MOSFET规格书/datasheet该如何理解

张飞实战电子 2017-10-12 18:14 次阅读

 

 引言

作为一个电子工程师、技术人员,相信大家对 MOSFET 都不会陌生。

工程师们要选用某个型号的 MOSFET,首先要看的就是规格书/datasheet,拿到 MOSFET 的规格书/datasheet 时,我们要怎么去理解那十几页到几十页的内容呢?

本文的目的就是为了和大家分享一下我对 MOSFET 规格书/datasheet 的理解和一些观点,有什么错误、不当的地方请大家指出,也希望大家分享一下自己的一些看法,大家一起学习。

PS: 1. 后续内容中规格书/datasheet 统一称为 datasheet

2. 本文中有关 MOSFET datasheet 的数据截图来自英飞凌 IPP60R190C6 datasheet

1、VDS

Datasheet 上电气参数第一个就是 V(BR)DSS,即 DS 击穿电压,也就是我们关心的 MOSFET 的耐压

此处V(BR)DSS的最小值是600V,是不是表示设计中只要MOSFET上电压不超过600V MOSFET就能工作在安全状态?

相信很多人的答案是“是!”,曾经我也是这么认为的,但这个正确答案是“不是!”

这个参数是有条件的,这个最小值600V是在Tj=25℃的值,也就是只有在Tj=25℃时,MOSFET上电压不超过600V才算是工作在安全状态。

MOSFET V(BR)DSS是正温度系数的,其实datasheet上有一张V(BR)DSS与Tj的关系图,如下:

要是电源用在寒冷的地方,环境温度低到-40℃甚至更低的话,MOSFET V(BR)DSS值<560V,这时候600V就已经超过MOSFET耐压了。  

所以在MOSFET使用中,我们都会保留一定的VDS的电压裕量,其中一点就是为了考虑到低温时MOSFET V(BR)DSS值变小了,另外一点是为了应对各种恶例条件下开关机的VDS电压尖峰。

2、ID    

相信大家都知道 MOSFET 最初都是按 xA, xV 的命名方式(比如 20N60~),慢慢的都转变成Rds(on)和电压的命名方式(比如 IPx60R190C6, 190 就是指 Rds(on)~).

其实从电流到 Rds(on)这种命名方式的转变就表明 ID 和 Rds(on)是有着直接联系的,那么它们之间有什么关系呢?

在说明 ID 和 Rds(on)的关系之前,先得跟大家聊聊封装和结温:

1). 封装:影响我们选择 MOSFET 的条件有哪些?

a) 功耗跟散热性能 -->比如:体积大的封装相比体积小的封装能够承受更大的损耗;铁封比塑封的散热性能更好.

b) 对于高压 MOSFET 还得考虑爬电距离 -->高压的 MOSFET 就没有 SO-8 封装的,因为G/D/S 间的爬电距离不够

c) 对于低压 MOSFET 还得考虑寄生参数 -->引脚会带来额外的寄生电感、电阻,寄生电感往往会影响到驱动信号,寄生电阻会影响到 Rds(on)的值

d) 空间/体积 -->对于一些对体积要求严格的电源,贴片 MOSFET 就显得有优势了

2). 结温:MOSFET 的最高结温 Tj_max=150℃,超过此温度会损坏 MOSFET,实际使用中建议不要超过 70%~90% Tj_max.

回到正题,MOSFET ID和Rds(on)的关系:

(1) 封装能够承受的损耗和封装的散热性能(热阻)之间的关系

(2) MOSFET通过电流ID产生的损耗

(1), (2)联立,计算得到ID和Rds_on的关系

今天看到一篇文档,上面有提到MOSFET的寿命是跟温度有关的。(下图红色框中)

3、Rds(on)

从MOSFET Rds(on)与Tj的图表中可以看到:Tj增加Rds(on)增大,即Rds(on)是正温度系数,MOSFET的这一特性使得MOSFET易于并联使用。

4、Vgs(th)

相信这个值大家都熟悉,但是Vgs(th)是负温度系数有多少人知道,你知道吗?(下面两图分别来自BSC010NE2LS和IPP075N15N3 G datasheet.)

相信会有很多人没有注意到Vgs(th)的这一特性,这也是正常的,因为高压MOSFET的datasheet中压根就没有这个图,这一点可能是因为高压MOSFET的Vgs(th)值一般都是2.5V以上,高温时也就到2V左右。但对于低压MOSFET就有点不一样了,很多低压MOSFET的Vgs(th)在常温时就很低,比如BSC010NE2LS的Vgs(th)是1.2V~2V,高温时最低都要接近0.8V了,这样只要在Gate有一个很小的尖峰就可能误触发MOSFET开启从而引起整个电源系统异常。

所以,低压MOSFET使用时一定要留意Vgs(th)的这个负温度系数的特性!!

5、Ciss, Coss, Crss

MOSFET 带寄生电容的等效模型

Ciss=Cgd+Cgs, Coss=Cgd+Cds, Crss=Cgd

Ciss, Coss, Crss的容值都是随着VDS电压改变而改变的,如下图:

在 LLC 拓扑中,减小死区时间可以提高效率,但过小的死区时间会导致无法实现 ZVS。因此选择在 VDS 在低压时 Coss 较小的 MOSFET 可以让 LLC 更加容易实现 ZVS,死区时间也可以适当减小,从而提升效率。

6、Qg, Qgs, Qgd

从此图中能够看出:

1. Qg并不等于Qgs+Qgd!!

2. Vgs高,Qg大,而Qg大,驱动损耗大

7、SOA

SOA曲线可以分为4个部分:

1). Rds_on的限制,如下图红色线附近部分

此图中:当VDS=1V时,Y轴对应的ID为2A,Rds=VDS/ID=0.5R ==>Tj=150℃时,Rds(on)约为0.5R.当VDS=10V时,Y轴对应的ID为20A,Rds=VDS/ID=0.5R ==>Tj=150℃时,Rds(on)约为0.5R.所以,此部分曲线中,SOA表现为Tj_max时RDS(on)的限制.

MOSFET datasheet上往往只有Tc=25和80℃时的SOA,但实际应用中不会刚好就是在Tc=25或者80℃,这时候就得想办法把25℃或者80℃时的SOA转换成实际Tc时的曲线。怎样转换呢?有兴趣的可以发表一下意见......

2).最大脉冲电流限制,如下图红色线附近部分

此部分为MOSFET的最大脉冲电流限制,此最大电流对应ID_pulse.

3). VBR(DSS)击穿电压限制,如下图红色线附近部分

此部分为MOSFET VBR(DSS)的限制,最大电压不能超过VBR(DSS) ==>所以在雪崩时,SOA图是没有参考意义的

4). 器件所能够承受的最大的损耗限制,如下图红色线附近部分

上述曲线是怎么来的?这里以图中红线附近的那条线(10us)来分析。

上图中,1处电压、电流分别为:88V, 59A,2处电压、电流分别为:600V, 8.5A。

MOSFET要工作在SOA,即要让MOSFET的结温不超过Tj_max(150℃),Tj_max=Tc+PD*ZthJC, ZthJC为瞬态热阻.

SOA图中,D=0,即为single pulse,红线附近的那条线上时间是10us即10^-5s,从瞬态热阻曲线上可以得到ZthJC=2.4*10^-2

从以上得到的参数可以计算出:

1处的Tj约为:25+88*59*2.4*10^-2=149.6℃

2处的Tj约为:25+600*8.5*2.4*10^-2=147.4℃

MOSFET datasheet上往往只有Tc=25和80℃时的SOA,但实际应用中不会刚好就是在Tc=25或者80℃,这时候就得想办法把25℃或者80℃时的SOA转换成实际Tc时的曲线。怎样转换呢?

有兴趣的可以发表一下意见~

把25℃时的SOA转换成100℃时的曲线:

1). 在25℃的SOA上任意取一点,读出VDS, ID,时间等信息

如上图,1处电压、电流分别为:88V, 59A, tp=10us

计算出对应的功耗:PD=VDS*ID=88*59=5192 (a)

PD=(Tj_max-Tc)/ZthJC -->此图对应为Tc=25℃ (b)

(a),(b)联立,可以求得ZthJC=(Tj_max-25)/PD=0.024

2). 对于同样的tp的SOA线上,瞬态热阻ZthJC保持不变,Tc=100℃,ZthJC=0.024.

3). 上图中1点电压为88V,Tc=100℃时,PD=(Tj_max-100)/ZthJC=2083

从而可以算出此时最大电流为I=PD/VDS=2083/88=23.67A

4). 同样的方法可以算出电压为600V,Tc=100℃时的最大电流

5). 把电压电流的坐标在图上标出来,可以得到10us的SOA线,同样的方法可以得到其他tp对应的SOA(当然这里得到的SOA还需要结合Tc=100℃时的其他限制条件)

这里的重点就是ZthJC,瞬态热阻在同样tp和D的条件下是一样的,再结合功耗,得到不同电压条件下的电流

另外一个问题,ZthJC/瞬态热阻计算:

1. 当占空比D不在ZthJC曲线中时,怎么计算?

2. 当tp<10us是,怎么计算?

1). 当占空比D不在ZthJC曲线中时:(其中,SthJC(t)是single pulse对应的瞬态热阻)

2. 当tp<10us时:

8、Avalanche

EAS:单次雪崩能量,EAR:重复雪崩能量,IAR:重复雪崩电流

雪崩时VDS,ID典型波形:

上图展开后,如下:

MOSFET雪崩时,波形上一个显著的特点是VDS电压被钳位,即上图中VDS有一个明显的平台

MOSFET雪崩的产生:

在MOSFET的结构中,实际上是存在一个寄生三极管的,如上图。在MOSFET的设计中也会采取各种措施去让寄生三极管不起作用,如减小P+Body中的横向电阻RB。正常情况下,流过RB的电流很小,寄生三极管的VBE约等于0,三极管是处在关闭状态。雪崩发生时,如果流过RB的雪崩电流达到一定的大小,VBE大于三极管VBE的开启电压,寄生三极管开通,这样将会引起MOSFET无法正常关断,从而损坏MOSFET。

因此,MOSFET的雪崩能力主要体现在以下两个方面:

1. 最大雪崩电流 ==>IAR

2. MOSFET的最大结温Tj_max ==>EAS、EAR 雪崩能量引起发热导致的温升

1)单次雪崩能量计算:

上图是典型的单次雪崩VDS,ID波形,对应的单次雪崩能量为:

其中,VBR=1.3BVDSS, L为提供雪崩能量的电感

雪崩能量的典型测试电路如下:

计算出来EAS后,对比datasheet上的EAS值,若在datasheet的范围内,则可认为是安全的(当然前提是雪崩电流同时,还得注意,EAS随结温的增加是减小的,如下图:

2)重复雪崩能量 EAR:

上图为典型的重复雪崩波形,对应的重复雪崩能量为:

其中,VBR=1.3BVDSS.

计算出来EAR后,对比datasheet上的EAR值,若在datasheet的范围内,则可认为是安全的(此处默认重复雪崩电流同时也得考虑结温的影响

9、体内二极管参数

VSD,二极管正向压降 ==>这个参数不是关注的重点,trr,二极管反向回复时间 ==>越小越好,Qrr,反向恢复电荷 ==>Qrr大小关系到MOSFET的开关损耗,越小越好,trr越小此值也会小

10、不同拓扑 MOSFET 的选择

针对不同的拓扑,对MOSFET的参数有什么不同的要求呢?怎么选择适合的MOSFET?

欢迎大家发表意见,看法 

1). 反激:

反激由于变压器漏感的存在,MOSFET会存在一定的尖峰,因此反激选择MOSFET时,我们要注意耐压值。通常对于全电压的输入,MOSFET耐压(BVDSS)得选600V以上,一般会选择650V。

若是QR反激,为了提高效率,我们会让MOSFET开通时的谷底电压尽量低,这时需要取稍大一些的反射电压,这样MOSFET的耐压值得选更高,通常会选择800V MOSFET。

2). PFC、双管正激等硬开关:

a) 对于PFC、双管正激等常见硬开关拓扑,MOSFET没有像反激那么高的VDS尖峰,通常MOSFET耐压可以选500V, 600V。

b) 硬开关拓扑MOSFET存在较大的开关损耗,为了降低开关损耗,我们可以选择开关更快的MOSFET。而Qg的大小直接影响到MOSFET的开关速度,选择较小Qg的MOSFET有利于减小硬开关拓扑的开关损耗

3). LLC谐振、移相全桥等软开关拓扑:

LLC、移相全桥等软开关拓扑的软开关是通过谐振,在MOSFET开通前让MOSFET的体二极管提前开通实现的。由于二极管的提前导通,在MOSFET开通时二极管的电流存在一个反向恢复,若反向恢复的时间过长,会导致上下管出现直通,损坏MOSFET。因此在这一类拓扑中,我们需要选择trr,Qrr小,也就是选择带有快恢复特性的体二极管的MOSFET。

4). 防反接,Oring MOSFET

这类用法的作用是将MOSFET作为开关,正常工作时管子一直导通,工作中不会出现较高的频率开关,因此管子基本上无开关损耗,损耗主要是导通损耗。选择这类MOS时,我们应该主要考虑Rds(on),而不去关心其他参数。

原文标题:深入理解MOSFET规格书/datasheet

文章出处:【微信号:fcsde-sh,微信公众号:张飞实战电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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这些N通道增强模式场效应转换器是使用F空童的专有技术,高信元密度,DMOS技术生产的。这些产品被设计....

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2N7000和2N7002及NDS2N7000AN沟道增强型场效应晶体管的数据手册

Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET产品

今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000,扩充了其碳化硅MOS....

的头像 人间烟火123 发表于 10-23 11:34 1232次 阅读
Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET产品

UCC27528-Q1 UCC27528-Q1 基于 CMOS 输入阈值的双路 5A 高速低侧栅极驱动器

UCC27528-Q1器件是一款双通道,高速,低侧栅极驱动器,能够高效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关.UCC27528-Q1器件采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供高达5A的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为17ns)。除此之外,此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟,这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极输入引脚阈值基于CMOS逻辑,此逻辑是VDD电源电压的一个函数。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗噪性。使能引脚基于TTL和COMS兼容逻辑,与VDD电源电压无关。 UCC27528-Q1是一款双通道同相驱动器。当输入引脚处于悬空状态时,UCC27528-Q1器件可UCC27528-Q1器件特有使能引脚(ENA和ENB),能够更好地控制此驱动器应用的运行。这些引脚内部上拉至VDD电源以实现高电平有效逻辑运行,并且可保持断开连接状态以实现标准运行。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100器件温度等级1 工业标准引脚分配 两个独立的栅极驱动通道 5A峰值供源和吸收驱动电流 互补金属氧化...

发表于 10-16 11:19 4次 阅读
UCC27528-Q1 UCC27528-Q1 基于 CMOS 输入阈值的双路 5A 高速低侧栅极驱动器

UCC27211A 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver

UCC27211A器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升。 峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。&gt; UCC27211A的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210A(a CMOS输入)和UCC27211A(TTL输入)已经增加了落后特性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器是独立控制的,并且在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平...

发表于 10-16 11:19 25次 阅读
UCC27211A 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver

UCC27518A-Q1 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载,此电容负载提供了轨到轨驱动的双极型晶体管(IGBT)开关。借助于固有的大大减少击穿电流的设计能力以及极小传播延迟(典型值为17ns)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在VDD = 12V时提供4A拉电流和4A灌电流(对称驱动)峰值驱动电流功能。 /p> UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在4.5V至18V的宽VDD范围以及-40°C到140°C的宽温度范围内运行.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路保持VDD运行范围之外的输出低电平。能够运行在诸如低于5V的低电压电平上,连同同类产品中最佳的开关特性,使得此器件非常适合于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市UCC27519A-Q1可按需提供(只用于预览)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1的输入引脚阀值基于CMOS逻辑电路,此逻辑电路的阀值电压是VDD电源电压的函数。通常情况下,输入高阀值(V IN-H )是V DD 的55%,而输入低阀值(V IN-L...

发表于 10-16 11:19 10次 阅读
UCC27518A-Q1 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27211A-Q1器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升。 < p>峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC27211A-Q1的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27211A-Q1已经增加了落后特性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。 UCC27211A-Q1器件采用8引脚SO-...

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UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q1 120V 升压、4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

TPS51604-Q1驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有精简死区时间驱动和自动零交叉等高级特性,可用于在整个负载范围内优化效率。 SKIP 引脚提供立即CCM操作以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604-Q1还支持两种低功耗模式。借助于三态PWM输入,静态电流可减少至130μA,并支持立即响应。当跳过保持在三态时,电流可减少至8μA。此驱动器与适当的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604-Q1器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至125°C。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100的下列结果: 器件温度等级1:-40°C至125°C 器件人体模型静电放电(ESD)分类等级H2 器件的充电器件模型ESD分类等级C3B 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V...

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TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC27532-Q1是一款单通道高速栅极驱动器,此驱动器可借助于高达2.5A的源电流和5A的灌电流(非对称驱动)峰值电流来有效驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和IGBT电源开关。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生米勒接通效应的能力.UCC27532-Q1器件还特有一个分离输出配置,在此配置中栅极驱动电流从OUTH引脚拉出并从OUTL引脚被灌入。这个引脚安排使得用户能够分别在OUTH和OUTL引脚采用独立的接通和关闭电阻器,并且能很轻易地控制开关的转换率。 此驱动器具有轨到轨驱动功能以及17ns(典型值)的极小传播延迟。 UCC27532-Q1器件具有CMOS输入阀值,此阀值在VDD低于或等于18V时介于比VDD高55%的电压值与比VDD低45%的电压值范围内。当VDD高于18V时,输入阀值保持在其最大水平上。 此驱动器具有一个EN引脚,此引脚有一个固定的TTL兼容阀值.EN被内部上拉;将EN下拉为低电平禁用驱动器,而将其保持打开可提供正常运行。EN引脚可被用作一个额外输入,其性能与IN引脚一样。 将驱动器的输入引脚保持开状态将把输出保持为低电平。此驱动器的逻辑运行方式显示在,,和中。 VDD引脚...

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UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC27516 4A/4A Single Channel High-Speed Low-side Gate Driver

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...

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UCC27516 4A/4A Single Channel High-Speed Low-side Gate Driver

UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

UCC27324-Q1高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。采用本质上最小化直通电流的设计,这些驱动器在MOSFET开关转换期间在Miller平台区域提供最需要的4A电流。独特的双极和MOSFET混合输出级并联,可在低电源电压下实现高效的电流源和灌电流。 该器件采用标准SOIC-8(D)封装。 特性 符合汽车应用要求 行业标准引脚 高电流驱动能力±4位于Miller Plateau Region的 即使在低电源电压下也能实现高效恒流源 TTL和CMOS兼容输入独立于电源电压 典型上升时间为20 ns,典型下降时间为15 ns,负载为1.8 nF 典型传播延迟时间为25 ns,输入下降,输入时间为35 ns上升 电源电压为4 V至15 V 供电电流为0.3 mA 双输出可以并联以获得更高的驱动电流 额定值从T J = -40°C至125°C TrueDrive输出架构使用并联双极晶体管和CMOS晶体管 参数 与其它产品相比 低侧驱动器   Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Time (ns) Fall Time (ns) Prop Delay (ns) Input T...

发表于 10-16 11:19 4次 阅读
UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器

LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

LM5100A /B /C和LM5101A /B /C高压栅极驱动器设计用于驱动高侧和低侧N. - 同步降压或半桥配置的通道MOSFET。浮动高侧驱动器能够在高达100 V的电源电压下工作.A版本提供完整的3-A栅极驱动,而B和C版本分别提供2 A和1 A.输出由CMOS输入阈值(LM5100A /B /C)或TTL输入阈值(LM5101A /B /C)独立控制。 提供集成高压二极管为高端栅极充电驱动自举电容。稳健的电平转换器以高速运行,同时消耗低功率并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低侧和高侧电源轨均提供欠压锁定。这些器件采用标准SOIC-8引脚,SO PowerPAD-8引脚和WSON-10引脚封装。 LM5100C和LM5101C也采用MSOP-PowerPAD-8封装。 LM5101A还提供WSON-8引脚封装。 特性 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET ...... 独立高低 - 驱动器逻辑输入 自举电源电压高达118 V DC 快速传播时间(典型值为25 ns) 驱动1000-pF负载,8- ns上升和下降时间 优秀的传播延迟匹配(3 ns 典型值) 电源轨欠压锁定 低功耗< /li> 引脚与HIP2100 /HIP2101兼容 参数 与其它产品相比 半桥驱动器   Number of Ch...

发表于 10-16 11:19 35次 阅读
LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向双路高速 MOSFET 驱动器

TPS2811双通道高速MOSFET驱动器能够为高容性负载提供2 A的峰值电流。这种性能是通过一种设计实现的,该设计本身可以最大限度地减少直通电流,并且比竞争产品消耗的电源电流低一个数量级。 TPS2811驱动器包括一个稳压器,允许在14 V和14 V之间的电源输入工作。 40 V.稳压器输出可以为其他电路供电,前提是功耗不超过封装限制。当不需要稳压器时,REG_IN和REG_OUT可以保持断开状态,或者两者都可以连接到V CC 或GND。 TPS2811驱动器采用8引脚TSSOP封装并在-40°C至125°C的环境温度范围内工作。 特性 符合汽车应用要求 行业标准驱动程序更换 25-ns Max Rise /下降时间和40-ns Max 传播延迟,1-nF负载,V CC = 14 V 2-A峰值输出电流,V CC < /sub> = 14 V 输入电压高或低的5μA电源电流 4 V至14 V电源电压范围;内部调节器将范围扩展至40 V -40°C至125°C环境温度工作范围 参数 与其它产品相比 低侧驱动器   Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Tim...

发表于 10-16 11:19 2次 阅读
TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向双路高速 MOSFET 驱动器

UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27511和UCC27512单通道高速低侧栅极驱动器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27511和UCC27512采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为13ns)。 UCC27511特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚均可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保 UCC27 511器件的输入引脚阈值基于与TTL和COMS兼容的低电压逻辑电路,此逻辑电路是固定的且与V DD 电源电压无关。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。 UCC27511和UCC27512提供4A拉电流,8A灌电流(非对称驱动)峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生,米勒接通效应的能力.UCC27511器件还具有一个独特的分离输出配置,其中的栅极驱动电流通过OUTH引脚拉出,通过OUTL引脚灌入。这种独特的引脚排列使...

发表于 10-16 11:19 17次 阅读
UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...

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UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极驱动器

UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和独立的高侧和低侧驱动器输入以实现最大的控制灵活这允许在半桥,全桥,双开关正向和有源钳位正激转换器中进行N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制,并在相互之间的开启和关断之间匹配1 ns。 片内自举二极管消除了外部分立二极管。为高侧驱动器和低侧驱动器提供欠压锁定,如果驱动器电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。 提供两种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD(DDA)封装。对于所有可用封装,请参见数据手册末尾的可订购附录。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1: -40°C至125°C环境工作温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C5 驱动两个高侧和低侧配置的N沟道MOSFET 最大启动电压:120 V 最大V DD < /sub>电压:20 V 片内0.65 V VF,0.6ΩRD自举二极管 大于1 MHz的工作 20- ns传播延迟时间 3-A漏极,3A源输出电流 8-ns上升和...

发表于 10-16 11:19 21次 阅读
UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 3A 峰值电流的高频高端/低端驱动器

UCC27538 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

发表于 10-16 11:19 12次 阅读
UCC27538 栅极驱动器

UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns)。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部欠压锁定(UVLO)电路可在V DD 超出运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中最佳的开关特性,因此非常适用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 符合汽车应用要求的器件温度1级:-40°C至125°C的环境运行温度范围 器件人体放电模式(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件组件充电模式(CDM)ESD分类等级C6 低成本栅极驱动器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品 4A峰值拉电流和灌电流对称驱动 能够输入上处理负...

发表于 10-16 11:19 2次 阅读
UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通道高速低侧栅极驱动器

UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受欢迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器,但性能得到了显着提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。现在,输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC2721x的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响.UCC27210(a CMOS输入)和UCC27211( TTL输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器接口的抗扰度得到了增强。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了2ns的延迟匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低...

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UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有0.5A拉电流,1.0A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含保护特性,在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至20V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者专用于自电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在UCC27710上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入,带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完全可正常工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...

发表于 10-16 11:19 34次 阅读
UCC27710 具有互锁功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

UCC27533 栅极驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

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UCC27533 栅极驱动器

UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

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UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有降低死区时间驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项,以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制(PWM)输入三态,静态电流被减少至130μA,并支持立即响应。当 SKIP 被保持在三态时,电流被减少至8μA(恢复切换通常需要20μs)。此驱动器与合适的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至105°C。 特性 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极本)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V IN < /sub>):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 半桥驱动器   Number of Channels (#) ...

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TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

低噪声放大器(LNA)的介绍和详细资料免费下载

本文档的主要内容详细介绍的是1.LNA的功能和性能指标 2.MOSFET的噪声模型 3.MOSF....

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MAX17633同步降压DC-DC转换器的功能特点介绍

This video provides an introduction to the MAX1763....

的头像 Maxim视频 发表于 10-11 03:49 435次 观看
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MAX17761同步降压型DC-DC转换器的功能特点与应用

本视频简要介绍MAX17761,器件为4.5V–76V、1A、高效、同步降压型DC-DC转换器,带有....

的头像 Maxim视频 发表于 10-11 03:11 423次 观看
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Trinamic大功率步进电机的完美电流控制

TRINAMIC发布了全新的高性能步进电机驱动器TMC2160。该多功能芯片结合强大的外部MOSFE....

的头像 章鹰 发表于 10-10 14:23 1380次 阅读
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英飞凌的OpTimoSTM功率MOSFET数据表的详细解读方法资料免费下载

数据表是电子工程师理解功率MOSFET器件并充分理解其预期功能的最重要的工具。由于数据表提供的信息量....

发表于 10-09 08:00 110次 阅读
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高功率密度碳化硅MOSFET软开关三相逆变器损耗分析

相比硅 IGBT,碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET ....

发表于 10-08 08:00 254次 阅读
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电子鼻系统中的关键传感器解析

电子鼻是利用气体传感器阵列的响应图案来识别气味的电子系统,它可以在几小时、几天甚至数月的时间内连续地....

发表于 09-29 08:58 138次 阅读
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MP2359单片降压开关模式转换器内置的功率MOSFET详细数据手册

该MP2359是一个单片降压开关模式转换器内置的功率MOSFET。它在宽的输入电源范围内达到1.2A....

发表于 09-28 08:00 97次 阅读
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Littelfuse公司推出首款1700V SiC器件

Littelfuse公司近期推出了首款1700V SiC 器件,使其在碳化硅(SiC)MOSFET上....

的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 09-26 11:32 1008次 阅读
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深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择

MOSFET是电子系统中的重要部件,需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。这些关键指标中,....

的头像 周立功单片机 发表于 09-26 10:16 1007次 阅读
深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择

浅析MOS替换方法及流程之零点tempoc

根据MOSFET传输特性,新的MOSFET (IRF和INFINEON)的热稳定性不如NXP MOS....

的头像 汽车电子硬件设计 发表于 09-25 16:43 627次 阅读
浅析MOS替换方法及流程之零点tempoc