0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

英飞凌率先推出1200V碳化硅IPM的CoolSiC

QjeK_yflgybdt 来源:英飞凌工业半导体 作者:英飞凌工业半导体 2021-01-08 11:34 次阅读

英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)推出了1200V碳化硅(SiC)集成功率模块(IPM),并在今年大规模推出了SiC解决方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列是业界在这一电压级别上的第一款产品。该系列为变频驱动应用中的三相交流电动机和永磁电动机提供了一种紧凑的变频解决方案,具有出色的导热性能和宽的开关频率范围。具体应用包括工业电机驱动器、泵驱动器和用于暖通空调(HVAC)的有源滤波器

CIPOS Maxi IPM集成了改进的6通道1200V绝缘体上硅(SOI)栅极驱动器和六个CoolSiC MOSFET,以提高系统可靠性,优化PCB尺寸和系统成本。这个新的家族成员采用DIP 36x23D封装。这使其成为1200V IPM的最小封装,具有同类产品中最高的功率密度和最佳性能。IM828系列的隔离双列直插式封装具有出色的热性能和电气隔离性,满足高要求设计的EMI和过载保护要求。

该SiC IPM坚固耐用的6通道SOI栅极驱动器提供内置的死区时间,以防止瞬态损坏。它还在所有通道上提供欠压锁定(UVLO)功能,并具备过流关断保护功能。凭借其多功能引脚,该IPM可针对不同用途提供高度的设计灵活性。除了保护功能外,IPM还配备了独立的UL认证温度热敏电阻。可以采样发射极引脚以监视相电流,从而使该器件易于控制。

供货情况

现在可以订购CIPOS Maxi IM828系列。该系列还包括面向额定功率高达4.8kW的20A IM828-XCC。

关于英飞凌

英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司,我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2020财年(截止9月30日),公司的销售额达85亿欧元,在全球范围内拥有约46,700名员工。2020年4月,英飞凌正式完成了对赛普拉斯半导体公司的收购,成功跻身全球十大半导体制造商之一。

原文标题:英飞凌率先推出1200V碳化硅IPM的CoolSiC™ CIPOS™ Maxi

文章出处:【微信公众号:英飞凌工业半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

责任编辑:haq

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 英飞凌
    +关注

    关注

    64

    文章

    1893

    浏览量

    136891
  • IPM
    IPM
    +关注

    关注

    5

    文章

    144

    浏览量

    38672
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    24

    文章

    2426

    浏览量

    47492

原文标题:英飞凌率先推出1200V碳化硅IPM的CoolSiC™ CIPOS™ Maxi

文章出处:【微信号:yflgybdt,微信公众号:英飞凌工业半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    基本半导体推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块

    BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块,
    的头像 发表于 04-11 09:22 375次阅读
    基本半导体<b class='flag-5'>推出</b>一款<b class='flag-5'>1200V</b> 240A大功率<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET半桥模块

    安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项和使用技巧

    安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)
    的头像 发表于 03-28 10:01 592次阅读
    安森美<b class='flag-5'>1200V</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET M3S系列设计注意事项和使用技巧

    安森美发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

    安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名为M3S,其中S代表开关。
    的头像 发表于 03-26 09:57 604次阅读
    安森美发布了第二代<b class='flag-5'>1200V</b><b class='flag-5'>碳化硅</b> (SiC) MOSFET—M3S

    英飞凌发布新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术

    英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比,全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和
    的头像 发表于 03-20 10:32 274次阅读

    英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSi MOSFET G2

    在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术——CoolSiC™ MOSFET Generation 2。这一创新技术的
    的头像 发表于 03-12 09:43 192次阅读

    英飞凌推出G2 CoolSiC MOSFET进一步推动碳化硅技术的发展

    碳化硅(SiC)技术一直是推动高效能源转换和降低碳排放的关键,英飞凌最近推出CoolSiC MOSFET第2代(G2)技术,也是要在这个领域提高了MOSFET的性能指标,扩大还在光伏
    的头像 发表于 03-12 09:33 320次阅读
    <b class='flag-5'>英飞凌</b><b class='flag-5'>推出</b>G2 <b class='flag-5'>CoolSiC</b> MOSFET进一步推动<b class='flag-5'>碳化硅</b>技术的发展

    碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV

    碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 (ZnO) 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏
    发表于 03-08 08:37

    Qorvo发布1200V碳化硅模块

    全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日宣布,推出四款采用E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置,其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。这一创新产品系列专为电动汽车充电站
    的头像 发表于 03-06 11:43 336次阅读

    Qorvo发布紧凑型E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块

    全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日发布了四款采用紧凑型E1B封装的1200V碳化硅(SiC)模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置,其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。
    的头像 发表于 03-03 16:02 376次阅读

    英飞凌62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块荣获2023年度最具影响力碳化硅产品奖

    11月14日,英飞凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半桥模块凭借其卓越的性能,荣获2023年度行家极光奖最具影响力产品奖,再次展现了英飞凌碳化硅领域的技
    的头像 发表于 12-21 08:14 341次阅读
    <b class='flag-5'>英飞凌</b>62mm <b class='flag-5'>CoolSiC</b>™ MOSFET 2000V M1H<b class='flag-5'>碳化硅</b>半桥模块荣获2023年度最具影响力<b class='flag-5'>碳化硅</b>产品奖

    碳化硅MOS/超结MOS在直流充电桩上的应用

    MOS管在直流充电桩上的应用,推荐瑞森半导650V/1200V碳化硅MOS系列,600V/650V超结MOS系列
    的头像 发表于 12-08 11:50 281次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOS/超结MOS在直流充电桩上的应用

    CoolSiCIPM IM828应用指导和应用案例

    英飞凌推出了采用转模封装的1200V碳化硅(SiC)集成功率模块(IPM),CIPOS™ Maxi IP
    的头像 发表于 09-19 14:45 958次阅读

    逆变器中600V-1200V碳化硅MOSFET预备起飞

    逆变器中600V-1200V 碳化硅MOSFET未来十年的复合年增长率为27%。
    发表于 07-17 11:33 286次阅读
    逆变器中600V-<b class='flag-5'>1200</b>V<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET预备起飞

    凌云院IPAC | 2023年度英飞凌碳化硅直播季,重磅来袭!

    和沉淀,帮助新材料在新应用中快速成长。迄今为止英飞凌CoolSiC商用已有20余年,未来CoolSiC碳化硅器件除了光伏和储能、充电设施以及各类电源应用以外,还会
    的头像 发表于 05-19 10:27 625次阅读
    凌云院IPAC | 2023年度<b class='flag-5'>英飞凌</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>直播季,重磅来袭!

    英飞凌SiC芯片嵌入PCB提高效率

    英飞凌和Schweizer Electronic AG正在合作,将英飞凌1200V CoolSiC™芯片嵌入印刷电路板(PCB),以提高基于碳化硅
    发表于 05-05 10:31 539次阅读
    <b class='flag-5'>英飞凌</b>SiC芯片嵌入PCB提高效率