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先进封装技术将成为突破半导体产业的关键

2021-03-05 15:46 次阅读

半导体产业是现代信息技术基础

点沙成金的半导体行业

IC封装就是把Foundry生产出来的芯片裸片(die)封入一个密闭空间内,受外部环境、杂质和物理作用力的影响,同时引出相应的引脚,最后作为一个基本的元器件使用。IC测试就是运用各种方法,检测出在制造过程中,由于物理缺陷导致的不合格芯片样品,主要分为两个阶段:一是进入封装之前的晶圆测试;二是封装后的IC成品测试。

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1、OSAT将成为封测行业的主导模式

集成电路封测属于IC产业链偏下游的行业,通常封装和测试都是一体的,即做完封装后直接进行产品的测试。随着人们对集成电路品质的重视,也有测试产业也逐步从封测产业独立出来,成为不可或缺的子行业。

IDM和OSAT(Outsourced Semiconductor Assembly&Test,半导体封装测试代工模式)是半导体封测产业的两种主要模式。Gartner数据显示,OSAT模 式一直呈增长态势,2013年以后OSAT模式的产业规模就超过了IDM模式,2018年OSAT和IDM模式市场占比分别为54%、46%,伴随着半导体行业垂直分工趋势,OSAT模式将成为封测行业的主导模式。

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2、从传统封装技术到先进封装技术

集成电路封装技术的发展是伴随着集成电路芯片的发展而发展起来的,通常而言,“一代芯片需要一代封装”。封装的发展史也是芯片性能不断提高、系统不断小型化的历史。随着集成电路器件尺寸的缩小和运行速度的提高,对集成电路也提出新的更高要求。

回顾封装产业发展历程,我们按照封装技术进程,以 2000年为节点,将封装产业分为传统封装阶段和先进封装阶段。

传统封装:

传统封装技术发展又可细分为三阶段。其特点可总结如下,技术上:To-DIPLCC-QFP-BGA-CSP;引脚形状:长引线直插-短引线或无引线贴装-球状凸点焊接;装配方式:通孔封装-表面安装-直接安装;键合方式:引线连接-焊锡球连接。

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阶段一(1980以前):通孔插装(Through Hole,TH)时代,其特点是插孔安装到PCB上,引脚数小于 64,节距固定,最大安装密度10引脚/cm2,以金属圆形封装(TO)和双列直插封装(DIP)为代表;

阶段二(1980-1990):表面贴装(Surface Mount,SMT)时代,其特点是引线代替针脚,引线为翼形或丁形,两边或四边引出,节距1.27-0.44mm,适合3-300条引线,安装密度10-50引脚/cm2,以小外形封装(SOP)和四边引脚扁平封装(QFP)为代表;

阶段三(1990-2000):面积阵列封装时代,在单一芯片工艺上,以焊球阵列封装(BGA)和芯片尺寸封装(CSP)为代表,采用“焊球”代替“引脚”,且芯片与系统之间连接距离大大缩短。在模式演变上,以多芯片组件(MCM)为代表,实现将多芯片在高密度多层互联基板上用表面贴装技术组装成多样电子组件、子系统。

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先进封装:自20世纪90年代中期开始,基于系统产品不断多功能化的需求,同时也由于CSP封装、积层式多层基板技术的引进,集成电路封测产业迈入三维叠层封装(3D)时代。具体特征表现为:(1)封装元件概念演变为封装系统;(2)单芯片向多芯片发展;(3)平面封装(MCM)向立体封装(3D)发展(4)倒装连接、TSV 硅通孔连接成为主要键合方式。具体的先进封装囊括倒装、晶圆级封装以及POP/Sip/TSV等立体式封装技术,其特征分述如下:

3D封装技术:MCM技术集成多个集成电路芯片实现封装产品在面积上的集成,那么让芯片集成实现纵向上的集成则是3D封装技术的主要功效。3D封装可以通过两种方式实现:封装内的裸片堆叠和封装堆叠。封装堆叠又可分为封装内的封装堆叠和封装间的封装堆叠。3D封装会综合使用倒装、晶圆级封装以及POP/Sip/TSV等立体式封装技术,其发展共划分为三个阶段:第一阶段采用引线和倒装芯片键合技术堆叠芯片;第二阶段采用封装体堆叠(POP);第三阶段采用硅通孔技术实现芯片堆叠。

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倒装芯片技术(Flip Chip,FC)不是特定的封装类型,而是一种管芯与封装载体的电路互联技术,是引线键合技术(Wire Bond,WB)和载带自动键合技术(Tape Automated Bonding,TAB)发展后的更高级连接技术。WB与TAB的芯片焊盘限制在芯片四周,而FC则将裸芯片面朝下,将整个芯片面积与基板直接连接,省掉了互联引线,具备更好的电气性能。

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圆片级封装技术(Wafer Level Package,WLP)技术是在市场不断追求小型化下,倒装技术与SMT和BGA结合的产物,是一种经过改进和提高的CSP。圆片级封装与传统封装方式(先切割再封测,封装后面积至少>20%原芯片面积)有很大区别,WLP技术先在整片晶圆上同时对众多芯片进行封装、测试,最后切割成单个器件,并直接贴装到基板或PCB上,因此封装后的体积等于芯片原尺寸,生产成本也大幅降低。WLP又可称为标准WLP(fanin WLP),随后又演化出扩散式WLP(fan-out WLP),是基于晶圆重构技术,将芯片重新布置到一块人工晶圆上,然后按照与标准WLP工艺蕾丝步骤进行封装。

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堆叠封装(Package on Package,PoP)属于封装外封装,是指纵向排列的逻辑和储存元器件的集成电路封装形式,它采用两个或两个以上的BGA堆叠,一般强抗下逻辑运算位于底部,储存元器件位于上部,用焊球将两个封装结合,主要用于制造高级便携式设备和智能手机使用的先进移动通讯平台。

硅通孔技术(TSV,Through-Silicon-Via)也是一种电路互联技术,它通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通,实现芯片之间互连。与以往的IC封装键合和使用凸点的叠加技术不同,TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大,外形尺寸最小,并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。TSV是2.5D和3D封装的关键技术。

系统级封装技术(System in a Package,SiP)是将多种功能芯片,包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内,从而实现一个基本完整的功能。与系统级芯片(System On a Chip,SoC)相对应。不同的是系统级封装是采用不同芯片进行并排或叠加的封装方式,而 SOC则是高度集成的芯片产品。

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整体而言,封装技术经历了由传统封装(DIP、SOP、QFP、PGA等)向先进封装(BGA、CSP、FC、WLP、TSV、3D堆叠、SIP等)演进。目前全球集成电路主流封装技术为第三代封装技术,即BGA(球栅阵列封装)、CSP(芯片级封装)、FC(倒装芯片)。其中倒装芯片封装技术被认为是推进低成本、高密度便携式电子设备制造所必需的项工艺,已广泛应用于消费类电子领城。而第四代封装技术,WLP(晶圆级封装)、TSV(硅通孔技术)、SIP(系统级封装)等仍在小规模推广中,在技术升级下它们亦将会成为未来封装方式的主流。

3、国内封装产业率先突围

全球IC封测产业规模一直保持着个位数增长的态势(除2014年激增导致2015年数据略降外),2017年全球封测行业收入533亿美元,占半导体行业整体收入的13%,2018年全球封测行业收入预计560亿美元,保持4.5%的增速。根据前25名封测厂商所在区域统计,中国台湾以53%的销售额占据了封测行业的半壁江山,紧随其后的为中国大陆和美国,分别以21%和15%的份额排名第二、第三,马来西亚、韩国、新加坡、日本则分别占据4%、3%、2%、2%的份额。从市场占比来看,国内封装企业已经进驻全球第一梯队,具备一定的国际竞争力。

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当前摩尔定律逐渐到头,IC成本不断上升,促使业界开始依靠IC封装来扩大在超越摩尔时代的获利。因此,得益于对更高集成度的广泛需求,以及下游5G、消费类、存储和计算、物联网、人工智能和高性能计算等大趋势的推动,先进封装将成为推进IC封装产业的主推动力。根据Yole数据,2018年先进封装与传统封装占比分别为42.1%和57.9%,同时预测,截止2024年行业整体复合增长率为5%,其中,先进封装占比将达到49.7%,符合增长率达8.2%,占据行业整体份额的一半;传统封装则保持2.4%的复合增长率,份额逐步缩小。

从先进封装技术平台细分来看,倒转技术应用最广,占据75%左右的市场份额,其次为Fan-in WLP和Fan-out WLP。从未来发展速度来看,Yole预测2018-2024年,2D/3D TSV技术、嵌入式封装技术Embedded Die(使用复合基板)、Fan-out WLP因未来广阔的市场空间而增速较快,分别将保持26%、49%、26%的复合增长率。其中Fan-out将主要用于移动互联、网络、汽车领域;2D/3D TSV技术将主要应用于人工智能(AI)/机器学习(ML)、高性能计算(HPC)、数据中心、图像传感器、微机电领域;Embedded Die技术则主要应用于汽车和医疗领域。

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受益于下游消费电子产业的崛起以及半导体产业转移趋势,中国IC封测行业快速发展,自2015年以来,保持两位数增长趋势,远高于全球增速水平。据前瞻产业研究院发布的统计数据显示,2018年我国集成电路封装测试行业市场规模突破2000亿元,达到了2193.9亿元,同比增长16.1%。

中国先进封装占比低但成长迅速。虽然近年来国内领先企业在先进封装领域取得较大突破,先进封装的产业化能力基本形成,但在高密度集成等先进封装方面中国封装企业与国际先进水平仍有一定差距。目前我国IC封装市场中,还是DIP、QFP、QFN/DFN等传统封装技术占主体,据集邦咨询顾问统计,2018年中国先进封装营收约为526亿元,占中国IC封测总营收的25%,远低于全球42.1%的比例。国内先进封装的市场份额也仅占全球10%左右的市场份额。Yole数据显示,中国封测企业2018年在先进封装领域加速提高产能,增长率高达16%,是全球的2倍,其中长电科技在收购星科金鹏之后,其先进封装产品出货量全球占比7.8%(2017年),排名第三,仅次于英特尔和矽品。

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收购兼并是国内封测企业起步的契机。国内封装企业以长电科技与通富微电为代表,2018年市场规模分别为233.36亿元和71.64,分别占国内市场份额的11%和3%。封装行业技术门槛低,需要通过不断加大投资来提高边际产出,因此行业公司往往追求产量规模的扩大。我国封测企业的快步发展有赖于开启对海内外的并购,不断扩大公司规模。如长电科技联合产业基金、芯电半导体收购新加坡封测厂星科金朋,华天科技收购美国FCI,通富微电联合大基金收购AMD苏州和槟城封测厂,晶方科技则购入英飞凌智瑞达部分资产。

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半导体

半导体行业发展趋势

后摩尔定律时代

摩尔定律是由Gordon Moore在1965年提出的集成电路特征尺寸随时间按照指数规律缩小的法则,具体可归纳为:集成电路芯片上所集成的电路数目,每隔18个月就翻一番。在半导体行业发展的前50年,真实晶体管的密度发展规律基本遵循摩尔定律,人类社会飞速进入信息时代,同时在半导体工业界也诞生了一大批巨无霸企业,比如Intel和Qualcomm等等,摩尔定律成为指导半导体行业的发展蓝图。当前半导体制程已拓展至7nm,特征尺寸越来越接近宏观物理和量子物理的边界,导致高级工艺制程的研发越来越困难,研发成本也越来越高,摩尔定律逐渐到达极限。

2010年国际半导体技术发展路线图(ITRS)将晶体管密度预计修订为:到2013年低,每个集成电路上集成的晶体管数目增速将会放缓,变为每三年翻一番。此外,在摩尔定律面临来自物理极限、经济限制等多重压力的现实下,集成电路技术潮流分化为延伸摩尔(More Moore)、超越摩尔(More than Moore)和超越CMOS(Beyond CMOS)三个主要方向,系统集成、系统封装以及新材料新技术成为行业技术突破方向。

延伸摩尔:继续以等比缩小CMOS器件的工艺特征尺寸,集成各种存储器、微处理器、数字信号处理器和逻辑电路等,以信息处理数字电路为主发展系统芯片SoC技术。目前台积电、三星技术节点已达到7nm,并在继续部署5nm、3nm。当前延伸摩尔依旧是行业技术发展的主推动力。

超越摩尔:以系统级封装SiP实现数字和非数字功能、硅和非硅材料和器件、CMOS和非CMOS电路等光电、MEMS、生物芯片等集成在一个封装内,完成子系统或系统。

超越CMOS:探索新原理、新材料和器件与电路的新结构,向着纳米、亚纳米及多功能器件方向发展,发明和简化新的信息处理技术,以取代面料极限的CMOS器件。

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芯片自主可控是中国半导体行业的唯一出路。对中国半导体行业的管制和封锁是中美贸易摩擦冲突主要表现。我们对比中兴和华为事件结果来看,在中兴事件中,因为没有自主可控的技术储备,中兴最终以缴纳10亿美元罚款,撤换董事会及高层管理人员和安排美方人员监督告终;而在华为事件中,由于华为有自主研发芯片、掌握5G核心技术、注重维护产业生态链而赢得与美国的搏击机会。由此我们可以看出,随着中国半导体行业的发展,面对高端技术竞争日益激烈,只有发展高端技术,实现芯片自主可控,才是中国半导体行业的唯一出路。

国产化替代成为我国半导体产业发展契机。以华为为例,2018年核心供应商共有92家,其中大陆厂商22家,台湾厂商10家,而国外厂商60家,其中33家来自美国,11家来自日本。受制于美国将华为与70家关联企业列入实体名单影响,使得华为转而注重国内市场的开发和产业生态的保护,从国内产业发展角度来看,国产化替代成为我国半导体产业发展契机。

我们通过回溯行业发展周期及产业链技术趋势,深入剖析当前半导体行业发展局势,聚焦半导体产业投资机遇。系统集成(SoC)、系统级封装(SiP)以及新材料新技术有望成为半导体产业技术突破关键。

原文标题:后摩尔时代下先进封装技术

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意法半导体最新推出MasterGaN器件

微云智联采用Nordic设备实现nRF52833低功耗蓝牙系统级芯片

Nordic宣布总部位于北京的物联网(IoT)解决方案公司微云智联(Wayclouds) 在其“无线....
的头像 Nordic半导体 发表于 04-16 14:11 181次 阅读
微云智联采用Nordic设备实现nRF52833低功耗蓝牙系统级芯片

拜登宣称“中国欲主导半导体供应链,美国不能坐视”

美国的半导体产业曾享有先发优势。在生产端逐渐转移至亚洲、本土专注研发后,如今供应端被“扼住喉咙”。拜....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-16 14:03 264次 阅读
拜登宣称“中国欲主导半导体供应链,美国不能坐视”

美国邀请19家企业讨论全球半导体芯片短缺问题

会议消息一出,除欧美媒体报道以外,亚洲地区的一些媒体也关注到了此事。韩联社就在报道中提到,三星电子将....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-16 14:00 335次 阅读
美国邀请19家企业讨论全球半导体芯片短缺问题

台积电正在为某超高音速DD的芯片进行代工

先让台积电前往美国投资建造6个工厂,转身却开始扶持英特尔等“老玩家”,就是为了能够让台积电在美国壮大....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-16 13:58 372次 阅读
台积电正在为某超高音速DD的芯片进行代工

TVS二极管SMBJ440CA/A参数介绍

TVS管在电子行业中早已不是什么新鲜的产品了,因为大多数工程师都知道,TVS管是一种比较常用的新型高....
发表于 04-16 13:55 65次 阅读
TVS二极管SMBJ440CA/A参数介绍

压电MEMS传感器全球领导者Vesper近日宣布完成了新一轮800万美元融资

“Applied Ventures很高兴能领投这一轮投资,将Vesper纳入我们从材料到系统的投资组....
的头像 MEMS 发表于 04-16 11:50 246次 阅读
压电MEMS传感器全球领导者Vesper近日宣布完成了新一轮800万美元融资

以色列陀螺仪厂商Cielo目前正在开发下一代惯性传感器技术

该新技术基于芯片可集成的高Q(品质因数)光学腔。我们正在使用最新的集成光子技术,将传感器的尺寸从现有....
的头像 MEMS 发表于 04-16 11:44 307次 阅读
以色列陀螺仪厂商Cielo目前正在开发下一代惯性传感器技术

智慧出行科技园,探索未来广阔发展空间

自5G正式商用以来,信息传输的瓶颈被彻底打破,数字化建设迎来黄金期,推动了万物互联产业的高速发展,也....
的头像 e星球 发表于 04-16 10:52 390次 阅读
智慧出行科技园,探索未来广阔发展空间

请问如何在复杂IC上设计测试与测量仪器?

如何在复杂IC上设计测试与测量仪器? 在IC中设计测试仪器的潮流开始于什么? 如何在高速I/O块中建立分析仪器?...
发表于 04-15 07:06 0次 阅读
请问如何在复杂IC上设计测试与测量仪器?

请问怎样去测试存储器芯片?

存储器芯片是什么? 存储器可分为哪几类? 存储器术语的定义有哪些? 如何去测试存储器芯片的功能? 测试向量是什么?它的执...
发表于 04-15 06:18 0次 阅读
请问怎样去测试存储器芯片?

求助如何用AD8302去实现RF/IF幅度和相位测量?

AD8302是什么? AD8302主要有哪几种工作方式? AD8302在幅相检测系统中的应用有哪些? ...
发表于 04-15 06:11 0次 阅读
求助如何用AD8302去实现RF/IF幅度和相位测量?

请问怎么设计一种面向嵌入式存储器测试和修复的IIP?

怎么设计一种面向嵌入式存储器测试和修复的IIP? 如何解决设计和制造过程各个阶段的良品率问题? 嵌入式存储器测试和修复技...
发表于 04-15 06:05 0次 阅读
请问怎么设计一种面向嵌入式存储器测试和修复的IIP?

如何实现SoC系统内部的实时可视性?

如何实现SoC系统内部的实时可视性? 如何在不影响系统性能的情况下采集和上载数据点? 增加SoC可视性的方法包括哪些? ...
发表于 04-15 06:03 0次 阅读
如何实现SoC系统内部的实时可视性?

SoC的发展将使测试与测量设备嵌入芯片领域

请问为什么SoC的发展能够将测试与测量设备带入芯片领域?...
发表于 04-15 06:02 0次 阅读
SoC的发展将使测试与测量设备嵌入芯片领域

求一个TO-252-2的封装

求一个TO-252-2的封装!谢谢大佬
发表于 04-14 11:16 0次 阅读
求一个TO-252-2的封装

请问AD9272、AD9273s是两款什么样的芯片?

AD9272、AD9273s是两款什么样的芯片? 真正的“单芯”是什么意思?   如何去实现性能与功耗的平衡? ...
发表于 04-14 06:47 0次 阅读
请问AD9272、AD9273s是两款什么样的芯片?

智能型直流无刷电机驱动芯片GSG3PWM6SSN相关资料分享

GSG3PWM6-S/SN采用32封装。运用了大规模集成电路设计和生产技术。采用全数字化控制方式,能够实现经换相信号或外接编码...
发表于 04-14 06:38 0次 阅读
智能型直流无刷电机驱动芯片GSG3PWM6SSN相关资料分享

请问怎样去设计一款DDS芯片?

DDS的基本原理是什么? 如何去建立DDS模型? 怎样对DDS模型进行仿真? ...
发表于 04-14 06:37 0次 阅读
请问怎样去设计一款DDS芯片?

STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V
发表于 05-20 16:05 105次 阅读
STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

FPF2290 过压保护负载开关

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 147次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 259次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 119次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 101次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 477次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 125次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 163次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 189次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 152次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 138次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 331次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 281次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 182次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 142次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 139次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 336次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 152次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 271次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 714次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5