片的....

的头像 半导体观察IC 发表于 06-13 16:17 346次 阅读
IDM厂及IC设计厂均大动作争抢晶圆代工产能

汽车欠压、过压及电源反向保护电路

假如有人将 24V 电源连接到您的 12V 电路上,将发生什么? 倘若电源线和接地线因疏忽而反接,电....

的头像 电子设计 发表于 06-13 09:30 734次 阅读
汽车欠压、过压及电源反向保护电路

MOS器件的重要特性——15个为什么?

对于速度饱和所引起的电流饱和情况,一般说来,当电场很强、载流子速度饱和之后,再进一步增大源-漏电压,....

的头像 电子工程专辑 发表于 06-13 08:55 577次 阅读
MOS器件的重要特性——15个为什么?

智能家电市场快速兴起,半导体供货紧张,我国功率半导体行业迎来新机遇

随着人们绿色节能意识的提高,电动车、变频家电、智慧电网等市场正在快速兴起,同时也推动了MOSFET(....

的头像 半导体动态 发表于 06-12 15:34 488次 阅读
智能家电市场快速兴起,半导体供货紧张,我国功率半导体行业迎来新机遇

如何使用MIC45404评估板的详细中文资料概述免费下载

MIC45404器件是一款19V、5A超薄同步降压稳压器模块,经优化可在低输出电压下实现高效率。该模....

发表于 06-11 09:28 28次 阅读
如何使用MIC45404评估板的详细中文资料概述免费下载

SiC材料做成的器件又会有什么过人之处呢?

图3是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 与CoolSiCTM M....

的头像 英飞凌工业半导体 发表于 06-09 10:30 463次 阅读
SiC材料做成的器件又会有什么过人之处呢?

利用MOSFET的线性区和饱和区与负载电阻配对来提供脉冲电流

当一系列环境和电路设计变量影响输出时,就很难确定具有负反馈电路的稳定性。任何计算错误都会成为怪异电路....

的头像 面包板社区 发表于 06-08 15:46 483次 阅读
利用MOSFET的线性区和饱和区与负载电阻配对来提供脉冲电流

Microchip电源管理MCP19111-MCP87000系列产品

本视频介绍了MCP19111/MCP87XXX 电源管理产品以及组成的灵活高校的电源方案。MCP19....

的头像 EE techvideo 发表于 06-06 13:46 278次 观看
Microchip电源管理MCP19111-MCP87000系列产品

带有反向电流保护功能的有源整流控制器

随着汽车电子系统中电流水平的持续增加,由于存在高功耗和散热问题,设计师因而不再能使用传统的隔离肖特基....

的头像 EE techvideo 发表于 06-06 13:46 430次 观看
带有反向电流保护功能的有源整流控制器

MOSFET和IGBT的区别分析和应用的详细资料概述

MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同。 1. 由于MOSFET的结构,通....

发表于 06-05 10:00 80次 阅读
MOSFET和IGBT的区别分析和应用的详细资料概述

上游晶圆也要涨价了!这次不仅是MOS、二极管涨价缺货

延续2017年缺货、涨价的势头,今年MOSFET、二极管、电阻、电容等元器件纷纷涨价,背后的主要原因....

的头像 半导体行业联盟 发表于 06-03 17:44 1571次 阅读
上游晶圆也要涨价了!这次不仅是MOS、二极管涨价缺货

MOSFET等大型焊盘的背面可以打过孔

这个要看生产制造的工艺,现在在一些制造比较好的工厂,对于高密度的产品是非常常见的,这就叫VIP vi....

的头像 电子工程专辑 发表于 06-03 09:32 487次 阅读
MOSFET等大型焊盘的背面可以打过孔

TM2132的详细中文资料概述(免费下载)

TM2132 是一个高压、高速的MOSFET、IGBT 驱动器。它有三个半桥式栅极驱动,高压侧的VS....

发表于 06-01 10:26 42次 阅读
TM2132的详细中文资料概述(免费下载)

IR2133,IR2135和IR2233,IR2355的详细中文数据手册

IR2133IR2135 / IR2233IR2355(J&S)是高压,高速功率MOSFET和IGB....

发表于 05-31 13:00 58次 阅读
IR2133,IR2135和IR2233,IR2355的详细中文数据手册

输出电流的控制和感测基础

随着微处理器对电力电子控制能力的增强,管理负载电流益发行之有效,而不再是不堪的恶梦。在本文中,我们从....

的头像 面包板社区 发表于 05-31 11:18 891次 阅读
输出电流的控制和感测基础

意法半导体的三相工业辅助SMPS

意法半导体的三相工业辅助SMPS同样不容小觑,它具有卓越性能,在工业领域广泛使用,并提供高性能解决方....

的头像 意法半导体IPG 发表于 05-30 15:05 458次 阅读
意法半导体的三相工业辅助SMPS

基于MOSFET的整流器件设计方法

发表于 05-30 10:01 493次 阅读
基于MOSFET的整流器件设计方法

晶体管的分类与特征

MOSFET(图中以Nch为例)通过给栅极施加电压在源极与漏极间创建通道来导通。另外,栅极通过源极及....

的头像 EDN电子技术设计 发表于 05-26 09:04 646次 阅读
晶体管的分类与特征

UnitedSiC推出UJ3C1200系列 基于UnitedSiC的第三代SiC晶体管技术

功率因数校正(PFC)、主动前端整流器、LLC转换器和相移全桥转换器的设计人员现在可以通过使用来自U....

发表于 05-25 16:42 100次 阅读
UnitedSiC推出UJ3C1200系列 基于UnitedSiC的第三代SiC晶体管技术

​了解如何创建一个设计,及运行Vout变换仿真

对于服务器、以太网交换机、基站、以及等云端基础设施终端设备内电源的功率密度的要求越来越高。为了应对这....

的头像 电子设计 发表于 05-25 09:51 1308次 阅读
​了解如何创建一个设计,及运行Vout变换仿真

功率器件景气度高,硅晶圆紧缺未缓解

受惠于第一季8吋及12吋硅晶圆价格再度调涨,12吋硅晶圆现货价最高已看到100美元价位,推升硅晶圆供....

的头像 芯榜 发表于 05-23 17:35 2174次 阅读
功率器件景气度高,硅晶圆紧缺未缓解

同步整流控制器12.5 W(5 V / 2.5 A)电源

发表于 05-22 16:10 827次 阅读
同步整流控制器12.5 W(5 V / 2.5 A)电源

Vishay推出输入电压为4.5V~60V的新款2A~10A器件---SiC46X

Vishay推出输入电压为4.5V~60V的新款2A~10A器件---SiC46X,扩充其micro....

发表于 05-21 10:56 203次 阅读
Vishay推出输入电压为4.5V~60V的新款2A~10A器件---SiC46X

【晚间3分钟】:Intel第二颗10nm处理器现身;全球MOSFET芯片短缺警报解除;亚马逊AWS急招FPGA工程师

今日科技晚报内容有:Intel第二颗10nm处理器现身;Q1苹果智能音箱HomePod销量为60万台....

的头像 肖青梅 发表于 05-18 18:32 9471次 阅读
【晚间3分钟】:Intel第二颗10nm处理器现身;全球MOSFET芯片短缺警报解除;亚马逊AWS急招FPGA工程师

全球连接器状况,常见连接器厂商

2017年,全年全部工业增加值279997亿元,比上年增长6.4%。规模以上工业增加值增长6.6%。....

的头像 易库易 发表于 05-18 15:39 1440次 阅读
全球连接器状况,常见连接器厂商

业内预期未来IDM大厂释单趋势“只会增加不会减少” 可望持续受惠此趋势

由于物联网应用逐渐成熟,全球IC设计公司积极投入新产品开发应用,以及汽车载入电子科技或是电动车开发,....

发表于 05-16 17:40 105次 阅读
业内预期未来IDM大厂释单趋势“只会增加不会减少” 可望持续受惠此趋势

尚阳通科技生产的超级结MOSFET已经发展到第三代技术水平

相比较于第二代产品,第三代N系列考虑系统的兼容性,可以较好的兼容客户现有产品,满足客户对驱动和EMI....

的头像 电子工程专辑 发表于 05-16 08:44 828次 阅读
尚阳通科技生产的超级结MOSFET已经发展到第三代技术水平

意法半导体推 PWD13F60 节省电路板空间60% 还能提升最终应用的功率密度

意法半导体的 PWD13F60系统封装(SiP)产品在一个13mm x 11mm的封装内集成一个完整....

发表于 05-15 15:04 252次 阅读
意法半导体推 PWD13F60 节省电路板空间60% 还能提升最终应用的功率密度

Power推出SCALE-iDriver IC家族最新成员SID1102K

Power Integrations推出SCALE-iDriver IC家族最新成员SID1102K....

发表于 05-14 17:15 103次 阅读
Power推出SCALE-iDriver IC家族最新成员SID1102K

德州仪器(TI)推出了一款5.5V降压型电源模块

德州仪器(TI)推出了一款5.5V降压型电源模块,可提供真正的持续6A输出电流和高达95%的效率。易....

发表于 05-14 14:06 335次 阅读
德州仪器(TI)推出了一款5.5V降压型电源模块

如何在10 V - 18 V范围内设置不同输出电压以及如何将效率提高至86%

发表于 05-10 11:49 523次 阅读
如何在10 V - 18 V范围内设置不同输出电压以及如何将效率提高至86%

基于漏极导通区特性理解mosfet开关过程资料下载.pdf

基于漏极导通区特性理解mosfet开关过程资料

发表于 05-10 10:53 50次 阅读
基于漏极导通区特性理解mosfet开关过程资料下载.pdf

Flyback主电路中哪些元器件需要我们设计?电源用什么拓扑结构?

MOSFET关断时,当Vds超过RCD缓冲电路中的电容两端的电压VSN时,缓冲二极管导通.尖峰电流被....

的头像 贸泽电子设计圈 发表于 05-09 08:32 2081次 阅读
Flyback主电路中哪些元器件需要我们设计?电源用什么拓扑结构?

银联宝U6217S代替芯鹏微PN8360

通讯产品普通所需求的牢靠性都十分高。所以国内外很多厂家针对电源产品的投入都是十分之大,电源产品的牢靠....

发表于 05-07 17:45 104次 阅读
银联宝U6217S代替芯鹏微PN8360

关于MOSFET用于开关电源的驱动电路

MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和....

发表于 05-07 10:38 705次 阅读
关于MOSFET用于开关电源的驱动电路

三款各具特色的国产无线充电芯片解析

2017年9月苹果发布会上提出The future is wireless,然后推出了AirPowe....

发表于 05-06 10:34 1532次 阅读
三款各具特色的国产无线充电芯片解析

MOS失效的原因分析总结

到底什么是雪崩失效呢,简单来说MOSFET在电源板上由于母线电压、变压器反射电压、漏感尖峰电压等等系....

的头像 电子工程专辑 发表于 05-06 09:13 1011次 阅读
MOS失效的原因分析总结

关于反激式LED驱动器的工作原理

作为一种固态光源,发光二级管(LED)具备使用寿命长、功效出色以及环保特性,因此得到了广泛应用。目前....

发表于 05-04 09:40 443次 阅读
关于反激式LED驱动器的工作原理

Power Supply WebDesigner设计工具能提供一整套节省时间的LED驱动器设计工具

随着政府强制禁用白炽灯的法令已经开始严格执行,LED 照明市场持续增长,然而在寻求有效设计电源系统以....

发表于 05-04 09:25 745次 阅读
Power Supply WebDesigner设计工具能提供一整套节省时间的LED驱动器设计工具

电源芯片U6217S设计的开关电源具有节能环保特性

随着电子技术的发展, 尤其是目前便携式产品流行和节能环保的提倡, 电源芯片发挥的作用越来越大。电源芯....

发表于 05-03 17:13 129次 阅读
电源芯片U6217S设计的开关电源具有节能环保特性

Diodes公司推出ZXGD3113同步整流控制器 将取代高损耗的肖特基整流器

为满足业界对于提高功率密度与提高效率的广泛需求,Diodes 公司推出 ZXGD3113 同步整流控....

发表于 05-03 10:41 147次 阅读
Diodes公司推出ZXGD3113同步整流控制器 将取代高损耗的肖特基整流器

Power Integrations公司发布可设定恒压/恒流及恒功率输出特性的离线反激式开关电源IC

Power Integrations公司发布InnoSwitch3-Pro系列可设定恒压/恒流及恒功....

发表于 05-02 16:59 95次 阅读
Power Integrations公司发布可设定恒压/恒流及恒功率输出特性的离线反激式开关电源IC

焊盘上打孔的注意事项和防立碑现象的发生方法详细介绍

一 在MOSFET的大型焊盘的背面打过孔时我们为了改善MOSFET的散热,在MOSFET的焊盘上打过....

的头像 EDA设计智汇馆 发表于 04-30 17:17 535次 阅读
焊盘上打孔的注意事项和防立碑现象的发生方法详细介绍

如何将驱动器与MOSFET进行匹配

对 MOSFET 的栅极进行充电和放电需要同样的能量, 无论充放电过程快或慢 (栅极电压的上升和下降....

的头像 张飞实战电子 发表于 04-28 09:11 2598次 阅读
如何将驱动器与MOSFET进行匹配

LLC谐振变换器中MOSFET失效模式分析

提高功率密度已经成为电源变换器的发展趋势。为达到 这个目标,需要提高开关频率,从而降低功率损耗、系 ....

的头像 电源联盟 发表于 04-27 15:37 1404次 阅读
LLC谐振变换器中MOSFET失效模式分析

详细解析MOSFET结构及其工作原理

MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),....

的头像 电源联盟 发表于 04-26 09:25 959次 阅读
详细解析MOSFET结构及其工作原理

如何使用TPS56300DSP来设计电源应用系统详细概述

TPS56300具有可编程双通道(同步降压控制器和A)具有快速反馈控制的LDO控制器。纹波调节器(同....

发表于 04-25 10:11 65次 阅读
如何使用TPS56300DSP来设计电源应用系统详细概述

电机驱动短路保护时间设定的技术指标

通常采用MOSFET饱和的短路电流,使用单脉冲持续的时间来评估功率MOSFET抗短路冲击的性能。从图....

的头像 21ic电子网 发表于 04-25 09:00 637次 阅读
电机驱动短路保护时间设定的技术指标

MOSFET在快速关短过程中,驱动电压VGS会在米勒电平处震荡很厉害?请问有解决措施吗?

发表于 04-19 21:17 531次 阅读
MOSFET在快速关短过程中,驱动电压VGS会在米勒电平处震荡很厉害?请问有解决措施吗?

请教一下关于MOSFET驱动器电路的问题,谢谢

发表于 04-18 22:39 424次 阅读
请教一下关于MOSFET驱动器电路的问题,谢谢

MOSFET自激震荡电路multisim仿真没有波形怎么办?

发表于 03-13 17:50 1129次 阅读
MOSFET自激震荡电路multisim仿真没有波形怎么办?

P沟道和N沟道MOSFET在开关电源中的应用

发表于 03-03 13:58 1426次 阅读
P沟道和N沟道MOSFET在开关电源中的应用

利用IR2103驱动mosfet实现电压输出,帮忙看看这个电路是怎么工作的?

发表于 01-19 10:32 926次 阅读
利用IR2103驱动mosfet实现电压输出,帮忙看看这个电路是怎么工作的?

为何使用 SiC MOSFET

发表于 12-18 13:58 1049次 阅读
为何使用 SiC MOSFET

电子元器件最新缺货、涨价、交期行情汇总(特别是电容)

发表于 11-24 13:13 1170次 阅读
电子元器件最新缺货、涨价、交期行情汇总(特别是电容)