SiCmosfet三相全桥逆变电路中,同一桥臂上下功率器件容易受器件寄生参数的影响而互相产生干扰,该现象称为桥臂串扰。这种现象容易造成桥臂直通或者烧毁功率器件。SiCMOSFET与SiIGBT相比,SiCMOSFET的栅极电压极限值和栅极阈值电压都相对较低,桥臂串扰问题更加突出。在考虑SiCMOSFET寄生参数的影响下。
1)开通过程
2)关断过程
串扰电压分析:
抑制方法:
1)AMC;
2)驱动电源稳负压;
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