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硬创早报:三星全球首秀3nm!电压只需0.23V

电子工程师 来源:半导体产业基金 作者:半导体产业基金 2021-03-23 10:36 次阅读

【巴西:华为不会成为该国政府使用的5G网络供应商】据外媒报道,巴西通信部长法比奥·法里亚在国会5G工作组公开听证会上表示,华为将不会被列入政府将使用的5G和私人通信网络供应商之列。当议员们询问华为是否可能被禁止参与某些特定项目时,法里亚表示,华为不符合巴西电信公司Anatel最近提出的竞标要求。不过,法里亚表示,巴西政府不会阻止任何国家或组织在巴西开展业务,但可以为自己的网络定义标准,比如要求供应商遵守与巴西上市公司相兼容的公司治理规则。

产业要闻

三星全球首秀3nm!电压只需0.23V

IEEE ISSCC国际固态电路大会上,三星(确切地说是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm工艺制造的芯片,是一颗256Gb(32GB)容量的SRAM存储芯片,这也是新工艺落地传统的第一步。

在三星路线图上,14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工艺节点,其他则是升级改善型,包括11/8/6/5/4nm等等。

三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术,再次实现了晶体管结构的突破,比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。

GAAFET技术又分为两种类型,一是常规GAAFET,使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin),二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管),使用的鳍更厚更宽一些,称之为纳米片(nanosheet)。

三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET,容量256Gb,面积56平方毫米,最令三星骄傲的就是超低功耗,写入电流只需要区区0.23V,这要感谢MBCFET的多种省电技术。

按照三星的说法,3GAE工艺相比于其7LPP,可将晶体管密度增加最多80%,性能提升最多30%,或者功耗降低最多50%。

或许,这可以让三星更好地控制芯片功耗、发热,避免再出现所谓的“翻车”。

三星3nm预计明年投入量产,但尚未公布任何客户。

台积电方面,3nm继续使用FinFET技术,号称相比于5nm晶体管密度增加70%,性能可提升11%,或者功耗可降低27%,预计今年晚些时候投入试产,明年量产,客户包括除了苹果、AMD、NVIDIA、联发科赛灵思博通高通等,甚至据说Intel也会用。

芯片短缺蔓延至手机市场:骁龙888短缺 三星中低端机型生产受阻

据国外媒体报道,自2020年下半年以来,芯片短缺问题就成为半导体行业的主旋律。如今,芯片短缺问题日益严重,包括汽车、手机、游戏机、PC在内的产业相继受到影响。

据悉,高通是HTC、索尼、诺基亚、LG、三星等公司的芯片供应商。而在国内,华为、中兴、联想、小米、海信、海尔等大多也都采用高通的骁龙处理器。如今,高通也出现了芯片短缺问题。

在过去几个月,高通芯片的需求飙升。然而,高通又难以满足高于预期的需求,部分原因是其芯片中使用的一些子部件出现短缺。

一位来自三星供应商的知情人士表示,高通芯片短缺对三星中低端机型的生产构成了冲击。而来自另一家三星供应商的知情人士也表示,高通的最新旗舰芯片骁龙888也出现短缺,但他并未透露这是否会影响三星高端手机的生产。

此前,小米和Realme都承认芯片组市场存在巨大短缺。在2月24日晚间,小米中国区总裁、Redmi品牌副总裁兼总经理卢伟冰曾在微博上表示:“今年芯片太缺了,不是缺,而是极缺。”

此外,Realme相关负责人也表示:“高通主芯片、小料都缺货,其中包括电源类和射频类的器件。”

手机供应链人士曾透露,高通全系列物料的交付期限已延长至30周以上,其中CSR蓝牙音频芯片的交付周期已达33周以上。

资本市场动态

一级市场

半导体及AIOT领域一级市场融资事件整理如下:

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二级市场

科创板及创业板半导体及AIOT相关公司上市状态更新如下:

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-END-

责任编辑:lq

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原文标题:硬创早报:三星全球首秀3nm 电压只需0.23V;芯片短缺蔓延至手机市场;巴西称华为不会成为该国政府使用的5G网络供应商

文章出处:【微信号:chinabandaoti,微信公众号:半导体产业基金】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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