0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

Vcsel芯片和边发射激光芯片的区别是什么

oK5V_gh_2eb9926 来源:芯片工艺技术 作者:丁不四 2021-09-01 14:21 次阅读

边发光激光芯片依靠衬底晶体的解离面作为谐振腔面,在大功率以及高性能要求的芯片上技术已经成熟,但是也存在很多不足,例如激光性能对腔面的要求较高,不能用常规的晶圆切割,比如砂轮刀片、激光切割等。在实际生产中测试环节又特别麻烦,需要解离成bar条才能继续测试,这很消耗切片的能力,而且非费劲切出来,结果测试还不一定过。

Vcsel就省去这些麻烦,它的测试可以参考LED的方式。

最近几年很多人都在研究Vcsel芯片,Vcsel芯片制造过程比边发射芯片简单,合格率也高很多,但是Vcsel也有它的局限性。可以从性能和结构上分析一下。

EEL指边发射激光器,激光震荡腔长不同,EEL芯片长度可以做到上mm量级,而vcsel只有几微米。不镀膜的EEL自身腔面的反射率只有30%左右,而Vcsel可以做到99%,和外延材料性子有关。

较小的chip结构和正面发光的特点,也增加了vcsel矩阵的可能,通过矩阵chip可以做到更大功率。

二者传输模式的区别。

Laser就是从红色区域发射出去,经过上下两层DBR的震荡,产生更多的激光。

但是我们知道Vcsel多是短波长类的激光,而对于光通信常用的1310&1550等波段则几乎没有该类芯片。

这个的直接原因就是上下DBR的形成条件,

c7f5ea66-faa9-11eb-9bcf-12bb97331649.png

看上面的Vcsel芯片结构,可以看出vcsel的电流需要经过上下两方的DBR才能到达有源层量子阱,而砷化镓和砷化铝膜层的折射率相差较大,根据波导理论,可以通过几层的交叠形成反射率足够大的DBR层。

但是到1.2um波段以上,需要用InP做基底,InP与InGaAsP、InGaAlAs的折射率差的很小,如果要做到高反色率的DBR就需要叠堆很多层才能达到,这样电流要达到量子阱需要走的路程就很长,芯片电阻就会成倍增加,很难达到实际需要。

边发射激光器可以做超大功率激光芯片,而Vcsel想要做大功率还是很有挑战的。

高功率VCSEL研发的难点主要在于发光孔增多的情况下,如何处理热效应的问题。对此乾照光电在外延方向上优化外延量子阱,提高内量子效率,以及优化外延材料的热阻,改善器件散热特性;在芯片方向通过优化芯片设计结构,提高光电效率。

责任编辑:haq

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 芯片
    +关注

    关注

    445

    文章

    47496

    浏览量

    407915
  • 激光
    +关注

    关注

    19

    文章

    2709

    浏览量

    63406
  • 晶圆
    +关注

    关注

    52

    文章

    4436

    浏览量

    126272
  • VCSEL
    +关注

    关注

    17

    文章

    231

    浏览量

    29703

原文标题:Vcsel芯片和边发射激光芯片

文章出处:【微信号:gh_2eb9926c9a10,微信公众号:365单片机】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    VCSEL激光器与EEL激光器的区别

    VCSEL激光器与EEL激光器的区别 VCSEL激光器与EEL
    的头像 发表于 01-31 10:15 734次阅读

    激光芯片和普通芯片区别

    激光芯片和普通芯片区别 激光芯片和普通芯片是两种基于
    的头像 发表于 01-04 10:25 547次阅读

    激光和线激光区别是什么

    随着科技的蓬勃发展,激光技术已经成为众多领域中不可或缺的工具。在激光技术的广泛应用中,点激光和线激光作为两种最为常见的形式,它们在各方面存在着显著的
    的头像 发表于 12-26 14:57 243次阅读
    点<b class='flag-5'>激光</b>和线<b class='flag-5'>激光</b>的<b class='flag-5'>区别是</b>什么

    vcsel芯片是什么反向电压

    VCSel芯片是一种垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser)芯片,广泛应用于光通信
    的头像 发表于 12-18 11:28 3094次阅读

    发射半导体激光器的工作原理和应用现状

    根据谐振腔制造工艺的不同,半导体激光芯片分为 边发射激光芯片(EEL) 和 垂直腔面发射
    的头像 发表于 11-29 09:50 780次阅读
    边<b class='flag-5'>发射</b>半导体<b class='flag-5'>激光</b>器的工作原理和应用现状

    氮化镓激光芯片用途

    在通信领域的应用是最为广泛的。在光纤通信中,氮化镓激光芯片被用作高速光信号发射器,将电信号转换为光信号,通过光纤传输到接收端,再由接收端将光信号转换为电信号进行数据处理。由于氮化镓激光
    的头像 发表于 11-24 11:23 1130次阅读

    射频和基带区别是什么?射频芯片和基带芯片是什么关系?

    射频和基带区别是什么?射频芯片和基带芯片是什么关系? 射频和基带是无线通信系统中两个最基本的概念。射频表示高频信号,也就是载有信息的无线电信号。基带则是低频信号,包含了几乎整个无线电通信信号的信息
    的头像 发表于 10-25 15:02 1865次阅读

    VCSEL基本结构 VCSEL激光器的特点

    垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,简称VCSEL,又译垂直共振腔面射型雷射)是一种半导体,其激光垂直于顶面射出,与一般用
    发表于 09-11 09:52 3317次阅读
    <b class='flag-5'>VCSEL</b>基本结构 <b class='flag-5'>VCSEL</b><b class='flag-5'>激光</b>器的特点

    睿熙科技率先推出适用于全固态激光雷达的首款VCSEL***

    浙江睿熙科技有限公司(以下简称“睿熙科技”)创始于2017年,是一家一流技术能力的垂直腔面发射激光器(VCSEL)供应商,公司产品定位高端市场,依托一流的光电芯片设计与品质管控能力,产
    的头像 发表于 09-10 09:08 738次阅读

    AI芯片和SoC芯片区别

    AI芯片和SoC芯片都是常见的芯片类型,但它们之间有些区别。本文将介绍AI芯片和SoC芯片
    的头像 发表于 08-07 17:38 2151次阅读

    瑞识科技推出高功率纳秒级VCSEL激光雷达驱动板

    、体积、功耗等性能参数起到了决定性作用。如何为激光雷达提供合适的驱动方案?以及如何与客户协同对VCSEL芯片进行激光雷达工作环境下的测试,将多结高功率
    的头像 发表于 07-12 11:24 2280次阅读
    瑞识科技推出高功率纳秒级<b class='flag-5'>VCSEL</b><b class='flag-5'>激光</b>雷达驱动板

    艾迈斯欧司朗:“晚熟”的VCSEL

    这背后就有VCSEL芯片制成的接近感应模块的支持——通过低功率的VCSEL芯片发射激光,当有物体
    的头像 发表于 07-06 15:17 544次阅读
    艾迈斯欧司朗:“晚熟”的<b class='flag-5'>VCSEL</b>

    使用Lumerical对VCSEL激光器进行增益仿真

    VCSEL激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser)是一种垂直于衬底面射出激光激光器,可以在衬底上多个方向上排列多个
    的头像 发表于 05-23 10:31 934次阅读
    使用Lumerical对<b class='flag-5'>VCSEL</b><b class='flag-5'>激光</b>器进行增益仿真

    芯片合封和集成的区别是什么

    随着芯片集成技术的不断发展,芯片合封技术也逐渐得到了广泛应用。不少人想知道相对于集成技术,它们之间有什么区别,宇凡微为大家介绍。 集成电路 集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺
    的头像 发表于 04-11 14:08 405次阅读

    基于PDMS衬底的高效顶发射930 nm薄膜VCSEL

    与传统发光二极管(LED)和边缘发射激光二极管(EEL)相比,垂直腔面发射激光器(VCSEL)由于其低阈值、低发散光束尺寸、出色的可靠性和低
    的头像 发表于 04-10 11:17 520次阅读