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三星电子加速DRAM产能扩张 年度DRAM投片量增加到7万片

2021-03-03 09:36 次阅读

三星电子近期调整了今年的DRAM投资计划。据悉,该公司位于韩国平泽的P2工厂第一季度12英寸晶圆的投片量从3万/月提升至4万/月,年度DRAM投片量即将从6万片增加到7万片。

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韩媒指出,三星在第一季度的投片量约为年度规划的60%左右。该公司将大部分投入集中在一季度,意味着将加速产能扩张。

三星在2019年末大批量生产了100万颗采用1x-nm工艺和EUV技术的DRAM。紧接着在去年年初,三星电子首次宣布将研发分别使用了ArF-i技术和EUV技术的1z-nm DRAM。如今,三星已经在量产的1z-nm DRAM上应用了EUV技术。

目前三星对采用1z-nm工艺的8GB DDR4、12GB LPDDR5和16GB LPDDR5进行了EUV技术升级。

12GB LPDDR5和16GB LPDDR5 DRAM已经应用在三星Galaxy S21 5G系列的手机中,其中S21、S21+和S21 Ultra 三款手机于2021年1月发布。

三星Galaxy S21 Ultra的RAM中使用的是12GB LPDDR5芯片,而S21和S21+手机的RAM组件中使用了16GB LPDDR5芯片。

三星1z-nm工艺的生产效率比以前的1y-nm工艺高出15%以上。D/R(Design Rule)从1y-nm工艺的17.1nm降低到1z-nm工艺的15.7nm,核心尺寸也从53.53mm2减小到43.98mm2,比之前缩小了约18%。

三星电子将其最先进的1z-nm工艺与EUV光刻技术集合在了12GB LPDDR5芯片上,而同样基于1z-nm工艺的16 GB LPDDR5芯片则使用了非EUV光刻技术。

与此同时,三星电子也考虑扩大对NAND闪存的投资。近日,西安市2021年市级重点建设项目计划发布,其中包括三星(中国)半导体有限公司12英寸闪存芯片二期二阶段项目。

另外,三星还计划扩张代工产能。据悉,该公司决定将平泽P2工厂的5纳米生产线规模从现有的2.8万片增加到4.3万片。值得一提的是,三星将原本引入的计划用于DRAM制造的EUV光刻机改为代工使用,以因应5纳米代工迅速增长的需求。

本文由电子发烧友综合报道,内容参考自三星电子、TechInsights,转载请注明以上来源。

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