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三星下半年开始向DDR5过渡 DDR5比上一代产品速度快一倍

章鹰观察 来源:电子发烧友整理 作者:章鹰 2021-03-25 14:17 次阅读


据台湾媒体报道, 3月25日,三星电子宣布新一代内存芯片计划,访问速度将在现有技术的基础上提高一倍,并提供迄今为止最大的容量,从而加速数据中心和超级计算机的转型。

作为全球最大内存芯片制造商,三星表示,512GB DDR5 内存模块将扩展其现有产品组合,采用 HKMG(High-K Metal Gate) 制程,DDR5 的内存速度将是目前 DDR4 的两倍,同时减少功率泄漏,并减少13%的功耗。

行业资料显示,与DDR4内存相比,DDR5标准性能更强,功耗更低,起步频率至少4800MHz,最高6400MHz。其它变化还有,电压从1.2V降低到1.1V,同时每通道32/40位(ECC)、总线效率提高、增加预取的BankGroup数量以改善性能等。三星称,DDR5 速度高达7200Mb/s,共有40个DRAM 芯片,每个DRAM芯片拥有8层 16Gb DRAM,这些模块堆栈在一起,采用 TSV(Through-Silicon-Via, 硅穿孔) 技术。

TSV 于 2015 年首次在 DRAM 中使用,当时三星推出了容量高达 256GB 的服务器模块。三星预计,将在今年下半年开始向 DDR5 的过渡。

三星表示,除了与两家主要的 CPU 供货商英特尔及和 AMD(AMD-US) 合作,也向数据中心平台的开发者,发送了新内存的样品。

分析师估计,DDR5 芯片将比 DDR4 芯片大 20% 左右,这将加大半导体供应链的压力。三星打算今年开始出货,并逐步改进其制造工艺及定价。三星认为,预计 2023 年下半年,DDR5 将开始取代 DDR4。

TrendForce Research 副总裁 Avril Wu 表示,随着 DDR5 的渗透率逐渐提高,预计 DRAM 的短缺,将在 2022 年持续存在,价格可能较最初上涨 30-40%。


本文资料来自矩亨网和快科技,本文整理发布。

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