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半导体界各大芯片厂商的“诸神之战”

科工力量 2021-03-03 17:18 次阅读

都说事不过三,但偏偏在台湾人骄傲的半导体产业里,人称“蒋爸”的蒋尚义足足伤害了大佬梁孟松三次。最终,大佬炸了锅。1997年,半导体界泰斗蒋尚义加入台积电,任职研发副总。在他的参与及推动下,台积电芯片制程研发从0.25μm狂飙到16nm,摇身一变为行业引领者。此外,他曾亲自栽培了两个爱徒,一个是梁孟松,一个是孙元成。其中,梁孟松不仅在“铜制程”一役中功劳仅次于蒋尚义,而且对台积电先进制程的掌握广度与深度几乎无人能及。

栽培有恩,梁孟松视蒋尚义为最崇敬的师傅。但这份情或许终究是“错付”。2006年,由于台积电组织架构开始臃肿,蒋尚义计划让两个研发副总共同负责研发工作。当时,梁孟松一直认为自己是不二人选。可名单出来时,一位是“空降”的英特尔技术大牛罗唯仁,一位是师兄孙元成。这让梁孟松如鲠在喉、一筹莫展,随后挥别台积电。

蒋尚义2009年,梁孟松飞到韩国兼职教书,过着半隐半退的日子。随后,三星半导体制程开始突飞猛进。对此,在台积电内部一片质疑声下,三星的成功密码也逐渐被解开。一次,梁孟松给蒋尚义寄了一封祝寿邮件,但后缀名竟然是三星。于是,台积电顺藤摸瓜、搜罗各种“罪证”,并给他寄回了一纸诉状。而当时递上邮件证据的,正是蒋尚义。此后,台湾媒体舆论迅速发酵,甚至将“投敌判将”的帽子盖在了梁孟松头上。同时,台积电在官司上也一直不依不饶。但“不用我还不给我活路”,欺人太甚!因此,他全力抗衡,带领三星2015年初在14nm制程上超越了台积电。

同年底,打了四年官司的台积电也如愿以偿,迫使梁孟松离开了三星。偌大天下岂无我梁孟松容身之地?在因何去何从而心生迷惘时,他想到了祖国大陆需要他的中芯国际。2017年10月,原竞业协议限制到期后,梁孟松正式履职中芯国际联合CEO,然后以迅雷不及掩耳之势继续创造出奇迹,推动中芯国际的芯片制程从28nm跨越到7nm。这可谓“三年干完十年的活”。然而,颇有戏剧性的是,2020年12月15日,中芯国际宣布蒋尚义加入董事会,担任副董事长等职务。俗话说,一山不容二虎,梁孟松与赵海军一起担任联合CEO已经不易,何况再来个老冤家,并且还要向他汇报。这一次,是可忍孰不可忍。当日,梁孟松不仅对蒋尚义的入职投下弃权票,还发出了一封言辞心酸、“震荡”全网的辞职信。兜兜转转十余年,在复杂情感下,两人的恩恩怨怨再次被搬上了台面。但与前两次恩怨有所不同,这一次是中芯国际技术路线战略调整下的碰撞。虽然兢兢业业的梁孟松心有不甘,但仍然选择继续留下。正如古语所说:“开则纳众家纷纭,合则融会贯通,修得明道、齐鸣大业”。或许有望两人后续相处和睦顺畅,及英雄相惜、强强联手。

01 中芯国际:战略碰撞

“不论英雄豪杰,都逃不了境遇和时代的支配。”这是近代教育家夏丏尊在作品《教育的背景》中所写,大抵也适合蒋尚义与梁孟松。由于美国政府打压,梁孟松推动的中芯国际先进制程,势必受到极大阻挠。而蒋尚义侧重的先进封装与小芯片技术,则相对不受制程限制。为保证公司稳定运营和发展,中芯国际有理由重用蒋尚义。此外,在技术路径上,随着摩尔定律遭遇瓶颈、先进工艺逼近物理极限,半导体要实现技术跃升所需的成本已越来越高,同时回报周期也在不断拉长。于是,业界普遍认为:先进封装会成为未来半导体技术的重要发展方向。受此影响,中芯国际加强对先进封装的重视,也注定了梁孟松现在的处境。但梁孟松一生都是绝对的半导体理想主义者,以及彻底的先进制程信徒。为了理想,他几乎可以玩命,甚至生命垂危时也坚守岗位。即便在台积电、三星最终惨淡收场,已年过六旬的梁孟松一直都没有放弃或停下来过。如果说以前是为了个人奋斗,但最近他说:叶落归根中芯在,半导一生忠报国。

近三年来,梁孟松带领着两千多名工程师夜以继日拼搏,并在先进制程上创造出卓越成就。目前,中芯国际28nm、14nm、12nm及N+1等技术均已进入规模量产,7nm技术开发也已经完成,预计今年四月可以进入风险量产。另外,5nm和3nm最关键、最艰巨的八大项技术也已经有序展开,只待EUV光刻机到来就能进入全面开发阶段。然而,已经74岁的蒋尚义何尝不仍是追梦者。近年来,他热衷突破先进封装技术,并倾尽心力推动武汉弘芯的发展。但最后落得一地鸡毛,甚至被讥讽“助纣为虐”。对于为何加入中芯国际,蒋尚义解释,“自己纯粹是要追求理想,因为年纪大了,机会不多了。”

相信在中芯国际实现他先进封装等梦想,可以比在弘芯快至少四至五年。在去弘芯之前,蒋尚义曾担任两年半中芯国际独立非执行董事。但据说,他并无实权,也“不敢讲话”。因为他与台积电创始人张忠谋达成口头君子协议,任职期间不做先进工艺等。如今他再次入职,是否意味着中芯国际放弃先进制程?对此,蒋尚义最近公开强调,公司先进制程和先进封装都会发展。著名文学家林语堂曾说,“梦想无论怎样模糊总潜伏在我们心底,使我们心境永远得不到宁静,直到它们成为事实。”是的,即便筚路蓝缕、两鬓斑白,蒋尚义和梁孟松仍在路上。或许命运已有安排,大陆才是他们的最终归宿。但中芯国际既要抓技术路线战略,也“不能让雷锋吃亏”。随着内讧风波再次告一段落,只等大家合力“直斩楼兰”。其实除了“引进”蒋尚义,中芯国际对先进封装也早有布局。2015年,其曾通过大举入股成为国内封装龙头长电科技的单一最大股东,后来在国家大基金入局下才退居次席。如今,随着后摩尔定律时代来临,中芯国际也在先进封装上不断加码追赶,其中包括在建四座芯片封测实验室,突破3D Fabric封装工艺,以及运行小型先进封装生产线等。

02 台积电:强势抢攻

进入新世纪,日益增长的芯片性能提升需求,与摩尔定律遭遇更难、更多瓶颈的矛盾愈发凸显。因此,在激烈的行业竞争中,先进封装逐渐成为诸多半导体巨头发力点。而经过十余年深耕,以及代工环节“移花接木”优势,台积电的先进封装技术已处于世界领先水平,因而有了现在牛气冲天的资本。在这背后,余振华、蒋尚义等人的开拓功不可没。2017年11月21日,余振华从蔡英文手中拿到台湾最高荣耀的一个科技奖项,而过去的获奖者都是“中研院”院士。当日,张忠谋不仅亲自到场祝贺,还得意洋洋向媒体讲述部属功绩:余振华得奖,靠的是他潜心研发两个先进封装技术──InFO(整合扇出型封装)和CoWoS(基板上晶圆封装)。时间回到2011年。在事关重大的28nm制程一役中,台积战胜了三星、联电、格罗方德等一众对手,但在封装技术上仍然落后英特尔等传统IDM厂商。为了扩大竞争优势,张忠谋在当年第三季度的说法会上掷出一个震撼弹:台积电正式进军先进封装领域。为此,他请回已经退休的蒋尚义重新掌舵研发,具体任务则落在了余振华的肩上。但承接重任后,岂料“高处不胜寒”。

余振华做的第一个产品叫CoWoS,即将逻辑芯片DRAM放在矽中介层,然后封装到基板。为了突破这项技术,张忠谋特意拨给他400名研发工程师。历经两年多攻坚,余振华带领团队开发出了CoWoS技术。但由于价格高企,直到量产时真正下单的客户只有一家——可程式逻辑闸阵列制造商赛灵思

此后,面对台积电内部此起彼伏的质疑声,蒋尚义、余振华等高管感到巨大压力,艰难度日。直到近两年后的一天,蒋尚义突然激动冲进张忠谋办公室,说余振华挖到了“大金矿”,即一种全新设计,能构将CoWoS结构尽量简化,并且价格可以压低到原来五分之一。这就是后来堪称划时代的InFO技术。由于InFO技术不仅“平价”,还可以大幅缩小体积、提高效能,2017年台积电获得苹果A11芯片独家大单,并进而成为许多终端客户首选。与此同时,随着人工智能等新技术发展,专注高端的CoWoS技术也迎来春天,新客户如雨后春笋般出现,其中包括AlphaGo的谷歌AI芯片,英伟达绘图芯片,英特尔与脸书合作的类神经网路芯片等。当然,这背后台积电也付出了高昂学费,五年间产线烧坏几千片昂贵晶圆。

但对自身发展战略而言,CoWoS与InFO封装技术,已成为台积电巩固行业龙头地位的关键之一。此外,封装曾一直处在产业“鄙视链”底端,但唯有台积电足够重视,并将其做到了“风生水起”。这正如古希腊文学家欧里庇得斯所说,“有远大抱负就不可忽略眼前工作”。如今,随着封装技术迭代升级,2D微缩已不足以支持系统整合需求。于是2020年8月,台积电宣布将SoIC、InFO和CoWoS等前后端技术整合在一起,推出3D Fabric,旨在持续提供业界最完整且最多用途的解决方案。同时,为抢占市场,台积电还在已有四座工厂基础上继续加码产能,如宣布投资逾700亿元在台湾竹南再建一座先进封装厂等。

03 三星、英特尔:重振旗鼓

多年来,半导体巨头台积电、三星和英特尔的博弈宛如一场“三国演义”。但正如《三国演义》中仲达所疑问:夫处世之道,亦即应变之术,岂可偏执一端?比起利润更高的芯片设计和制造,三星和英特尔并不十分重视封装环节,因此曾被技术远远落后的台积电逆转。但最终,他们也“浪子回头金不换”。众所周知,三星拥有全球唯一的内存、芯片和封装厂“一体化生产线”,因而在承制芯片的成本和整合度上具备极大优势。比如在封装技术上,三星曾采用超薄的PoP封装技术,直接将一颗1GB容量的DRAM与苹果芯片叠在一起封装,可谓省事省心省力。因此,苹果A系列芯片肥单长期由三星独揽。然而,随着Galaxy智能手机带来的威胁愈来愈大,苹果便试图摆脱对三星的依赖,并将部分芯片订单交给台积电。2016年,由于梁孟松走人,三星的先进制程再次被台积电甩开。

与此同时,在先进封装方面,台积电的InFO技术如破竹,而三星的PoP技术只是在厚度上稍微改良。于是第二年,苹果将所有A11芯片的代工订单交给了台积电。“大意失荆州”,三星在封装领域遭遇大败后,想要再冲刺自研版本的InFO技术已为时已晚。但有所欣慰的是,在2015年台积电多走部分苹果芯片订单时,三星曾成立了特别工作小组,开发FOPLP(扇出型面板级封装)技术。但这项技术并无多大建树,仅于2018年在Galaxy Watch芯片封装中商用。近年来,越来越多迹象显示,台积电通吃苹果新品的可能性已愈来愈高。受此影响,三星也在不断发力先进封装技术加快追赶,比如2019年10月推出12层3D-TSV(硅穿孔)封装技术,2020年8月又推出3D先进封装技术“X-Cube”等。三星称,通过TSV互连,X-Cube能用于7nm乃至5nm制程。这或将对台积电的先进封装技术构成一定挑战。

虽然它们的技术核心细节有所不同,但殊途同归,都将促进自身技术和产业发展。以往,三星和英特尔曾败给台积电。不过,在3D封装技术时代,最终鹿死谁手还尚难以定论。

04 日月光:惊慌“守城”

在芯片代工巨头“踩地盘”下,专业封装企业要思考的一个重要问题是:如何“守城”或者生存。目前,行业龙头日月光在封装领域具备不俗实力,不仅能提供系列先进封装技术,而且拥有充裕产能、高性及“一站式封装”等优势。整体来看,相对芯片代工厂商,日月光的市场与技术覆盖更为全面。若参考市场规模,全球传统封装与先进封装大约对半开。由此粗略推断,芯片代工厂商并不能完全伤到封装企业筋骨。但在行业风口下,“不进则退”。于是2020年8月,日月光宣布投资逾60亿元在高雄建立先进封装厂,并将持续扩大先进封装产能。这座工厂也是其“5年6厂”的阶段性成果,但相对台积电的数百亿投资规模似乎逊色了一些。其实在十年前,有关双方的竞争就已成为焦点。2011年,当台积电宣布进军先进封装时,行业顿时开始了一片喧嚣的谈论。而作为台积电的封装供应商,日月光被推到了风口浪尖,甚至遭遇一再逼问看法。

对此,日月光表示,台积电的CoWoS技术只会被用在极少数的特定高端产品中,影响有限。这话现在看来是共识,但在当时却引起轩然大波。因为它首次将代工厂与封装厂旗帜鲜明对立起来。后来,余振华在演讲中大谈台积电的先进封装。对此,一位封装界的从业人员解读为:“他的意思是你们都完了,只剩下我。”矽品研发副总裁马光华也在演讲当场发问:“你这样说,是不是我们全部没有工作了?”行业气氛瞬间到了冰点。为了狙击台积电以及在市场占据一席之地,自2012年起,台湾封装双雄日月光与矽品纷纷布局先进封装。其中,矽品申请了5公顷地,计划用于首座3D IC封装和铜柱凸块等先进封装的制造。而日月光启动回台投资计划,投资7亿美元对高雄二期新厂扩建,重心锁定高端手机芯片所需的先进封装产能。

在技术路线上,日月光更看好系统级封装(SiP)商机,并通过不断加码取得重要成果。2019年,日月光总营收25亿美元,其中SiP贡献了2.3亿美元,超出预期1.3亿美元。而矽品则比较曲折,甚至自身不保。早在2015年,日月光宣布为提升公司竞争力,要以352亿元新台币收购矽品25%股权,并美其名曰“财务性投资”,不会介入经营。在并购方法论上,日月光就像草丛中的猎豹扑食,常常出其不意、疯狂进攻。“没想到他们会疯掉做这件事。”当时,矽品董事长林文伯自责没有防范好。而为了对抗日月光,他求助富士康无果,之后引入紫光也未成功。最终,经历足足大约四年半缠斗,2020年3月,日月光、矽品合并案获批。在收购矽品后,日月光的龙头地位将愈发加强,甚至让同行对手望尘莫及。

当然,在日月光崛起的进程中,由于台积电等制造企业跑在前方,封装企业随后不断发力先进封装,使得台湾半导体产业优势明显。正所谓团结、集聚就是力量。目前,在全球前10大封装企业排名中,有6家是台湾企业。按地区来看,台湾的封装产能占全球一半。

05 自主企业:兼并破局

在国内半导体早期发展规划中,芯片设计和制造是重点扶持对象。当时普遍认为,只要芯片生产出来,封装自然也不成问题。但国内封装企业似乎一直处于夹缝中:国内芯片制造没有跟上,导致封装产业发展迟缓;对于高端技术,他们也不敢贸然投入。因此,在第三代封装技术占全球市场70%时,国内封装企业还停留在第一二代技术上。另一方面,由于封装是劳动力密集型产业,飞思卡尔、英特尔、英飞凌等国际芯片大厂都来华投资设立封装厂,并在市场和技术水平上都居于主导。不过,国内封装企业也展现出敢于竞争、奋发图强的一面,近几年通过自主研发及兼并购等方式,已取得较明显突破,并逐步掌握了产业及技术主动权。2014年,长电科技和中芯国际联合成立中芯长电封装厂,目标是拿下高通等国际大客户,但实力仍然不足。

很快,一个大机会来临。2015年,全球第四大封装企业新加坡星科金朋因亏损要被卖掉,长电科技创始人王新潮便积极介入。同时,日月光、华天科技,以及主权财富基金淡马锡等也在争取这个香饽饽,可最终全都败给了长电科技。长电科技报价是7.8亿美元,其中构成是国家大基金3亿美元,长电科技2.6亿美元,中芯国际1亿美元,银行贷款1.2亿美元,最终合力完成了这桩不可能的“蛇吞象”式收购。至于收购原因,王新潮一语道破,“星科金朋的技术、市场、国际化管理经验和人才,与长电互补性达到95%以上。这是长电科技可能花五年、十年不一定能做到的”。

虽然不是所有企业都有如此财力,但行业已经形成共识:在芯片国产替代的目标下,封装是最有望率先实现的。于是,在大基金等支持下,国内封装企业开启“大举并购、高举高打”模式。比如华天科技接连收购昆山西钛、FCI、迈克光电、纪元微科和Unisem五家公司,迅速成为全球第六大封装公司。另外,2016年通富微电收购了AMD旗下苏州和马来西亚槟城工厂。对此,通富微电董事长石明达曾说,“项目启动初期,大基金对同行做了协调,避免了不合理竞争。” 这起并购总金额为3.7亿美元,大基金出资2.7亿美元。

而这笔钱也确实花得值,后来通富微电拿下AMD九成封装生意,一举进军高端封装市场,全球排名也蹿升至第八。“现在半导体封测的技术要求很高,需要不断有新技术推出来。”石明达认为,随着产业发展,封测环节早已迈向了高端。因此,通富微电先后在南通、合肥、厦门布局先进封装产能,并不断推动系列先进封装技术产业化,另外2.5D封装技术也在研发中。至于华天科技,通过攻坚自研和并购,也已掌握系列先进封装技术,并于2018年7月宣布投资80亿元在南京建立先进封装产业基地等。同时,长电科技也在先进封装全面布局,拥有Fan-out eWLB、SiP、BUMP、PoP等系列先进封装技术,WLCSP、FOWLP产品已大规模量产出货,并具备3D TSV封装技术开发与量产能力。此外,2020年6月,长电科技还宣布在绍兴投资80亿建立先进封装生产线等。整体上,凭借这些年“广积粮、高筑墙”,中国封装企业已跻身世界前列,并打入高通、博通等国际一线大客户供应链。

06 富士康、谷歌:短兵相接

当前,全球封装产业已演变为台湾、大陆及美国三足鼎立。但现有格局在新时代下,也有较大新变数可能性。由于摩尔定律放缓和异构集成,以及5G、人工智能、HPC、IoT和汽车电子等应用的推动,全球先进封装的发展势头不可阻挡。调研机构Yole的数据显示,先进封装市场预计将从2014年的200亿美元,增长到2025年的420亿美元。从年复合增长率看,几乎是传统封装市场增速三倍。而巨大的市场前景,使得众多厂商蜂拥而至,同时冲击着传统封装市场的旧有格局、建构和发展模式。目前,除了封装和IDM厂商,晶圆厂、基板/ PCB供应商、EMS / ODM,以及相关厂商都在发力先进封装。

由此,一场全新的竞赛已然拉开帷幕。首先,三星电机、Unimicron、AT&S和Shinko等IC基板和PCB制造商,正在向高级封装领域拓展。这是因为,面板级扇出封装和有机基板中的嵌入式die(裸片)为他们提供了机会。虽然没有统一的相关标准,但市场上也有设备能够支持板级封装中的各种工艺。据麦姆斯咨询的报告显示,三星电机在这一领域可能是最激进的,在2016年至2018年投资了超过4亿美元。其次,另据Yole的报告显示,谷歌、微软、脸书,以及阿里巴巴等公司正在设计自己的处理器,旨在控制芯片系统级集成、定制以及供应链,直至组装和封装级。在发展先进封装的模式上,它们往往偏向于合作。比如,谷歌就向台积电伸出了橄榄枝,共图在SoIC上取得突破,即开发一种先进的“整合芯片”封装技术,并计划于2022年量产。

阿里巴巴发布的《达摩院2020十大科技趋势》也曾提到了先进封装的重要性。报告指出,模块化降低芯片设计门槛是一种趋势。其中chiplet(小芯片)的模块化设计方法,就是采用先进封装的方式将不同功能“芯片模块”封装在一起,并通过简化设计从而加快了芯片的交付。显然,阿里等互联网企业的入局,将为行业带来更鲜活的气息。此外,富士康和捷普等厂商则直接涌入赛道,正在投资组装和封装能力,以将价值链上移至更高利润的业务。其中,富士康的表现尤为积极,除了布局3D封装,也在切入面板级封装(PLP)与系统级封装(SiP)。目前,海已具备了进行SiP的能力,并计划在成都建立一些先进封装产研能力。2020年7月,富士康计划在青岛建设的先进封装与测试工厂已破土动工,目标是锁定5G通讯和人工智能芯片的先进封装。项目是国内封装领域最大一笔投资,总投资额达600亿人民币,预计2021年投产,2025 年达到全产能目标。在定位上,富士康将这一项目视为芯片设计、制造和应用产业链上的核心环节,并将加速产业提质升级。先进封装已成风口,而谁都不想错过。正如雷军所说,站在风口猪都能飞起来。

于是,先进封装市场已开始“疯狂”,同时也吸引着各领域同样疯狂的厂商涌入赛道,短兵相接、背水一战。这不仅为市场带来更多活力,同时也带来更多挑战。然而,如何在未来竞争激烈的先进封装市场中立足或者存活,将是需要冷静思考和面对的重点。

07 尾声

以《战略绪论》一书闻名的近代法国战略大师薄富尔曾说:战略的要义是“预防”而非“治疗”,“未来和准备”比“现在和执行”更重要。半导体界也是如此。当摩尔定律预言的制程微缩曲线开始钝化,将不同制程性质的芯片辅以先进封装,然后用最短时间推出符合市场需求的产品,就成为定义未来的重要战略之一。而芯片领域的竞争常常时不我待。对中芯国际而言,虽然技术相对落后,但正在加码先进封装。但“引进”蒋尚义能产生多大成效,还有待观察。由于时间进度紧凑,中芯国际需两手抓,一手抓蒋尚义利用技术和资源积累为支点,来撬动先进封装的发展;一手抓与长电科技等企业的合作,通过“强强联合”来实现捅破。不过,中芯国际也势必需要平衡好两条路线如何发展。在封装历史进程中,最初曾是三星和英特尔等IDM厂商的天下。随后,台积电开创的先进封装技术大行其道。

而如今,先进封装正越来越依赖先进制造工艺,以及与设计、制造企业之间的紧密合作。因此,IDM厂商和代工厂的优势将逐渐显现。未来,随着产业垂直整合加强,具备系统化芯片及封装设计与验证能力的新产业模式或将兴起。此外,就全球专业封装领域格局而言,各大企业的竞争已主要演变为大陆与台湾地区的博弈。近几年,大陆半导体产业崛起业界有目共睹,芯片设计、制造和封装几乎都有重大突破。这也推动长电科技等国内头部封装厂商的技术和应用生态不断完善,营收持续高位增长,且整体表现在全球较为突出。

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但想要再进一步,在技术上已并不简单。系统级先进封装门槛也在不断变高。以扇出型封装为例,芯片挑拣、对位准度、重新布线(RDL)制程及线路复杂度会进一步提升,以及其带来的热、电、应力效应衰减等将形成技术门槛。另外,芯片上市时间、基于成本考量的模组化程度、模组设计、模组效能设计验证等,都需要加强产业链垂直整合。大陆封装厂商还需正视:在国家或时代红利下业绩喜人,并不意味着自身已经接近或赶超竞争对手。一位曾在三大封装厂担任过高管的业内人士指出,“大陆高端封装一般厂商都做不了,台积电、三星等都是自己玩。这是我们封装行业最接近对手的真相。”另外,一些封装厂号称具备许多先进技术,但在同一封装技术上与海外厂商仍有差距,比如在大型FPGA等高端产品上就做不了。诚然,大陆封装厂商与头部竞争对手还存在差距。这既体现在中芯国际与台积电、三星和英特尔在先进封装的布局对比上,也体现在长电科技、通富微电、华天科技与日月光的技术和市场规模对比上。

对此,台湾“国立高雄大学”电机工程学系教授兼“先进构装整合技术中心”主任吴松茂认为,大陆现在可能还没有真正正视封装技术将带来的效应,既没有技术积累,绝大部分精力也仍聚焦在晶圆端。”“在封装制程、封装设计分析及系统化等方面,大陆甚至可以说还在婴儿阶段。一旦将来集成电路走向系统高度整合,差距将会很明显。”当然,其中的话也有一些道理,比如不够重视封装。但台湾部分专家也常容易满嘴“跑火车”,说大陆封装技术还在“婴儿阶段”,就不免火车“跑太快了”。毕竟如果老三(长电科技)受到刺激,很可能一怒之下冲到日月光前面。哪怕这次没成功,下次一定还有机会。美国电影《诸神之战》有句经典台词:“我们人战斗,从来不是为了你们这些神,而是为了彼此。我拒绝成为你们。”相比之下,中国电视剧《战神》中热血的一句话是:“我们并不是为自己而战,而是为了我们的亲人,我们的家,我们的民族而战。”从中不难看出,两种制度下截然不同的价值观。由此,大陆一旦足够重视先进封装,必能后发制人。但是否有必要像芯片制造一样,受到刺激才真正郑重其事呢?

原文标题:芯片厂商的“诸神之战”

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一颗小小的自研芯片,带着西人马生生不息的技术梦想,奔赴而来。 4月5日,西人马发布自主研发的电荷信号....
的头像 工控论坛 发表于 04-09 16:27 102次 阅读
西人马重磅发布自研电荷信号调理芯片CU0102B!

一枚价值1美元的芯片可以导致全球经济危机?

一枚价值1美元的芯片可以导致全球经济危机?4月6日,彭博社发表题为《为什么1美元芯片的短缺可以引发全....
的头像 科工力量 发表于 04-09 16:24 647次 阅读
一枚价值1美元的芯片可以导致全球经济危机?

美国半导体巨头的收购终止,中美科技战步入下半场

日前,美国半导体设备厂商应用材料宣布,因为未获得中国监管机构的批准,已终止收购原日立集团旗下企业国际....
的头像 科工力量 发表于 04-09 16:06 267次 阅读
美国半导体巨头的收购终止,中美科技战步入下半场

在芯片之争中国绝非美国想象的无能无力!

“芯片之争,中国绝非无能为力。”德国《商报》近日刊文指出,尽管美国正试图通过限制半导体对华出口让中国....
的头像 存储社区 发表于 04-09 16:01 227次 阅读
在芯片之争中国绝非美国想象的无能无力!

晶圆及芯片测试

晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、模拟信....
发表于 04-09 15:55 41次 阅读
晶圆及芯片测试

加强人才与技术交流,紫光展锐与西安交大签署战略合作协议

紫光展锐与西安交通大学签署战略合作协议,双方将围绕校企人才交流和培养、科研成果的产业化转化等方面开展....
的头像 西西 发表于 04-09 15:50 156次 阅读
加强人才与技术交流,紫光展锐与西安交大签署战略合作协议

新益昌成功进入了半导体固晶机和锂电池设备领域

经过十多年的发展和积累,新益昌已成为国内LED固晶机、电容器老化测试智能制造装备领域的领先企业,同时....
的头像 每日LED 发表于 04-09 15:42 194次 阅读
新益昌成功进入了半导体固晶机和锂电池设备领域

大国科技竞争将在三个纵深维度展开

2016年32.45%!2020年26.2%! 在中美关系紧张的当下,一个关键数据的下滑牵动了高层的....
的头像 智谷趋势 发表于 04-09 15:35 185次 阅读
大国科技竞争将在三个纵深维度展开

围绕汽车的大变局,正加速到来

挖掘智能驾驶背后的经济价值、商业价值和社会价值。 「甲子光年」独家获悉,智能驾驶研发公司长沙智能驾驶....
的头像 甲子光年 发表于 04-09 15:30 236次 阅读
围绕汽车的大变局,正加速到来

小米造芯同样是一个热血的故事

小米的春季发布会引发了足够的市场关注,从号称有“BIG NEWS”“内容至少4小时”,再到“澎湃芯片....
的头像 甲子光年 发表于 04-09 15:26 271次 阅读
小米造芯同样是一个热血的故事

长电科技董事CEO郑力剖析芯片产业当下时态

中国芯片半导体行业各龙头企业的掌舵人大都有着丰富的行业经历,他们大都曾在国际性产业龙头企业担任过要职....
的头像 芯谋研究 发表于 04-09 15:21 299次 阅读
长电科技董事CEO郑力剖析芯片产业当下时态

芯来科技RISC-V处理器将支持鸿蒙LiteOS-M内核

芯来科技为方便客户进行基于鸿蒙生态的RISC-V软件开发,在Nuclei RISC-V 32位处理器....
的头像 芯来科技 发表于 04-09 15:20 89次 阅读
芯来科技RISC-V处理器将支持鸿蒙LiteOS-M内核

德国《商报》:芯片之争,中国绝非无能为力

德国《商报》4月2日刊文指出,尽管美国正试图通过限制半导体对华出口让中国屈服,但这一目的很难达到。 ....
的头像 芯片晶圆切割保护膜 发表于 04-09 14:50 225次 阅读
德国《商报》:芯片之争,中国绝非无能为力

集成电路的设计常识

集成电路(integrated circuit ),以半导体材料为基片,将至少有一个是有源元件的两个....
发表于 04-09 14:21 24次 阅读
集成电路的设计常识

Intel重启晶圆代工业务,Intel计划成为代工产能的主要提供商

3月23日,新上任的CEO Pat Gelsinger全球首秀,发表时长1小时的全球演讲,分享了他的....
的头像 中国半导体论坛 发表于 04-09 14:20 176次 阅读
Intel重启晶圆代工业务,Intel计划成为代工产能的主要提供商

集成电路工艺基础及版图设计

集成电路的制造需要非常复杂的技术,它主要由半导体物理与器件专业负责研究。VLSI设计者可以不去深入研....
发表于 04-09 14:18 13次 阅读
集成电路工艺基础及版图设计

东芯半导体将于4月15日科创板首发上会,未来或与中芯国际合作开发1xnm闪存

 4月8日,据上交所披露,东芯半导体股份有限公司(以下简称“东芯半导体”)将于4月15日科创板首发上....
发表于 04-09 14:16 464次 阅读
东芯半导体将于4月15日科创板首发上会,未来或与中芯国际合作开发1xnm闪存

半导体清洗技术面临变革

在晶圆制造的过程中,包括蚀刻、氧化、淀积、去光刻胶以及化学机械研磨等每一个步骤,都是造成晶圆表面污染....
发表于 04-09 14:07 14次 阅读
半导体清洗技术面临变革

三星电子公布了2021年第一季度的收益预期

由于冬季暴风雪导致美国生产停滞,三星预计其芯片收益可能有所下降。分析人士表示,三星芯片部门的利润可能....
的头像 中国半导体论坛 发表于 04-09 14:06 288次 阅读
三星电子公布了2021年第一季度的收益预期

IC设计完整流程及工具

IC的设计过程可分为两个部分,分别为:前端设计(也称逻辑设计)和后端设计(也称物理设计),这两个部分....
发表于 04-09 14:05 14次 阅读
IC设计完整流程及工具

常用半导体器件PPT讲解

常用半导体器件PPT讲解.
发表于 04-09 11:42 18次 阅读
常用半导体器件PPT讲解

厚硅片的高速激光切片研究

基于激光切片原理的分析,给出了厚硅片的高速激光切片方法,采用平凸腔补偿工作物质的热透镜效应,利用 N....
发表于 04-09 11:40 12次 阅读
厚硅片的高速激光切片研究

航顺芯片4月8日起32位 MCU全系上涨50%

4月8日消息,继2020年11月10日MCU芯片企业航顺芯片发布调价通知函,对个别产品进行涨价后,2....
发表于 04-09 11:00 1198次 阅读
航顺芯片4月8日起32位 MCU全系上涨50%

半导体集成电路概述

半导体集成电路概述。
发表于 04-09 10:49 14次 阅读
半导体集成电路概述

半导体晶体的切割及磨削加工

半导体晶体的切割及磨削加工说明。
发表于 04-09 10:49 25次 阅读
半导体晶体的切割及磨削加工

芯片短缺到底什么时候是个头?

你看到的这张图,摄于上月24日美国密苏里州通用汽车公司的装配车场。这些看似完工崭新皮卡和大货车全部滞....
的头像 中科院半导体所 发表于 04-09 10:40 576次 阅读
芯片短缺到底什么时候是个头?

关于CPU指令集架构详细讲解

现代CPU成为处理器(processor)芯片的核心组件之一,而不仅仅是唯一组件。在过去50多年间,....
的头像 旺材芯片 发表于 04-09 10:19 951次 阅读
关于CPU指令集架构详细讲解

保持世界上最主要的技术创新中心地位的硅谷是否会重蹈覆辙?

“最后一个离开西雅图的人,请关灯吧。” 在 20 世纪 70 年代,位于西雅图的飞机制造商波音公司深....
的头像 DeepTech深科技 发表于 04-09 10:04 179次 阅读
保持世界上最主要的技术创新中心地位的硅谷是否会重蹈覆辙?

半导体晶圆的生产工艺流程介绍

从大的方面来讲,晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤,它又可细分为以下几道主要工序(其中晶棒制造只....
发表于 04-09 10:01 30次 阅读
半导体晶圆的生产工艺流程介绍

半导体硅材料研磨液研究进展

随着 IC制造技术的飞速发展,为了增加 IC芯片产量和降低单元制造成本 ,硅片逐渐趋于大直径化,然而....
发表于 04-09 09:58 4次 阅读
半导体硅材料研磨液研究进展

半导体IC的清洗方法

介绍了半导体IC制程中存在的各种污染物类型及其对IC制程的影响和各种污染物的去除方法, 并对湿法和干....
发表于 04-09 09:55 10次 阅读
半导体IC的清洗方法

半导体封装制程与设备材料知识简介

半导体封装制程与设备材料知识简介。
发表于 04-09 09:52 20次 阅读
半导体封装制程与设备材料知识简介

半导体IC制造流程

晶圆处理制程之主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子组件(如晶体管、电容体、逻辑闸等),为上述各制程中所....
发表于 04-09 09:45 16次 阅读
半导体IC制造流程

半导体工业简介

叙述目前半导体工业的经济规模与工业基础。
发表于 04-09 09:45 13次 阅读
半导体工业简介

Semiconductor-半导体基础知识

半导体是一种既不如导体那么容易导电,也不像绝缘体那样不导电的物质(介于导体和绝缘体之间和绝缘体之间)....
发表于 04-09 09:36 17次 阅读
Semiconductor-半导体基础知识

INTEL经典芯片及主板回顾

Intel 430FX芯片组是Intel公司生产的第一款芯片组,当时Intel公司就凭它在芯片组领域....
发表于 04-09 09:35 17次 阅读
INTEL经典芯片及主板回顾

Intel 915/925芯片组详细介绍

Intel的代号分别为Alderwood和Grantsdale系列芯片组,自从它们在媒体露面之始就受....
发表于 04-09 09:30 18次 阅读
Intel 915/925芯片组详细介绍

ARM芯片与开发板实例

现将几种常用芯片的Samsung S3C44B0X (ARM7TDMI内核)、 S3C2410B (....
发表于 04-09 09:29 11次 阅读
ARM芯片与开发板实例

怎样设计一种线阵CCD的数据采集系统?

线阵CCD数据采集系统的特点有哪些? 如何实现线阵CCD数据采集系统的硬件电路设计? 如何实现线阵CCD数据采集系统软件...
发表于 04-09 06:58 0次 阅读
怎样设计一种线阵CCD的数据采集系统?

怎么利用MAX038设计一款函数发生器?

MAX038芯片的功能特点 MAX038芯片在波形发生器中的应用 ...
发表于 04-09 06:40 0次 阅读
怎么利用MAX038设计一款函数发生器?

高速ADC中造成转换错误的常见原因有哪些?

比特误码率BER与转换误码率CER有什么不同? 高速ADC中造成转换错误的常见原因有哪些? 如何测试内部ADC内核的CE...
发表于 04-09 06:31 0次 阅读
高速ADC中造成转换错误的常见原因有哪些?

分享一款不错的基于单片机STC89C51的电表实现方案

求一种基于多功能防窃电基波谐波三相电能计量芯片 ATT7022B和低功耗单片机STC89C51的电表实现方案....
发表于 04-09 06:04 0次 阅读
分享一款不错的基于单片机STC89C51的电表实现方案

如何实现FPGA芯片存储器模块的设计?

本文介绍了一种0.13微米CMOS T艺下FPGA中嵌入式存储器模块的设计与实现。...
发表于 04-09 06:02 0次 阅读
如何实现FPGA芯片存储器模块的设计?

在电路板上的ESD性能如何呢?

我们已经把芯片级的ESD 性能写入数据手册多年, 但这些参数仅适用于在芯片焊接到电路板前。那么在电路板上的ESD性能如何呢...
发表于 04-09 06:00 0次 阅读
在电路板上的ESD性能如何呢?

RGB转PIMI

有推荐的RGB转PIMI芯片么?不胜感激
发表于 04-08 10:32 101次 阅读
RGB转PIMI

标准单元的ASIC为什么仍是唯一的技术选择?

标准单元的ASIC为什么仍是唯一的技术选择?
发表于 04-08 07:03 0次 阅读
标准单元的ASIC为什么仍是唯一的技术选择?

请教有什么方法可以延长E2PROM芯片的寿命?

有什么方法可以延长E2PROM芯片的寿命?又如何去实现它呢? ...
发表于 04-08 06:57 0次 阅读
请教有什么方法可以延长E2PROM芯片的寿命?

FPGA真的可以帮助搜索引擎降低功耗和碳排放吗?

现代互联网的使用已经离不开搜索引擎,而搜索引擎的使用会消耗大量能源,造成巨大的碳排放量。而FPGA真的可以帮助搜索引擎降...
发表于 04-08 06:09 0次 阅读
FPGA真的可以帮助搜索引擎降低功耗和碳排放吗?

STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V
发表于 05-20 16:05 103次 阅读
STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

FPF2290 过压保护负载开关

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 147次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 257次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 119次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 97次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 475次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 123次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 161次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 187次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 152次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 136次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 323次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 277次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
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NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
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NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 137次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
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FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
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NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 271次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 702次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5