声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
半导体
+关注
关注
327文章
24484浏览量
202024 -
晶圆
+关注
关注
52文章
4522浏览量
126416 -
氧化
+关注
关注
0文章
28浏览量
15905
原文标题:三星半导体|8大工艺第二弹:氧化工艺
文章出处:【微信号:sdschina_2021,微信公众号:三星半导体和显示官方】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
什么是BCD工艺?BCD工艺与CMOS工艺对比
BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺技术是将双极型晶体管、CMOS(互补金属氧化物半导体)和DMOS(双扩散金属氧化物半导体)晶
发表于 03-18 09:47
•1139次阅读
微弧氧化工艺是什么?微弧氧化技术工艺流程及参数要求
微弧氧化技术工艺流程
主要包含三部分:铝基材料的前处理,微弧氧化,后处理三部分
其工艺流程如下:铝基工件→化学除油→清洗→微弧氧化→清洗
发表于 09-01 10:50
•1843次阅读
半导体前端工艺:沉积——“更小、更多”,微细化的关键
在半导体制程中,移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种,引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如,光刻工艺中的光刻胶涂敷,其实也是在基底上形成各种薄膜;又如
半导体前端工艺之刻蚀工艺
在半导体前端工艺第三篇中,我们了解了如何制作“饼干模具”。本期,我们就来讲讲如何采用这个“饼干模具”印出我们想要的“饼干”。这一步骤的重点,在于如何移除不需要的材料,即“刻蚀(Etching)工艺”。
发表于 08-10 15:06
•560次阅读
半导体前端工艺:沉积——“更小、更多”,微细化的关键(上)
在半导体制程中,移除残余材料的“减法工艺”不止“刻蚀”一种,引入其他材料的“加法工艺”也非“沉积”一种。比如,光刻工艺中的光刻胶涂敷,其实也是在基底上形成各种薄膜;又如
半导体前端工艺之沉积工艺
在前几篇文章(点击查看),我们一直在借用饼干烘焙过程来形象地说明半导体制程 。在上一篇我们说到,为制作巧克力夹心,需通过“刻蚀工艺”挖出饼干的中间部分,然后倒入巧克力糖浆,再盖上一层饼干层。“倒入巧克力糖浆”和“盖上饼干层”的过程在半导
半导体图案化工艺流程之刻蚀(一)
Dimension, CD)小型化(2D视角),刻蚀工艺从湿法刻蚀转为干法刻蚀,因此所需的设备和工艺更加复杂。由于积极采用3D单元堆叠方法,刻蚀工艺的核心性能指数出现波动,从而刻蚀工艺
评论