0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

使用AD584电压参考和晶体管实现大功率并联稳压器的设计

电子设计 来源:电子技术设计 作者:电子技术设计 2021-03-15 16:14 次阅读

可通过将VIN和VOUT连接在一起或使VIN保持开路的方式,将一些电压参考用作并联稳压器。但是,此类器件仅可在低电流情况下(典型限值约为10mA)使用。标准的齐纳二极管具有相同的特性,可在高达1W的功率下运行,但其易受大串联电阻的影响。

同时使用AD584电压参考和外部通道晶体管(如NTE-244)可实现处理高达50W功率的并联稳压器的合成。图1所示的电路可用于削减大电流、长持续时间、过电压脉冲,或用作浮空串联压降。

图1:该电路可用于削减大电流、长持续时间、过电压脉冲,或用作浮空串联压降。

AD584电压参考将精密的带隙参考单元、误差放大器和反馈网络结合在一起。直接访问带隙输入可使内部反馈网络被外部通道晶体管和反馈网络所取代。这样就可以在V+和V-端子之间获得稳定的电压。电路包含R13和REB是为了为AD584提供合适偏置,而包含的10nF和0.1μF旁路电容则用来提高稳定性。

RSCALE的值可通过如下公式计算:

VOUT=V+- V-=VBG×(RSCALE/RBG+1)

其中VBG=1.22V。

从数据手册中可以看到,AD584中的内部反馈电阻的值为36kΩ和12kΩ,引脚3处所需的电压为V-+2.5V。因此,可使用如下公式计算R13的值:

12kΩ/(12kΩ+(36kΩ||R13))×(V+- VEB)=2.5V

可将该等式简化为:

R13=-36kΩ×(V+- 2.5- VEB)/(V+- 10 - VEB)

对于NTE-244,VEB=1.5V,因此等式可变为:

R13=36kΩ×(V+- 4)/(11.5 - V+)

图2显示了以五个电压值为例的曲线图。在电压较低的情况下,该电路可吸收5A的电流;在输出电压较高的情况下,该电路可应对50W~60W的功率,当然这取决于NTE-244功率器件的合理散热和温度降额。注意,在更大的电流范围内运行时,该电路的调节性能远优于齐纳二极管。

图2:以五个电压值为例的曲线图。

责任编辑:gt

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 二极管
    +关注

    关注

    144

    文章

    9011

    浏览量

    161313
  • 稳压器
    +关注

    关注

    24

    文章

    4088

    浏览量

    92022
  • 晶体管
    +关注

    关注

    76

    文章

    9053

    浏览量

    135171
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    消费类电子大功率空中交通控制的RF功率晶体管

    (MicrosemiCorporation)扩展其基于碳化硅衬底氮化镓(GaNonSiC)技术的射频(RF)晶体管系列,推出新型S波段500WRF器件2729GN-500,新器件瞄准大功率空中交通控制机场监视雷达(ASR
    发表于 12-06 17:09

    高频中、大功率晶体管

    高频中、大功率晶体管一般用于视频放大电路、前置放大电路、互补驱动电路、高压开关电路及行推动等电路。常用的国产高频中、大功率晶体管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E
    发表于 08-17 14:26

    晶体管的开关作用有哪些?

    有效芯片面积的增加,(2)技术上的简化,(3)晶体管的复合——达林顿,(4)用于大功率开关的基极驱动技术的进步。、直接工作在整流380V市电上的晶体管功率开关
    发表于 10-25 16:01

    晶体管稳压器并联后可以取消散热

    范围在400至800之间,这也是更低THD和IMD的一个原因。 并联更小功率的线性稳压器代替单个大功率稳压器
    发表于 11-30 17:04

    什么是RF功率晶体管耐用性验证方案?

    目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)
    发表于 08-22 08:14

    射频功率晶体管究竟有多耐用?

    目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配,即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)
    发表于 08-22 06:13

    晶体管晶圆芯片

    供应晶圆芯片,型号有: 可控硅, 中、大功率晶体管,13000系列晶体管,达林顿晶体管,高频小信号晶体管,开关二极
    发表于 02-17 16:24

    IB2729M170大功率脉冲晶体管

    `IB2729M170是专为S波段ATC雷达系统设计的大功率脉冲晶体管,该系统工作在2.7-2.9 GHz的瞬时带宽上。 在C类模式下工作时,该通用基础设备在100µs脉冲宽度和10%占空比的条件下
    发表于 04-01 09:48

    如何使用KTA431TL431的高精度稳压器

    设计电路时务必注意不要让晶体管的最大功率损耗大于晶体管的额定功率.并注意加散热片进行散热处理。 为了防止稳压器自激.在
    发表于 05-10 07:00

    三端稳压器扩流的电路应用资料推荐

    三端稳压器扩流电路,输入端的6.1欧姆电阻用于电流检测,当负载电流上升至约50mA时,两端电压约0.3V,PNP型大功率管3AD53开始导通分流,最大可承受6A的负载电流。同时,由于LM317的限制
    发表于 05-14 06:46

    太阳能光伏电源中,串联与并联稳压器拓扑的相对优势

    晶体管的基极,当 Vout < Vsetpoint 时增加驱动和负载电流,当 Vout > Vsetpoint 时减小它们。在图 2(并联稳压器)中,引脚 6 驱动 D44 NPN 并联
    发表于 10-14 07:00

    用于大功率和频率应用的舍入 GaN 基晶体管

    和频率电子应用中实现更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高电压转换我们首先要宣布的是来自意法半导体的消息。最近,它推出了 VIPERGAN50,一种基于 GaN 晶体管
    发表于 06-15 11:43

    大功率晶体管的修理

    大功率晶体管的修理
    发表于 08-22 16:08 355次阅读
    <b class='flag-5'>大功率</b><b class='flag-5'>晶体管</b>的修理

    大功率晶体管是什么器件_大功率晶体管优缺点

    大功率晶体管是指在高电压、大电流的条件下工作的晶体管。一般被称为功率器件,属于电力电子技术(功率
    发表于 03-01 09:39 1092次阅读

    三相大功率稳压器工作原理 三相大功率稳压器怎么使用

    和使用方法。 一、工作原理 三相大功率稳压器使用了自动控制和电子技术,通过不同的控制方式对输入电压进行调整,以实现输出电压的稳定。其基本工作
    的头像 发表于 11-20 14:19 789次阅读