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SiC的驱动电压多少才合适?

中科院半导体所 2021-04-26 10:29 次阅读

过去的一年,作为第三代半导体的典型代表,碳化硅(SiC)器件着实火了一把,其高工作温度、高击穿场强、高耐压、高热导率、高功率密度以及高可靠性,为设计师打造具有竞争力的节能型产品提供了前所未有的机会。

目前,一些领先的应用已经采用了SiC,更多的应用正在尝试当中。为了充分发挥SiC的诸多优势,我们还需要思考用SiC进行设计的一些难题,其中一个重要问题就是SiC器件的驱动。关于这个问题,我们来看看多家SiC半导体头部企业的技术经理和设计主管的看法和忠告。

SiC的驱动电压多少才合适?

传统硅MOSFET的典型驱动电压是12V,传统硅IGBT的典型驱动电压为15V,SiC MOSFET的驱动电压通常比它们都高。Cree|Wolfspeed应用经理魏晨说:“我们广泛应用的第二代SiC MOSFET的驱动电压是20V,许多客户希望能够降低其驱动电压,最好与传统硅器件差不多。为了方便客户使用,我们的第三代SiC MOSFET的典型驱动电压从第二代的20V降到了15V,栅极电压极限为+19V-8V,更容易实现驱动,同时也降低了驱动损耗。”

他说:“在典型桥式电路应用中,我们推荐客户使用+15V/-3V的驱动电压,把驱动电压的精度做到±5%。15V可以保证MOSFET有效开通,且相对最高极限电压19V保留4V的电压裕量。-3V的负压可以有效避免由串扰引起的共通问题,同时-3V距离-8V的栅极电压极限保留了5V裕量。”

从栅极驱动角度看,SiC MOSFET比硅器件对栅极电压的依赖性更大,与之相关的低跨导的一个挑战。安森美半导体先进方案部产品营销经理黎志远认为:“解决这个问题需要考虑采用隔离加负偏压的方法。栅极驱动器需要能够提供+20V和-2V至-5V的负偏压,同时具有最小的输出阻抗和高电流能力。”

罗姆半导体(深圳)有限公司技术中心高级经理苏勇锦认为:“使用SiC MOSFET,需要在低损耗和高可靠性之间找到一个平衡点。针对ROHM已经量产的第二代和第三代SiC MOSFET,我们推荐驱动电压为18V。为了达到与传统硅IGBT及SJ-MOS驱动兼容的目的,ROHM第四代SiC MOSFET的驱动电压可同时对应18V或15V,这是行业先进水平。”为了评估驱动IC和SiC MOSFET(包括单管或SiC模块),实现各种电路自由搭配、双脉冲实验,ROHM还提供多种类型的评估板

对于SiC MOSFET来说,通常需要使用负栅极驱动来使之关断,而使用高正驱动来获得最低的Rdson。然而,这使得SiC MOSFET更接近于其栅极氧化层能够长期可靠工作的最大电场。UnitedSiC工程副总裁Anup Bhalla表示:“SiC FET则是一种可以替代已有的Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET等器件的产品。通过允许0到12V的栅极驱动,SiC FET能够像普通的硅MOSFET一样容易驱动。5V的高Vth看起来就像一个IGBT,因此设计师会发现,结合非常好的Crss/Ciss比,即使硅MOS或IGBT不能用,SiC FET也可以使用单极栅驱动器。”

他说:“对于我们的器件,我们建议f<100kHz用0-12V,或f>100kHz用0-15V栅极驱动器;同时建议在适当地方使用RC器件缓冲器,而不是用Rgon/Rgoff电阻来控制开关,以便在低开关损耗和EMI/过冲之间获得更好的平衡电压。”

SiC栅极驱动有一些最低要求,不能满足这些要求,器件的可靠性就无法保证。意法半导体工业功率转换部门产品市场经理Carolina SELVA说:“首先,在整个工作温度范围内,dV/dt瞬态耐量为±50V/ns,这是因为SiC MOSFET是为快速开关和高频开关设计的;其次,最小差分电源电压摆幅为22-28V(取决于是否施加负关断栅极电压)。因此,SiC MOSFET需要更高的正栅极驱动电压(+20V),取决于应用是否需要负关断栅极电压。”

三菱电机半导体大中国区技术总监宋高升表示:“三菱电机推出的工业用SiC器件对栅极氧化层进行了特别的设计,使其驱动电压与IGBT器件保持一致,即±15V,这样可以方便客户进行兼容设计。”

Power Integrations工业高压营销总监Francesco Fisichella说:“与IGBT(+15V/-15V)不同,SiC器件没有通用栅极电压,可能介于-4V和-10V/+15V和+20V之间,完全取决于器件厂商采用的技术。因此,SiC器件驱动器必须非常灵活。不过,发展趋势是-5V和+15V至+20V。”

如何得到可靠稳定的驱动?

Cree|Wolfspeed的魏晨表示:“为了得到可靠稳定的驱动,我们推荐使用基于隔离电源和隔离驱动芯片的方案。对于高频桥式电路应用,驱动芯片的CMTI需要大于100V/ns。推荐选用满足系统隔离工作电压要求,并有足够驱动能力、带有米勒钳位功能的驱动芯片。结合合理的PCB布局,米勒钳位能够帮助用户降低共通风险,实现更高的系统可靠性,还能帮助用户抑制栅极负压尖峰,以满足SiC MOSFET的栅极电压要求”。

罗姆的苏勇锦指出:“在高速开关时,SiC栅极驱动要有快速响应,而高速开关时会产生浪涌电压,影响电路稳定特性、损耗等。罗姆除了提供SiC器件外,还提供包括栅极驱动IC在内的局部电路解决方案,除了支持PCB合理布线(减小寄生电感)外,还可根据客户实际应用电路给出合理有效的浪涌电压抑制电路及器件参数,为客户排忧解难。”他还介绍说:“目前汽车应用SiC驱动IC主要是磁隔离、容隔离占主导。罗姆的SiC+栅极驱动IC解决方案能自由搭配功率电路,并通过全方位的技术支持及时有效地解决客户使用SiC的后顾之忧。”

安森美半导体的黎志远介绍说:“我们的第一代带有负电荷泵的非隔离型驱动器NCP(V)51705驱动器主要用于驱动SiC MOSFET晶体管。为了将导通损耗降至最低,它能够将最大允许栅极电压提供给SiC MOSFET器件。在导通和关断期间,提供6A的高峰值输出电流,从而最小化开关损耗。为了提高可靠性、dV/dt抗扰度及更快关断速度,它利用板载电荷泵产生用户可选的负电压轨。对于隔离应用,NCP/NCV51705提供一个外部可访问的5V电源轨,为数字或高速光耦隔离器的次级端供电。”

SiC的高开关频率会造成三个问题,首先是栅极电阻温升比较高,对驱动的散热设计要求很高;其次会造成较大共模干扰,驱动设计要满足这方面的要求。另外,驱动的单通道输出功率比较大,要求驱动板原次边隔离电源功率大,效率高,体积小。青铜剑科技的陈恒星说:“首先要采用大功率栅极电阻,优化高开关频率带来的驱动栅极温升高的问题,同时通过优化PCB设计,增大驱动覆铜来提高驱动散热能力;其次,为优化共模干扰及高dv/dt问题,驱动增加了滤波措施,优化PCB布局,减小变压器耦合电容;第三,为在有限体积内提高驱动隔离电源效率及输出功率,在驱动设计上还要优化变压器绕线方式及磁芯材质。”

SiC器件的安全怎样保证?

由SiC的诸多特性决定,其注定要用在高温、空间狭小的场合。三菱电机的宋高升介绍说:“为降低桥臂串扰带来的误动作,三菱电机在MOSFET栅极氧化层形成过程中采用独特的再氧化工艺,在保证低通态电阻的同时将开通阈值电压增加至4V。采用这一工艺的600V SiC MOSFET器件已经在家电用DIPIPM上使用。三菱电机利用此工艺正在开发1200V高开通阈值电压的SiC MOSFET器件。”

相对于IGBT 10μs的短路耐受时间,SiC器件的短路耐受时间一般只有2-4μs,需要更加快速精确的短路保护方式。为了解决这个问题,三菱电机开发了集成RTC电路的SiC模块,当短路发生时,SiC模块内部的RTC电路会自动降低栅极电压,漏极电流会随之大大降低,SiC器件的短路耐受时间也会随之延长。RTC电路同时会输出一个短路信号给外侧驱动器,驱动器启动保护,及时关闭驱动信号。宋高升说:“经实际测试,从短路发生到启动保护,只有1.2μs,大大提高了短路保护的可靠性,也极大简化了驱动器短路保护电路设计。”

防止严重的安全问题并提升可靠性的一种方法是隔离。安森美半导体的黎志远建议设计人员采用NCP(V)51705 + NCID9401/11(数字隔离器),或隔离型驱动器 + 分立器件(齐纳二极管电容器)来设计SiC驱动;并使用SiC MOSFET驱动器子卡来评估SiC MOSFET驱动器。

Power Integrations的Fisichella认为:“并非所有SiC模块都能承受短路,那些能承受短路的模块通常比IGBT模块(通常为10μs)的承受时间要短得多(2-4µs)。这就要求栅极驱动器能够检测到短路,并非常迅速地关断器件,而不会因灵敏度过高和误触发而出现问题。”

意法半导体的工业功率转换部门产品市场经理Carolina SELVA介绍说:“STGAP1AS是一个广泛使用的SiC栅极驱动器,其内置米勒钳位保护功能可在半桥配置的功率电路开关时控制米勒电流。当SiC功率开关管处于关断状态时,驱动器可以避免同一桥臂上的另一个开关管导通产生的CGD电容引起感应导通现象。在关断状态时,驱动器使用CLAMP引脚监视开关管的栅极电压。当栅极电压降至VCLAMPth阈压以下时,驱动器激活CLAMP开关,创建一条低阻抗路径,以防止不必要的开关导通。”

SiC短路耐受能力弱,通常要求驱动保护在3µs内动作,否则就会出现不动作或误动作问题。青铜剑科技的陈恒星说:“针对SiC器件短路耐受时间短的问题,根据模块特性及调试经验一般将短路时间设置在1.5µs,在恰当时间内做出保护动作。SiC开关速率快,开通阈值低,较高dv/dt会产生米勒效应导致SiC器件误开通,影响其可靠性。在驱动中增加米勒钳位可以防止误导通。”

选择谁家的驱动器?

Cree|Wolfspeed的魏晨表示:像TI的UCC5350MC、ADIADuM4121等都是值得尝试的分立SiC MOSFET驱动器。他说:“我们一直在与TI、ADI及SiLabs等主流驱动厂商紧密合作,为Wolfspeed的SiC MOSFET量身打造最合适的驱动产品。”

三菱电机的宋高升也表示:“一些驱动器设计厂商会针对三菱的SiC器件设计即插即用的驱动器,客户可以根据自己的需求进行对比选择;由于三菱的部分SiC器件内部集成了RTC电路,因此可以降低驱动保护电路的设计难度,客户也可以根据自身的情况自己设计驱动。”

意法半导体的SELVA说:“对用户来说,SiC供应商的栅极驱动器充分利用其功率器件的知识经验,而设计公司的驱动器则专注于各种SiC产品,覆盖更广泛的功能需求。”

据UnitedSiC的Bhalla介绍,UnitedSiC的SiC FET由于栅极电流很低,而且不需要米勒钳位,几乎可以使用任何标准硅驱动器、IGBT驱动器或先进的SiC驱动器。事实上,许多用户甚至使用基于脉冲变压器的简单栅极驱动器。他说:“SiC FET的全部价值在于不需要使用更昂贵的新型SiC MOSFET或类似GaN的驱动器。具有足够dv/dt额定值和CMTI额定值的传统硅驱动器就足够了。”这一点有别于其他厂商。

自己不做SiC器件,但专注于功率器件栅极驱动器设计的一些公司也积累了丰富的经验,如Power Integrations。该公司的Fisichella表示:“最重要的问题是,SiC驱动器必须与SiC模块完美匹配。这听起来似乎很简单,但是,SiC栅极驱动器比IGBT驱动器更复杂,因为SiC的特性导致参数范围更广,并且保护功能必须进行高度调优。因此,SiC模块制造商可能会推荐首选合作伙伴的可靠解决方案。”

看来,满足客户多元化需求是专门做驱动的公司得以立命之本。那么,器件厂商做驱动和专门做驱动的公司有什么不同呢?青铜剑科技的陈恒星认为,前者一般仅专注于自己SiC器件的配套驱动。而后者会针对外资品牌、国内品牌等行业内不同SiC器件公司的产品做定制化开发。他说:“我们不局限于哪一家的SiC器件,而是根据不同客户要求、各厂家不同的封装,包括特性和参数来提供对应的驱动。”

写在最后

让SiC如愿以偿

用SiC器件设计应用是一个挑战,在驱动设计方面会遇到一些棘手的问题,如果解决不好,SiC器件就无法如愿以偿地发挥作用,甚至导致系统故障。另外,选择供应商和现成的驱动也要因应用而异。只有SiC器件与应用完美匹配,才能让它在功率系统中发挥更大的作用。

原文标题:直面驱动四大挑战,让碳化硅如愿以偿

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了解一下SiC器件的未来需求

引言:前段时间,Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火,现在我们结合最新的市场进展,针对其中使用的碳化硅SiC器件,来了...
发表于 09-15 07:42 0次 阅读

半导体的定义及其作用

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,它在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域...
发表于 09-15 07:24 0次 阅读

集成电路与半导体

集成电路是一种微型电子器件或部件,它是采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制...
发表于 09-15 06:45 0次 阅读

半导体多路开关的特点有哪些

1. 答:半导体多路开关的特点是:(答5条即可)(1)采用标准的双列直插式结构,尺寸小,便于安排;(2)直接与TTL(或CMOS)电平...
发表于 09-10 06:57 0次 阅读

NLU1GT86 单路2输入异或门 TTL电平

86 MiniGate™是一款先进的CMOS高速2输入异或门,占用空间极小。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT86输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.1 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容输入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 06:02 280次 阅读
NLU1GT86 单路2输入异或门 TTL电平

NLU1G86 单路2输入异或门

6 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入异或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G86输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.5 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 平衡传播延迟 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小Pb免费套餐 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 05:02 270次 阅读
NLU1G86 单路2输入异或门

NLU1G32 单路2输入或门

2 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G32输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.7 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 输入时提供断电保护 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小型无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 255次 阅读
NLU1G32 单路2输入或门

NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源

78A是一款4位可配置双电源双向自动感应转换器,不需要方向控制引脚。 V CC I / O和V L I / O端口设计用于跟踪两个不同的电源轨,V CC 和V L 。 V CC 电源轨可配置为1.65V至5.5V,而V L 电源轨可配置为1.65V至5.5V。这允许V L 侧的电压逻辑信号在V CC 侧转换为更低,更高或相等值的电压逻辑信号,反之亦然。 NLSX4378A转换器在I / O线上集成了10K欧姆上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至V L 或V CC 。 NLSX4378非常适合开漏应用,例如I 2 C通信总线。 特性 优势 宽VCC工作范围:1.65V至5.5V 宽VL工作范围:1.65V至5.5V 允许连接多个电压系统 高速,24 Mb / s保证数据速率 最大限度地减少系统延迟 低位偏移 适合差异信号传输 小型包装 - 2.02 x 1.54mm uBump12 节省物理空间解决方案 应用 终端产 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,PDA,相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 335次 阅读
NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源

NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s双电源电平转换器

01是一款1位可配置双电源双向自适应传感转换器,不需要方向控制引脚.I / O VCC和I / O VL端口分别用于跟踪两个不同的电源轨,VCC和VL 。 VCC和VLsupply轨道均可配置为1.5 V至5.5 V.这样,VL侧的电压逻辑信号可在VCC侧转换为更低,更高的等值电压逻辑信号,反之亦然.NLSX4401转换器已集成I / O线上有10 k上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至VL或VCC。 NLSX4401非常适合开放式应用,如I2C通信总线。 特性 VL可以小于,大于或等于VCC 宽VCC工作范围:1.5 V至5.5 V 宽VL工作范围:1.5 V至5.5 V 高速,24 Mb / s保证日期速率 低位偏斜 启用输入和I / O引脚是过压容差(OVT)以使能输入和I / O引脚是过压容差(OVT)至5.5 V 非优先通电排序 断电保护 应用 终端产品 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,相机,消费品 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 141次 阅读

NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态

125 MiniGate™是一款先进的CMOS高速非反相缓冲器,占用空间极小。 NLU1GT125要求将3状态控制输入()设置为高,以将输出置于高阻态。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT125输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.8 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容输入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 17:02 119次 阅读
NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态

FSA839 低压 带关断隔功能的0.8Ω单刀双掷(SPDT)模拟开关

是高性能的单刀双掷(SPDT)模拟开关,用于由低电压(1.8V)基带处理器或ASIC驱动的音频应用。该器件在V CC = 4.5 V时具有0.8Ω(最大值)的超低R ON ,可在1.65V到5.5V的宽V CC 范围内工作。该器件采用亚微米CMOS FSA839在低电压ASIC和常规的音频放大器之间连接,CODEC在高达5.5V的工作电压范围内运行。控制电路允许控制引脚(Sel)上提供1.8V(典型值)信号。 应用 多媒体平板电脑 存储和外设 手机 WLAN网卡和宽带接入 PMP / MP3播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 01:02 146次 阅读

NXH240B120H3Q1 功率集成模块(PIM)3通道1200 V IGBT + SiC升压 80 A IGBT和20 A SiC二极管

B120H3Q1PG是一款3通道1200 V IGBT + SiC Boost模块。每个通道包括一个快速开关80 A IGBT,一个20 A SiC二极管,一个旁路二极管和一个IGBT保护二极管。该模块具有内置热敏电阻并具有压配销。 特性 优势 1200 V快速开关IGBT 降低IGBT的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 1200 SiC二极管 降低二极管的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 低Vf旁路二极管 提高旁路模式的效率 压合销 无焊接安装 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 分散式公用事业规模太阳能逆变器 商业串式逆变器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 225次 阅读

NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

120H2Q0SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个15A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.4 V 用于高速切换的SiC二极管 可焊接引脚 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 142次 阅读

NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

B120H3Q0是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 152次 阅读

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-31 04:02 214次 阅读

NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

低压差(LDO)线性稳压器将在固定输出电压下提供1.5 A电流。快速环路响应和低压差使该稳压器非常适用于低电压和良好负载瞬态响应非常重要的应用。器件保护包括电流限制,短路保护和热关断。 NCP566采用SOT-223封装。 特性 超快速瞬态响应(
发表于 07-30 08:02 124次 阅读
NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装

4是一款30A POL,适用于在小型电路板占板面积内要求高效率的应用。该器件将DC / DC控制器与两个高效mosfet集成在一个采用热增强型5mm x 6mm QFN封装的信号中。它采用获得专利的增强型斜坡脉冲调制控制架构,可提供超快的负载瞬变,从而减少外部电容和/或提供更好的瞬态容差。与传统的恒定时间控制器相比,新架构还改进了负载调节。 特性 优势 效率高 减少电力损失 快速装载瞬态 减少输出电容的数量 频率选择 优化效率和输出滤波器尺寸的权衡 0.6%准确参考 允许非常精确的输出电压 远程感知 提供准确的输出电压 启用输入和电力良好指标 二手用于控制排序 可调节电流限制 低电流设计的灵活性 可调节软启动 允许控制开启坡道 热增强型QFN封装 改善散热 指定-40C至125C 应用 终端产品 服务器 网络 电信 ASICs servere 存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 449次 阅读

NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A

3是一款20A降压转换器(内置MOSFET),工作电压范围为3V至21V,无需外部偏置。该固定式变频器具有高效率,可调节输出以提供低至0.6V的电压。可调电流限制允许器件用于多个电流水平。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,高效电压模式同步降压转换器,工作电压为3 V至21 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围为3V至21V 允许同一器件用于3.3V,5V和12V母线 300kHz,500kHz和1MHz开关频率 用户可选择的选项,允许在效率和解决方案尺寸之间进行优化权衡 无损耗低侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 低压输出以适应低压核心 外部可编程软启动 降低浪涌电流并防止启动时出现无根据的过电流 预偏置启动 防止反向电流流动 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情况消除,则允许重新启动 可调输出电压 灵活性 可调节电流限制 优化过流条件。允许较低饱和电流的较小电感器用于较低电流应用 输出过压保护和欠压电压保护 应用 终端产品 高电流POL应用 AS...
发表于 07-30 04:02 400次 阅读

NCP3231A 高电流同步降压转换器

1A是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出o电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 313次 阅读

NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器

1B是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 1MHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出ove r电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 158次 阅读

NCP3231 高电流同步降压转换器

1是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低 - 侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出过压保护和欠压保护 使用热敏电阻或传感器进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电力良好输出 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 228次 阅读

NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET

2是一款低输入电压,6 A同步降压转换器,集成了30mΩ高侧和低侧MOSFET。 NCP1592专为空间敏感和高效应用而设计。主要特性包括:高性能电压误差放大器,欠压锁定电路,防止启动直到输入电压达到3 V,内部或外部可编程软启动电路,以限制浪涌电流,以及电源良好的输出监控信号。 NCP1592采用耐热增强型28引脚TSSOP封装。 特性 30mΩ,12 A峰值MOSFET开关,可在6 A连续输出源或接收器处实现高效率电流 可调节输出电压低至0.891 V,准确度为1.0% 宽PWM频率:固定350 kHz,550 kHz或可调280 kHz至700 kHz 应用 终端产品 低压,高密度分布式电源系统 FPGA 微处理器 ASICs 便携式计算机/笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 160次 阅读

NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

C转换器采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,可提供高达30 A的电流。 特性 优势 效率高 降低功耗并减少散热问题 4.5 V至18 V输入范围 允许使用5 V或12 V母线进行操作 综合mosfets 简化设计并提高可靠性 可调节软启动时序,输出电压 设计灵活性 过压,欠压和过流保护 安全启动到预偏置输出 应用 终端产品 高电流POL应用 为asics,fpga和DSP供电 基站 服务器和存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 180次 阅读

NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器

5是一款带内部MOSFET的15 A DC / DC转换器,设计灵活。该器件可提供低至0.6V至输入电压80%以上的可调输出电压。功能包括可调电流限制,输出电压和软启动时序。引脚可选功能可实现550 kHz或1 MHz的开关频率,选择DCM / CCM工作模式,以及在过流期间锁定或打嗝模式的能力。该器件可配置为在超声模式下工作,以避开音频带。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm TQFN封装。 特性 优势 准确0.6 V参考 可调输出以设置所需电压低至0.6 V DCM / CCM可选择选项 在不连续模式下操作以在轻负载下提高效率 550kHz / 1.1MHz开关频率 选择更高效率或更小输出滤波器的设计灵活性 超声波模式 保持电容器不发出声音 热增强型QFN封装 3个裸露焊盘散布更高 4.5 V至21 V的宽工作范围 允许跨多个应用程序使用 可调软启动 允许在通电期间平稳上升 应用 终端产品 计算/服务器 数据通信/网络 FGPA,ASIC,DSP电源 12 V负载点 桌面 服务器 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 220次 阅读