0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

为什么要在智能手机电源中使用氮化镓?

意法半导体PDSA 来源:意法半导体IPG 作者:意法半导体IPG 2021-01-06 15:58 次阅读

前不久意法半导体发布了全新MASTERGAN1产品,它同时集成了半桥驱动器和两个增强模式氮化镓(GaN)晶体管, 类似的竞争产品仅仅只包含单个氮化镓晶体管,这使得ST的MASTERGAN1在半桥拓扑应用中优势明显。例如,常见的 AC-DC系统中 LLC谐振转换器,有源钳位反激或正激,图腾柱PFC等等。

该款新器件具有极高的象征意义,因为集成度更高,设计应用更为简便。目前业界使用此类电源器件时,主要将其用于电信设备或数据中心的电源中。如今,借助MASTERGAN1,工程师可为智能手机充电器和USB-PD适配器设计尺寸更小并且更加高效的电源。

为什么要在智能手机电源中使用氮化镓?

近年来智能手机,平板电脑或笔记本电脑的功率呈指数增长。为了让消费者有更好的使用体验,制造厂商不得不增加电池容量。但是由于电池材料技术的限制,电池容量方面难有重大突破。于是发展快充技术成为了制造商的首选。借助USB Power Delivery(USB-PD)和快速充电技术,您可以在不到十分钟的时间内达到50%的电量。这就要求充电器在短时间内可以输出100W甚至更高的功率。在维持充电器尺寸不变的前提下,提高开关频率势在必行。 目前带有GaN晶体管的充电器尚未普及,高设计难度首当其冲。以中型甚至大型公司的工程师为例,说服领导层使用新技术并非易事,所以帮助决策者理解这项技术至关重要。同时GaN晶体管印刷电路板的设计不同于普通硅管,设计一个稳定可靠的GaN晶体管电路板也是一个重大的挑战。MASTERGAN1的意义在于它能够解决所有这些问题,让整个设计简便可靠。 了解氮化镓GaN电性能

【EVALMASTERGAN1】 氮化镓凭借其固有的特性,可在小型设备需要高功率时发挥重要作用。这种材料本身并非新鲜事物。我们从上世纪九十年代开始将其用于LED,并从21世纪起将其用于蓝光阅读器。而如今,创始人能在硅片上生成一层薄薄的氮化镓,从而制造出具有独特性能的晶体管。氮化镓的带隙为3.39eV,远高于硅(1.1 eV)和碳化硅(2.86 eV)。因此,其临界电场也要高得多,这意味着它在高频下能提供更高的效率。 这些特性的根本原因来自于GaN的分子结构。镓本身是导电率低的电导体。然而,当氮原子破坏镓晶格时,它会显著增加结构的电子迁移率(1700cm2/Vs),因此电子可以以更高的速度移动而损失更少。当应用在开关频率高于200khz的场景中,使用GaN的效率更高。它可以实现体积更小、更具成本效益的系统。

EVALMASTERGAN1,眼见为实

尽管有这些理论知识,但要说服决策者可能依然困难重重。虽然GaN晶体管并不是什么新鲜事物,但是它们在大批量产品电源中的使用仍然是新颖的。要使GaN和MASTERGAN1的功能展示变得更加简单,必须依靠EVALMASTERGAN1板。它是一个真实可见的物理平台,并且展示了电源中单个封装的外观。用户可以选择添加一个低端分流器或一个外部自举二极管,以便更好地适用于终端设计。此外,还可以访问MASTERGAN1的所有引脚,以帮助开发人员初期调试及应用。 MASTERGAN1:用氮化镓进行设计降低设计复杂度

【MASTERGAN1】 从概念验证到定制设计可能会充满挑战。评估板的原理图是一个很好的起点,但是高频应用却很棘手。如果PCB上的走线太长,则寄生电感会导致误开关问题。对于半桥转换器而言,两个GaN晶体管是必须的,但是大多数竞争器件仅提供一个。MASTERGAN1是一款独特的产品,因为它是集成两个GaN晶体管的单芯片。所以工程师不必应对与此类应用相关的复杂性。同样,特定的GaN技术和栅极驱动器上的优化设计也意味着系统不需要负电压关断。MASTERGAN1还具有兼容20V信号的输入引脚,可以适用于各种现有和即将推出的控制器。 工程师还必须应对关键的尺寸限制。智能手机充电器必须保持小型化。因此,MASTERGAN1封装的尺寸仅为9 mm x9 mm非常具有优势。此外,在未来几个月内会陆续推出迭代产品,我们将使其与现有引脚保持兼容。这使得基于使用MASTERGAN1的PCB创建新设计会更加简单。随着制造商争相提供更实惠的解决方案,MASTERGAN1将使设计更具性价比。这也解释了为什么MASTERGAN1已经获得设计大奖。

提高可靠性

工程师面临的另一个主要挑战是可靠性。不稳定的系统会严重影响用户体验甚至降低消费者对产品的信任度。共通是半桥拓扑中导致坏机的常见原因。为此,MASTERGAN1集成了互锁功能,匹配的传输延迟以及差分导通和关断的栅极电流,这些功能都可以帮助实现干净有效的开关。最后,我们为e-MODE GaN FET专门设计了MASTERGAN1的栅极驱动器,从而提高了性能和耐用性。 MASTERGAN1同时自带欠压锁定(UVLO)保护,可防止供电不足情况下损耗增大以及一些潜在的问题。同样OTP可防止设备过热导致损坏。栅极驱动器的电平转换器和有效的输入缓冲功能使GaN的栅极驱动器非常耐用且抗噪声。最后它还配置了专用的引脚可以将MASTERGAN1设置为空闲模式,降低损耗,提高待机效率。

责任编辑:lq

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 驱动器
    +关注

    关注

    51

    文章

    7293

    浏览量

    142840
  • 晶体管
    +关注

    关注

    76

    文章

    9028

    浏览量

    135065
  • GaN
    GaN
    +关注

    关注

    19

    文章

    1759

    浏览量

    67714

原文标题:全新MASTERGAN1,让GaN晶体管更具说服力和直观性

文章出处:【微信号:STM_IPGChina,微信公众号:意法半导体PDSA】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    长电科技:已看到智能手机市场复苏

    在这样的背景下,长电科技表示,最近在财务报告电话会议上观察到了智能手机市场的复苏。不仅智能手机的数量增加了,智能手机的硬件也在进化,支持新的应用程序,特别是llm(大容量语言模式),这种模式正逐渐流入高级
    的头像 发表于 11-10 10:08 269次阅读

    氮化芯片未来会取代硅芯片吗?

    氮化 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化(GaN)是一种宽带隙半导体材料
    发表于 08-21 17:06

    氮化测试

    氮化
    jf_00834201
    发布于 :2023年07月13日 22:03:24

    有关氮化半导体的常见错误观念

    的应用,包括自动驾驶汽车、机器人、无人机和安全系统的激光雷达系统。 随着产量的增长,氮化器件正在取代传统应用的硅MOSFET,例如48 V DC/DC电源,让数据中心和云计算、人工智能
    发表于 06-25 14:17

    纳微集成氮化电源解决方案和应用

    纳微集成氮化电源解决方案及应用
    发表于 06-19 11:10

    什么是氮化功率芯片?

    通过SMT封装,GaNFast™ 氮化功率芯片实现氮化器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源
    发表于 06-15 16:03

    为什么氮化比硅更好?

    氮化(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量,氮化的禁带宽度为 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以说
    发表于 06-15 15:53

    氮化: 历史与未来

    ,以及基于硅的 “偏转晶体管 “屏幕产品的消亡。 因此,氮化是我们在电视、手机、平板电脑、笔记本电脑和显示器中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技术。在光子学方面,氮化
    发表于 06-15 15:50

    为什么氮化(GaN)很重要?

    氮化(GaN)的重要性日益凸显,增加。因为它与传统的硅技术相比,不仅性能优异,应用范围广泛,而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中,传统硅器件在能量转换方面,已经达到了它的物理
    发表于 06-15 15:47

    什么是氮化(GaN)?

    氮化,由(原子序数 31)和氮(原子序数 7)结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量,氮化
    发表于 06-15 15:41

    氮化功率芯片如何在高频下实现更高的效率?

    氮化为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷(低电容)、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件,以及分立氮化的典型开关频率(65kHz)相比,集成式氮化
    发表于 06-15 15:35

    氮化功率芯片的优势

    更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。 更快:氮化电源 IC 的集成设计使其非常
    发表于 06-15 15:32

    谁发明了氮化功率芯片?

    、设计和评估高性能氮化功率芯片方面,起到了极大的贡献。 应用与技术营销副总裁张炬(Jason Zhang)在氮化领域工作了 20 多年,专门从事高频、高密度的
    发表于 06-15 15:28

    什么是氮化功率芯片?

    智能手机充电器到电动汽车的所有领域,都具有适用性。高频开关可以让磁性元件和其他无源元件尺寸缩小,成本和重量因此大幅减少,同时能提供更快的充电体验。然而在半桥电路中,在这样高频率下向浮动的高压侧开关提供电源
    发表于 06-15 14:17

    如何使用支持NFC的智能手机从带有密码的标签中读取数据?

    我有一个 NFC NTAG 213 我用密码保护它并将访问权限更改为 80 以启用密码读取 但是我无法使用密码读取数据,但是当我尝试使用密码对其进行身份验证时,它返回 PACK 00:00 如何使用支持 NFC 的智能手机从带有密码的标签中读取数据。
    发表于 05-16 07:06