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解析半导体行业发展现状

2021-02-26 15:36 次阅读

半导体可能是世界上最重要的行业,因为它们是各种产品和服务的基础。此外,它们在新兴技术(例如人工智能(AI),高性能计算(HPC),5G,物联网和自治系统等)中发挥关键的促成作用。

与中国已经在全球范围内获得高额市场份额的行业(包括高铁,太阳能电池板和电信设备)不同,中国大陆在半导体领域的全球市场份额和竞争力,尤其是在总部设在中国的公司方面,在半导体领域仍然不大。半导体产业的全球领导者主要分布在欧洲,日本,韩国,中国台湾和美国。

在本文里,我们来看一下半导体行业的最新现状。

全球半导体工业概况

“半导体”一词是指一种固体物质——如硅,这些产品具有导电性,可以用作导体或绝缘体。半导体,也被称为集成电路(IC),构成了为电子设备提供动力的大脑,提供了支持数字计算的计算和存储能力。半导体将多达300亿个晶体管封装在一平方厘米大小的芯片上,电路以纳米级(nm,长度单位等于百万分之一米)水平测量,最新的半导体制造厂生产5 nm和 3 nm尺度的半导体。最前沿的半导体含有比人类头发薄10000倍的晶体管,其工作公差甚至小于冠状病毒的大小。2019年,全球半导体行业创造了4120亿美元的收入,出货量超过1万亿美元。分析师预计,到2026年,半导体行业将增长至7300亿美元。

2019年,总部设在美国的半导体企业占全球半导体行业销售额的47%(较2012年的51.8%份额下降约5%),其次是韩国企业占19%,日本和欧洲企业各占10%,中国台湾企业占6%,中国大陆企业占5%。

然而,由于美国许多半导体是在中国台湾和中国大陆等地生产的,生产份额有所不同。事实上,截至2019年,美国仅占全球半导体制造产能的11%,而韩国占28%,中国台湾占22%,日本占16%,中国大陆占12%,欧洲占3%。从2015年到2019年,中国占全球半导体制造产能的份额翻了一番。截至2020年年底,美国只有20家半导体制造工厂(“晶圆厂”)在运营。

半导体的四种主要类型是逻辑芯片存储器(通常是动态随机存取存储器(DRAM)或NAND)芯片、模拟芯片(那些产生信号或转换信号特性的芯片,在汽车和音频应用中尤其流行),以及分立芯片(设计用于执行特定电子功能的芯片)。就全球半导体行业各主要细分市场按公司总部所在地划分的市场份额而言,2019年,美国在逻辑和模拟领域明显领先,韩国在内存领域领先(美国紧随其后),欧洲企业在分立半导体领域领先。总部设在中国的公司在逻辑市场领域的注册份额仅为9%,在离散领域的注册份额仅为5%。

解析半导体行业发展现状

2019年,逻辑部分的全球销售额为1070亿美元,内存部分为1060亿美元,模拟部分为540亿美元。英特尔是逻辑芯片市场份额的全球领导者。德州仪器ADI英飞凌是模拟芯片市场的领头羊,截至2020年第一季度,其市场份额分别为19%、10%和7%。三星和SK Hynix(总部均位于韩国)紧随其后的Micron(美国)在DRAM生产方面居世界领先地位,分别占44%,截至2020年第1季度,占全球市场份额的29%和21%。英特尔、三星、台积电、SK海力士和美光在最终预测的2020年半导体销售中领先竞争对手。该表还显示了美国无晶圆厂半导体行业的实力:2019年,美国本土的半导体设计公司占全球无晶圆厂半导体销售额的65%,领先企业包括高通公司。博通英伟达、苹果和AMD

如表1所示,该行业高度全球化,许多国家的企业在半导体生产的多个方面展开竞争,从半导体设计到制造,再到ATP(组装、测试和封装)活动。事实上,半导体价值链的每个环节平均有25个国家的公司参与直接供应链,23个国家的公司参与支持功能。超过12个国家有直接从事半导体芯片设计的企业,39个国家至少有1个半导体制造厂,而超过25个国家有从事ATP活动的企业。半导体生产过程的每个环节都创造了大量价值,其中美国国际贸易委员会(U.S.ITC)估计,半导体芯片90%的价值在设计和制造阶段平均分配,最后10%的价值生产通过ATP活动进行。

生产一些世界上最先进的技术设备所需的全球价值链的广度和规模已经在该行业产生了许多商业/运营模式。从历史上看(可追溯到20世纪50年代和60年代),半导体行业主要由集成器件制造商(IDM)组成,也就是说,这些公司在内部负责半导体制造的所有关键方面,特别是设计和制造。英飞凌(Infineon)、英特尔(Intel)、美光(Micron)、瑞萨(Renesas)、三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)和德州仪器(Texas Instruments)等公司至今仍然是IDM的领军企业。

1987年,中国台湾的张忠谋创立了台积电(台湾半导体制造公司),该公司开创了代工商业模式,专注于为其他半导体公司代工,这些公司通常专注于为特定用途设计半导体,如人工智能、无线通信或高性能计算应用。这本质上代表了外包制造,或“制造即服务”——它彻底改变了行业,催生了台积电以外的许多新参与者,包括美国的全球代工厂、中国大陆的半导体制造国际公司(SMIC)和中国台湾的联电公司(UMC)。

代工厂的出现反过来又支持了无晶圆厂行业的崛起;也就是那些专注于半导体芯片设计的公司,比如(现在没有工厂的)AMD(用于人工智能、高性能计算和图形芯片)、英伟达(NVIDIA)(用于图形芯片)和高通(Qualcomm)(用于5G和其他无线芯片)。总的来说,这被称为“无晶圆厂代工”模式。

外包ATP(也称为外包组装和测试,或OSAT)由多家全球公司执行,包括Amkor(美国)、ASE Technology(马来西亚)、J-Devices(日本)、Power Tech(中国大陆)和Siliconware Precision Industries(中国台湾)。在这一过程的前端是专注于半导体研发(R&D)活动的公司和财团,如CEA Leti(法国)、Imec(比利时)、ITRI(中国台湾)、SEMATECH(美国)和半导体研究公司(美国)。

20年前有近30家公司在技术前沿生产集成电路,而今天只有5家(英特尔、三星、台积电、美光和海力士)。

另外一批进口量也很高的公司主要是应用材料公司(美国)、ASML公司(荷兰)、KLA Tencor公司(美国)和Lam Research公司(美国)——这些公司生产经营半导体工厂的机器和工具设备。2020年,全球半导体制造设备行业本身创造了620亿美元的收入,预计到2025年,收入将以9%的复合年增长率(CAGR)增长至960亿美元。最后,一些企业,特别是来自日本、韩国和中国台湾的企业,制造化学品和重要部件半导体制造工艺。例如,氟化聚酰亚胺是一组提供物理强度和耐热性的特殊聚合物,由大金化学(日本)、杜邦(美国)、日本朝日Kaneka Kashi Kasei和中国台湾Taimide Technology生产。

换言之,全球半导体产业的一个关键驱动力是专业化,因为各国(地区)企业乃至整个产业生态系统集群都选择将其竞争精力集中在掌握半导体生产过程的关键方面(例如,荷兰在极紫外(EUV)光刻技术方面的实力,日本在化学品和生产设备方面的实力,韩国在内存芯片方面的实力,中国台湾在代工厂方面的实力,或马来西亚和越南在ATP活动方面的实力)。

全球半导体产业的创新动力

没有哪个行业的创新动力能像半导体行业的摩尔定律那样清晰而有效。由英特尔联合创始人戈登·摩尔(Gordon Moore)创造的“摩尔定律”(从技术上讲是指“进程节点缩放”)代表了这样一个概念,即微芯片上的晶体管数量大约每两年翻一番,实际上意味着半导体在速度和处理能力方面翻了一番,尽管它的成本降低了一半。摩尔的预测被证明是非常有先见之明,至少到目前为止,是非常可靠的。摩尔定律的创新过程在半导体性能和成本方面取得了巨大的进步:每片晶圆的晶体管数量增加了近1000万个(自1975年摩尔定律提出以来),处理器速度提高了10万倍,每片晶圆的成本降低了45%以上可比绩效年。摩尔定律也为行业提供了某种程度上的指导性创新途径,为竞争前研究财团的努力及其制定长期行业路线图提供了方向。然而,尽管有些人认为摩尔定律是理所当然的,但一项研究发现,如今实现摩尔定律所需的研究人员人数是20世纪70年代初所需人数的18倍多。

这说明了一个关键点:全球半导体行业的创新并不像“天赐甘露”那样到来,而是相当可观的投资的结果,从研发过程本身开始,也延伸到建造和运营现代半导体工厂所需的成本。英特尔于2020年7月宣布,它在开发芯片制造技术的下一个重大进展方面至少落后了一年,也就是说,从10nm技术发展到7nm技术(它甚至可能不得不依赖竞争对手的制造设施进行某些生产),作为一个鲜明的提醒,半导体的创新并不容易,也不便宜,也不可靠。事实上,让摩尔定律继续运行并不是一件十拿一稳的事情;相反,这是来自许多国家的行业参与者在过去几十年里投入数千亿美元的结果(政府对基础研究和应用研究的投资也起到了补充作用)。

工业研发和资本支出

事实上,全球半导体行业正与生物制药竞争成为世界上研发最密集的行业。例如,在“2019年欧盟工业研发投资排行榜”中排名前13位的半导体公司,研发投资占销售额的18.4%,超过生物制药行业。

在2019年“欧盟工业研发投资记分牌”排名前13位的半导体公司中,有6家来自美国,研发密集程度排名前三的公司是高通、中国台湾联发科和美国AMD。在实际投资方面,三星以148亿欧元(约176亿美元)居首,华为以127亿欧元(150亿美元)紧随其后,英特尔以118亿欧元(137亿美元)紧随其后,但值得注意的是,在这三家公司中,英特尔是唯一一家业务完全与半导体相关的公司。2020年版的报告包含的企业级数据较少,但报告发现,华为已成为全球第三大研发投资者,仅在过去五年中,华为的研发水平就增长了225%(去年增长了31.2%),而在全球前十大研发投资者中,三星排名第四,英特尔排名第八。

该行业也是高度资本密集的行业;2019年,美国半导体行业的全球总资本支出(CapEx)总计319亿美元,使该行业的资本支出占销售的12.5%,仅次于美国的替代能源部门(尽管这可能是因为他们计算了安装的终端使用客户设备)。

就全球资本投资而言,2019年,总部设在韩国的企业在该领域的投资占全球资本支出的31%,其次是美国公司的28%,中国台湾公司的17%,中国大陆公司的10%,日本公司的5%,欧洲公司的4%。同样,主要国家(地区)和公司之间存在着集中度:例如,2014年,只有三家公司(三星、英特尔和台积电)占全球半导体工厂所有支出的60%。

全球半导体行业的研发和资本必须如此密集,因为半导体行业的创新需要越来越复杂的芯片设计,而且规模越来越小,特别是如果该行业要维持摩尔定律(Moore ‘s Law)的话。虽然在上个十年之初,有些人认为28纳米阈值预示着摩尔定律的极限,但在过去十年中,在EUV光刻、蚀刻和薄膜沉积等材料工程上的突破已经将当前的工业前沿带到了5纳米,而要达到3纳米、2纳米甚至1纳米大小的集成电路所需的工艺也相当清晰可见。

然而,开发一个新的半导体设计或建立一个新的半导体工厂所需的专业知识、资本和规模是非常高的,而且在不断增加。例如,将芯片设计从10纳米级提高到7纳米级的成本增加了1亿多美元,从7纳米级提高到5纳米级的成本可能会再次增加近一倍,从3亿美元增加到近5.5亿美元。

这还只是设计芯片的成本;实际上,为生产这些越来越小的芯片而建造的晶圆厂也在不断增加。2019年,台积电宣布将在亚利桑那州建造一座5纳米晶圆厂,耗资120亿美元;2017年,该公司曾宣布计划在台湾建造一座3纳米晶圆厂,预计成本为200亿美元。总的来说,截至2020年,建造一座14-16纳米晶圆厂的平均成本估计为130亿美元;10nm晶圆厂150亿美元;7纳米晶厂180亿美元;以及价值200亿美元的5纳米晶厂。

这反映了该行业竞争成本的不断上升。20年前,近30家公司在技术前沿制造集成电路,而今天只有5家公司这样做(英特尔、三星、台积电、美光和海力士)。除了建造晶圆厂的成本之外,维护这些晶圆厂持续运行的费用也值得注意。一个先进晶圆厂10年的成本,包括初始投资和年运营成本,可高达400亿美元。

几乎每天都有证据表明,全球半导体行业的企业需要达到规模,才能有效竞争。例如,2019年11月,AMD以350亿美元收购了Xilinx。此外,2020年的三大并购交易(涉及美国公司)都是半导体行业,包括英伟达以400亿美元收购英国芯片设计公司Arm Holdings(受到日本软库支持),以及ADI以200亿美元收购Maxim Integrated products

推动持续创新的因素

半导体行业是一个以创新为基础的行业,其特点是研发、设计和生产设备的固定前期成本极高,但生产成本却在不断增加(即单个芯片以边际成本从生产线下来)。此外,该行业基本上依赖于一代创新来为下一代的投资提供资金,因此10nm晶圆厂的利润产生了投资7nm 晶圆厂的收入,这使得未来的5nm和3nm晶圆厂成为可能。事实上,主要半导体公司下一年的收入与研发支出之间存在很强的正相关关系(0.93)。这意味着,如果更具创新能力的半导体企业的销售输给创新性较弱的中国企业,它们平均会减少研发支出。这一动态非常重要,因为每一代尖端半导体技术的寿命只有两到四年,之后就会被新技术取代。

因此,全球产业维持自身发展的能力取决于三个关键因素:公平进入全球市场、通过市场竞争减少人为的产能过剩和价格大幅下跌,以及最小化知识产权盗窃。如果这些因素不存在,那么全球创新就会受到阻碍。

首先,半导体公司需要进入大型全球市场,以便在一个大型全球市场上摊销和收回成本。换句话说,进入更大的市场能让它们更好地支付这些固定成本,这样单位成本就会更低(推动更多消费),而用于再投资(尤其是在研发方面)的收入就会更高。这就是为什么大多数创新产业的公司都是全球化的。如果他们能在20个国家而不是5个国家销售,将销售扩大到原来的4倍,那么他们的成本增加就远远少于原来的4倍。销量越高,就可以投入更多资金来产生更多创新。这就解释了为什么一项针对欧洲企业的研究发现,对于高科技企业来说,“随着时间的推移,它们提高技术知识水平的能力取决于它们的规模:研发投资者规模越大,其技术进步速度就越快。”

鉴于研发和资本设备的固定成本显著增长,进入全球市场的能力对半导体行业来说比以往任何时候都更重要。这意味着降低贸易壁垒的政策对半导体创新尤为重要。缺乏一体化的全球市场可能会对固定成本与边际成本比率较低的传统行业造成相对较小的伤害,如玩具、鞋类和钢铁。但在半导体等以创新为基础的产业中,市场壁垒对全球创新造成了严重损害。进入全球市场对于大规模生产也是至关重要的,当学习效应对行业如此重要时,大规模生产至关重要。例如,一项研究发现,平均“学习率”约为20%,这意味着累积产量每增加一倍,每单位半导体生产成本就下降20%。

从这个意义上说,中国在进入其市场方面的行动将在该行业的创新中发挥关键作用。根据一项研究,中国现在占全球半导体消费的60%。根据《国际商业战略》,2019年,中国半导体行业销售额为2122亿美元,北美为595亿美元,世界其他地区为488亿美元,欧洲为418亿美元,日本为387亿美元。

显然,中国市场相当重要,在许多美国半导体公司的收入中占了相当大的比例。例如,2018年前4个月,中国市场占高通收入的60%以上,占美光收入的50%以上,占博通收入的45%左右,占德州仪器收入的40%以上。2018年,约36%的美国半导体公司收入,即750亿美元,来自对中国的销售。公平、非歧视地进入中国市场,为企业提供了赚取收入的机会,这些收入可以再投资于未来几代的创新。

第二,当企业面临过度的、非市场竞争时,创新就会减少。当政府投入数千亿美元的补贴时,就会出现这种情况,这不公平地使那些试图以真正市场化的条件竞争的企业处于不利地位。换句话说,如果领先的公司不能保证他们能获得合理的、经风险调整的投资回报率——这一点受到一些政府的质疑,比如中国投入大量资金创建国内半导体产业——那么领先的公司将不得不削减他们的研发和资本支出。

由于该行业从根本上依赖于知识、技术和专有技术,一个拥有强大知识产权(包括专利、商业秘密和商标)的国际体系对于为投入大量研发提供足够的激励至关重要。例如,制造DRAM芯片涉及1000多个步骤。如果公司不能保留和保护昂贵的知识产权,而这些知识产权又非法地流向竞争对手,他们的收入就会下降,从而减少投资。

最后,如前所述,该行业依赖开放和平稳流动的全球半导体价值链,使世界各地的各种参与者对半导体研发、创新和生产做出贡献。然而,正因为如此,正如经济合作与发展组织(OECD)在其报告“衡量国际市场的扭曲:半导体价值链”中指出的那样,这种广泛的行业国际化“意味着任何贸易扭曲都会被放大,并在许多公司和市场之间传播。”
责任编辑:tzh

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在可预见的未来,进入数字化转型的AI时代,无论是AR、自动驾驶汽车还是工业4.0,这个世界的转动都离....
的头像 半导体投资联盟 发表于 04-08 16:54 519次 阅读
国家政策激励对半导体产业的促进不可欠缺

先进封装技术——系统级封装解决方案

在5G应用相关的众多封装技术中,倒装芯片技术的应用需求越来越广泛,随之而来的是对底部填充材料提出了更....
的头像 新材料在线 发表于 04-08 16:22 390次 阅读
先进封装技术——系统级封装解决方案

半导体材料特性说明

不同元素的原子共有价电子形成的粒子键,原子通过共有电子来使价层完全填充变得稳定。束缚电子同时受两个原....
发表于 04-08 16:05 13次 阅读
半导体材料特性说明

集成电路芯片的发展历史、设计与制造

计算机科学发展的动力,一部分来自计算机理论的发展,但主要来自集成电路芯片性能的大幅提高。
发表于 04-08 15:40 52次 阅读
集成电路芯片的发展历史、设计与制造

全球半导体设备巨头企业正式宣布终止收购日本国际电气

全球最大的半导体设备和服务供应商应用材料(Applied Materials),此前一直计划从私募股....
的头像 科工力量 发表于 04-08 14:47 425次 阅读
全球半导体设备巨头企业正式宣布终止收购日本国际电气

部分韩国民众请求政府否决中国私募基金收购美格纳半导体

近些年,随着中国成为全球最大的显示面板生产国,下游制造能力的提升为显示驱动芯片等上游环节带来重要机遇....
的头像 科工力量 发表于 04-08 14:39 332次 阅读
部分韩国民众请求政府否决中国私募基金收购美格纳半导体

从摩尔定律说起,半导体是夕阳产业吗?

从市场需求和半导体本身的发展来看,目前还不能称之为夕阳产业,尤其在国内。这个提问是14年1月,到现在....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-08 14:30 276次 阅读
从摩尔定律说起,半导体是夕阳产业吗?

2021年下半年,汽车“缺芯”或许会有所缓解

对于此次芯片断供,业内分析主要是受疫情影响,车企计划不足订单较少,叠加全球晶圆产能紧张、消费电子领域....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-08 14:24 337次 阅读
2021年下半年,汽车“缺芯”或许会有所缓解

快讯:全球首发!全碳化硅永磁直驱列车正式交付

此次收购II-VI和Coherent将共同打造一家年收入约41亿美元的光子解决方案、化合物半导体以及....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 04-08 14:21 224次 阅读
快讯:全球首发!全碳化硅永磁直驱列车正式交付

ADI发布涨价通知,部分型号5月16日起提价

近期,因原材料价格上涨,半导体厂商纷纷发布涨价函。从供应链获悉,ADI也将进行调价。据悉,ADI已经....
发表于 04-08 13:45 1068次 阅读
ADI发布涨价通知,部分型号5月16日起提价

请教有什么方法可以延长E2PROM芯片的寿命?

有什么方法可以延长E2PROM芯片的寿命?又如何去实现它呢? ...
发表于 04-08 06:57 0次 阅读
请教有什么方法可以延长E2PROM芯片的寿命?

非晶半导体阈值开关器件受破坏的原因,阈值开关的机理有哪几种模型?

非晶态半导体的阈值开关机理介绍 阈值开关的机理有哪几种模型? ...
发表于 04-08 06:32 0次 阅读
非晶半导体阈值开关器件受破坏的原因,阈值开关的机理有哪几种模型?

分享一款不错的基于智能传感器MPXY8320A的TPMS系统设计

TPMS系统的发展历史和趋势 TPMS无线无源化发展的几个实现方案 什么是外置编码存储器轮胎定位? ...
发表于 04-08 06:26 0次 阅读
分享一款不错的基于智能传感器MPXY8320A的TPMS系统设计

分享如何利用FPGA设计帧存控制器的方法?

分享如何利用FPGA设计帧存控制器的方法?从而去实现帧存的交替 、上电清屏等。...
发表于 04-08 06:19 0次 阅读
分享如何利用FPGA设计帧存控制器的方法?

STM32H743ZGT6 STMicroelectronics STM32H7 高性能MCU

oelectronics STM32H7高性能MCU基于高性能Arm® Cortex®-M7 32位RISC内核,工作频率高达400MHz。Cortex-M7内核具有浮点单元 (FPU) 精度,支持Arm双精度(符合IEEE 754标准)和单精度数据处理指令与数据类型。STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存储器保护单元 (MPU),可增强应用的安全性。 该MCU采用高速嵌入式存储器,具有高达2MB的双区闪存、1 MB的RAM(包括192 KB的TCM RAM、864KB的用户SRAM以及4KB的备份SRAM)。另外,该器件还具有各种连接到APB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵的增强型I/O和外设,以及支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。 该器件设有三个ADC、两个DAC、两个超低功耗比较器、一个低功耗RTC、一个高分辨率定时器、12个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器、五个低功耗定时器和一个真随机数发生器 (RNG)。该器件支持四个用于外部Σ-Δ调制器 (DFSDM) 的数字滤波器,并设有标准和高级通信接口。 特性 核心 ...
发表于 10-28 14:50 169次 阅读
STM32H743ZGT6 STMicroelectronics STM32H7 高性能MCU

ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

标准的参数搜索 易于访问密钥产品参数 部件号搜索用于直接访问特定的产品 数据表的下载离线咨询 来采样和购买 最喜欢的部分数字管理 产品功能分享通过电子邮件或社交媒体 适用于Android™或iOS™操作系统 在Wandoujia应用程序商店,为中国用户提供 在STPOWER IGBT取景器是Android或iOS设备上使用的手机应用程序提供通过www.st.com在线产品组合中的一个用户友好的替代搜索,驱动用户使用以及便携式设备顺利和简单的导航体验。参数搜索引擎允许用户快速识别出最适合其应用合适的产品。此应用程序可在谷歌播放,App Store和Wandoujia。...
发表于 05-21 07:05 123次 阅读
ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产品查找程序

,零件编号和产品 技术数据表下载和离线咨询一系列的搜索功能 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表收藏栏目 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 可在安卓™和iOS™应用商店 ST-DIODE-FINDER是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索使用便携式设备的ST二极管的产品组合。您可以轻松地定义设备最适合使用参数或一系列的搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
发表于 05-20 18:05 109次 阅读
ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产品查找程序

ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产品的取景器为Android和iOS

引导搜索 部分号码搜索能力 主要产品功能发现 数据表下载和离线咨询 产品功能分享通过电子邮件或社交媒体 样品订购所选产品的 主屏幕上的语言选择 ST-EEPROM-FINDER是探索意法半导体串行EEPROM组合最快和最明智的方式使用智能电话或平板。
发表于 05-20 17:05 84次 阅读
ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产品的取景器为Android和iOS

ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

或产品号的产品搜索能力 技术数据表下载和离线咨询 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 适用于Android收藏节™和iOS™应用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索的ST功率MOSFET产品组合使用便携设备。您可以轻松地定义设备最适合使用参数搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
发表于 05-20 17:05 129次 阅读
ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产品查找用于移动设备

于Android和iOS电话移动应用 友好的用户界面 的直观的产品的选择: MEMS和传感器 评估工具 应用 参数搜索使用多个过滤器 部件号搜索 访问技术文档 从ST经销商在线订购 通过电子邮件或社交媒体最喜欢的部分数字管理经验分享 支持的语言:英语(中国,日本和韩国即将推出) 在ST-SENSOR-FINDER提供移动应用程序的Android和iOS,提供用户友好的替代通过MEMS和传感器网络产品组合搜索,驱动用户一起顺利和简单的导航体验。...
发表于 05-20 17:05 102次 阅读
ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产品查找用于移动设备

AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...
发表于 04-18 19:35 66次 阅读
AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...
发表于 04-18 19:35 76次 阅读
AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...
发表于 04-18 19:31 152次 阅读
AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...
发表于 04-18 19:31 112次 阅读
AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 130次 阅读
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 131次 阅读
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...
发表于 04-18 19:29 256次 阅读
AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...
发表于 04-18 19:29 195次 阅读
AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
发表于 04-18 19:28 272次 阅读
AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...
发表于 04-18 19:28 236次 阅读
AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 412次 阅读
CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...
发表于 04-18 19:13 1119次 阅读
CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 160次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
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CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI