侵权投诉

意法半导体的双核MCU未来发展详细说明

2021-01-17 11:42 次阅读

2020年,突如其来的新冠肺炎疫情改变了世界。对于MCU(微控制器),哪些机会和技术将是未来的趋势?目前的MCU紧缺问题何时能得到解决?

近日,意法半导体(ST)在京发布了面向无线LoRa的WL系列双核MCU。值此机会,电子产品世界等媒体访问了ST的相关领导,请他们介绍了ST对市场热点的看法,以及技术市场布局。

ST受访者:中国区微控制器市场及应用总监曹锦东,亚太区STM32WL无线微控制器策略总监陈德勇,ST高级应用工程师徐向东

新兴市场有哪些?

2020年是特殊的年份,从ST角度看,两大类需求始料未及,一是与医疗设备相关,二是居家智能化设备需求。此外,IoT仍蓬勃发展,更多的设备需要联网,而联网就需要无线和安全。为此,ST会集中产品以及软件服务去满足特定行业和客户的需求。

MCU家族增加了无线分类

过去ST主要按照不同内核来划分产品线。例如下图,红框内的是新产品线和新分支。例如这两年出现了高性能的H7产品线,在MPU上去做更高性能的处理的MP1系列,主频达(650~800)MHz。在超低功耗产品线方面,推出了从传统的L4内核的MCU,到2020年年初发布了L5的产品线。L4→L5也是从M4内核变成M33,带来了更多安全的内核及外设,使该产品在安全等级方面做了更多的升级。

a6d2cef4b0d3469f9b4aedc8930b5d93.png

但是这两年,出现了无线产品线。2018年发布了STM32WB系列,这是首个集成BluetoothLE的RF产品线。2020年底,ST又祭出面向大众市场的WLLoRa无线系统芯片系列产品。

为了方便无线MCU的开发,ST还会发布相关模块。因为有些用户在射频开发方面会遇到一些困难,模块可以让客户拿来即用。为此,2021年1月,ST出炉了首款无线MCU模块,是基于WB系列的STM32WB5MMG模块,集成了直导天线的整个射频子系统,可加快基于BluetoothLE和802.15.4新物联网设备的开发周期。

STMCU的三个方向

从整个MCU来看,更大的memory(内存)、更新的工艺、更低的功耗是永恒的主题。此外,以下三个方向是ST重点部署和研发的。

1)无线。ST希望MCU有更多无线连接功能,无线产品线会覆盖到从点对点到网络的应用。

2)安全。未来新的产品线里会有从内核到IP,到软件,到系统的全方位的安全考虑。安全不仅仅是设计的范畴,还会延续到生产、运行,乃至整个生命周期的结束。

3)人工智能(AI)。今天的AI更多是在云端、服务器端来执行,用GPUCPU及特定的高性能芯片来做AI。可以想象,未来很多设备的联网能力并不是太强,而且算力并不是太高,要去执行的AI算法也不太复杂,例如通过噪声去判断电机本身的运行状况,这样的应用无需上云。可见未来将有更多的AI会在设备端部署、完成,即分布式AI。ST会关注这方面的需求,利用MCU/嵌入式系统帮助用户从软件到芯片、系统、乃至整个方案来部署AI。

无线:新添LoRa产品线

在无线方面,ST希望打造一个全方位覆盖的无线产品线(如下图)。为此,ST在2020年有三个无线相关的收购,分别是收购UWB供应商BeSpoon,蜂窝物联网供应商RiotMicro,以及专注于RF前端模块(FEM)产品的SOMOS。

2bb8d15641d04d33b0e3b02463026e33.png

1)ST为何看好低功耗广域网(LPWAN),支持LoRa?

据LoRaAlliance的数据,到2020年已有将近162个国家、148个运营商在全球范围内去推行超低功耗广域网产品。从IHSMarkit的产品或路线图有关数据看(如下图),LoRa在2017—2021年增长速度非常快。

a51499f61eb641559f68d6cdef55498d.png

其中,LoRaWAN和Sigfox这两个区域里面的增长力度较高。当然在未来5年里,这几种技术会互补、兼容地存在于市场。中国也是这些技术蓬勃发展的国家,尤其是长距离通信。

2020年1月,ST已经发布了第一代LoRaSTM32WL,是基于ST畅销的超低功耗系列L4/M4核,上面加入了LoRa等调制解调器,再加上安全性,推出了全球第一颗STM32WL系统级的集成芯片(SoC)。11个月后,LoRa双核产品线发布,在M4核基础上,又增加了M0+核。

关于销量,仅仅11个月,即到2020年底,已有100多个客户移植到基于LoRa的WL单核芯片上,已实现了百万级的订单,市场反响比ST预想的热烈。展望2021年,随着双核产品的发布,预计将迎来更大的爆发点。因为在过去一年中,客户更多的是在调试、测试和做小批量的验证,经过3~6月的验证,预计2021年会开始上量。

2)中国厂商到底应该选择NB,还是LoRa协议?

实际上,这两种技术是互补的。ST计划提供客户所需要的各种无线平台,最终客户选择什么,完全在于客户自己的选择。为此,ST未来也会推出基于NB和Cat-M的产品。

现在中国很多地方的NB和LoRa都是共存的。过去在中国,LoRa或私有协议(包括LoRaWAN等)可能在表计里会用,但同时用NB的也会很多。所以这里有多重因素,也是看运营商和政府会更倾向于哪一点,从既有层面来讲,用户更在意用原有的产品。归纳一下,主要取决于以下因素。

是否容易部署。对于NB,优势是有运营商帮助把整个网络基站都部署好,但缺点是不是所有的地方都有网络覆盖。LoRa不管是水表、气表,或者自己来建一个网络都可以,所以如果自己搭网络,意味着想建在哪里都可以。

数据掌握在谁手上。

从维护来看。如果用NB,势必会用到运营商的网络,会有资费的问题,例如会跟客户签5年、10年的合同,或运营商要定期升级。但LoRa部署了以后,是长期能用的。

安全:双核等技术来保驾护航

今天物联网设备面临的安全问题和以往有很多不同,因此,ST加强了安全方面的投资,在2015前后,ST的安全芯片和MCU平台就归属于同一个大部门,因为当时发现黑客已经不止在高安全性的应用上,像银行卡、身份证等方面进行攻击,已经逐渐扩展到大众层面上。例如四五年前已有智能家居里的智能音箱、智能视频被攻破的现象,很多客户逐步发现安全隐患的威胁性,可能使整个网络瘫痪,甚至一年来,已有一些厂商被黑客挟持要求索赔。

传统MCU里已经有了一定的安全能力,可惜的是有很多嵌入式开发者不太注重安全问题,或者没有相关的知识和能力去提升安全性。所以在过去四五年中,ST逐步去培育这块市场、教育客户。

由于物联网碎片设备的应用越来越广泛,人们并不知道黑客会攻击哪个最弱的环节,所以MCU要在安全方面格外提升。此次推出的WL双核形态,在安全方面提升了很多(下图蓝色字)。

c1c2ac3dd22446e3b2b5e0679445069f.png

1)STMCU怎么考虑生命周期的安全?

整个芯片研发过程中,其实安全生命周期包含在芯片的设计、流片、测试,以及芯片给到开发者的测试工具上,如果一旦受到攻击,会进行复位,或到某一程度,可能会把闪存上的代码全部擦除掉,这是目前STMCU能处理、涉及得到的。

但后面的生命周期最重的环节是自我毁灭。在安全芯片里可以有这个功能,但是在传统的MCU里还没有类似的功能,这取决于开发者是否要把这一点植入到他们的研发或生命周期管理里。

2)为何WL双核里没用TrustZone?

TrustZone概念一开始是Arm提出来的,是实现安全功能最基本的代码隔离或安全性隔离的思路。在过去十几年里,TrustZone已经在不同的安全芯片里得到了认可,很多厂商把TrustZone用在了安全芯片上。

在STM32通用MCU上,过去用的是传统的M核,是不带TrustZone的,所以在传统Cortex-M的基础上,如果要实现类似TrustZone——硬件上的物理隔离的话,要采取另外手段,就是基于双核的设计理念,把TrustZone的理念,而并不是TrustZone本身,植入到传统的通用MCU里。

当然,要做安全,方法有很多,TrustZone只是其中的一种。此外,还有防火墙、专有代码读保护(PCROP),以及唯一启动入口,BootLock等,还有用户安全存储区等。STM32有一系列安全相关的硬件,结合双核,其他不是双核的也有这样的功能,能够实现或满足客户要求的安全级别。

AI的规划

ST未来会推出一些产品线系列,里面有特定的IP或加速器,去满足或帮助客户快速实现AI的算法。因为今天的MCU设计初衷还是针对控制与算法,因此有的产品叫MCU,有的叫数字信号控制器,未来可能会有“数字信号处理+控制+AI”的算法。

与合作伙伴的关系

1)同样是做芯片,与Semtech的关系

ST是在三四年前与Semtech在LoRa方面合作的。当时Semtech的工艺是(110~130)nm。因为全球只有该公司一家有这个IP。但在LoRa联盟成立之初,联盟要求要多几个芯片厂家能提供LoRa芯片。ST在那时就取得了Semtech的LoRaIP许可,集成到ST的90nm的工艺里,因此ST跟Semtech现有的产品工艺是不一样的。ST只有工艺节点上IP的许可,并没有网关方面的IP许可。基于此,ST与Semtech当时有一个战略的认同,会把市场规模做得更大,把场景做得更加丰富化。

2)WL系列下一步要推出模块,与做模块的合作伙伴竞争吗

双方并不存在竞争的关系,因为ST主要是给客户提供芯片的,模块只是一种辅助的手段,让客户能够快速去评估STMCU的性能,不是为了让客户做量产,当然,如果客户愿意做量产,ST也不反对。

ST的合作伙伴也在做模块,这是STM32的生态之一,他们的交付时间、制造成本,包括对模块的支持会很有优势,因为这是他们的核心业务。

如何解决供货紧张

最近,市面上MCU供货紧张。实际上,整个市场或全球供应链都很紧张,ST只是其中一家供应商,处于这个浪潮里。因为整个芯片制造会涉及诸多环节,包括前端制造、后端封测等,任何一个环节出现了紧缺,都会波及整个产业链紧张。

另外,从2020年第二到第四季度来看,都比第一季度对于全球的预期会更乐观。从ST角度看到有很多需求出现,主要来自于两方面:一是与医疗设备相关,二是居家智能化设备需求,这些需求会导致整个供应链的需求上升。但是在年初设定供应链计划时,并没有设定这么多,所以导致需求跟供给不匹配,引起缺货现象。

中国市场战略

据IHSMarkit2019年数据,ST是中国最大的MCU厂商。谈及经验,ST始终坚持两个方向、三个支撑点(如下图)。

95f6fa1117b246e3a04044fd389859bc.png

具体地,ST会两手抓,一是大客户战略,二是会培养中小客户。

首先,会关心重点应用。不过,重点应用是动态的,可能过去更多的是传统的工业控制,现在则偏向消费类电子、无人机、自动平衡车等,未来可能更多关注的是与AI、安全相关的应用。2020年是特殊的年份,医疗、居家等新应用在加速地推向市场。另外,更多的设备需要联网。ST会集中产品以及软件服务去满足特定行业和客户的需求。

第二,针对更广泛的大众用户。中国有超过1万家客户,为此,ST每年举行线上活动、线下研讨会、培训等,与客户沟通、圈粉。

第三,发展生态系统。因为系统设计越来越复杂,不仅仅是ST提供芯片和软件,更需要合作伙伴一起来参与。

收藏 人收藏
分享:

评论

相关推荐

“强芯”已成共识,车企争相布局欲抢占芯片高地

芯片“卡脖子”难题的看法和解决之策。从去年四季度开始蔓延的全球汽车芯片荒,即便是到今日仍没有潮退的迹....
的头像 旺材芯片 发表于 03-08 17:21 29次 阅读
“强芯”已成共识,车企争相布局欲抢占芯片高地

半导体产业链的分类和热点方向

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,在科技领域和经济领域都具有至关重要的作用。从分类来....
的头像 旺材芯片 发表于 03-08 17:17 25次 阅读
半导体产业链的分类和热点方向

OPPO首次超越华为 入股威兆半导体

企查查 App 显示,3 月 5 日,深圳市威兆半导体有限公司(简称威兆半导体)发生工商变更,新增股....
的头像 lhl545545 发表于 03-08 17:17 41次 阅读
OPPO首次超越华为 入股威兆半导体

SK海力士斥资280亿元采购EUV光刻机

放眼全球集成电路产业,存储器是最大的半导体细分市场。早些年间,这个市场的霸主之位被牢牢掌握在日本和美....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-08 17:13 47次 阅读
SK海力士斥资280亿元采购EUV光刻机

北方华创:公司半导体设备为100%自主研发

中国芯片产业发展水准之所以落后于国际,很大一部分原因在于中国芯片产业缺少具有技术实力的设备制造公司。....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-08 17:07 43次 阅读
北方华创:公司半导体设备为100%自主研发

台积电5nm和7nm高端制程需求大幅增长 创历史新高

半导体行业知名研究机构IC Insights近日发布报告称,台积电因5nm和7nm高端制程的需求大幅....
的头像 lhl545545 发表于 03-08 16:44 23次 阅读
台积电5nm和7nm高端制程需求大幅增长 创历史新高

Cree将在今年晚些时候将公司名称更改为Wolfspeed

Cree首席执行官Gregg Lowe表示:“Cree LED的出售完成代表了我们转型过程中的一个重....
的头像 高工LED 发表于 03-08 16:39 59次 阅读
Cree将在今年晚些时候将公司名称更改为Wolfspeed

宽禁带半导体材料与器件应用的新进展学习课件

工作原理(发射极零偏压、集电极正偏压)基区注入光脉冲时,载流子在能带之间跃迁,并导致电子空穴倍增,当....
发表于 03-08 16:19 11次 阅读
宽禁带半导体材料与器件应用的新进展学习课件

美迪凯正式登陆上交所科创板

公司持续加大研发投入,加速产业升级,不断推出新技术、新产品和新应用。近年来,公司开发了应用于半导体、....
的头像 半导体投资联盟 发表于 03-08 16:09 54次 阅读
美迪凯正式登陆上交所科创板

游戏设备和智能手机行业面临缺“芯”难题

在当下的全球汽车行业,一场巨大的芯片供应危机冲击了各大车企。福特、通用、丰田等厂商由于无法获得足够的....
的头像 lhl545545 发表于 03-08 16:00 93次 阅读
游戏设备和智能手机行业面临缺“芯”难题

英特尔侵犯芯片专利被判赔21.8亿美元

    据外媒报道,美国得克萨斯州的联邦陪审团周二做出裁决,全球最大芯片制造商英特尔侵犯了少数人持股....
的头像 旺材芯片 发表于 03-08 15:49 86次 阅读
英特尔侵犯芯片专利被判赔21.8亿美元

三星电子拿下2020年全球闪存芯片市场占有率和销售额双冠军

需要注意的是,这已经是三星自2006年以来,连续第十五年蝉联世界第一。由此可见,三星电子在全球闪存芯....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-08 15:48 123次 阅读
三星电子拿下2020年全球闪存芯片市场占有率和销售额双冠军

继竞拍晶圆后,半导体代工行业又有“破天荒”的事情发生

    继“竞拍”晶圆后,半导体代工行业又有“破天荒”、“历史首见”的事情发生。 据台媒报道,台湾地....
的头像 旺材芯片 发表于 03-08 15:45 65次 阅读
继竞拍晶圆后,半导体代工行业又有“破天荒”的事情发生

芯片制造商正在大举对冲双重订单

在生产 短缺的情况下,芯片制造商大举对冲双重定 单。Broadcom公司首席执行官Hock Tan表....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-08 15:34 72次 阅读
芯片制造商正在大举对冲双重订单

威兆半导体获得OPPO与华勤联合战略投资

威兆半导体成立于2012年,系一家专业从事功率器件、集成电路产品研发及销售的国家级高新技术企业,主要....
的头像 半导体投资联盟 发表于 03-08 15:30 88次 阅读
威兆半导体获得OPPO与华勤联合战略投资

晶圆代工产能更吃紧,台积电、联电等预示调涨报价

继去年11月上旬,全球微控制器(MCU)大厂-意法半导体(STM)爆发大罢工事件,冲击车用MCU供给....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-08 15:28 78次 阅读
晶圆代工产能更吃紧,台积电、联电等预示调涨报价

大陆IP如何尽快冲出“包围圈”?

近日致力于先进工艺IP研发和服务的芯耀辉科技有限公司(以下简称“芯耀辉”)完成Pre-A轮融资,成立....
的头像 半导体投资联盟 发表于 03-08 15:23 81次 阅读
大陆IP如何尽快冲出“包围圈”?

More Moore技术的发展路线预测

上世纪中叶,IEEE电子和电子工程师协会在上世纪中叶设立了一个叫ITRS的组织,该组织每年都会发布一....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-08 15:19 110次 阅读
More Moore技术的发展路线预测

上海临港新片区发布集成电路产业专项规划

3月3日,上海临港新片区发布《中国(上海)自由贸易试验区临港新片区集成电路产业专项规划(2021-2....
的头像 电子魔法师 发表于 03-08 15:13 101次 阅读
上海临港新片区发布集成电路产业专项规划

沐曦集成电路完成PreA+轮融资

沐曦集成电路(上海)有限公司(下称“沐曦”)在完成由红杉资本中国基金领投的Pre-A轮融资后,不到一....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-08 15:13 87次 阅读
沐曦集成电路完成PreA+轮融资

从半导体巨头财报了解缺芯真相和现状

全球疫情、日本地震、美国严寒,汽车产业在过去一年接连受到了供应链上的三次暴击。
的头像 我快闭嘴 发表于 03-08 15:05 160次 阅读
从半导体巨头财报了解缺芯真相和现状

OPPO入股电源芯片厂商威兆半导体

3 月 5 日,深圳市威兆半导体有限公司(简称威兆半导体)发生工商变更,新增股东 OPPO 广东移动....
的头像 电子魔法师 发表于 03-08 14:57 133次 阅读
OPPO入股电源芯片厂商威兆半导体

美国出台一份长达756页的2021年度最终建议报告

需要注意的是,该报告建议国会应收紧芯片制造技术的「瓶颈」,以防止中国在未来几年内超越美国。除此之外,....
的头像 中国半导体论坛 发表于 03-08 14:50 84次 阅读
美国出台一份长达756页的2021年度最终建议报告

NAND和DRAM市场发展状况预测

上周,美光科技调升了公司二季度营收和利润的预期。而高盛分析师注意到,可以从调研分析预测当前和未来几个....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-08 14:50 74次 阅读
NAND和DRAM市场发展状况预测

中国多个8吋或12吋晶圆厂项目落地投产,带动了材料及设备的需求

近来,中国多个8吋或12吋晶圆厂项目落地投产,带动了材料及设备的需求。而近几年,美国对中国企业的出口....
的头像 中国半导体论坛 发表于 03-08 14:38 120次 阅读
中国多个8吋或12吋晶圆厂项目落地投产,带动了材料及设备的需求

中芯国际就购买用于生产晶圆的阿斯麦产品与阿斯麦集团签订购买单

据了解,此次阿斯麦批量采购协议的期限从原来的2018年1月1日至2020年12月31日延长至从201....
的头像 中国半导体论坛 发表于 03-08 14:33 60次 阅读
中芯国际就购买用于生产晶圆的阿斯麦产品与阿斯麦集团签订购买单

盘点联建光电等企业在Mini LED领域的成果

开年以来,LED显示行业喜讯频传。产业链上中下游多家企业纷纷表示看好2021年市场持续向好,尤其是小....
发表于 03-08 13:39 88次 阅读
盘点联建光电等企业在Mini LED领域的成果

有没有很好的办法来解决加密问题但是又不破坏 MCU 的方法?

发表于 03-08 13:04 64次 阅读
有没有很好的办法来解决加密问题但是又不破坏 MCU 的方法?

晶圆制造代工成本再度提升

全球第一大半导体硅片厂商——信越化学于3月3日在官网发布公告,宣布从4月起对其所有硅产品的销售价格提....
的头像 如意 发表于 03-08 12:04 76次 阅读
晶圆制造代工成本再度提升

欧盟希望到2030年让全球20%半导体在欧洲生产

根据取得的草案内容报导,欧盟希望降低对美国和亚洲的依赖,提高在地半导体生产是此计划的一环。这份文件的....
的头像 电子魔法师 发表于 03-08 11:59 343次 阅读
欧盟希望到2030年让全球20%半导体在欧洲生产

预计2025年全球封装市场达到850亿美元

1968年,美国公司安靠的成立标志着封装测试业从IDM模式中独立出来。1987年台积电的成立更进一步....
发表于 03-08 11:44 115次 阅读
预计2025年全球封装市场达到850亿美元

从并购潮看半导体产业的发展趋势

2020年,尽管受到新冠肺炎疫情的冲击,全球半导体市场依然呈现正向增长的好成绩。特别是大型并购频频出....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-08 11:35 371次 阅读
从并购潮看半导体产业的发展趋势

汽车行业未来发展的思考

近日,全国「两会」正式启幕,在「十四五」开局之年,贯彻新发展理念、构建新发展格局、推动高质量发展成为....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-08 11:25 328次 阅读
汽车行业未来发展的思考

半导体激光器制造商活力激光获数千万元天使轮融资

  半导体激光器制造商活力激光近期已获得数千万元的天使轮融资,本次融资的领投方为前海母基金淮泽中钊天....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-08 10:59 192次 阅读
半导体激光器制造商活力激光获数千万元天使轮融资

强化LED芯片业务布局,国星光电对半导体增资

5日,国星光电发布公告宣布拟以2.2亿元对国星半导体进行增资,进一步优化上游芯片产品结构。
的头像 电子魔法师 发表于 03-08 10:54 303次 阅读
强化LED芯片业务布局,国星光电对半导体增资

全球车用芯片缺口达40%以上

摩根大通的报告指出,全球半导体公司芯片供不应求,缺口已经达到了10%-30%;有台湾半导体公司测算,....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-08 10:34 153次 阅读
全球车用芯片缺口达40%以上

半导体供应商博通2021第一财季营收大增

3 月 5 日消息,据国外媒体报道,半导体和基础设施软件解决方案供应商博通,已发布了 2021 财年....
的头像 电子魔法师 发表于 03-08 10:29 138次 阅读
半导体供应商博通2021第一财季营收大增

全球半导体硅片需求大增 晶圆制造产能持续供不应求

全球第一大半导体硅片厂商——信越化学于3月3日在官网发布公告,宣布从4月起对其所有硅产品的销售价格提....
的头像 lhl545545 发表于 03-08 09:55 150次 阅读
全球半导体硅片需求大增 晶圆制造产能持续供不应求

中科院微电子所周玉梅:应对“缺芯”需产业链多方配合

集成电路是全球化程度最高的产业,没有一个国家能够在集成电路产业链的所有环节都领先。2020年,国内集....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-08 09:13 119次 阅读
中科院微电子所周玉梅:应对“缺芯”需产业链多方配合

特殊半导体产业发展面临的三大挑战

“高德红外研制的百万像素中波/中波双色二类超晶格制冷红外探测器代表了红外成像技术尖端水平,打破少数国....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-08 08:59 153次 阅读
特殊半导体产业发展面临的三大挑战

两会车企代表谈汽车芯片短缺

全球汽车制造商正在经历“缺芯”阵痛。调研机构 IHS Markit 指出,芯片短缺可能导致全球第一季....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-08 08:59 344次 阅读
两会车企代表谈汽车芯片短缺

半导体晶体管及放大电路的基础知识详细说明

晶体管是最重要的一种半导体器件之一,它是组成各种电子电路的核心器件,它的放大作用和开关作用,促使了电....
发表于 03-08 08:00 7次 阅读
半导体晶体管及放大电路的基础知识详细说明

怎么设计一个嵌入式MCU硬件?

简要概述了MCU硬件设计的主要方面。若要设计一个性价比高、竞争力强的MCU,还需要进行大量的、详细的工作,尤其是电路的全...
发表于 03-08 06:37 0次 阅读
怎么设计一个嵌入式MCU硬件?

全球最大的硅片厂商信越宣布涨价

最近半年来,全球半导体行业面临产能紧缺、材料涨价的难题,日前日本信越更是宣布旗下的硅产品涨价10-2....
的头像 如意 发表于 03-07 11:34 939次 阅读
全球最大的硅片厂商信越宣布涨价

浅析中国电力主控芯片发展前景

由于缺少芯片制造相关技术和设备,长久以来,我国终端设备制造商所使用的芯片大都依靠进口。而且例如手机芯....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-07 11:09 385次 阅读
浅析中国电力主控芯片发展前景

哪些芯片最缺货?

从去年年底到现在,在半导体圈子里听到最多的就是关于产能紧缺的话题,且该势头愈演愈烈,已经呈现出不可收....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-07 10:07 368次 阅读
哪些芯片最缺货?

当前芯片短缺的原因是什么?

没有它们,世界各地的汽车厂就停止了。现在,制造它们的技术被美国视为与中国贸易摩擦的关键武器。
的头像 我快闭嘴 发表于 03-07 09:55 614次 阅读
当前芯片短缺的原因是什么?

全球芯片制造商安森美计划裁员约740人

凤凰城最大的上市公司之一、全球芯片制造商ON Semiconductor(安森美)计划在2021年上....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-07 09:39 289次 阅读
全球芯片制造商安森美计划裁员约740人

“芯片缺货”成为半导体行业的关键词

在最新一季的财报电话会上高通CEO就表示,芯片的订单正在潮水般涌来,而整个行业的生产负担都集中在亚洲....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-07 09:37 409次 阅读
“芯片缺货”成为半导体行业的关键词

传联发科出售转投资公司唯捷创芯股权

3月5日,联发科代旗下子公司Gaintech Co. Limited(唯捷创芯(天津)电子技术股份有....
的头像 我快闭嘴 发表于 03-07 09:23 464次 阅读
传联发科出售转投资公司唯捷创芯股权

单片机中公用16位地址线和8根数据线会起冲突的因素是什么?

51的存储器从功能上的程序存储器和数据存储器, 有什么办法可以知道自己扩展的是哪一类存储器?...
发表于 03-07 06:49 0次 阅读
单片机中公用16位地址线和8根数据线会起冲突的因素是什么?

工信部重磅发布《汽车半导体供需对接手册》

2月26日,由工业和信息化部电子信息司和装备工业一司主办,中国汽车芯片产业创新战略联盟、国家新能源汽....
的头像 汽车工程师 发表于 03-06 11:22 735次 阅读
工信部重磅发布《汽车半导体供需对接手册》

低功耗蓝牙选型有什么技巧?

物联网的兴起带动越来越多的公司选用无线互联产品,在无线互联中低功耗蓝牙(BLE)是不可缺少的用来支持相互连接的产品之一,因...
发表于 03-06 08:22 0次 阅读
低功耗蓝牙选型有什么技巧?

电源 IC 应用在汽车电子系统有什么样的要求?

汽车中的电子系统日益增多、越来越复杂,提高电源 IC 性能的目的是允许设计适应这种状况的电子系统。促进汽车中电子系统增长的...
发表于 03-06 06:23 0次 阅读
电源 IC 应用在汽车电子系统有什么样的要求?

流水灯怎么设计?流水灯方案有没有简单的?

流水灯怎么设计?流水灯方案有没有简单的?流水灯的原理是什么? ...
发表于 03-05 08:27 0次 阅读
流水灯怎么设计?流水灯方案有没有简单的?

怎么处理物联网设备的原型方案设计转换?

现在联网PC和手机已被认为是必不可少的设备,物联网将成为在电器领域取得创新发展和寻求商机的基础。机器学习和人工智能技术的...
发表于 03-05 08:05 0次 阅读
怎么处理物联网设备的原型方案设计转换?

STM32中如何配置PWM死区时间?

请问什么是死区时间呢?我也想知道  STM32中如何配置PWM死区时间? 求大神指教!      &nb...
发表于 03-05 07:24 0次 阅读
STM32中如何配置PWM死区时间?

为什么基于硬件的安全性更有效?

我们一直认为这些都是非常安全的产品。例如婴儿监视器、玩具、安全摄像头(非常讽刺),甚至医疗设备。已经快速采用IoT技术的领域...
发表于 03-05 07:18 0次 阅读
为什么基于硬件的安全性更有效?

什么是中断?中断处理程序原理是什么?

什么是中断? 程序 中断系统该怎么处理? 当程序执行到某个地方时,我们怎么判断中断?...
发表于 03-05 06:02 0次 阅读
什么是中断?中断处理程序原理是什么?

T1050-8G-TR STMicroelectronics 标准和Snubberless™三端双向可控硅

oelectronics标准和Snubberless™三端双向可控硅可采用通孔或表面贴装封装,适用于通用电源交流开关。它们可以用作静态继电器、加热调节或感应电机启动电路等应用的开/关功能。由于Snubberless版本具有高换向性能,特别推荐用于感性负载。 特性 中等电流三端双向可控硅 夹子结合,热阻低 用于绝缘BTA的低热阻绝缘陶瓷 BTA系列UL1557认证(文件参考号:81734) 高换向 (4Q) 或非常高换向 (3Q, Snubberless™) 能力 封装符合RoHS (2002/95/EC) 指令 ...
发表于 11-20 09:07 36次 阅读
T1050-8G-TR STMicroelectronics 标准和Snubberless™三端双向可控硅

LED1642GWXTTR STMicroelectronics LED1642GW 16通道LED驱动器

oelectronics LED1642GW 16通道LED驱动器是低电压40mA、16通道驱动器,设计用于LED面板显示屏。LED1642GW确保20V的输出驱动能力,用户可以以串联方式连接若干个LED。在输出级,16个稳压电流源提供从3mA到40mA的恒定电流,来驱动LED。电流通过外部电阻器进行设定,并可以由一个7位电流增益寄存器在两个子范围进行调整。各通道亮度可通过12/16位灰阶控制分开进行调整。电源电压范围从3V到5.5V。 特性 16个恒定电流输出通道 输出电流:从3mA到40mA 电流可编程通过外部电阻 两个范围内的7位全局电流增益调整 12/16位PWM灰度亮度控制 可编程输出开启/关闭时间 错误检测模式(打开和短路-LED) 可编程短路LED检测阈值 自动节电/自动唤醒 可选择的SDO同步在CLK下降边缘 拉杜尔输出延迟(可选) 供电电压:3V至5.5V 热停机和超温报警 30MHz 4线接口 20V电流发生器分级电压 ...
发表于 11-13 09:07 52次 阅读
LED1642GWXTTR STMicroelectronics LED1642GW 16通道LED驱动器

STLUX385A STMicroelectronics STLUX385A Digital LED Lighting Driver

relectronics STLUX385A 数字 LED 照明驱动器是 ST MASTERLUX™ 数字器件系列产品,专门用于照明和电源转换。STLUX385A 成功集成了多种架构和应用,从用于 LED 驱动的简单降压转换器、用于功率因数校正的升压转换器、用于可调光 LED 灯串的半桥谐振转换器,一直到 HID 灯镇流器中的全桥控制、无线电源充电器及电视电源等各种应用。 SMED SMED是由内部或外部事件触发的硬件状态机。 例如,在电源应用中,SMED可以关闭调节回路,当它检测到过流或短路时自动关闭电路,从而保护电路。 由于SMED是嵌入的,它们保证了比标准中断驱动微处理器提供的事件反应时间短。 特性 6SMED控制的PWM提供任何功率转换阶段(状态机事件驱动)的完全控制) 集成DALI(数字可寻址照明接口),实现控制、通信和监控功能 集成数字核心,使STLUX易于使用和可编程 新的...
发表于 11-11 09:07 39次 阅读
STLUX385A STMicroelectronics STLUX385A Digital LED Lighting Driver

STSPIN32F0ATR STMicroelectronics 无刷电机驱动器

oelectronics无刷电机驱动器是采用三相桥式配置的功率驱动器。其中包括用于霍尔效应传感器、PWM电流控制器和微控制器、DSP或FPGA的内置解码逻辑。这些器件包括针对过热、过流和欠压条件的保护和诊断特性。这样即可实现稳健可靠的设计。这些驱动器采用多种节省空间的散热增强型封装。STSPIN 3相BLDC电机驱动器IC为电机和运动控制提供了即用型解决方案。 视频 长使用寿命承诺 查看 特色产品 ...
发表于 11-10 09:07 52次 阅读
STSPIN32F0ATR STMicroelectronics 无刷电机驱动器

LDK220U50R STMicroelectronics LDK220 低压差稳压器

oelectronics LDK220 低压差稳压器以 2.5V 到 13.2V 范围的输入电压,提供 最大为 200mA 的输出电流 ,而典型压差仅为 100mV。它通过 输出上的陶瓷电容保持稳定。启用逻辑控制功能 可将 LDK220 置于关闭模式,从而实现 低于 1μA 的总电流消耗。该器件还包含短路恒定 电流限制和热保护。 LDK220 极低的压降、低静态电流和低噪声的特性,使其非常适合电池供电应用。 特性 输入电压从2.5到13.2V 非常低的下降电压(100米V型。 @100米负荷) Low quiescent current (typ. 40μA, 1μA in off mode) 低噪音 Output voltage tolerance: ±2.0% @ 25°C 保证输出电流200mA 可根据要求提供宽范围的输出电压:从1.2V固定到12V,有100MV的步进和可调 逻辑控制的电子关机 Compatible with ceramic capacitor COUT = 1μF 内部电流和热极限 可在SOT23-5L、SOT323-5L和DFN6-1.2x1.3包中使用 Temperature range: -40°C to 125°C ...
发表于 11-09 12:07 42次 阅读
LDK220U50R STMicroelectronics LDK220 低压差稳压器

STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

oelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管是一款超高性能功率肖特基二极管。该器件采用宽带隙材料,可以设计具有650V额定电压的肖特基二极管结构。得益于肖特基结构,在关闭时不会显示恢复,且振铃模式可以忽略不计。即使是最轻微的电容式关断特性也不受温度影响。这些器件特别适用于PFC应用,它们可以提高硬开关条件下的性能。高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的稳健性。 STPSC12065-Y和STPSC20065-Y器件符合AEC-Q101标准,可用于汽车应用。STPSC12065-Y和STPSC20065-Y是支持PPAP且符合ECOPACK®2标准的元件。 特性 无反向恢复或可忽略不&...
发表于 11-09 12:07 38次 阅读
STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

PWD5F60TR STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器

oelectronics PWD5F60高密度功率驱动器在单一紧凑型系统级封装 (SiP) 中集成了栅极驱动器和四个N通道功率MOSFET,采用双半桥配置。集成式功率MOSFET的漏源导通电阻或RDS (ON) 为1.38Ω,漏源击穿电压为600V。嵌入式栅极驱动器的高侧可方便地通过集成自举二极管供电。PWD5F60功率驱动器的集成度高,因此能在空间受限的应用中高效地驱动负载。 PWD5F60接受在10V至20V宽范围内的电源电压 (VCC),在上、下驱动部分均具有欠压闭锁 (UVLO) 保护功能,以防电源开关在低效率或危险条件下工作。PWD5F60具有宽输入电压范围,因此可轻&...
发表于 11-09 12:07 40次 阅读
PWD5F60TR STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器

STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

oelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU) 不仅扩展了超低功耗产品组合,还提高了产品性能,采用Arm® 树皮-M4内核(具有DSP和浮点单元 (FPU),频率为120MHz)。STM32L4P5产品组合具有512KB至1MB闪存,采用48-169引脚封装。STM32L4Q5具有1MB闪存,提供额外加密加速器引擎(AES、HASH和PKA)。 特性 超低功率,灵活功率控制 电源:1.71V至3.6V 温度范围:-40°C至85°C或-40°C至125°C 批量采集模式(BAM) VBAT模块中150nA:为RTC和32x32位储备寄存器供电 关断模式下,22nA(5个唤醒引脚ʌ...
发表于 11-06 09:07 73次 阅读
STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

ST715C50R STMicroelectronics 低静态电流LDO线性稳压器

oelectronics低静态电流LDO线性稳压器经过优化提供超低静态电流 (I)。I比其供电的平均负载电流低,或者相当。该功能对于电力有限的应用非常有必要,例如电池供电的设备或长时间待机、符合环保标准的设备。这延长了电池寿命,降低了整体功耗。 这些低静态电流LDO稳压器非常适合用于便携式消费类电子设备,例如智能手机、智能手表、蓝牙耳机和可穿戴设备。工业、智能建筑和智能家居传感器还得益于超低静态电流(工作和禁用(待机) 模式下...
发表于 11-05 17:07 26次 阅读
ST715C50R STMicroelectronics 低静态电流LDO线性稳压器

LD56100DPU33R STMicroelectronics LD56100超低噪声线性稳压器

oelectronics LD56100超低噪声线性稳压器在1.8-5.5V输入电压范围内提供1A电流,典型压差为120mV。LD56100采用DFN8 (1.2x1.6mm) 封装,在最大程度上节约空间。该器件通过输出上的陶瓷电容保持稳定。LD56100适合用于低功耗电池供电应用,具有超低压差、低静态电流、快速瞬态响应和内部软启动电路等功能。 特性 输入电压:1.8V至5.5V 超低压差(120mV典型值,1A负载和VOUT=3.3V时) 非常低的静态电流(无负载时的典型值为100μA,断开模式下典型值为0.03μA) 输出电压容差:±1%(-40°C至+85°C) 超低噪声ʍ...
发表于 11-05 17:07 44次 阅读
LD56100DPU33R STMicroelectronics LD56100超低噪声线性稳压器

VN7000AYTR STMicroelectronicsVND70x0汽车用高侧驱动器

半导体 VND70x0 车用高侧驱动器是单或双通道高侧驱动器,采用 ST 专有 VIPower® M0-7 技术制造,并采用 SO-8、PowerSSO-12 和 PowerSSO-16 封装形式。这些器件用于通过 3V 和 5V CMOS 兼容型接口驱动 12V 汽车接地负载。 特性 极低电压操作,用于深冷分级应用 合格汽车 综合的普遍的一般常规 单通道或双通道智能高侧驱动器与多感觉或电流感觉模拟反馈 非常低的待机电流 兼容3V和5VCMOS输出 多感官诊断功能 多路/电流感知模拟反馈:高精度比例电流镜负载电流、VCC电源电压和TCHIP器件温度 过载和短到地面(功率限制)指示 热停机指示 OFF-状态开负载检测 输出短到VCC检测 感觉启用/禁用 贸易保护措施(向歹徒缴纳的)保护费 未压缩关机 高压钳 负载电流限制 快速热瞬变的自限制 具有专用故障复位引脚的超温或功率限制的可配置闭锁 地面损失和VCC损失 带有外部组件的反向电池 静电放电保护 ...
发表于 10-30 14:06 42次 阅读
VN7000AYTR STMicroelectronicsVND70x0汽车用高侧驱动器

PWD13F60 STMicroelectronics PWD13F60栅极驱动器

oelectronics PWD13F60栅极驱动器是一款高密度电源驱动器和高压全桥,带集成栅极驱动器。PWD13F60器件接受电源电压范围广,受低压UVLO检测保护。这些PWD13F60栅极驱动器电源系统级封装和高压功率MOSFET具有低R (320mΩ) 和600V漏源击穿电压。PWD13F60栅极驱动器轻松连接微控制器和DSP单位或霍尔效应传感器,输入引脚范围广。这些PWD13F60栅极驱动器还具有宽驱动器电源电压、内部自举二极管,输出与输入同步,让设计更加灵活、简单和快速。PWD13F60采用10mmx13mmx1.0mm VFQFPN封装。典型应用包括工厂自动化、电机驱动器(用于工业和家用电器)、风扇和泵以及电源装置。 特性 电力系统级封装集成栅极驱动器和高压功率MOSFET 低R DS(开启)=320mΩ BVDSS =600伏 适合用作 全桥 双独立半...
发表于 10-30 14:06 48次 阅读
PWD13F60 STMicroelectronics PWD13F60栅极驱动器

LDLN025M18R STMicroelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO

oelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO的输入电压范围为1.5V至5.5V,250mA负载下的压差极低。LDLN025可延长需要长待机时间应用的电池寿命。该LDO的静态电流非常低,空载时仅12μA。LDLN025提供非常干净的输出,得益于其超低噪声值和高电源抑制比 (PSRR) 特性,非常适合用于超敏感型负载。该LDO采用陶瓷电容器,因此性能稳定。 特性 超低输出噪声:6.5μ VRMS 工作输入电压范围:1.5V至5.5V 输出电流高达250mA 非常低的静态电流:空载时为12μA 超低压差:250mV (250mA) 极高PSRR:80dB@100Hz、60dB@100kHz 线路、负载和温度范围内...
发表于 10-30 14:06 40次 阅读
LDLN025M18R STMicroelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO

LDL212PV33R STMicroelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC

oelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC可在2.5V至18V输入电压范围内提供最大1.2A电流。LDL212在1.2A电流下的典型压差值为350mV。LDL212适合用于在SMPS中实现直接稳压和在直流-直流转换器中实现二次线性稳压。该 IC 在 120Hz 时具有 87dB 的高电源抑制比,100kHz 时为 40dB。LDL212 采用使能逻辑控制功能实现关断模式,从而降低总电流消耗。该器件还具有限流、SOA和热保护功能。 特性 输入电压范围:1.6V至5.5V 极低压差(1A负载下的典型值为300mV) 低静态电流(无负载时的典型值为35μA,断开模式下的典型值为1μA) 输出电压容差:±2...
发表于 10-30 11:06 24次 阅读
LDL212PV33R STMicroelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC

LED2001PHR STMicroelectronics LED200x Monolithic Step-Down DC-DC Converters

oelectronics LED200x单片步进式DC-DC转换器是850k Hz的转换器,设计成精确的恒流源,可调节的电流能力可达4ADC。 嵌入式PWM调光电路提供LED亮度控制。 由于高开关频率和陶瓷输出电容兼容性,整体应用的尺寸被最小化。 器保护,防止热过热,过流和输出短路。 特性 3V到18V工作输入电压范围 850千赫兹固定开关频率 100mV类型。 电流感电压下降 PWM调光 ± 7% output current accuracy 同步整改 95mΩ HS / 69mΩ LS typical R DS(开启) 峰电流模式架构 嵌入式补偿网络 内部限流 陶瓷输出电容器兼容 热停机 申请 高亮度LED驱动 一般照明 卤素子弹再置术 签名 ...
发表于 10-30 11:06 32次 阅读
LED2001PHR STMicroelectronics LED200x Monolithic Step-Down DC-DC Converters

STSPIN32F0B STMicroelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器

oelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器是一款系统级封装器件,提供的集成解决方案适用于使用不同驱动模式驱动三相无刷电机。STSPIN32F0B控制器内置三个半桥栅极驱动器,能够驱动功率MOSFET,电流能力为600mA(拉电流和灌电流)。得益于集成联锁功能,不能同时驱动相同半桥的高侧和低侧开关。 该器件设有内部直流/直流降压转换器,可提供3.3V电压,适合为MCU和外部元件供电。另外,内部LDO线性稳压器可为栅极驱动器提供电源电压。集成运算放大器可用于信号调理,从而在&#...
发表于 10-30 10:06 62次 阅读
STSPIN32F0B STMicroelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器

STCMB1TR STMicroelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC

oelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC包含高电压双端控制器、高达800V额定电压部分以及监视这三块运行的胶合逻辑。PFC部分采用专有的恒定导通时间控制方法,无需正弦输入参考。这可减少系统成本和外部零部件数量。 特性 一般特性 SO20W封装 800V高压启动,带集成输入电压检测 有源输入滤波电容放电电路,可降低待机功耗,通过IEC 62368-1和UL Demko认证 适用于两款转换器的独立调试模式 PFC控制器特性 增强型恒定导通时间PFCʌ...
发表于 10-30 10:06 18次 阅读
STCMB1TR STMicroelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC

LD39100PU18RY STMicroelectronics LD39100低噪声稳压器

oelectronics LD39100低噪声稳压器最大电流为1A, 输入电压范围为1.5-5.5V,典型压差为200mV。该器件的输入和输出采用陶瓷电容器,具有超低压差、低静态电流和低噪声等特点。这些特性让LD39100非常适合低功率电池供电应用。电源抑制在低频率时为70dB,在10kHz时开始滚降。通过使能逻辑控制功能,LD39100可在消耗总电流低于1μA时处于关断模式。该器件还具有短路恒流限制和热保护功能。LD39100还提供符合AEC-Q100标准的版本,采用侧面可湿的DFN6 (3x3mm) 封装。 特性 符合AEC-Q100标准 输入电压范围:1.5V至5.5V 超低压差(1A负载时的典型值为200mV) 极低静态电流(无负载时的典型值为20μA,1A负载时的典ࣁ...
发表于 10-30 10:06 34次 阅读
LD39100PU18RY STMicroelectronics LD39100低噪声稳压器

L6498DTR STMicroelectronics L6498高压半桥驱动器

oelectronics L6498高压半桥驱动器是采用BCD6“离线”技术制造的高压器件。该驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。 两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流,因此L6498特别适合用于中大容量功率MOSFET/IGBT。由于集成联锁功能,所以输出不能同时驱动高位。位于下、上驱动部分的独立UVLO保护电路防止在低效率或...
发表于 10-30 10:06 45次 阅读
L6498DTR STMicroelectronics L6498高压半桥驱动器

L6494LDTR STMicroelectronics L6494高压高侧/低侧2A栅极驱动器

oelectronics L6494高压高/低侧2A栅极驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。这些高压器件采用BCD6“离线”技术制造。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。 该器件是单输入栅极驱动器,具有可编程死区时间,并设有低电平有效关断引脚。L6494特别适合中、高容量功率MOSFET/IGBT。两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流, 位于下、上驱动部分的独立UV...
发表于 10-29 13:06 12次 阅读
L6494LDTR STMicroelectronics L6494高压高侧/低侧2A栅极驱动器