芯片制造四大基本工艺
芯片制造四大基本工艺包括：芯片设计、FPGA验证、晶圆光刻显影、蚀刻、芯片封装等，晶片制作过程最为复杂，需经过湿洗、光刻、 离子注入、干蚀刻、等离子冲洗、热处理、化学气相淀积、物理气相淀积、电镀处理、化学/机械表面处理、晶圆测试等过程。
一般来说， 在光刻过程中要先对整个衬底先加入Photo-resist物质，用干蚀刻把需要P-well的地方也蚀刻出来，后端处理主要是用来布线以达到部分消除寄生电容的目的，步骤跟传统工艺基本一致。
最后再利用光刻技术和离子刻蚀技术，保留下栅隔离层上面的氮化硅层，形成 NMOS 的源漏极进行退火处理保证整个 Chip 的完整和连线的连接性，按照需求去制作成各种不同的封装形式即可。
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