台积电2nm芯片最新消息
台积电即将推出下一代先进工艺制程2nm芯片，台积电2nm芯片弃用FinFET鳍式场效应晶体管技术，首次采用GAAFET全环绕栅极晶体管技术，将于2025年开始量产。
台积电2nm芯片与3nm芯片相比，芯片密度增加了1.1倍以上，将功耗降低25%至30%，性能提升10%至15%，2nm工艺将比其前身提供纯性能提升。
据了解，台积电计划在台湾再建4座工厂生产3nm芯片，并于2023年初上市，还将在2024年引进ASML下一代High-NA EUV最强光刻机。
综合整理自有半导体行业观察、新智元
审核编辑：汤梓红
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