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可控硅工作原理及参数详解

2021-07-01 11:13 次阅读

可控硅全称“可控硅整流元件”(Silicon Controlled Rectifier),简写为SCR,别名晶体闸流管(Thyristor),是一种具有三个PN结、四层结构的大功率半导体器件。可控硅体积小、结构简单、功能强,可起到变频、整流、逆变、无触点开关等多种作用,因此现已被广泛应用于各种电子产品中,如调光灯、摄像机、无线电遥控、组合音响等。

其原理图符号如下图所示:

从可控硅的电路符号可以看到,它和二极管一样是一种单方向导电的器件,只是多了一个控制极G,正是它使得可控硅具有与二极管完全不同的工作特性。可控硅是可以处理耐高压、大电流的大功率器件,随着设计技术和制造技术的进步,越来越大容量化

可控硅的基本结构如下图所示:

三个PN结(J1、J2、J3)组成4层P1-N1-P2-N2结构的半导体器件对外有三个电极,由最外层P型半导体材料引出的电极作为阳极A,由中间的P型半导体材料引出的电极称为控制极G,由最外层的N型半导体材料引出的电极称为阴极K,它可以等效成如图所示的两只三极管电路。

下面我们来看看可控硅的工作原理:

如下图所示,初始状态下,电压VAK施加到可控硅的A、K两个端,此时三极管Q1与Q2都处于截止状态,两者地盘互不侵犯。

此时VAK电压全部施加到A、K两极之间,这个允许施加的最大电压VAK即断态重复峰值电压VDRM(Peak Repetitive Off-State Voltage),相应的有断态重复峰值电流IDRM(Peak Repetitive Off-State Current)

如下图所示,电压VGK施加到G、K两极后,Q2的发射结因正向偏置而使其导通,从而产生了基极电流IB2,此时Q2尚处于截止状态,可控硅阳极电流IA为0,Q1的基极电流IB1也为0,电阻R2上也没有压降,因此Q2的集电极-发射电压VCE2为VAK,这个电压值通常远大于VBE2,即使是在测试数据手册中的参数时,VAK也至少有6V,实际应用时VAK会有几百伏,因此,三极管Q2的发射结正偏、集电结反偏,开始处于放大状态。

只有在G、K加上正向电压后,才可以触发可控硅的导通,这个触发电压的最小值称为门极触发电压VGT(Gate Trigger Voltage,这个值就是一个PN结的结电压(不是电池电压VGK),此时流过控制极的电流称为门极触发电流IGT(Gate Trigger Voltage

刚刚进入放大状态(微导通)的三极管Q2将基极电流IB2进行放大,相应集电极的电流为IC2,其值为(IB2×β2),尽管放大了β2倍,但此时的IC2还比较小,因此IA与IB1也比较小(但是已经不为0了),电阻R2中也有微小电流,可以看成一个完整的电流回路,但此时的Q2的集电极-发射极压降仍然很大。

与此同时,三极管Q1的发射极一直是VAK(最高电压),集电极一直是较低的电压(VBE2),只要基极设置合适的电压,就可以进入放大状态,所以一直卧薪尝胆、蛰伏待机。Q2集电极电流IC2的出现,使得三极管Q1有机可乘。

处于微导通状态的三极管Q2形成的回路使三极管Q1基极所欠缺的电压一步到位,时机终于成熟了,三极管Q1也因此刚刚进入放大状态(微导通)!由于IB1与IC2是相同的,IB1经Q1放大后,其集电极电流IC1=(IB2×β2×β1),这个电流值又比IC2增大了β1倍。

三极管Q1放大后的集电极电流IC1无处可逃,只好往Q2的基极去钻(不会跑到电阻R1这边来,因为电压VGK肯定比VBE2要高,水往低处走),IC1就变成了IB2,三极管Q2的基极电流IB2被替换成了(IB2×β2×β1),比原来增加了(β2×β1)倍。

所谓人多好办事,这个更大的基极电流IB2第二次被三极管Q2放大,此时的IC2就是(IB2×β2×β1×β2),然后又重复被两个三极管交互进行正反馈放大,周而复始。

在这个过程中,三极管Q2的集电极-发射极压降越来越小,阳极电流IA的电流也越来越大,最终Q2饱和了(Q1也不甘示弱,节奏妥妥地跟上),最后就成为下图所示的:

当Q1与Q2充分导通后(可控硅导通),A、K两极之间的压降很小,其实就是Q1发射结电压VBE1 + Q2集电极-发射极饱和电压VCE2,这个电压称为正向通态电压VTM(Forward On-State Voltage)

可以看到,VAK的电压值最终全部加到电阻R2上面,整个过程就是由电压VGK引发的“血案”,原来R2电阻上没有任何压降,VGK电压触发可控硅后,VAK电压就全部加在电阻R2上面了。

可控硅完全导通后,流过A、K两极的电流即为通态电流IT(On-State Current),实际应用时,VAK通常是交流电压(如220VAC),因此常将此参数标记为通态平均电流IT(RMS),指可控硅元件可以连续通过的工频正弦半波电流(在一个周期内)的平均值,而此时流过G、K两极的电流即为门极电流IG(Gate Current),这个门极控制电流不应超过门极最大峰值电流IGM(Forward Peak Gate Voltage)

当VAK是交流电源的负半周时,可控硅因为A、K两极加反向电压而阻断,此时允许施加的最大电压称为反向重复峰值电压VRRM(Peak Repetitive Reverse Blocking Voltage),由于可控硅阻断时的电阻不是无穷大,此时的电流称之为反向重复峰值电流IRRM(Peak Repetitive Reverse Blocking Current)。

这两个值与之前介绍的IDRM、VDRM是一样的,只不过IDRM、VDRM是在控制G极断开、可控硅阻断状态下测量的,而IRRM、VRRM是在可控硅A、K极接反向电压下测量的。

如果在可控硅阳极A与阴极K间加上反向电压时,开始可控硅处于反向阻断状态,只有很小的反向漏电流流过。当反向电压增大到某一数值时,反向漏电流急剧增大,这时,所对应的电压称为反向不重复峰值电压VRSM(Peak Non-Repetitive Surge Voltage)。

上面我们只是把R2(与R1)作为象征性的限流电阻,其实R2完全可以是负载,如电灯泡,如下图所示:

当G、K两极没有加正向电压时,A、K之间相当于是断开的,灯泡不亮

当G、K加上正向电压后,A、K之间相当于短路,所以VAK电压全部加在电灯泡上使其发光。

由地盘之争引发的“血案”就此完结!

但是还有下文哦!

如果在A、K之间充分导通后,我们拿掉电压VGK企图让灯泡熄灭,如下所示:

很遗憾,没有成功,灯泡还是一往无前地发射出嘲笑我们的刺眼光芒,因为这个时候VGK已经没有利用价值了,尽管没有VGK,可控硅内部还是会有三极管电流正反馈维持可控硅的继续导通。

在门极G开路时,要保持可控硅能处于导通状态所必须的最小正向电流,称为维持电流IH(Holding current)。还有一个擎住电流IL(Latch current),是可控硅刚从断态转入通态并移除G极触发信号后,能维持导通所需的最小电流。对于同一可控硅,通常IL约为IH的数倍。

导演,我没看懂这两者有什么区别!其实这与数字电路中的电平是相似的,如下图所示:

如果一个低电平要让另一方认为是高电平,那必须要超过VOH(上图的4.5V),一旦这个低电平变成了高电平,继续让另一方认为是高电平,只需要不低于VIH(上图的3.5V)即可,维持这个高电平的代价显示更低一些。

那么有什么办法让电灯泡灭呢?

有一种办法很明显,就是使电流IA下降到不足以维持内部正反馈过程,可控硅自然就阻断了,灯泡也会随之熄灭,也就是把VAK电压降下来。这个地球人都知道,你VAK虽然是大BOSS,但让我为你开路总得留下点买路钱吧!只要降低电压VAK让IA小于IH,那么可控硅就断开了(或在A、K两极加反向电压,其实这与降低电压VAK是一个道理)。

但问题是,大多数时候VAK的电压不会那么容易(主动)下降,我帮主当得好好的,凭什么让我下台?老子有的是钱!

狡兔死,走狗烹,电压VGK深谙其中道理,也早早从“门极关断可控硅”手中重金买下简单的办法让灯泡熄灭。你丫的,我给你立下汗马功劳不让我当帮主,只有拆你的台了。如下图所示:

将电压VGK反向接入G、K两极后,想让三极管Q2截止继而让可控硅进入阻断状态,但还是无法成功,因为可控硅导通后处于深度饱和状态,就算加反向电压也是无效的。

如果反向电压增大到某一数值时,反向漏电流急剧增大,此时所对应的电压称为反向门极峰值电压IGM(Reverse Peak Gate Voltage),使用时不应超过此值。

上面我们讨论的是常用的P型门极、阴极端受控的可控硅,还有一种不常用的N型门极、阳极端受控的可控硅,其原理图符号如下图所示,两者的原理是完全一样的,读者可自行分析一下。

下图的典型可控硅应用电路,可以用来调节灯泡的亮度。电路输入的220V交流电压经桥式整流后得到脉冲直流电压VP,此时可控硅VT为阻断状态,电路是不导通的;

随着脉冲直流电压VP通过可调电阻RP1、R1对电容C1进行充电,当电容C1上的电压足以触发可控硅VT时,可控硅导通后负载回路畅通,从而使电灯泡点亮,如下图所示:


调节可调电位器RP1即可控制电容C1的充电速度(充电常数越大充电速度越慢),这样施加在灯泡上的交流电压的平均值就可以随之调整,从而调节电灯泡的高度。


文章来源:cnblogs

编辑:ymf

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T3035H-8I STMicroelectronicsH系列三端双向可控硅

MAX16141AAAF/VY+ Maxim Integrated MAX16141理想二极管控制器

Integrated MAX16141理想二极管控制器具有各种系统故障保护特性,例如反向电流保护、过流保护、输入过压/欠压保护以及过热保护。MAX16141二极管控制器具有3.5V至36V的工作电压范围和5μA(典型值)关断电流。这些MAX16141控制器采用集成电荷泵,可驱动源极连接上方9V背对背外部nFET的栅极。这样可最大限度降低源极和负载之间的功率损耗。MAX16141控制器采用低功耗关断,可减少电池耗电量。这些MAX16141二极管控制器通过开路双向电流阻断和开路双向电压将故障电源与负载隔离。 MAX16141控制器具有可为负载提供有限功率的低功耗模式,以及有助于在关断模式下降低功耗的内部开关 这些MAX16141二极管控制器还具有故障输出,可在故障条件下发出信号。典型应用包括汽车电源系统、网络/电信电源系统、RAID系统、服务器和以太网供电 (PoE) 系统。 特性 宽电源电压范围: 工作电压范围:3.5V至36V 保护电压范围:-36V至60V 消除了分立二极管功耗 低功耗关断模式可降低电池耗电量: ...
发表于 10-21 11:10 103次 阅读

T2050H-6G-TR STMicroelectronics高温三端双向可控硅

oelectronics高温三端双向可控硅可采用通孔或表面贴装封装,适用于通用电源交流开关。这些高温20A和30A三端双向可控硅具有非常高的开关能力,结温高达150°C。与传统的三端双向可控硅相比,散热片可以根据在特定结温下的高性能而减小。 特性 大电流三端双向可控硅 高抗扰度 夹子结合,热阻低 在150°C条件下,具有极高的三象限换向能力 封装符合RoHS (2002/95/EC) 指令 通过UL认证(参考文件E81734) 应用 家用电器和工业系统中的交流执行器...
发表于 10-21 10:43 110次 阅读

Z0109NN6AA4 STMicroelectronics Z01系列标准1A三端双向可控硅

oelectronics Z01系列标准1A三端双向可控硅适用于通用交流开关应用。该系列非常适合用于家用电器和风扇速度控制器等应用。直接通过微控制器驱动时,可以使用不同的栅极电流灵敏度来优化性能。 特性 通态RMS电流I t(均方根):1A 断态重复峰值电压V DRM/vrm:600V或800V 触发栅极电流I GT(Q1):3mA至25mA 应用 交流开关 家用电器 演示板 STMicroelectronics STEVAL-IHT005V2 演示板   助您完成设计...
发表于 10-21 10:22 219次 阅读
Z0109NN6AA4 STMicroelectronics Z01系列标准1A三端双向可控硅

ULN2801A ULN2801A八个达林顿阵列

达林顿晶体管具有共同发射极 输出电流500 mA的电流 输出电压至50V 积分抑制二极管 对于所有流行的逻辑系列版本 输出可以并联 输入钉扎相对输出到简化电路板布局 在ULN2801A,ULN2802A,ULN2803A和ULN2804A各自包含具有共同的发射器和用于电感性负载积分抑制二极管8个达林顿晶体管。每个达林顿设有一个峰值负载电流额定值600毫安(500 mA连续)的,并能承受至少50 V在关断状态。输出可以并联,以更高的电流能力。...
发表于 05-21 05:05 406次 阅读

LV8711T 步进电机驱动器 PWM 恒流控制

T是一款PWM恒流控制步进电机驱动器,具有低功耗,低热量和高效率的特点。该器件适用于2节电池应用。其电源电压范围为4 V至16 V,待机模式电流消耗几乎为零。由于内置电路可控制电流,因此有助于降低成本和PCB尺寸。它还可以通过几个内置保护功能为应用程序的安全设计做出贡献。 特性 优势 内置短路保护电路 短暂保护 包含异常情况警告输出引脚 安全设计 上下再生二极管 安全设计 热关断电路 热保护 两个PWM恒流控制H桥驱动器电路 控制步进电机至1-2相激励 参考电压输出:1.0V 应用 终端产品 步进/布鲁赫直流电机 计算机和外围设备 工业 消费者 打印机 平板扫描仪 文档扫描仪 PoE销售点终端 POS终端 热敏打印机 空调 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 21:02 160次 阅读

AMIS-30621 带LIN总线的微步电动机驱动器和控制器

0621是一款带有位置控制器和控制诊断接口的单片微步进电机驱动器。它可以构建与LIN主机远程连接的专用机电一体化解决方案。芯片通过总线接收定位指令,然后将电机线圈驱动到所需位置。片上位置控制器可配置(OTP或RAM)不同的电机类型,定位范围和速度,加速度和减速度参数。 AMIS-30621充当LIN总线上的从机,主机可以从每个单独的从节点获取特定的状态信息,如实际位置,错误标志等。该芯片采用I2T100技术实现,可同时实现高压同一芯片上的模拟电路和数字功能。 AMIS-30621完全兼容汽车电压要求。 特性 自动选择快速和慢速衰减模式。 无需外部反激二极管。 可配置的速度和加速度。 现场可编程节点地址。 动态分配标识符。 物理层和数据链路层(符合LIN rev.1.3)。 LIN总线短路保护供应和地面。 高温警告和管理。 失去LIN安全操作。 Micro - 步进技术。 峰值电流高达800 mA。 固定频率PWM电流控制。 快速自动选择慢速衰减模式。 无需外部反激二极管。 符合14 V汽车系统。 这是一个无铅设备。 应用 汽车应用,...
发表于 07-30 19:02 343次 阅读

AMIS-30543 微步电机驱动器

543是一款用于双极步进电机的微步进步进电机驱动器。芯片通过IO引脚和SPI接口与外部微控制器连接。它具有片上稳压器,复位输出和看门狗复位功能,可为外围设备供电。 AMIS30543包含一个电流转换表,根据NXT输入引脚上的时钟信号以及DIR(方向)寄存器或输入引脚的状态,进行下一个微步。芯片提供速度和负载角度输出。这允许基于负载角度创建失速检测算法和控制回路以调节扭矩和速度。它使用专有的PWM算法进行可靠的电流控制。 AMIS30543采用I2T100技术实现,可在同一芯片上实现高压模拟电路和数字功能。该芯片完全兼容汽车电压要求。 特性 优势 可编程峰值电流高达3A 高度集成和降低系统成本 128微步 更高的系统分辨率和更安静的电机操作 速度和负载角度输出 启用真正的无传感器闭环控制电机 可编程PWM电压斜率 优化的EMC配置文件 有源反激式二极管 降低BOM成本和提高可靠性 集成电源和监视器支持rt用于外部MCU 降低总系统复杂性和BOM成本 应用 终端产品 数控设备 工业制造设备 纺织设备 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 19:02 428次 阅读
AMIS-30543 微步电机驱动器

NCV8881 LDO稳压器 1.5 A 低压差

1由一个降压开关稳压器(SMPS)和一个SMPS输出欠压监控器和CPU看门狗电路组成。此外,还提供两个固定电压低压差稳压器输出,并共享LDO输出电压状态输出。一旦使能,稳压器操作将继续,直到看门狗信号不再存在。 NCV8881适用于必须承受40 V负载突降的汽车电池连接应用。开关稳压器能够将典型的9 V至19 V汽车输入电压范围转换为3.3 V至8 V的输出,并具有恒定的开关频率,可以通过电阻编程或与外部时钟信号同步。使能输入阈值和迟滞是可编程的,使能输入状态在开漏点火缓冲器输出处复制。稳压器受限流,输入过压和过温关断以及SMPS短路关断保护。 特性 1.5 A开关稳压器(内部电源开关) 100 mA,5 V LDO输出 40 mA,8.5 V LDO输出 工作范围5 V至19 V 可编程SMPS频率 SMPS可以同步到外部时钟 可编程SMPS输出电压低至0.8 V ±2%参考电压容差 内部SMPS软启动 电压模式SMPS控制 SMPS逐周期电流限制和短路保护 内部自举二极管 逻辑电平使能输入 使能外部电阻分压器可编程输入迟滞 启用输入状态在开放...
发表于 07-30 19:02 255次 阅读

NUD3160 继电器驱动器 48 V

微集成器件提供单组件解决方案,可以在不需要续流二极管的情况下切换感应负载,如继电器,螺线管和小型直流电机。它接受逻辑电平输入,因此允许它由各种设备驱动,包括逻辑门,逆变器和微控制器。 特性 在DC之间提供强大的接口继电器线圈和敏感逻辑 能够在12 V,24 V时驱动额定电流高达150 mA的继电器线圈或48 V 以更低的成本取代3或4个离散组件 内部齐纳二极管消除了对自由二极管的需求 符合装载转储和其他汽车规格 应用 终端产品 驱动器窗口,门闩,门和天线继电器 汽车 工业设备 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 12:02 319次 阅读
NUD3160 继电器驱动器 48 V

NUD3105D 继电器驱动器 5.0 V 双通道

备用于切换感应负载,如继电器,螺线管白炽灯和小型直流电机,无需使用空转二极管。该器件集成了所有必需的产品,如MOSFET开关,ESD保护和齐纳钳位。它接受逻辑电平输入,因此允许它由各种设备驱动,包括逻辑门,反相器和微控制器。 特性 在DC之间提供强大的驱动程序接口继电器线圈和敏感逻辑电路 优化开关继电器从3.0 V到5.0 V电压轨 能够驱动额定功率高达2.5 W,5.0 V 的继电器线圈 内部齐纳二极管消除了对续流二极管的需求 内部齐纳钳位路由引起的电流接地以实现更安静的系统操作 低VDS(on)降低系统电流排水 应用 电信:线路卡,调制解调器,答录机和传真 计算机和办公室:复印机,打印机和台式电脑 消费者:电视和录像机,立体声接收器,CD播放器,盒式录音机 工业:小家电,安全系统,自动测试设备,车库门开启器 汽车:5.0V驱动继电器,电机控制,电源锁和灯驱动器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 12:02 232次 阅读
NUD3105D 继电器驱动器 5.0 V 双通道

NUD3124 继电器驱动器 24 V

微集成器件提供单组件解决方案,可以在不需要续流二极管的情况下切换感应负载,如继电器,螺线管和小型直流电机。它接受逻辑电平输入,因此允许它由各种设备驱动,包括逻辑门,逆变器和微控制器。 特性 在DC之间提供强大的接口继电器线圈和敏感逻辑 能够在12伏特下驱动额定电流高达150 mA的继电器线圈 以更低的成本取代3或4个离散组件 内部齐纳二极管消除了对自由二极管的需求 满足负载转储和其他汽车规格 应用 终端产品 驱动窗口,门闩,门,天线继电器 汽车 工业设备 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 12:02 240次 阅读
NUD3124 继电器驱动器 24 V

MC79L 线性稳压器 100 mA 5 V 负极

0负线性稳压器是一款价格低廉,易于使用的器件,适用于需要高达100 mA电流的众多应用。与功率更高的MC7900系列负调节器一样,该线性稳压器具有热关断和电流限制功能,使其非常坚固耐用。在大多数应用中,无需外部元件即可运行。 MC79L00线性稳压器适用于卡上调节或需要适度电流水平的稳压负电压的任何其他应用。与常见的电阻/齐纳二极管方法相比,该稳压器具有明显的优势。 规格: MC79L00AB MC79L00AC 容差 4% 4% 温度范围 -40°C到+ 125°C 0°C至+ 125°C 封装 SOIC-8,TO-92 SOIC-8,TO-92 特性 无需外部组件 内部短路电流限制 内部热过载保护 低成本 提供的互补正稳压器(MC78L00系列) 无铅封装是Av ailable 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 251次 阅读
MC79L 线性稳压器 100 mA 5 V 负极

MC78L 线性稳压器 100 mA 5至24 V 正极

0A系列线性稳压器是价格低廉,易于使用的器件,适用于需要高达100 mA稳压电源的众多应用。与其更高功率的MC7800和MC78M00系列同类产品一样,这些稳压器具有内部限流和热关断功能,使其非常坚固耐用。在许多应用中,MC78L00设备无需外部组件。与传统的齐纳二极管 - 电阻器组合相比,这些线性稳压器具有显着的性能优势,因为输出阻抗和静态电流显着降低。 规格: MC78L00AB MC78L00AC 容差 4% 4% 温度范围 -40°C至+ 125°C 0°C至+ 125°C 封装 SOIC-8,TO-92 SOIC-8,TO-92,SOT -89 特性 广泛的可用固定输出电压 低成本 内部短路电流限制 内部热过载保护 无需外部组件 互补提供负调节器(MC79L00系列) 无铅封装是Av ailable 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 05:02 616次 阅读
MC78L 线性稳压器 100 mA 5至24 V 正极

FAN4868UC33X 3 MHz 同步稳压器

8是一款低功耗升压稳压器,旨在通过单节锂离子或锂离子电池提供稳定的3.3 V输出。输出电压选项固定为3.3 V,在VIN = 2.3 V时保证最大负载电流为200 mA,在VIN = 3.3 V时保证300 mA。关断模式下的输入电流小于1μA,从而最大限度地延长电池寿命。 PFM操作是自动的并且“无故障”。该稳压器可在低负载时保持低至37μA静态电流的输出调节。内置功率晶体管,同步整流和低电源电流的组合使FAN4868成为电池供电应用的理想选择.FAN4868可在6-凸点0.4 mm间距晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)。 特性 使用少量外部元件工作:1μH电感和0402外壳尺寸输入和输出电容 输入电压范围为2.3 V至3.2 V 固定3.3 V输出电压选项 最大负载电流> 150 mA,VIN = 2.3 V 最大负载电流300 mA,VIN = 2.7 V,VOUT = 3.3 V 低工作静态电流 True Load Disc关机期间的连接 具有轻载省电模式的可变导通时间脉冲频率调制(PFM) 内部同步整流器(无需外部二极管) 热关断和过载保护 6-Bump WLCSP,0.4 mm间距 应用 终端产品 为3.3 V核心导轨供电 PDA...
发表于 07-30 05:02 217次 阅读

NCP302155 集成驱动器和MOSFET 55 A.

155将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成在一个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP302155集成解决方案大大降低了封装寄生效应和电路板空间。 特性 平均电流高达55A 能够以高达2 MHz的频率切换 兼容3.3 V或5 V PWM输入 支持Intel®PowerState 4 使用3级PWM的零交叉检测选项 内部自举二极管 热警告输出和热关机 应用 终端产品 台式机和笔记本微处理器 服务器和工作站,V-Core和非V核DC-DC转换器 大电流DC-DC负载点转换器 小型电压调节器模块 电源和笔记本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 22:02 505次 阅读

NCP303151 集成驱动器和带集成电流监视器的MOSFET

151将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成到单个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP303151集成解决方案大大降低了封装寄生效应和电路板空间。 特性 能够达到50 A的平均电流 30 V / 30 V击穿电压MOSFET具有更高的长期可靠性 能够以高达1 MHz的频率切换 与3.3兼容V或5 V PWM输入 正确响应3级PWM输入 精确电流监测 具有3级PWM的过零检测选项 内部自举二极管 欠压锁定 支持英特尔®PowerState 4 应用 桌面和笔记本微处理器 图形卡 路由器和交换机 支持英特尔®PowerState 4 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 22:02 838次 阅读

NCP302055 集成驱动器和MOSFET 50 A.

055将MOSFET驱动器,高端MOSFET和低端MOSFET集成在一个封装中。驱动器和MOSFET已针对高电流DC-DC降压功率转换应用进行了优化。与分立元件解决方案相比,NCP302055集成解决方案大大减少了封装寄生效应和电路板空间。 特性 平均电流高达50A 能够以高达2 MHz的频率切换 兼容3.3 V或5 V PWM输入 支持Intel®PowerState 4 使用3级PWM的零交叉检测选项 内部自举二极管 热警告输出和热关机 热关机 应用 终端产品 台式机和笔记本微处理器 服务器和工作站,V -Core和非V-DC DC-DC转换器 大电流DC-DC负载点转换器 小型电压调节器模块 电源和笔记本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 21:02 365次 阅读

NCV8872 汽车级非同步升压控制器

2是一款可调输出非同步升压控制器,用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器,为栅极驱动器提供电荷。保护功能包括内部设置软启动,欠压锁定,逐周期电流限制,打嗝模式短路保护和热关断。其他功能包括低静态电流睡眠模式和外部同步开关频率。 特性 优势 工厂可编程 灵活性 4.8 V至45 V操作 使用反极性保护二极管通过起动和负载转储进行操作 -40 C至150 C操作 汽车级 双功能启用/同步引脚 紧凑SOIC8包中的额外功能 应用 终端产品 仪表盘 引擎集群 启动/停止应用程序 导航 LED背光 汽车应用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 21:02 224次 阅读
NCV8872 汽车级非同步升压控制器

NCP81174 具有省电模式和PWM VID接口的多相同步降压控制器

74是一款通用型四相同步降压控制器。它结合了差分电压检测,差分相电流检测和PWM VID接口,为计算机或图形控制器提供精确的稳压电源。它可以从处理器接收节电命令(PSI),并以单相二极管仿真模式工作,以获得轻载时的高效率。双边沿多相PWM调制确保快速瞬态响应,并尽可能减少电容。 应用 终端产品 GPU和CPU电源 显卡的电源管理 台式电脑 笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 18:02 669次 阅读