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解析车载半导体供给不足的真正原因

2021-01-21 15:19 次阅读

2020年在全球范围内爆发的新冠肺炎直击汽车行业。汽车需求“蒸发”、全球各车企工厂相继停工。原以为市场需求、汽车生产都会在2020年下半年复苏,熟料进入2021年,车载半导体供给不足、汽车厂家再次陷入减产困局。

首先,本田汽车在1月7日宣布,由于用于车辆控制系统的半导体供给不足,1月份减产约4,000辆,包括小轿车“飞度(Fit)”(1月8日日本经济新闻)。其次,日产汽车在1月8日宣布,由于电子产品(包含半导体构成)的采购出现问题,下调小轿车“NOTE”5,000辆的生产(1月9日日本经济新闻)。

当日日本经济新闻还发表文章如下,丰田汽车于1月8日宣布,由于半导体采购问题,下调由美国工厂生产的皮卡——“Tundra”。历年来,丰田汽车都会在这个时候向零部件供应商说明次年度的生产计划,而今年却仅公布了“暂定值”,实属罕见。

此外,日本经济新闻的文章还指出,减产的不仅有本田、日产、丰田等日系车企,美国福特、美国通用汽车、美国菲亚特克莱斯勒汽车(FiatChryslerAutomobiles)、德国大众等欧美系车企也相继因半导体供给不足而减产或调整生产。

车载半导体缘何供给不足?

之前有文章提出车载半导体供给不足的原因如下:“由于电动汽车(EV)、无人驾驶汽车的普及,导致车载半导体需求高涨”、“一辆EV的半导体使用量是一辆汽油车的两倍”、“新冠肺炎带来的’宅家’促使了PC、智能手机方向的半导体需求扩大”、“全球最大半导体代工厂台湾TSMC的尖端产品订单已经覆盖到半年以后”等。因此,“需要将近半年的时间才能使车载半导体的供给恢复正常”。

解析车载半导体供给不足的真正原因

但是,以上内容很难成为全球车载半导体供给不足的理由。于是,就在本文中详细叙述车载半导体供给不足的理由。届时,笔者还会列举以下个案(CaseStudy):因2011年3月11日发生的东日本大地震,位于茨城县的车载半导体工厂——瑞萨电子那珂工厂受灾的事例。其次,再揭示导致当下车载半导体供给不足的真正原因。最后,再提出笔者的预测,即解决车载半导体供给问题至少需要半年、甚至1-2年的时间。

车载半导体的特殊性

是车载半导体与用于一般数码家电等消费电子产品的半导体的要求规格的比较表。即,此表虽出自2008年9月1日电装发布的《第五届信赖性论坛》(主办:日经MicroDevice),即使在今天也不过时。

可以看出,车载半导体在以下环境中可以保证20年的质量:温度为-40-175(200)度、湿度为95%、50G的激烈震动、15-25Kv的静电,不良率仅为1ppm(百万分之一)。且价格被定为“Low”。即,与消费型半导体相比,车载半导体具有极高的可靠性。

然而,据瑞萨那珂工厂的从事车载半导体生产的技术人员透露,汽车厂家岂止是要求一百万分之一,而是要求“不良率为零”!哪怕一个小小的车载半导体发生作业不良,就可能引起交通事故、导致人员死亡。因此,必须保证“零不良率”!无论是生产100万个产品、还是生产1,000万个产品,都要保证100%良率!因此,不存在“不良率ppm”这一定义。必须要“零不良率”。

以上要求是可以理解的,然而却是无法实现的。因为无法使批量生产的工业产品达到100%良率!因此,理想状态下可以实现以上要求,但不适用于工业产品。

然而,瑞萨的那珂工厂确实是要求“零不良率”。而且,为了实现“零不良率”,在生产车载半导体时,丰田等汽车厂家针对瑞萨的半导体工厂实行了“产线认定”。

什么是“产线认定”?

比方说,瑞萨的那珂工厂为生产丰田的发动机控制半导体(EngineControlUnit,ECU),专门研发了一套由500个工序组成的生产制程。基于此制程,瑞萨在半年--一年的时间内连续生产ECU,当瑞萨可以稳定地生产出正常工作的ECU时,丰田汽车对瑞萨的产线进行“认定”。此外,被赋予“产线认定”的由500道工序组成的制程,原则上不可以更改生产设备、制程条件。

就瑞萨而言,即使为了“和谐”地与其他产品共存、调整与其他工厂之间的生产计划、推进微缩化、提高良率、提高产出等目的,而希望改造产线、更换设备、更改工艺条件,作为客户的汽车厂家也不会同意的。以此为背景,如果更换了设备和工艺条件,从而导致不良发生,结果又引起了汽车事故问题,“到底是谁的责任”?

在以上种种苛刻的束缚条件下得到汽车厂家的认定、生产具有超高信赖水平的车载半导体,且价格也要做到“Low”,因此曾听到瑞萨的技术人员吐露真言:“其实我们真不想生产车载半导体”!

因东日本大地震而受灾的瑞萨那珂工厂

受到丰田汽车“产线认定”的瑞萨那珂工厂却在2011年3月11日因东日本大地震而受灾,大批生产设备遭到破坏、洁净室的墙壁上也出现了裂痕,直接导致瑞萨的那珂工厂无法再为丰田生产ECU,且丰田无法生产油电混合汽车“普锐斯(PRIUS)”。

最终,丰田和电装为了支援瑞萨那珂工厂的复原,派送了约2,500名员工。当时,丰田的ECU在瑞萨那珂工厂的8英寸产线上由0.18um工艺生产。除了那珂工厂,瑞萨的西条工厂、滋贺工厂、川尻工厂、新加坡工厂等都有0.18um的8英寸产线,都可以代替那珂工厂生产。

然而,瑞萨和丰田都不打算由其他工厂代替生产,坚持复原受灾的那珂工厂。听说其理由是“产线认定”。即,如果在那珂工厂以外的其他工厂为丰田生产ECU,需要再次进行“产线认定”,又要花费半年-—一年的时间。因此,他们认为修复那珂工厂受灾的产线比新的“产线认定”花费的时间更短。

如此一来,每当要生产信赖性极高的车载半导体时,汽车厂家就规定必须花费半年—一年的时间进行“产线认定”。此外,即使半导体工厂发生问题,也不会轻易地转移到其他半导体工厂生产。

28纳米以后由TSMC代工

45-40纳米世代时,由瑞萨自行设计、内部生产。然而,随着微缩化的发展,研发费用、设备投资方面花费的资金越来越高。于是,瑞萨仅自行设计28纳米以后的车载半导体,委托给TSMC代工生产(2018年3月26日日经新闻)。

换言之,采用45-40纳米传统工艺的车载半导体由瑞萨自行生产,28纳米以后的需要尖端工艺的车载半导体全部委托给TSMC生产,即瑞萨成为了名为“FabLite”的半导体厂家。(如下图1)

当时,还特意询问了瑞萨的相关人士:“TSMC的半导体工厂是否也需要‘产线认定’”。瑞萨的回答是“当然需要,TSMC的车载半导体产线已经获得了‘产线认定’资格”。

车载半导体的变化

近几年来,车载半导体发生了巨大的变化,2011年瑞萨那珂工厂因东日本大地震而受灾时,丰田的ECU采用的是8英寸的0.18纳米工艺(上文已经叙述)。换句话说,十年前的大部分车载半导体都是采用传统工艺生产的,且很少使用尖端工艺。这是因为就车载半导体的生产而言,传统工艺可以满足要求,且由于汽车厂家的严格要求、很难开发新的工艺。然而,这几年来,汽车产业迎来了CASE(Connected、Autonomous、Shared&Services、Electric)大潮,进入了百年一度的大变革时期。就如同本文开头所述——“一辆EV的半导体使用量是一辆汽油车的两倍”,车载半导体的使用数量、种类逐年在增加。

尤其是“C”、“A”,即联网无人驾驶汽车在逐步普及,这种汽车需要搭载由尖端工艺生产的通信半导体(符合5G通信规格,如美国高通的BaseBandProcessor、基带处理器),此外要运行这种无人驾驶汽车,还需要由尖端工艺生产的人工智能(AI)半导体(比方说,美国NVIDIA的GPU)。

总而言之,随着CASE时代的到来,并不是所有的车载半导体都可以由传统工艺生产,5G通信、AI半导体必须由TSMC的7纳米、5纳米等尖端工艺生产。

TSMC的尖端工艺的产能供不应求

TSMC于2018年量产7纳米,2019年启动采用了最尖端曝光设备EUV的7nm+工艺,2020年启动5纳米的量产,今年(2021年)开始3纳米的风险量产。3纳米的正式量产计划在2022年,据说目前正在筹备2024年量产的2纳米的生产设备、材料。

如上所述,TSMC走在全球尖端微缩化的最前沿,但其产能却严重不足。换句话说,苹果、高通、AMD、NVIDIA、博通赛灵思(Xilinx)、联发科等全球Fabless都希望设计出最先进的半导体,并委托给TSMC生产。(如下图2)

此外,在2015年之前都是英特尔引领着全球最先进的微缩化技术。自2016年十纳米启动失败后,就一直“原地踏步”。结果,英特尔差点将7纳米以后的产品委托给TSMC生产。这也是TSMC尖端工艺产能吃紧的原因之一。

此外,瑞萨等车载半导体厂家也陷入了争夺TSMC尖端工艺产能的旋涡之中。2020年爆发的新冠肺炎对TSMC的车载半导体生产又造成了什么影响呢?

新冠肺炎对汽车产业的打击

2016年-2020年日本新车销售数量推移表,每月的新车销售数量浮动很大,但是在每个财政年度末的3月份都会出现顶峰,这也是可以理解的。2020年受新冠肺炎的冲击,很多汽车厂家减产、停工。从下图3可以看出2020年新车销售数量低迷。

此处,比较2016年-2019年每月新车平均销售数量(以下简称为:平均数量)与2020年的销售数量后,得出下图4的上半部分。此外,且将二者的差(即2020年每月的平均销售数量到底下滑至何种程度)制成了下图4的下半部分。

结果,2020年3月-4月期间新车销售数量下滑5万多辆,5月-6月期间下滑8万多辆。下滑趋势在7月份以后得以缓和,10月份超平均销售数量约2.1万辆,可以说完全恢复了。

基于以上情况,今年(2021年)各家汽车厂商应该都会按照计划生产新车。然而,如文章开头所述,由于车载半导体供给不足,全球汽车厂家被迫减产。那么,车载半导体真的供不应求吗?

TSMC的各种半导体的出货金额

首先,2018年下半年以来,智能手机方向的半导体占据TSMC出货金额的约50%。其中,包含智能手机应用处理器(AP)、4G&5G通信半导体等。其中最大的客户就是销售iPhone的美国苹果。

此外,可知,进入2020年,HighPerformanceComputing的占比大幅度提升。主要原因在于,新冠肺炎引起全球范围内远程办公的普及,且人们不得已宅在家中,导致网购大幅度发展、高性能游戏机畅销。比方说,随着远程办公的普及,PC需求扩大,推动了美国的处理器厂家AMD(将委托给TSMC代工)的业务扩大。此外,由于全球范围内通信数据的大幅度增长,亚马逊、微软、谷歌等云服务企业也开始踊跃建设数据中心,他们的数据中心都需要大量的服务器,这些服务器又都需要搭载高性能的处理器。因此,HighPerformanceComputing的占比大幅度提升。

TSMC的车载半导体占比

另一方面,车载半导体(Automotive)在TSMC的出货金额中的占比本来就不是很高,2020年第一四半期、第二四半期分别为4%,第三四半期下滑至2%。主要原因如下:汽车厂家受到新冠肺炎的冲击,尤其是在2020年5月-6月期间,汽车厂家大幅度下调新车生产,因此大幅度削减了对TSMC下发的车载半导体订单。

以丰田为代表的汽车厂家采用“JustInTime”的经营手法,尽力减少库存水准。此外,就半导体的生产而言,从晶圆入厂到经历500道工序(尖端产品需要约1,000道工序),约需要2-3个月左右的时间。比方说,如果事先了解到每年三月份新车销售数量会倍增,至少在半年之前就要下发所需的车载半导体订单。

然而,由于突然袭来的新冠肺炎,汽车厂家无法按照计划生产新车,也就大幅度削减了向TSMC下发订单。因此,TSMC的车载半导体出货金额占比在2020年第三四半期下滑了一半,下滑至2%。对此,TSMC采取了什么行动呢?

车载半导体缘何供给不足?

2020年下半年,TSMC的车载半导体工厂的稼动率应该远远低于正常水平。但是,先进Fabless厂家对TSMC的代工要求却源源不绝。作为TSMC,应该不会让那些稼动率低下的工厂闲置,而是会把Fabless要求的5G、AI半导体安排在这些工厂中生产。

因此,可以推测出原本车载半导体的专用工厂瞬间转换为生产“其他尖端半导体”。而且,“其他尖端半导体”的生产需要花费2-3个月时间,这期间,无法再转回车载半导体。这是车载半导体供给不足的第一个理由。

其次,即使“其他尖端半导体”的生产在2020年内得以完成、并再次转回车载半导体的生产,仅完成晶圆工艺也需要2-3个月的时间。因此,这期间汽车厂家无法采购车载半导体。这是车载半导体供给不足的第二个理由。

车载半导体供给不足何时可以解决?

此外,已经生产了“其他尖端半导体”的工厂很有可能无法迅速转回生产车载半导体。其理由有二。

首先,“其他尖端半导体”(比方说用于5G、HighPerformanceComputing等方向的半导体)需求极大,且利润率很高(至少不需要像车载半导一样具有超高的信赖性、也不需要“产线认定”),因此,TSMC很可能会优先考虑经济效益、暂时不在那些工厂里生产车载半导体。这种情况下,TSMC就需要在其他地方建设车载半导体专用工厂,从零开始“产线认定”,至少需要花费1-2年的时间。

其次,在生产完“其他尖端半导体”后,转回生产车载半导体的情况下,也很可能无法马上生产出完成品。生产“其他尖端半导体”时,虽然不需要更换设备,但会大幅度调整工艺条件。就拥有真空腔的设备(如干蚀设备、CVD设备、溅射设备等)而言,其内部很有可能会发生变化。

因此,即使花费2-3个月试做了车载半导体,但还需要确认能否满足上表1中的规格。此时,如果无法生产出符合要求的车载半导体的话,需要重新研发500-1,000道工序。于是,要再次获得“产线认定”,至少要花费半年--一年的时间。

综上所述,要解决车载半导体供给不足的问题,可以预测至少需要半年-一年的时间(甚至会花费1-2年的时间)。可以说日本经济新闻的文章《恢复车载半导体的供给需要花费半年时间》也是较乐观的看法。对于很多汽车厂家来说,事态不容乐观。
责任编辑:tzh

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诺基亚智能手机将采用新的命名规则

半导体激光器制造商活力激光获数千万元天使轮融资

  半导体激光器制造商活力激光近期已获得数千万元的天使轮融资,本次融资的领投方为前海母基金淮泽中钊天....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-08 10:59 197次 阅读
半导体激光器制造商活力激光获数千万元天使轮融资

强化LED芯片业务布局,国星光电对半导体增资

5日,国星光电发布公告宣布拟以2.2亿元对国星半导体进行增资,进一步优化上游芯片产品结构。
的头像 电子魔法师 发表于 03-08 10:54 303次 阅读
强化LED芯片业务布局,国星光电对半导体增资

今年全球5G智能手机的出货量将超过6亿部

据国外媒体报道,随着5G商用网络覆盖范围的扩大和智能手机厂商推出更多的5G机型,5G智能手机在去年就....
的头像 电子魔法师 发表于 03-08 10:51 223次 阅读
今年全球5G智能手机的出货量将超过6亿部

全球车用芯片缺口达40%以上

摩根大通的报告指出,全球半导体公司芯片供不应求,缺口已经达到了10%-30%;有台湾半导体公司测算,....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-08 10:34 153次 阅读
全球车用芯片缺口达40%以上

半导体供应商博通2021第一财季营收大增

3 月 5 日消息,据国外媒体报道,半导体和基础设施软件解决方案供应商博通,已发布了 2021 财年....
的头像 电子魔法师 发表于 03-08 10:29 142次 阅读
半导体供应商博通2021第一财季营收大增

特斯拉跨界入局智能手机领域?

永远猜不出马斯克未来要做什么,在他看来,只有想不到,没有做不到,近日他在特斯拉网站上发布了一段他的T....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-08 10:20 182次 阅读
特斯拉跨界入局智能手机领域?

奥地利半导体公司ams发布新一代3D dToF,瞄准移动设备后置镜头创新应用

总部位于奥地利的高性能传感器解决方案供应商艾迈斯半导体(ams)在MWC 2021期间,对个正式发布....
的头像 21克888 发表于 03-08 09:58 391次 阅读
奥地利半导体公司ams发布新一代3D dToF,瞄准移动设备后置镜头创新应用

智能手机中实现环境光感测遇到的主要挑战有哪些?如何克服这些挑战?

本文介绍在智能手机中实现环境光感测遇到的主要挑战,以及如何克服这些挑战,以实现背光灯更高的反应灵敏度,并能精确地根据环境...
发表于 03-08 07:25 0次 阅读
智能手机中实现环境光感测遇到的主要挑战有哪些?如何克服这些挑战?

电源 IC 应用在汽车电子系统有什么样的要求?

汽车中的电子系统日益增多、越来越复杂,提高电源 IC 性能的目的是允许设计适应这种状况的电子系统。促进汽车中电子系统增长的...
发表于 03-06 06:23 0次 阅读
电源 IC 应用在汽车电子系统有什么样的要求?

半导体制冷片的工作原理是什么?

半导体制冷片是利用半导体材料的Peltier效应而制作的电子元件,当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时,在电偶的两端即...
发表于 02-24 09:24 0次 阅读
半导体制冷片的工作原理是什么?

半导体常见的产品分类有哪些

半导体材料 半导体的功能分类 集成电路的四大类 ...
发表于 02-24 07:52 0次 阅读
半导体常见的产品分类有哪些

硅是如何导电的?

  本征半导体   没有杂质的纯净的晶体才算得上本征半导体,比如硅、锗。   本征半导体是不导电的,为什么这么说呢?  ...
发表于 02-20 14:43 1616次 阅读
硅是如何导电的?

半导体光刻蚀工艺

半导体光刻蚀工艺
发表于 02-05 09:41 1313次 阅读
半导体光刻蚀工艺

半导体芯片开封后需要观察注意点有哪些?

切开剖面观察金丝情况,及金球情况,表面铝线是否受伤,芯片是否有裂缝,光刻是否不良,是否中测,芯片名是否与布线图芯片名相符。...
发表于 01-28 16:26 101次 阅读
半导体芯片开封后需要观察注意点有哪些?

哪些因素推动着市场格局不断变化

当今的行业正在经历翻天覆地的变化,这主要是由于终端市场需求变化和重大整合引起。几十年前,业内有许多家公司,它们多半活跃于...
发表于 01-15 07:46 101次 阅读
哪些因素推动着市场格局不断变化

半导体芯片行业的运作模式有哪些

半导体芯片行业的运作模式
发表于 12-29 07:46 101次 阅读
半导体芯片行业的运作模式有哪些

集成多种高端技术,半导体洁净室专用检测仪器

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等...
发表于 12-28 11:21 202次 阅读
集成多种高端技术,半导体洁净室专用检测仪器

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 1615次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 361次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 288次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 402次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 690次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 329次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 490次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 772次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 1750次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 1556次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 197次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 385次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 356次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 418次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 639次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
发表于 01-08 17:51 674次 阅读
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 708次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 362次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 323次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
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LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器