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解读NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A的应用

2021-06-03 18:01 次阅读

以Samsung NAND Flash器件K9F1208为例,对比NAND Flash和NOR Flash的异同;介绍大容量NAND Flash在uPSD3234A增强型单片机系统中的应用,完成了硬件接口设计和软件设计,并给出硬件连接图和部分程序代码。

1 NAND FlaSh和NOR Flash

闪存(Flash Memory)由于其具有非易失性、电可擦除性、可重复编程以及高密度、低功耗等特点,被广泛地应用于手机、MP3、数码相机、笔记本电脑等数据存储设备中。NAND Flash和NOR Flash是目前市场上两种主要的非易失闪存芯片。与NOR Flash相比,NAND Flash在容量、功耗、使用寿命等方面的优势使其成为高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash的传输效率很高,但写入和擦除速度较低;而NAND Flash以容量大、写速度快、芯片面积小、单元密度高、擦除速度快、成本低等特点,在非易失性类存储设备中显现出强劲的市场竞争力。

结构:NOR Flash为并行,NAND Flash为串行。

总线:NOR Flash为分离的地址线和数据线,而NANDFlash为复用的。

尺寸:典型的NAND Flash尺寸为NOR Flash尺寸的1/8。

坏块:NAND器件中的坏块是随机分布的,需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。

位交换:NAND Flash中发生的次数要比NOR Flash多,建议使用NAND闪存时,同时使用EDC/ECC算法。

使用方法:NOR Flash是可在芯片内执行(XIP,eXecute In Place),应用程序可以直接在FIash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中;而NAND Flash则需I/O接口,因此使用时需要写入驱动程序。

通过以上的分析和比较,NAND Flash更适合于大容量数据存储的嵌入式系统。本设计选用Samsung公司生产的NAND Flash存储器芯片K9F1208作为存储介质,并应用在基于uPSD3234A增强型8051单片机的嵌入式系统中。

2 uPSD3234A简介

uPSD3234A是由意法半导体公司生产的一款基于8052内核的增强型Flash单片机,其结构如图1所示。该单片机包含1个带8032微控制器的Flash PSD、2块Flash存储器、SRAM、通用I/O口可编程逻辑、管理监控功能,并可实现USBI2CADCDAC和PWM功能。其中,片内8032微控制器,带有2个标准异步通信口、3个16位定时/计数器、1个外部中断以及JTAG ISP接口(用于在系统编程),一般应用于手持设备、家用电器等领域中。

3 K9F1208介绍

K9F1208是Samsung公司生产的512 Mb(64M×8位)NAND Flash存储器。该存储器的工作电压为2.7~3.6 V,内部存储结构为528字节×32页×4 096块,页大小为528字节,块大小为(16 KB+512字节);可实现程序自动擦写、页程序、块擦除、智能的读/写和擦除操作,一次可以读/写或者擦除4页或者块的内容,内部有命令寄存器

如图2所示,该器件按功能可以划分为:存储阵列、输入/输出缓冲、命令寄存器、地址译码寄存器和控制逻辑产生。其中,命令寄存器用来确定外部设备对存储器进行操作的类型;地址译码寄存器用于保存被访问的地址并产生相应的译码选通信号。主设备通过8位I/O端口分时复用访问器件命令、地址和数据寄存器,完成对芯片内存储器的访问。

NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A的应用

4 K9F1208读/写和擦除操作的实现

对于K9F1208的操作主要有页读取和页编程操作。图3是NAND Flash的标准页读取时序图。具体的页读取操作如下:发命令阶段,在片选信号CE有效的情况下,首先命令允许信号CLE有效,此时写入信号WE有效,芯片准备好信号R/B置高,表示准备好;同时向I/O口发送读操作命令(0x00或0x01),表示是读操作。

发地址阶段,此时片选有效,地址允许信号ALE有效,写入信号WE保持有效,连续发送4个地址字;K9F1208的地址寄存器接收到地址值后,R/B信号将维持“忙”一段时间,此后R/B变为准备好状态。最后是数据输出阶段,每次读有效信号置低有效时,将会输出一组数据。如此往复直到所有数据输出完毕。

NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A的应用

图4是NAND FLash的标准页编程时序图。具体的页编程操作如下:发命令阶段,向I/O口发送页编程操作第一个命令字(0x80),表示是页编程操作。发地址阶段,连续发送4个地址字,K9F1208的地址寄存器接收到地址值后,等待接收数据;当数据总线发送数据后,K9F1208连续接收数据,直到接收到页编程的第二个命令字(0x10),即结束等待接收数据的状态;

R/B信号将维持“忙”一段时间,此后R/B变为准备好状态。最后总线上发出读状态命令字(0x70),则K9F1208的命令寄存器接收并响应该命令,向I/O口发送表示操作成功的状态数据(0x00)或表示操作失败的状态数据(0X01)。

NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A的应用

5 uPSD3234A与K9F1208的连接

5.1 硬件部分

uPSD3234A的数据总线DATA0~7直接连接到K9F1208的数据线上。K9F1208的读/写信号是直接通过uPSD3234A的读/写信号驱动的,K9F1208的ALE地址允许信号、CLE命令允许信号、片选使能信号分别由uPSD3234A的P43、P44、P45来控制,而K9F1208的R/B状态输出信号由uPSD3234A的P46来读取。硬件连接如图5所示。根据该硬件连接的情况,在驱动过程中,可以在uPSD3234A中定义一个无效地址,通过对该无效地址进行读写来控制WR和RD信号。

NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A的应用

5.2 软件部分

本设计的驱动程序包括基本的操作函数和Flash操作API函数。基本的操作函数包括输入命令值、输入地址值、输入数据值、读取数据值和读取状态等函数。由于K9F1208是无地址的,故先定义一个外部存储器的空地址来对它进行空写和空读。定义的语句为:

xdata unsigned char rK9Fl208DATA _at_0x5000000;

根据硬件连接图,基本API函数的程序为:

(1) 输入命令值函数

NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A的应用

程序说明:赋予P4_5为0,使得CE信号成低电平,从而片选K9F1208有效;赋予P4_4为1,使得CLE信号成高电平,从而使K9F1208的命令允许信号有效;赋予P4_3为0,使得ALE信号成低电平,从而使K9F1208的地址允许信号无效;最后对rK9F1208DATA进行空写命令字,使得WE信号成低电平,K9F1208的命令寄存器从数据总线接收到命令字,并执行相应的操作。

(2) 输入地址值函数

NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A的应用

程序说明:赋予P4_5为0,使得CE信号成低电平,从而片选K9F1208有效;赋予P4_4为0,使得CLE信号成低电平,从而使K9F1208的命令允许信号无效;赋予P4_3为1,使得ALE信号成高电平,从而K9F1208的地址允许信号有效;最后对rK9F1208DATA进行空写地址字,使得WE的信号成低电平,K9F1208从数据总线接收到地址字,并锁存到地址锁存器中。

(3) 输入数据值函数

NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A的应用

程序说明:赋予P4_5为0,使得CE信号成低电平,从而片选K9F1208有效;赋予P4_4为0,使得CLE信号成低电平,从而使K9F1208的命令允许信号无效;赋予P4_3为0,使得ALE信号成低电平,从而使K9F1208的地址允许信号无效;最后对rK9F1208DATA进行空写数据,使得WE的信号成低电平,K9F1208从数据总线接收到数据,并根据命令寄存器和地址锁存器来处理接收到的数据。

(4) 读取数据值函数

NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A的应用

程序说明:赋予P4_5为0,使得CE信号成低电平,从而片选K9F1208有效;赋予P4_4为0,使得CLE信号成低电平,从而K9F1208的命令允许信号无效;赋予P4_3为0,使得ALE信号成低电平,从而使K9F1208的地址允许信号无效;最后对rK9F1208DATA进行空读数据,使得RE的信号成低电平,K9F1208会根据命令寄存器和地址锁存器来向数据总线发送相应的数据。

(5) 读取状态函数

NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A的应用

程序说明:只是读取P4_6的状态,以判断K9F1208是否“忙”。如果P4_6为高电平,则表示K9F1208不忙,返回高电平;如果P4_6为低电平,则表示K9F1208“忙”,返回高电平。

为了合理地操作K9F1208,还添加了不选中K9F1208的函数,以便在页读取和页编程操作后,使K9F1208不工作。程序只是让P4_5、P4_4、P4_3为低电平,从而使得K9F1208的片选信号、命令允许信号、地址允许信号无效。宏定义语句如下:

#define flash_inactive( ){P4_5=0;P4_4=0;P4_3=0;)

Flash操作API函数包括复位K9F1208、验证K9F1208的ID号、擦除K9F1208某一扇区、凑取K9F1208某一扇区数据和写入K9F1208某一扇区数据等函数。因为篇幅关系,只介绍页读取和页编程函数。

图6是读取K9F1208某一扇区或某一页的数据流程图。首先,开始向K9F1208发送页读取命令字0x00,使得K9F1208的命令寄存器接收到命令字;然后取得要读取扇区的地址,连续向K9F1208发送4个地址数据,发送完后读取K9F1208的R/B引脚的状态,直到K9F1208不忙(表示地址数据已接收完毕);K9F1208开始读取该地址所指的扇区,并向数据总线发送一个扇区的数据,此时读取K9F1208的数据总线,直到整页结束。

NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A的应用

图7是写入K9F1208某一扇区或一页的数据流程图。首先向K9F1208发送页编程的命令字0x80,使得K9F1208的命令寄存器接收到命令字;然后取得要写入扇区的地址,连续向K9F1208发送4个地址数据,发送完后读取K9F1208的R/B引脚的状态,直到K9F1208不忙(表示地址数据已接收完毕);

K9F1208准备从数据总线接收一个扇区的数据,此时向K9F1208的数据总线发送一个扇区的数据,让K9F1208接收数据,并存到相应的页或扇区中;待发送的数据结束后,向K9F1208发送0x10 命令,使得K9F1208结束页编程的操作;最后向K9F1208发送查询状态的命令字0x70,K9F1208接收到命令字后,就会向数据总线发送一个字节的数据,这时读取K9F1208的数据总线,若收到字节0x00,则表示操作成功,若收到字节0x01,则表示操作失败。

NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A的应用

结 语

本文介绍了Samsung公司K9F1208芯片特点,并在此基础上设计了基于uPSD3234A的驱动设计。该方法对其他相关SoC中实现NAND Flash的控制方法设计有直接的参考意义,可广泛应用于需要大存储容量的低端设备中。

编辑:jq

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6月9日,2021世界半导体大会暨南京国际半导体博览会在南京召开,中国工程院院士、浙江大学微纳电子学....
的头像 旺材芯片 发表于 06-17 16:43 167次 阅读
吴汉明以《后摩尔时代的芯片挑战和机遇》发表了演讲

数字化时代为芯片产业的创新变革注入一剂新的动力源

2021南京世界半导体大会在今天盛大开幕, 芯华章科技董事长兼CEO王礼宾受邀出席并围绕“EDA 2....
的头像 芯华章科技 发表于 06-17 16:42 1073次 阅读
数字化时代为芯片产业的创新变革注入一剂新的动力源

教你如何轻松写单片机的指针

摘要:大家想过没有我们用keil写单片机的代码,你的函数啊、变量啊最终都放在了哪里?我们一直说的内存....
的头像 凡亿PCB 发表于 06-17 16:08 60次 阅读
教你如何轻松写单片机的指针

串行MRAM芯片MR25H256ACDF概述及特征

“持久性存储器”通常是指驻留在存储器总线上的高性能、字节可寻址、非易失性存储器设备。MRAM(磁性只....
发表于 06-17 15:35 38次 阅读
串行MRAM芯片MR25H256ACDF概述及特征

基于SX52BD和24LC256芯片实现数据采集与诊断系统的设计

图1是基于嵌入式Web服务器的数据采集与故障诊断系统的结构图。从图1中可以看出,整个远程故障诊断系统....
的头像 电子设计 发表于 06-17 15:34 237次 阅读
基于SX52BD和24LC256芯片实现数据采集与诊断系统的设计

芯片短缺危机在今年二季度陡然加剧 晶圆代工厂接单模式巨变

汽车行业芯片短缺危机在今年二季度陡然加剧,据第一财经近日报道称,北京、上海包括豪华、合资、自主与新能....
的头像 旺材芯片 发表于 06-17 15:33 206次 阅读
芯片短缺危机在今年二季度陡然加剧 晶圆代工厂接单模式巨变

日本计划推出国家芯片计划 加剧该行业的全球竞争

时至今日,全球半导体竞争正变得越来越激烈,半导体竞争渐渐成为了国家角力的一大战略领域。中美两国自不必....
的头像 旺材芯片 发表于 06-17 15:19 180次 阅读
日本计划推出国家芯片计划 加剧该行业的全球竞争

STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V
发表于 05-20 16:05 133次 阅读
STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

FPF2290 过压保护负载开关

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 173次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 301次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 141次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 118次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 528次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 144次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 185次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 251次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 190次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 180次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 414次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 322次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 208次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 159次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 161次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 366次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 199次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 316次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 853次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5