对于MOSFET,欧姆电阻不仅仅只考虑沟道电阻,对于阻断电压在50V以上的器件中低掺杂中间区域的电阻起到决定作用。
Mosfet中电流通路和电阻
分析内阻的功率VD-MOSFET结构电流图
RON= RCS +RN++RCH+RA+RJFET+RD+RSUB+RCD
1)源接触电阻RCS:N+源区与源电极(S)之间的接触电阻;
ρC:元胞结构内每个N+源区的接触电阻;
WC:接触口窗口宽度;
WS:N+源区离子注入窗口宽度;
Z:图中横截面垂直方向的元胞长度;
通常采用低势垒的金属接触,比如钛或者钛硅化物来降低特征接触电阻。
2)源区电阻RN+:电流从接触孔进入N+源区到达沟道之前必须沿源区流过;
3)沟道电阻RCH:
4)积累电阻RA:
5)JFET电阻RJFET:
6)漂移区电阻RD:
7)N+衬底电阻RSUB:
8)漏接触电阻RCD:
通常采用低势垒的金属接触,钛作为接触层,镍作为阻挡层,银层作为焊料层。
VD-MOSFET总导通电阻统计:
责任编辑人:CC
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