为了改善晶体管的开关特性,减小晶体管的损耗,在晶体管基极驱动电路的设计上会采取一些加速措施。如下:
加速电路一
在加速电路一中,并联在RB两端的电容CB称为加速电容,数值一般在1nf~3.3nf。当Nb上端产生一个正的驱动电压时,由于电容两端电压不能突变,上电瞬间电容如同短路,因此可认为为VT1提供了很大的正向基极电流,使晶体管迅速导通。之后,电容CB被充电至激励电压的峰值而进入稳态。当晶体管的驱动电压突变为0时,还是因为电容电压不能突变,CB两端的电压加到VT1的发射结上,可以形成很大的反向基极抽取电流,使VT1迅速关闭并进入问题。
加速电路二
在加速电路二中,高速开关二极管IN4148与电阻R1的作用是当晶体管VT1截止时,为反向基极电流提供一个低阻抗的通路。
加速电路三
在加速电路三中,并联在基极电阻RB两端的高速开关二极管IN4148的作用是当晶体管VT1截止时,为反向基极电流提供通路,迅速释放基极与发射极间电容储存的电量,加快晶体管的关闭。
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