开发背景
如自从小米推出高功率65W GaN适配器,GaN适配器高频开关MOS使得适配器的功率密度进一步提高,产品尺寸更小,充电功率更高,得到市场的一致好评。开关MOS的改变,PCB板内空间进一步压缩,器件之间干扰进一步加强,给适配器的EMC带来新的挑战。尤其是对变压器原边上来自高频开关GaN MOS的噪声进行抑制时,需要特定频段高阻抗,高额定电流的产品。因此顺络开发出性能满足上述需求的高额定电流,高阻抗的铁氧体磁珠MZAS3225D681-4R0TF。
产品特点
叠层结构,高可靠性
特定频段具有高阻抗
小DCR,大电流
产品应用
外观尺寸及推荐焊盘
产品型号
电性规格
应用电路
责任编辑:haq
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原文标题:GaN MOS适配器用大电流磁珠——MZAS3225D681-4R0TF
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