0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

一文详解MOSFET的导通电阻

h1654155282.3538 来源:新能源汽车动力系统技术 作者:新能源汽车动力系 2021-05-01 17:26 次阅读

对于MOSFET,欧姆电阻不仅仅只考虑沟道电阻,对于阻断电压在50V以上的器件中低掺杂中间区域的电阻起到决定作用。

pIYBAGB9TP2AYLhYAALLfzqKSQc422.png

Mosfet中电流通路和电阻

o4YBAGB9TQKAdCMzAARRfcvf714084.png

分析内阻的功率VD-MOSFET结构电流

RON= RCS +RN++RCH+RA+RJFET+RD+RSUB+RCD

1)源接触电阻RCS:N+源区与源电极(S)之间的接触电阻;

o4YBAGB9TdSAR8l8AAFk81p-dVo806.png

ρC:元胞结构内每个N+源区的接触电阻;

WC:接触口窗口宽度;

WS:N+源区离子注入窗口宽度;

Z:图中横截面垂直方向的元胞长度;

通常采用低势垒的金属接触,比如钛或者钛硅化物来降低特征接触电阻。

2)源区电阻RN+:电流从接触孔进入N+源区到达沟道之前必须沿源区流过;

o4YBAGB9TfaAKZT3AADhh99wkr4612.png

3)沟道电阻RCH:

pIYBAGB9TRSAK4ATAAG5gfsRTeQ681.png

4)积累电阻RA:

o4YBAGB9Tk6ATC1dAABZFSEb6CQ083.png

5)JFET电阻RJFET:

pIYBAGB9TYiAQZ7aAABU_tiH-CI487.png

6)漂移区电阻RD:

o4YBAGB9TSWAcXwaAAGafA9bdGo392.png

7)N+衬底电阻RSUB:

pIYBAGB9TX-AGqV-AAA8A-EyCB0067.png

8)漏接触电阻RCD:

通常采用低势垒的金属接触,钛作为接触层,镍作为阻挡层,银层作为焊料层。

VD-MOSFET总导通电阻统计:

o4YBAGB9TUeAe78dAAcM7k2sm1U425.png


责任编辑人:CC

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    139

    文章

    6388

    浏览量

    209724
  • 导通电阻
    +关注

    关注

    0

    文章

    331

    浏览量

    19565
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    #电路原理 #电路知识 MOSFET通电阻

    电阻MOSFET元器件电路原理FET
    电子技术那些事儿
    发布于 :2022年08月18日 21:34:47

    测量MOS管通电阻的意义

    测量MOS管的通电阻除了在选定开关时有用,还在哪些方面有重要的意义?
    发表于 05-17 10:44

    什么是接地通电阻测试仪?

    来模拟种故障条件。接地连接测试仪也采用欧姆定律的原理。它们测量保护接地线和金属外壳上测试点之间的电压降,利用已知的电压降和施加的电流来计算最终的电阻测量值。  设计接地通电阻测试仪
    发表于 09-30 09:38

    浅析降低高压MOS管通电阻的原理与方法

    通电阻分别在不同的功能区域。将阻断电压与通电阻功能分开,解决了阻  断电压与通电阻的矛盾,同时也将阻断时的表面PN结转化为掩埋PN结,在
    发表于 11-01 15:01

    开关的通电阻对传递函数的影响

    篇和上上篇介绍了“升降压转换器的传递函数导出示例”的其1和其2。本文将探讨“开关的通电阻对传递函数的影响”。本次也采用同样的方法展开探讨。推导出的传递函数同样为和,同样按两个步骤来推导。开关
    发表于 11-30 11:48

    SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别

    最小值。般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10~15V,而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V前后驱动,以充分获得低通电阻
    发表于 11-30 11:34

    EN系列可保持低通电阻与开关速度,改善噪声性能

    MOSFET的低噪声特性与SJ MOS的低通电阻特性的系列产品。下面是ROHM第代标准特性的AN系列、其他公司同等产品及EN系列的噪声特性比较图。EN系列因其保持了平面
    发表于 12-05 10:00

    SiC-MOSFET有什么优点

    方面,按照现在的技术水平,SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低,所以沟道部的阻抗比Si器件要高。因此,越高的门极电压,可以得到越低的通电阻(VCS=20V以上则逐渐
    发表于 04-09 04:58

    SiC功率器件SiC-MOSFET的特点

    方面,按照现在的技术水平,SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低,所以沟道部的阻抗比Si器件要高。因此,越高的门极电压,可以得到越低的通电阻(VCS=20V以上则逐渐
    发表于 05-07 06:21

    请问MOS管是如何仿真在不同频率点的通电阻吗?

    请问有人知道MOS管作为开关如何仿真在开启与中断状态下,不同频率点的通电阻吗?我想仿真上图的SW在Vsw不同状态下MOS管的通电阻,用了下面的testbench 使用sp仿真,结果
    发表于 06-25 07:59

    SiC-MOSFET器件结构和特征

    方面,按照现在的技术水平,SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低,所以沟道部的阻抗比Si器件要高。  因此,越高的门极电压,可以得到越低的通电阻(VCS=20V以上则
    发表于 02-07 16:40

    降低高压MOSFET通电阻的原理与方法

    PN结转化为掩埋PN结,在相同的N-掺杂浓度时,阻断电压还可进步提高。  内建横向电场MOSFET的主要特性  1、 通电阻的降低  INFINEON的内建横向电场的
    发表于 02-27 11:52

    碳化硅SiC MOSFET:低通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管

    Toshiba研发出种SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其将嵌入式肖特基势垒二极管(SBD)排列成格子花纹(check-pattern embedded SBD),以降低
    发表于 04-11 15:29

    通电阻,导通电阻的结构和作用是什么?

    通电阻,导通电阻的结构和作用是什么? 传统模拟开关的结构如图1所示,它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成,可使正负信号传输,如果将不同VI
    发表于 03-23 09:27 4929次阅读

    MOSFET的导通电阻的概念及应用场合介绍

    MOSFET的导通电阻
    的头像 发表于 08-14 00:12 1.3w次阅读