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预计半导体资本强度可能会从 2023 年开始下降

电子工程世界 2021-07-02 10:07 次阅读

2021年6月8日,在Seeking Alpha的一篇题为“半导体芯片Vs.设备库存:长期投资者的洞察力”的文章中,介绍了从2013年开始的半导体设备计费范式转变的分析,文章同时还指出,设备收入随着IC尺寸减小而需要更先进的设备而增加。这种制造设备复杂性和价格的范式转变增加了资本密集度,从而增加了设备库存。

根据The Information Network题为“全球半导体设备:市场、市场份额、市场预测”的报告,图1显示了该文章中半导体在1995年至2021年之间的半导体设备月度销售额。”但是,在本文中,我想讨论图表中红色椭圆突出显示的历史部分,以及它在2023年可能会如何重复。换而言之,现在的半导体热度,会在2023年崩盘。

2000年的DRAM短缺

1998年10月,Gartner(当时的 Dataquest)发表了一个当时几乎所有行业期刊头条的新闻,在题为“Dataquest:预计2000年DRAM短缺”的文章中,他们对DRAM的预计短缺的原因解释是半导体资本支出的削减。他们在文章中指出:

“在世纪之交,需求将点燃资本支出。Fuhs预测晶圆制造设备市场将在2000年达到236亿美元,2001年将达到353亿美元,2002年将达到394亿美元。”

但事实上,Fuhs预测的2000年为236亿美元,设备收入达到592亿美元。设备市场并没有在2002年增至394亿美元,而是跌至248亿美元。

回到DRAM产业本身呢?2001年6月21日,我们有另一个标题:2001年世界历史上最糟糕的DRAM年。根据当时的文章报道:

“对于DRAM制造商来说,这是一个糟糕的一年(但对客户来说是个好消息),2001 年到目前为止,DRAM价格下跌了 80%。事实上,情况比糟糕还要糟糕:2001年DRAM市场将产生价值140亿美元的销售额——这还不到2000 年的一半,这就使其成为自时间黎明以来内存销售最糟糕的一年。或者之前。“

到2001年6月,文章中引用了另一位Dataquest“分析师”安德鲁·诺伍德的报道:

“只有一件事可以使DRAM行业免于经历2001年有史以来最糟糕的一年——那就是主要制造商的减产。”

在2002年一次讨论危机后果的采访中,Avnet Israel ( AVT) 联合董事总经理 Dani Koren 被引述说:

“2000年,分析师继续对2001年做出乐观的预测,整个行业预计2001年和 2002年都将持续快速增长。他们预计只有2003年才会有更温和的增长。

在这种情况下,随着未来一年的订单,公司开始囤积大型零部件库存。简而言之,ECI、Alvarion、Gilat Satellite、Orbotech等公司购买的原材料占其营业额的 30-35%,而他们的仓库已被填满。

然后,到2000年底,当繁荣达到顶峰时,开始出现重大转机的最初迹象。就好像一列时速300公里的火车突然急刹车。一切都突然停滞,高科技公司不知所措,开始恐慌地取消订单。”

在这篇文章中,我提出了一项分析,表明阶段已经确定,车轮正在运转,以在2023年重复2000年发生的事情。

2000 年与 2021 年设备市场对比

2000年半导体设备收入同比增长74%,图1中的大峰值证明了这一点。2021 年,设备收入已比2020年增长41%。

我绘制了北美供应商2020年和2021年年初至今的设备账单以及 1999、2000和2001年的历史账单,即峰值之前、期间和之后的一年。

图二

注意与数据的相似性:

2021 年和 2000 年——除了曲线的幅度(2021 年为 925 亿美元,2000 年为 592 亿美元)外,它们惊人地相似。同时,它们与任何其他年份都截然不同。

2020 年和 1999 年——2000 年峰值前一年,1999 年曲线(“蓝色”)与去年的 2020 年曲线(“绿色”)非常相似。

2001 年——在 2000 年峰值之后的一年,我们看到 2001 年的账单曲线(“灰色”)大幅下降。

2002 年——在 2000 年峰值之后的两年,我们看到 2002 年的账单(“黄色”)全年都很低且持平。

2000 年与 2021 年半导体短缺

1998 年,对DRAM短缺的错误预测导致半导体制造商通过购买加工设备来增加产能以制造更多芯片。如上所述,公司购买的芯片数量超过了确保分配所需的数量,从而加剧了短缺。

不幸的是,半导体制造商并不知道这一点,并认为短缺情况比实际情况更糟。他们所做的是购买更多设备以增加生产更多芯片的能力。最终结果是大约 100 亿美元的芯片库存需要数年时间才能解决。因此,在峰值之后的几年里,资本密集度有所下降——芯片从过剩的库存中出售,而无需购买新设备。

2021年,我们将再次见证“芯片短缺”。尽管在 Marketplace 的四篇系列文章中,我仅将微控制器确定为短缺芯片(汽车 MOSFET 也可能是我正在研究的产品),但媒体继续报道该主题。

更重要的是,对这个问题的反应反映了 1998 年 Gartner 预测不佳所导致的结果。

据行业联盟 SEMI 称,全球半导体制造商将在今年年底前开始建设 19 座新的大批量晶圆厂,并在 2022 年再开工建设 10 座,以满足包括通信在内的广泛市场对芯片的加速需求、计算、医疗保健、在线服务和汽车。

这 29 座晶圆厂每月可生产多达 260 万片晶圆:

15 座晶圆厂是晶圆代工厂,月产能从 30,000 至 220,000 片晶圆不等。

4 座是内存晶圆厂,产能较高,每月可生产 100,000 至 400,000 片晶圆。

从这个角度来看,2021 年初的全球晶圆装机容量为 2100 万片,高于 2011 年初的 1360 万片。因此,在 10 年期间,产能每月增加 640 万片(每年 0.64 片) 。 目前,2022 年至 2023 年之间的设备安装(每年 1.3 台)是前 10 年年增长率的两倍。

2000 年与 2021 年资本强度对比

“资本密集度”被定义为晶圆前端 (WFE) 设备销售额占半导体销售额的百分比。在我上面引用的 2021 年 6 月 8 日的文章中,我展示了 2012 年至 2022 年之间的资本密集度图表。我注意到资本密集度在 2021 年达到峰值之前相对持平。

1997-2004 年期间的资本密集度。在这里,我们看到 2001 年达到 29.4% 的峰值,并且在 2001 年之前的四年中资本密集度也有相似之处。

随着 WFE 相对于半导体需求的下降,资本密集度显着下降。为什么?1999 年至 2001 年高峰期的产能过剩扩张抵消了对设备的需求,因为过剩库存已用完并出售。

基于 2000 年和 2021 年的显着相似之处,我预计半导体资本强度可能会从 2023 年开始下降,就像 2002 年一样,由于设备销售的崩溃。

对半导体设备公司的影响

表 1 显示了 2015 年至 2020 年间顶级公司的半导体设备收入。从收入来看,应用材料 ( AMAT ) 可能受到的影响最大——在 2021 年和 2022 年受到正面影响,在 2023 年到 2026 年受到负面影响。

表 2 显示了这些顶级公司和 2017 年至 2020 年间从设备销售到代工厂产生的收入。请注意,如上所述,在 2021 年和 2022 年计划建设的 29 座晶圆厂中,有 15 座是代工厂。

在这里我们看到,ASML在过去两年中对代工厂的曝光度最大,主要向台积电和三星销售 EUV 设备。但这些光刻系统是高价项目,单机耗资 1.6 亿欧元(1.9 亿美元)。ASML 仅售出了 40 个这样的系统,因此表 2 中显示的收入是有偏差的。如果没有这些销售,AMAT 将再次主要受到预计未来几年半导体供过于求的影响。

半导体“短缺”和对中国的制裁是导致 2023 年半导体供过于求和设备熔毁的催化剂。随着现有晶圆厂的扩张和新晶圆厂的规划,半导体产能正在大幅扩张。

拜登政府推动在国内制造设施上投资 500 亿美元以提高美国的自给自足和减少对亚洲的依赖,这已经启动了一个可能导致供过于求和产能扩张的过程:

英特尔寻求美国政府的援助,正斥资 200 亿美元在亚利桑那州新建两家芯片工厂。

台积电和三星都计划与英特尔一起在美国建厂,英特尔正在投资 230 亿美元在美国改善和建设设施。

GlobalFoundries 将投资超过 40 亿美元扩大其新加坡业务,每年生产约 120 万片晶圆,比目前的产能多 45 万片。

欧盟计划与 ST Microelectronics、NXP、Infineon 和 ASML 等欧盟公司结成联盟,以远离外国。德国芯片制造公司博世最近开设了一家价值 12 亿美元的工厂,希望这将有助于缓解汽车行业的半导体供应限制。

韩国计划斥资约 4500 亿美元建设全球最大的芯片制造基地。

半导体行业经历周期。在供不应求的时期,购买设备以制造更多芯片。总是存在过度采购,因此一旦生产量增加就会出现供过于求的情况。

这种策略在正常时期运作良好。但对 2000 年 DRAM 短缺和 2021 年半导体短缺的担忧正在引起下意识的反应,即在 2021-2023 年购买过多的设备,一旦所有设备都安装完毕,将导致 2023 年供过于求。

正在建设新的晶圆厂,以努力建立个人的本土供应,进一步加剧了供过于求的情况。

编辑:jq

原文标题:分析师:半导体将在2023年崩盘!

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FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 380次 阅读

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 187次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 145次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 611次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 178次 阅读

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 221次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 336次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 253次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 257次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 583次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 420次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 284次 阅读

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 188次 阅读

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 185次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 426次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 271次 阅读

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 387次 阅读

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 1117次 阅读