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晶圆代工厂商们的“新大陆”

半导体科技评论 2021-05-18 11:26 次阅读

根据TrendForce上个月发布的调查研究数据显示,预计2020年全球晶圆代工收入将同比增长23.8%,为十年来最高。

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在晶圆代工营收创新高的背后,代表着市场对晶圆代工的需求越来越旺盛。在这种市场环境之下,晶圆代工厂之间的竞争也变得愈加激烈。尤其是进入到2020年以后,晶圆代工实力的较量不仅仅存在于各大厂商之间,这个产业的发展也受到了很多国家和地区的重视,因此,也推动了晶圆代工产业发生了一些新的变化。

晶圆代工厂商们的“新大陆”

此前已经在很多报道中显示,美国在全球制造业产能中所占的份额已从1990年的37%下降到今天的12%。

尤其是在半导体日益重要的今天,这一数字的变化引起了美国政府的关注。 为鼓励美国本土的芯片制造业,美国政府接连出台数项法案。

美国两党议员相继提出了《2020年美国晶圆代工法案》(American Foundries Act of 2020,简称AFA)和《创造有益激励生产半导体(芯片)法案》(Creating Helpful Incentives to Produce Semiconductors,简称CHIPS)。

邀请晶圆代工厂赴美建厂是美国提升本土芯片制造能力的重要途径之一,而这或许也成为了晶圆代工厂商们的“新大陆”。

今年5月,台积电宣布了其在美国的建厂计划。根据台积电的公告,该工厂将生产5nm芯片,规划产能是2万片每月。这将产生超过1600个高科技专业直接工作,以及半导体中的数千个间接工作。根据规划,该工厂将于2021年开始建设,目标是2024年开始生产,在2021到2029年的资本支出将会高达120亿美元。

据台媒最新报道显示,台积电赴美建厂的计划已于12月22日得到了有关部门的正式批准。 台积电在美国建厂,也引起了其他晶圆代工厂的注意,尤其是三星。于是,继台积电之后,三星近期也有计划在美国发展芯片制造业务。

据日经的报道显示,三星电子将扩建其在德克萨斯州的半导体工厂,以便为下一代制造设备腾出空间,因为三星正试图与台积电争夺全球最大芯片代工厂桂冠。三星认为,得克萨斯州奥斯汀的工厂在争取美国科技公司的订单中起着至关重要的作用。

日经的报道中指出,三星的奥斯汀工厂于1997年开始批量生产存储芯片。它于2010年进入代工制造阶段,苹果就是客户之一。

尽管三星为该工厂花了170亿美元,但那里的设备已经过时了。据资料显示,大约五年前,这家工厂只能生产14纳米工艺节点的芯片,但落后于5nm工艺的三代。

该公司最终可能会在新的大规模订单所需的先进设备上投资近10亿美元。 但三星能够顺利实行该计划也存在着一些变数,当下的半导体贸易环境可能会影响其在美国实行建厂计划。

英特尔晶圆代工身上的变数

今年7月,英特尔在其第二季财报会议上称,由于其未来CPU将采用的7纳米芯片技术进度较目标落后,所以,公司考虑将其制造业务外包。

这则消息引起了业界的关注。众所周知,目前全球晶圆代工厂当中只有台积电和三星具有7nm量产的能力,谁能获得英特尔的订单或许就能够进一步扩大他们在代工领域的地位——根据摩根大通的推算,英特尔今年总营收可达600亿美元,其中约259亿美元来自数据中心事业群,另外的363亿美元属于客户运算事业群。

以此推算,未来英特尔两大事业群外包需求将分别有63亿美元及102亿美元,合计为晶圆代工市场创造高达165亿美元的商机。 就在这则消息公布没多久以后,在紧接着的8月中,英特尔在其2020年架构日当中发布了10nm SurperFin全新晶体管技术。

英特尔称,这是该公司有史以来最为强大的单节点内性能增强,带来的性能提升可与全节点转换相媲美。换言之,在SuperFin技术的加持下,英特尔推出的10nm工艺效能可以等同于7nm。

或许是新工艺为英特尔带来了新的契机。于是,在今年10月的财报电话会议上,英特尔CEO Bob Swan在财报电话会议上对委外代工的计划作出了新的回应,他表示,英特尔将在2021年初决定是利用公司自己的技术,还是利用第三方代工厂制造7纳米芯片。

根据Swan的说法,英特尔计划使用的三个主要标准是:时间表可预测性,产品性能以及供应链的经济性。

另外一方面,英特尔处理器早在今年以前就出现了供不应求的状况,尤其是其14nm产品。为了满足市场需求,英特尔去年在14nm晶圆产能上的资本投入已经创下历史纪录,除了扩充自家工厂的产能,英特尔还扩大了外包代工,便于英特尔自己生产更多的CPU处理器产品。

但进入到2020年以后,由于疫情的影响,远程办公的趋势更是推动了一波个人电脑需求的增长。在这种情况之下,据经济日报援引供应链消息称,在PC需求销售热潮下,英特尔自家12吋厂产能已经满载,因此需要扩大委外成熟制程产品。

联电则是英特尔扩大成熟制程产品的受惠者。据经济日报的报道显示,今年11月英特尔下单晶圆代工大厂联华电子(联电)28 纳米制程,生产通讯 Wi-Fi 与车用相关芯片。

成熟工艺的春天

在今年当中,联电的胜利不仅仅只在收到了英特尔的委外代工(而且,根据经济日报的消息显示,市场人士表示,联电相关的生产最快也必须要到2021 年才开始,从而产生效益),今年8英寸晶圆需求量的猛增,或许才是联电营收的功臣。

根据联电的财报数据显示,联电累计前11个月营收为1615.32亿元新台币(约57.25亿美元),较2019年同期成长19.8%,营收超越2019年全年。

外资认为,推动联电营收成长的主要原因有三,一是联电产能逼近满载,可能提升8 英寸晶圆客户比重,明年上半年将启动新一轮涨价——这一消息,在联电三季度的财报中也有体现,根据当时联电在其最新的财报会议上的内容显示,由于目前8英寸需求相当强劲,产能持续紧俏,联电已与客户讨论2021年的产品定价,预计2021年8英寸价格将调涨,而12英寸价格将维持平稳。

其二,代工需求强劲,原先表现较弱的28 纳米制程也大幅改善,产能利用率已拉升到9 成以上,部分制程能见度更达到6个月至一年——从联电第三季度的财报中,就已隐隐显现出了这种趋势,从其第三季度的财报中看,其28nm营收占比为14%,产能利润率达到97%。

当时,联电总经理王石也曾指出,本季28nm持续获得客户的订单,带动营收增长。展望未来,预期28nm新设计订单的数量将持续增加,有助联电28nm产品终端市场及客户群更加多元。

第三,联电不再投入先进制程后,资本支出已大幅下滑,而这将有利于联电的毛利保持在一个较高的水平上。 在种种利好消息之下,研调机构集邦科技预估,联电第四季营收约15.69亿美元,年增13%,市占率达6.9%,超越格芯跃居全球第三大晶圆代工厂。

如此来看,成熟工艺也能拥有春天。

将登太行雪满山

成熟工艺的市场需求不仅滋润了联电,相对起步较晚的中国大陆晶圆代工厂也有可能在这一市场中分到一杯羹,中芯国际是其中之一。 2019年第四季度,中芯国际14nm贡献了1%的营收,这1%的营收,让中国大陆晶圆代工产业看到了希望。

根据中芯国际在2020年第三季度的财报中显示,得益于14nm工艺的爆发,其中单季营收首超10亿美元,创历史新高。据悉,中芯国际Q3季度不仅产能利用率达到了97.8%,而且先进工艺占比快速提升,14/28nm工艺占比达到了14.6%,上季度中是9.1%,去年同期是4.3%。

除此之外,中芯国际还在更先进的工艺上有了突破,据芯动科技今年10月发布的消息显示,该公司已完成全球首个基于中芯国际FinFETN+1先进工艺的芯片流片和测试,所有IP全自主国产,功能一次测试通过。

但中芯国际的发展依旧面临着巨大的挑战,美国的一纸禁令,为中心国际的发展设置了障碍。根据中芯国际在科创板中公示的招股书中显示,2020年5月,美国商务部修订直接产品规则( Foreign-Produced- Direct Product Rule),据此修订后的规则,若干自美国进口的半导体设备与技术,在获得美国商务部行政许可之前,可能无法用于为若干客户的产品进行生产制造。

如果说,这是间接对中芯国际的发展产生了影响,那么前不久,美国商务部将中芯国际列入“实体名单”则是更为直接的打压。

对此,中芯国际也对该事件进行了回应,中芯国际表示,经公司初步评估,该事项对公司短期内运营及财务状况无重大不利影响,对10nm及以下先进工艺的研发及产能建设有重大不利影响,公司将持续与美国政府相关部门进行沟通,并视情况采取一切可行措施,积极寻求解决方案,力争将不利影响降到最低。

新玩家也在觊觎晶圆代工市场

自今年3月开始,印度政府就接连推出了电子制造集群改进计划(EMC 2.0)、绩效挂钩激励(PLI)以及电子元器件和半导体推广(SPECS)。

其中,生产关联奖励计划(PLI)覆盖40,951千万印度卢比(合55亿美元),这可能无法使印度的一家纯晶圆代工厂直接受益,因为该计划将以2019-20年度的生产或投资为基础。

但拥有晶圆厂和产品的“集成设备制造商”也许会受益。 电子元器件和半导体推广(SPECS)中所涉及到的资本支出包括工厂,机械,设备,相关公用事业,研发和技术转让,或许是能够为印度建造晶圆代工厂起到推动作用,但也有相关人士表示,有关“只有20%的翻新设备将被视为合格”的条款可能会对其建造晶圆代工厂造成一定的阻碍。

今年12月,印度政府再次正通过邀请投标企业在该国建立半导体制造工厂。根据相关报道显示,印度电子和信息技术部(MeitY)发布的消息显示,拥有先进主流CMOS制程技术以生产处理器、存储器、类比/数码/混合讯号IC的业者,或者有意扩建印度现有晶圆厂者,属意对象为制程达28纳米以上、12寸晶圆、每月晶圆投片量3万片以上者是他们有意合作的对象之一。

拥有先进化合物半导体新兴技术,以生产高频、高功率、光电子装置,有意设立或扩建现有印度晶圆厂、最好是8寸晶圆以上者也是他们所青睐的合作对象。

此外,有意购并印度以外国家晶圆厂的印度企业或企业集团也是他们意向的对象。

另类的晶圆代工

众所周知,建造一座晶圆厂所要的投资是一笔不菲的费用,再加上对工艺研发的投入,大规模的生产投入使得晶圆代工企业无法呈现爆发式的增长。

而日本作为拥有IDM的基础,在一些特殊工艺上,这些IDM厂商具有一定的优势,由此也存在着一批优秀的人才。

有了技术的加持,日本要想在晶圆代工市场分到一杯羹,他们就想到了一种办法,即对现有的晶圆代工模式进行再创新,这种模式被称为是Minimal Fab。

今年4月,日本推出的迷你晶圆厂(Minimal Fab),瞄准物联网时代小量、多样的感测器需求,起价却只要5 亿日圆(1.7 亿元台币)。

《日经商业周刊》称之为颠覆全球半导体业界的制造系统。

据相关报道显示,这个由经济产业省主导,由 140 间日本企业、团体联合开发的新世代制造系统,目标是透过成本与技术门槛的大幅降低,让汽车与家电厂商能自己生产所需的半导体及感应器

今年8月,日本横河电机将日本最早的AIST 最小晶圆厂(Mini Fab)项目投入生产。据悉,它使用0.5英寸的晶圆,并且不需要洁净室即可操作。 Mini Fab能否继续走下去,或许市场会给我们答案。

晶圆代工产业在这一年中发生了诸多变化,当我们将这些变化放在一起看时,2020年对于这个行业来说,或许又是一个关键节点。

责任编辑:lq

原文标题:晶圆代工产业的新变数

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温度传感器是较早开发、也是应用较为广泛的一种传感器。从17世纪初,伽利略发明温湿度计开始,人们便开始....
发表于 05-28 16:32 122次 阅读
浅谈温度传感器的发展历程

半导体的8大工艺之氧化工艺

很多化学物质氧化后会腐蚀自己但晶圆氧化生成的膜层却能保护自己“守护”晶圆的氧化工程是什么样的?解锁半....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 05-28 14:26 355次 阅读
半导体的8大工艺之氧化工艺

设备健康管理系统在半导体行业的应用

近日,格创东智设备健康管理系统(以下简称东智EHM)在半导体行业生产设备上的应用效果明显,获得客户认....
发表于 05-28 10:28 80次 阅读
设备健康管理系统在半导体行业的应用

日本半导体卷土重来就能成吗?

为了使长期失去存在感的日本半导体企业恢复其地位,日本政府正在努力把握最后的机遇。 据日本共同社报导,....
的头像 半导体科技评论 发表于 05-28 09:56 350次 阅读
日本半导体卷土重来就能成吗?

半导体脉冲功率开关发展的综述

半导体脉冲功率开关发展的说明。
发表于 05-27 15:33 27次 阅读
半导体脉冲功率开关发展的综述

半导体热阻问题详解

半导体热阻问题分析下载。
发表于 05-27 15:32 13次 阅读
半导体热阻问题详解

全球晶圆代工龙头台积电又一名员工确诊!

台积电表示,该名员工目前位于台湾省新北市,针对此名染疫员工,防疫委员会已即刻追溯该员接触史,并扩大调....
的头像 中国半导体论坛 发表于 05-27 13:51 277次 阅读
全球晶圆代工龙头台积电又一名员工确诊!

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 1751次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 400次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 328次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 435次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 783次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 404次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 530次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 883次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 1938次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 1643次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 231次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 423次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 401次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 456次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 744次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 765次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 813次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 432次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 379次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 448次 阅读
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器