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先抑后扬,年终骤现“缺芯”潮

MEMS 2021-01-15 16:24 次阅读

2020年,半导体行业可以说是风云变幻的一年。在新冠肺炎疫情的冲击下,市场先抑后扬,从一度悲观预测的负增长,转为5.1%的正增长。资本领域更是提速换挡,美国费城半导体指数从2020年年初的1800点到年底的2800点,涨幅超过1000点。中国半导体产业发展同样精彩,全年增长率保持在两位数以上,在部分关键领域取得实质性突破。

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先抑后扬,年终骤现“缺芯”潮

半导体产业表现一向与全球经济“正相关”,即全球经济增长,半导体市场也同步增长,如果全球经济萎缩,也会在半导体市场上表现出来。然而2020年的情况却有些特殊,受到新冠肺炎疫情冲击,年初的时候市场分析机构纷纷下调对半导体行业的预期,普遍认为将出现负增长。Gartner预测下降0.9%,麦肯锡预测下降5%。

然而,令人意外的是,年中之际半导体市场的表现便已好于人们预期。尽管那时智能手机、汽车等需求仍不乐观,但是“宅经济”已经初步发威,平板电脑、中小尺寸电视的需求不断增加,数据中心、云服务器对芯片的需求增长更快。到了年底,半导体领域更是刮起一轮“缺芯”潮,从电源管理芯片、显示驱动芯片,到MOSFET功率半导体、MCU,均出现了大面积缺货。“缺芯”潮向上游延伸,不仅台积电10纳米以下先进工艺产能被争抢,8英寸传统工艺产能供给同样严重不足,考验着半导体的供应链。采访中,和舰芯片销售副总经理林伟圣预测,这种供不应求的情况将持续到2021年上半年。

之所以出现这样的情况,与以下几点原因有关:首先是新冠肺炎疫情爆发下的“宅经济”加速了全球数字化转型,云服务、服务器、笔记本电脑、游戏和健康医疗的需求不断上升,5G、物联网、汽车、人工智能和机器学习等快速发展,这些都推动了市场对半导体产品的需求。其次是新冠肺炎疫情冲击了全球供应链,加剧了供需矛盾。相对来说,中国更早复工复产,使得中国厂商获得更多的市场机会,但也加剧了国内供应的紧张程度。此外,恐慌性备货和逐利性炒货也加剧了芯片荒的程度。

本轮芯片荒和晶圆产能不足,对中小企业的影响最大。四川和芯微电子股份有限公司董事长兼CEO邹铮贤指出,中国有数量非常多的中小IC设计企业,他们需要的是稳定通用的产品。大起大落的市场动荡很容易打乱发展的节奏,不利于产业的发展。因此,要认真分析中国设计企业的本土需求、未来战略、产能布局、技术规划等,当产能紧缺的压力来袭时,企业家们应该透过表面,看清深层次的原因,应该扛住盲目扩充产能的压力,做精准化规划。既要避免一拥而上、从众囤货带来的挤兑潮,又要规避规划不足对整机系统出货带来的压力。

热点转换,算力普及化时代将临

多年来,智能手机一向是拉动芯片产业发展的应用市场,2020年除智能手机之外,来自个人电脑、云端服务器、汽车电子、物联网等方面的需求都在涌现,计算力的普及化时代正在到来。

根据赛迪顾问发布的《5G终端产业白皮书(2020年)》,5G已经成为“新基建”信息基础设施的驱动力。预计2021年智能手机出货量3.65亿部,其中5G手机渗透率将达90%。5G的应用也在不断扩展,各种垂直行业的应用不断被开发出来,包括新型消费电子,以及更为广阔的企业AIoT市场等。紫光展锐高级副总裁黄宇宁指出,工业电子领域多、产业链条长,作为芯片的原厂要在不同的行业领域去开拓,切入一些新的行业。5G以及其他相关芯片将被搭载在需求更多样化、要求更高的设备上,支撑整个数字化的生态。

数据中心市场方面,2019年度全球Top10云服务提供商年度总支出为660亿美元,2020年将实现更高的增长。数据中心市场正在成为芯片龙头厂商争夺的焦点,英伟达收购ARMAMD收购赛灵思,均是以争夺数据中心处理器市场为目标。英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋表示,数据中心是推动未来计算变革的重要力量,而云计算和AI的强大趋势正在推动数据中心设计的结构性转变,过去的纯CPU服务器正在被高效的加速计算基础架构所取代。

汽车行业也正在经历着历史的变革,智能化、电动化、网联化成为汽车产业不可逆转的趋势。这些都是驱动车用半导体市场成长的关键。拓墣产业研究院预估,2020年全球车用芯片产值可达186.7亿美元;2021年将达到210亿美元,年增长率12.5%。

台积电(中国)副总经理陈平指出,从集成电路产业发展的历程来看,以应用划分,大致经历了大型机时代、PC机时代,2010年以后进入移动计算时代。2016年以后移动计算的拉动作用虽有所弱化,但是近年来随着5G、AI以及IoT的发展,市场对芯片的需求又在迅速提高,一个普及计算(UbiquitousComputing)的时代正在来临。进入普及计算时代之后,主要的应用市场将从移动计算时代的智能手机为主逐渐演变为移动计算、高效计算、智能车载、物联网这四个平台共同发展。这四个计算平台交互加成,将让半导体产业重回指数级高速增长的状态。

并购频发,深度影响未来产业格局

在高估值与高流动性的推动下,2020年半导体领域的大型并购再次发力,具备一定规模和影响力的大型并购案至少有6起,包括英伟达以400亿美元收购ARM,SK海力士90亿美元收购英特尔NAND闪存业务,AMD公司350亿美元收购赛灵思,ADI公司210亿美元收购美信,Marvell公司100亿美元收购Inphi公司,环球晶圆45亿美元收购SiltronicAG。仅这6起收购案宣布的交易额便高达1195亿美元,已经超过2015年全球半导体界掀起的并购热潮。根据ICInsights的数据,当年交易额为1077亿美元。

分析此轮并购浪潮出现的原因,与新冠肺炎疫情也脱不开关系。年初暴发的疫情对全球经济造成了重大冲击,为了挽回经济损失,欧美各国均采取了宽松的货币政策,资本市场获得了更高的流动性,进而推升股市,导致科技股不断翻红。飘高的股价必然会对企业管理层形成更强的业绩压力,而并购正是一个最容易见效的、推升业绩的手段。Gartner研究副总裁盛陵海便指出,这是资本热度推升的结果,同时股票价格的飙涨也为相关企业实施并购创造了条件。

半导体专家莫大康也指出,半导体作为基础产业已经上升为许多国家的重要战略,孕育出许多富有技术和创新能力的企业。借助并购,企业可以轻易踏过半导体产业的高门槛,成为不可忽视的发展策略。这些都是推动企业实施并购的重要原因。

大型并购对于产业格局的影响巨大。一旦英伟达对ARM的收购得以达成,影响所涉范围,将从移动设备扩展到数据中心、智能物联、自动驾驶等不同领域,处理器的产业格局都将重塑。AMD对赛灵思的收购同样不容忽视。如果并购得以达成,市场将没有大型的FPGA独立供应商,影响将涉及通信、数据中心、工业、汽车等行业。SK海力士对英特尔NAND业务的收购则影响着存储器产业的格局与走势。总之,大型并购案的频频出现显示出国际资本对半导体产业的影响正在加深。并购依然是推动半导体行业发展的重要手段,大者恒大的总体趋势不会改变。

不过需要注意的是,受中美贸易摩擦等因素的影响,全球对于半导体行业发展的重视越来越高,各国相关部门均收紧了对并购案的监管审核,尤其是半导体领域。2020年所发起的这几项并购后续发展并非一路坦途。

技术演进,第三代半导体材料受关注

2020年,半导体领域的技术创新持续推进。全球范围内,实现量产的先进工艺达到5nm节点。同时,异构集成成为显学,英特尔、高通、AMD、英伟达等芯片巨头不断在架构上寻求创新。特别值得注意的是,第三代半导体材料的影响越来越深入和广泛。在阿里巴巴达摩院发布的《2021十大科技趋势》中认为,未来几年,以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料将在材料生长、器件制备等技术上实现突破,并应用于5G基站、新能源汽车、特高压、数据中心等“新基建”场景。

此前,由于制造设备、制备工艺特别是材料成本上的劣势,第三代半导体材料只在小范围内得到应用。直至近几年这一局面才得以打破:一方面,在5G、新能源汽车等新兴市场中,Si基半导体的性能已无法完全满足需求,第三代半导体的性能优势被放大;另一方面,制备技术特别是大尺寸材料生长技术不断突破,SiC和GaN两种材料均从4英寸换代到6英寸并已研发出8英寸样品,加之器件制备技术逐步提升,使得第三代半导体器件性能日益稳定且成本不断下降,性价比优势逐渐显现。

从技术发展来看,随着硅基器件的趋近成本效益临界点,近年来主流功率半导体器件厂商纷纷围绕碳化硅和氮化镓等第三代半导体材料进行探索。第三代半导体材料具备宽禁带、低功率损耗等特性,迅速在高压高频率等新场景下发展壮大,成为功率半导体器件领域未来的重要发展趋势之一。

以新能源汽车充电桩为例,随着新能源汽车使用率提高,消费者对方便、快速充电的需求也越来越高,因此需要扩大基础设施建设,增加充电站数量并提供更快的充电服务。先进的功率技术和新材料如SiC在新能源汽车中起着重要作用。车载充电器和逆变器正在推动半导体公司投资新的宽禁带半导体技术和新型IGBT,并研发新的功率封装解决方案,以最大程度地利用这种高端硅技术的优势。数据显示,2018—2025年SiCMOSFET在充电桩等工业领域预计将保持12%的平均增长速度。随着应用范围的扩大,未来第三代半导体材料还将有着更大的发展。

需求牵引,中国实现“两位数”高增长

2020年,中国半导体产业走出了优于全球的好成绩。中国半导体行业协会统计数据,前三季度中国集成电路产业销售额为5905.8亿元,同比增长16.9%。相比而言,全球半导体市场同期销售额增长为5.9%。中国在高端芯片领域取得的成绩尤为明显。2020年,长江存储发布业内首款128层QLC3DNAND闪存,基本追平国际先进水平,在某些领域甚至有所领先。国产FPGA芯片全面进入通信和整机市场,在关键时刻起到决定性的支撑作用。国产EDA工具领域,继模拟全流程设计工具进入市场参与竞争后,在数字电路流程上也形成了一系列重要的单点工具。再经过几年的努力,相信我国也可以拥有自己的数字电路全流程设计工具。

之所以能够取得如此快速的进步,与中国市场对半导体产品的巨大需求关系密切。2020年“新基建”实施,有力推动了半导体产业的发展。“新基建”主要包括5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心、人工智能、工业互联网等重点领域。这些领域都离不开半导体产品作为关键核心支撑。“新基建”带来的大量新增需求,也通过需求牵引加速驱动了国产半导体工业体系的建设,推进设计、晶园、封装、测试以及配套设备、材料等更多环节的协同发展。

赛迪顾问副总裁李珂指出,中国已经成为全球最大的电子产品制造基地,多年来对集成电路产品的市场需求均保持快速增长。从区域市场结构来看,中国在全球主要国家和地区半导体市场规模中占比最高,2019年达到35%,美国、欧洲、日本、其他环太平洋区域分别为19%、9.7%、8.7%和27.5%。

当然,应当注意的是,尽管取得了一定成绩,但中国在处理器、存储器、模拟芯片、光器件、配套设备材料和工艺、EDA/IP和软件方面与国际先进水平之间的差距仍十分明显,特别是在EDA、设备与材料领域依然存在严重的卡脖子现象。2020年,美国商务部升级了对华为等企业的管制措施。非美国公司只要使用美国的技术、软件、设备等给华为生产芯片也将受到管制,需先得到美国政府批准。

但是也应看到,美国已经无法通过限购和技术封锁彻底消灭中国半导体产业。美国半导体企业需要依赖来自中国市场的销售和利润,才能维持巨额的科研投入。对中国企业实施管制封锁,或能取得一时之利,但亦将打乱美国企业的发展节奏。这一作法还会威胁全球供应链的安全,对整个半导体产业的健康发展都是不利的。

对于中国企业来说,则应充分利用我国是全球最大的内生应用市场这一优势,做好面向内需循环的供给工作,同时重视知识产权,以应用为引领,扩大开放合作,积极融入全球产业链当中,实现互利共赢。

责任编辑:lq

原文标题:这一年,半导体行业风云变幻

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0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 135次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 243次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 117次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 89次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 174次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
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NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 149次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 163次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 138次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 118次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 283次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 241次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 162次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 126次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 125次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 310次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 136次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 253次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 651次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5