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关于对1nm节点的猜想

2021-01-04 09:33 次阅读

从多个厂商和研究机构的成果我们可以看到,接下来的几个高级过程节点的设备路线图似乎相对清晰。FinFET拓扑结构随后将被“gate-all-around”器件取代,通常使用多个堆叠的沟道,然后金属栅完全被“纳米片”围绕。尽管鳍片由于在鳍片的高度和厚度上的遍历而表现出改善的栅极至沟道静电,但堆叠的纳米片却进一步改善了这种静电控制——优化了亚阈值泄漏电流。

提议的对纳米片拓扑的扩展是“forksheet”,如下图所示。

b029c86c-4b72-11eb-8b86-12bb97331649.png

forksheet研发的目标是消除nFET到pFET器件的间距规则(用于公共栅极输入连接),用薄氧化物隔离两组纳米片。晶体管密度获得这种引人注目的增益的代价是——栅极再次在三个侧面上包围了沟道体积–“FinFET侧面翻转”是forksheet的一个常见的相似之处。

尽管后FinFET节点的大批量制造(HVM)的日期有些不确定,但是可以预料,这些不断发展的纳米片/forksheet拓扑将在2024-25年间出现。

现在,也有很多纳米片的替代品正在进行积极的工艺开发和设备研究。假设“纳米”设备拓扑结构将至少用于两个制程节点,那么,如果有任何新设备想要在2028-30年间达到HVM,则现在需要积极进行研究。

在最近的IEDM会议上,Synopsys展示了他们在此时间范围内针对“1nm”节点的领先器件替代产品之一的预测和设计技术协同优化(DTCO)评估结果。本文总结了他们演讲的重点。

“1nm”节点

下图描述了最近几个工艺节点上晶体管密度的直线趋势。(此图是Synopsys与ICKnowledge,Inc.合作的一部分。)

b0c489e2-4b72-11eb-8b86-12bb97331649.png

关于此图需要注意的几件事:

X轴上的节点名称表示从14nm节点的简单过渡,每个连续的数据点由0.7X的摩尔定律线性乘数定义

毫无疑问,SemiWiki的频繁阅读者无疑知道,代工厂分配给后续节点的实际术语已经增加了一些“营销投入”。为了便于讨论,如果DTCO流程开发的目标确实要保留在该曲线上,则使用0.7X名称是合适的。

每个节点上的密度数据点代表来自多个晶圆厂的指标

数据点包括用于逻辑和SRAM实现的单独措施

逻辑密度通常与制造技术通常使用的基础库单元实现相关。例如,一个2输入NAND单元的面积使用以下方式反映了该单元中的4个器件:

thecontactedpolypitch(CPP)

cell中水平金属走线的数量(用于信号和电源)

cell邻接隔离间隔(“扩散中断”与单元之间的虚设栅极捆绑在一起)

另一个关键单元尺寸是(可扫描的)数据触发器的面积。上面的晶体管密度计算针对每个逻辑数据点使用NAND和FF单元的逻辑混合。

需要特别注意的是,对于1nm节点,在Synopsys投影中使用的设备拓扑结构的假设。积极的研究正在进行中,以在与该节点一致的时间范围内评估几种非硅场效应器件类型,例如2D半导体材料(MoS2)和1D碳纳米管。为了保持在晶体管密度曲线上的目标,SynopsysTCAD团队采用了DTCO工艺定义来实现3D“互补FET”(CFET)。下图说明了CFET的横截面。

b123079c-4b72-11eb-8b86-12bb97331649.png

CFET技术的一个吸引人的特征是与纳米片拓扑结构的相似性,后者将在1nm节点的时间范围内具有多年的制造经验。CFET方法的新颖之处在于pFET和nFET纳米片的垂直放置。

CFET拓扑利用了典型的CMOS逻辑应用,其中将公共输入信号施加到nFET和pFET器件的栅极。(稍后将讨论具有仅nFET字线传输门的6TSRAM位单元的独特情况。)

上图显示了pFET纳米片如何直接位于nFET纳米片下方。在图中,存在两个nFET纳米片,比pFET窄,这主要是由于需要空间来接触pFET源极和漏极节点,因此nFET的宽度减小了。并联的两个nFET将提供与pFET相当的驱动强度。(CFET中的SRAM位单元设计采用了不同的策略。)还显示了有源栅极上的M0接触(COAG)拓扑结构,扩展了这种最新的工艺增强功能。

CFET器件的处理需要特别注意pFET和nFET的形成。用于pFET源/漏节点的SiGe的外延生长用于在沟道中引入压缩应变,以提高空穴迁移率。然后执行pFET栅极氧化物和金属栅极沉积。随后,nFET源极/漏极节点的外延Si生长,随后的栅极氧化物和金属栅极沉积必须遵守现有pFET器件施加的材料化学约束。

埋入式电源导轨(Powerrails)

请注意,对于1nm节点的假设是,本地VDD和GND分布将由“埋入电源轨”(BPR)提供,它们位于基板中的纳米片下方。结果,既需要“浅”(器件)通孔,又需要“深”(BPR)通孔。因此,BPR和过孔的金属成分是关键的工艺优化,以降低寄生接触电阻。(主要)金属必须具有低电阻率,并以极薄的势垒和衬里材料沉积在沟槽中。

说到寄生,下面的(简化)布局图突出了CFET拓扑的独特优势。

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CFET器件的三维方向消除了单独的nFET和pFET区域之间的栅极穿越。而且,与FinFET器件布局相比,栅极到源极/漏极局部金属化层的并行运行长度显着减少。(图中显示了经过纳米片的较小的栅极长度扩展。)结果,使用CFET极大地改善了器件的寄生Rgate电阻和Cgs/Cgd电容

CFETSRAM设计

在CFET工艺中实现6TSRAM位单元会带来一些折衷。SynopsysDTCO团队选择了独特的设计特征,如下图所示。

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nFET下拉:pFET上拉比很容易达到2:1

前面所示的两个较小的nFET纳米片,其逻辑驱动强度比为1:1,与SRAM位单元中的pFET的宽度相同,驱动力为2:1。(请注意,这可以与FinFET位单元相媲美,其中nFET鳍片的数量为2而pFET鳍片的数量为1。)

实现了一对修改的nFET传输门器件

用于传输门(passgates)的两个nFET纳米片(略)比下拉电阻弱;栅极仅存在于纳米片的三个侧面上。这种“三栅极”配置提供了更密集的位单元,并优化了传输门:下拉nFET器件的相对强度,以实现可靠的单元读取容限。

通过门器件下的pFET纳米片现在变成无效的“虚拟”门

内部6T电池互连使用唯一的“交叉耦合”层(在M0通孔水平)

流程开发早期的DTCO分析利用TCAD仿真工具来表示材料光刻图案,材料沉积和(选择性)蚀刻轮廓。这项早期的优化工作可洞悉所需的工艺窗口以及预期的材料尺寸和电性能,包括可优化自由载流子迁移率的沟道应变。

随后的寄生提取与器件模型合并,可以为新工艺进行初步的功率/性能测量,并结合器件布局区域进行完整的PPA评估。下图(比较忙)提供了上述SRAM位单元的DTCO分析的可视化。

b27edbf2-4b72-11eb-8b86-12bb97331649.png总结

在IEDM上,SynopsysTCAD团队基于CFET器件拓扑结构窥视了“1nm”节点的特性,其中一个pFET纳米片低于两个nFET纳米片。还假定有埋入式电源轨。光刻假设基于(高数值孔径)EUV的利用,例如39nmCPP(带有COAG)和19nmM0金属间距。相对于PU:PD:PG的相对驱动强度以及内部交叉耦合互连层,均采用了独特的SRAM位单元设计方法。

DTCO分析的结果表明,1nmCFET节点确实可以保持较高的晶体管密度,接近10**9晶体管/mm**2。看到此预测如何演变将非常有趣。

原文标题:1nm节点的猜想

文章出处:【微信公众号:半导体芯精英】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

责任编辑:haq

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的单IC应用板专用于VNQ7140AJ 提供电连接和热散热,易于成型 常规器件具有 使用3伏和5伏CMOS输出 诊断功能 复用模拟的反馈:具有高精度比例电流镜,V CC 电源电压和TCHIP装置温度 过载和短路的负载电流接地(功率限制)指示 热关断指示 断开状态开放负载检测 输出短路到V CC 检测 感测启用/禁用 栅栏 欠压关断 过电压钳位 负载电流限制 自限制性快速热瞬变的 可配置拉TCH-OFF ON过热或功率限制与专用故障复位销 第V 的地面和损失损失CC 反向电池与外部部件 静电放电保护 此板提供您连接意法半导体一种简单的方法...
发表于 05-20 10:05 79次 阅读
EV-VNQ7140AJ EV-VNQ7140AJVNQ7140AJ评估板

EV-VN7020AJ EV-VN7020AJVN7020AJ评估板

的单IC应用板专用于VN7020AJ 提供电连接和热散热,易于成型 常规器件具有 使用的多传感模拟反馈 极低的待机电流 使用3伏和5伏CMOS输出 诊断功能 复用模拟的反馈:具有高精度比例电流镜,V CC 电源电压和T CHIP 设备温度 过载和短路到地(功率限制)指示 热关断指示 断开状态开放负载检测 输出短路到V CC 检测 感测启用/禁用 栅栏 欠压关断 过电压钳位 负载电流限制 自快速热瞬变的限制 可配置锁断有关过热或功率限制与专用故障复位销 的地损耗和损失V CC 反向电池与外部部件 静电放电保护 此板提供您连接意法半导体一种简单的方法...
发表于 05-20 10:05 88次 阅读
EV-VN7020AJ EV-VN7020AJVN7020AJ评估板

EV-VN7040AJ EV-VN7040AJVN7040AJ评估板

的单IC应用板专用于VN7040AJ-E 提供电连接和热散热,易于成型 常规器件具有 与多传感模拟反馈 极低的待机电流 单信道的智能高侧驱动器3伏和5伏CMOS输出 的多传感诊断功能 复用模拟的反馈:具有高精度比例电流镜,V CC 电源电压和T CHIP 设备温度 过载和短路到地(功率限制)指示 热关断指示 断开状态开放负载检测 输出短路到V CC 检测 感测启用/禁用 栅栏 欠压关断 过电压钳位 负载电流限制 自限制的快速热吨ransients 可配置锁断有关过热或功率限制与专用故障复位销 第V CC 反向电池与外部部件 静电放电保护 此板提供了一种简单的方式来连接意法半导体...
发表于 05-20 10:05 71次 阅读
EV-VN7040AJ EV-VN7040AJVN7040AJ评估板

EV-VND7030AJ EV-VND7030AJVND7030AJ评估板

的单IC应用板专用于VND7030AJ 提供电连接和热散热,易于成型 常规器件具有 双通道智能高侧驱动器,具有多传感模拟反馈 极低的待机电流 使用3伏和5伏CMOS输出 诊断功能 复用模拟的反馈:具有高精度比例电流镜,V CC 电源电压和T CHIP 设备温度 过载和短路到地(功率限制)指示 热关断指示 断开状态开放负载检测 输出短路到V CC 检测 感测启用/禁用 栅栏 欠压关断 过电压钳位 负载电流限制 自限制性快速热瞬变的 可配置锁断有关过热或功率限制与专用故障复位销 的地损耗和损失V CC 反向电池与外部部件 静电放电保护 此板提供您连接意法半导体一种简单的方法...
发表于 05-20 10:05 88次 阅读
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AR0237AT CMOS图像传感器 数字 2.1 MP /全高清 1 / 2.7英寸

美半导体的AR0237AT是一款1 / 2.7英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为1928(H)×1088(V)。它可以在线性或高动态范围模式下捕获图像,并具有滚动快门读数。它包括复杂的相机功能,如像素内装箱,窗口以及视频和单帧模式。它专为低光和高动态范围的场景性能而设计。它可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR0237AT可以产生非常清晰,清晰的数码照片,并且能够捕捉连续视频和单帧,使其成为各种应用的理想选择,包括监控和高清视频。 特性 卓越的低光性能 采用安森美半导体DR-Pix技术的最新3.0米像素具有双转换增益 高达1080p 60 fps的全高清支持,实现卓越的视频性能 线性或高动态范围捕获 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持用于外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 ...
发表于 08-13 13:47 435次 阅读
AR0237AT CMOS图像传感器 数字 2.1 MP /全高清 1 / 2.7英寸

AR0238 RGB-IR CMOS图像传感器 2.1 MP 1 / 2.7 RGB-IR

RGB-IR是一款1 / 2.7英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为1928(H)x 1088(V)。它采用滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如像素内合并,窗口以及视频和单帧模式。它专为低光和高动态范围场景性能而设计,可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR0238 RGB-IR集成了在一个传感器中进行白天彩色成像和夜间近红外成像的能力,无需机械红外截止滤波器,这种滤波器可能响亮,大,导致重新聚焦问题并且维护成本高,非常适合家庭安全和其他监控应用,其中照明条件可能会在相机预期工作期间发生剧烈变化。 特性 卓越的低光性能 具有双转换增益的DR-PIX(TM)技术 高达1080p 60 fps的全高清支持,提供卓越的视频性能 线性或高动态范围捕获 片上锁相环(PLL)振荡器 支持行交错T1 / T2读出以启用HDR处理在ISP...
发表于 08-13 11:04 528次 阅读
AR0238 RGB-IR CMOS图像传感器 2.1 MP 1 / 2.7  RGB-IR

AR0234AT 带全局快门的1 / 2.6英寸2.3 Mp CMOS数字图像传感器

AT是1 / 2.6英寸2Mp CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为1920(H)x 1200(V)。它采用了全新的创新全局快门像素设计,针对以每秒120帧的全分辨率精确快速捕捉移动场景进行了优化。该传感器可在低光和明亮场景下产生清晰,低噪声的图像。它包括复杂的相机功能,如自动曝光控制,窗口,行跳过模式,列跳过模式,像素分级以及视频和单帧模式。它可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR0234AT产生极其清晰,锐利的数字图像,具有业界领先的全局快门效率,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为包括汽车车厢系统在内的广泛应用的理想选择。 特性 卓越的低光和红外性能 高清视频(1080p120) 4通道MIPI或并行数据接口 自动黑电平校准(ABLC) 感兴趣区域(ROI)的可编程控制 水平和垂直镜像,窗口和像素分级 ...
发表于 08-13 11:03 881次 阅读
AR0234AT 带全局快门的1 / 2.6英寸2.3 Mp CMOS数字图像传感器

AR0230AT CMOS图像传感器 2 MP 1/3

AT是一款1 / 2.7英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为1928Hx1088V。它可以在线性或高动态范围模式下捕获图像,并具有滚动快门读数。它包括复杂的相机功能,如像素内装箱,窗口以及视频和单帧模式。它专为低光和高动态范围的场景性能而设计。它可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR0230AT可生成非常清晰,锐利的数码照片,并且能够捕捉连续视频和单帧,使其成为各种应用的理想选择。 特性 高动态范围 应用 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-13 11:03 641次 阅读
AR0230AT CMOS图像传感器 2 MP 1/3

ARX3A0 560 x 560超低功耗CMOS图像传感器 基于2.2μmBSI像素 最高可达每秒360帧

是一款突破性的CMOS成像传感器。 ARX3A0设计为超小型(1/10英寸光学格式)和超低功耗,为物联网设备,无人机和机器人技术带来了新的选择。该产品具有创新的超级低功耗模式,在激活时功耗小于2.5mW,可以检测运动(或照明条件的变化)并唤醒系统的其余部分。能够达到每秒360帧意味着在许多情况下,ARX3A0可以像全局快门传感器一样工作,同时仍具有2.2μm滚动快门像素的功率,尺寸和性能的所有优势。评估套件和我们行业领先的DevWare评估软件是可用的。请联系您当地的安森美半导体销售代表。 特性 优势 超小1/10英寸光学格式 几乎可以放入任何寻找相机的设备中。 超低功耗操作 适合电池供电的相机 高帧率(360 fps) 可以滚动快门传感器的工作方式类似于全局快门传感器 车载框架保险杠 ...
发表于 08-13 11:02 630次 阅读
ARX3A0 560 x 560超低功耗CMOS图像传感器 基于2.2μmBSI像素 最高可达每秒360帧

AR0237SR CMOS图像传感器 2.1 MP 1 / 2.7 更低成本

是一款1 / 2.7英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为1928(H)x 1088(V)。它采用滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如像素内合并,窗口以及视频和单帧模式。它专为低光和高动态范围场景性能而设计,可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR0237可以产生非常清晰,锐利的数码照片,并且能够捕捉连续视频和单帧,使其成为各种应用的理想选择,包括监控和高清视频。 特性 具有双转换增益的DR-PIX™技术 全高清支持1080p 60 fps,提供卓越的视频性能 线性或高动态范围捕获 片上锁相环(PLL)振荡器 支持线路交错T1 / T2读出以在ISP芯片中启用HDR处理 基于位置的集成颜色和镜头阴影校正 用于精确帧率控制的从属模式 ...
发表于 08-13 11:01 357次 阅读
AR0237SR CMOS图像传感器 2.1 MP 1 / 2.7 更低成本

AR1337 CMOS成像传感器 13 MP 采用SuperPD™PDAF技术

是一款采用SuperPD™PDAF技术的13万像素CMOS成像传感器。这款先进的传感器具有独特的PDAF微透镜和PDAF图案技术,在低光照条件下具有出色的自动对焦性能。采用1.1μm像素构建,提供符合行业标准的1 / 3.2“光学格式,使AR1337具有适合大批量设计的尺寸。图像质量由领先的量子效率和灵敏度驱动,同时保持低读取噪声。这种组合可在明亮的日光或低室内照明条件下提供出色的图像。 AR1337以每秒30帧的速度运行在13 MP,并支持每秒30帧的4k2k视频和高达每秒60帧的全高清1080P视频。 特性 优势 SuperPD™PDAF技术 领先的低光自动对焦性能 独特的PDAF图案和微透镜技术 高精度相位检测自动聚焦(PDAF)功能 片上坏像素校正和AF计算 简化的相机模块积分校准和与后端应用处理器的集成 具有低读取噪声的高量子效率和灵敏度 卓越的图像质量,尤其是在光线不足 应用 终端产品 智能手机相机 平板电脑相机 智能手机 平板电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 17:02 389次 阅读
AR1337 CMOS成像传感器 13 MP 采用SuperPD™PDAF技术

AR1011 CMOS图像传感器 10 MP 1

HS是一款1080万像素,1英寸光学格式图像传感器,结合了高分辨率成像和3.4微米DR-Pix(动态响应像素),可动态调整以提供卓越的低光性能。在全分辨率下,AR1011HS提供60帧/秒(fps)视频;同时跳至120 fps的1080p高清模式。该传感器非常适合需要高分辨率的高端监控摄像系统,如电子平移,倾斜,变焦(ePTZ)等具有惊人的低光能力的功能。 4K超高清(3840 x 2190)分辨率为每秒60帧的模式,使传感器也成为专业消费类广播相机的理想选择。 应用 相机 安全 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 17:02 215次 阅读
AR1011 CMOS图像传感器 10 MP 1

AR0239 CMOS图像传感器 2.3 MP 1 / 2.7

美半导体的AR0239是一款1 / 2.7英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为1936(H)×1188(V)。它可以在线性或高动态范围模式下捕获图像,并具有滚动快门读数。它包括复杂的相机功能,如像素内装箱,窗口以及视频和单帧模式。它专为低光和高动态范围的场景性能而设计。它可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR0239可以产生非常清晰,锐利的数码照片,并且能够捕捉连续视频和单帧,使其成为各种应用的理想选择,包括监控和高清视频。 特性 以90 fps的速度拍摄2.3Mp以获得出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.7英寸 1080p模式适用于16:9视频 卓越的低光性能 3.0um大背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2 / T3读数以启用HDR处理ISP芯片处于1080P和30fps 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头着色校正 用于精确帧率控制的从模式 数据接口: - HiSPi(SLVS) - 4个车道 - MIPI CSI-2 - 4车道 - 平行 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 多相机同步支持 高速可配置上下文切换 具有灵...
发表于 07-29 16:02 429次 阅读
AR0239 CMOS图像传感器 2.3 MP 1 / 2.7

AR1335 CMOS图像传感器 13 MP 1/3

是一款1 / 3.2英寸CMOS有源像素数字图像传感器,像素阵列为4208H x 3120V。 AR1335数字图像传感器采用突破性的1.1μm像素技术,通过领先的灵敏度,量子效率和线性全阱提供卓越的低光图像质量。这使得图像质量可以与数码相机相媲美。 AR1335采用专注于低功耗的传感器架构和低Z高度的高射线角度(CRA),是智能手机和其他移动设备应用的理想选择。它集成了复杂的片上相机功能,如窗口,镜像,列和行跳过模式以及快照模式。它可通过简单的双线串行接口进行编程。 AR1335传感器可以高达每秒30帧(fps)的速度生成全分辨率图像,并支持高级视频模式,包括4K 30fps,1080P 60fps和720P 120fps。 特性 13MP CMOS传感器,采用先进的1.1μm像素BSI技术 数据接口:2,3和4通道MIPI 可用于MIPI的比特深度压缩:10-8和10-6以降低带宽 启用立体视频捕获的3D同步控制 6.8 kbits一次性可编程存储器(OTPM) 可编程控制器:增益,水平和垂直消隐,自动黑电平偏移校正,帧大小/速率,曝光,左右和上下图像反转,窗口大小和平移 两个片上锁相环路(PLL)振荡器,具有超低噪声性能 片上...
发表于 07-29 16:02 487次 阅读
AR1335 CMOS图像传感器 13 MP 1/3

AR0543 CMOS图像传感器 5 MP 1/4

美半导体专注于卓越的像素性能,为该传感器的卓越图像质量奠定了基础,具有卓越的色彩精度,低光灵敏度和低噪声水平.AR0542是一款1/4英寸CMOS有源像素数字图像传感器集成了复杂的片上相机功能,如窗口,镜像,列和行跳过模式以及快照模式。它可通过简单的双线串行接口进行编程,功耗非常低。 应用 移动 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-29 16:02 226次 阅读
AR0543 CMOS图像传感器 5 MP 1/4

AR0261 CMOS图像传感器 2 MP 1/6

美半导体的AR0261是一款200万像素传感器,可提供原始1080p分辨率和卓越的图像质量,满足严格的外形尺寸要求(z高度小于3.5mm),适用于移动,平板电脑和移动设备中的超薄全高清视频应用笔记本市场。该传感器具有1/6英寸光学格式和采用安森美半导体A-PixHS(tm)技术的新1.4微米像素,可提供出色的低光性能。新型传感器提供1080p / 60fps或720p / 60fps的高清视频,对于清晰,清晰的视频捕捉至关重要。 特性 具有高级1.4um像素BSI的2 MP CMOS传感器技术 数据接口:1和2通道移动行业处理器接口(MIPI) 可用于MIPI接口的比特深度压缩:10-8和10-6为全帧速率应用启用低带宽接收器 启用立体视频捕获的3D同步控件 隔行扫描多重曝光读数,支持高动态范围(HDR)静止和视频应用 8.8kbits一次性可编程存储器(OTPM),用于存储阴影校正系数和模块信息 可编程控制:增益,水平和垂直消隐,自动黑电平偏移校正,帧大小/速率,曝光,左右和上下图像反转,窗口大小和平移 用于改善EMI特性的片上双锁相环(PLL)振荡器结构 卓越的低光性能 低暗电流 简单的双线串行接口 ...
发表于 07-29 16:02 186次 阅读
AR0261 CMOS图像传感器 2 MP 1/6

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 651次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

AR0835 CMOS图像传感器 8 MP 1/3

图像传感器是一款1 / 3.2“光学格式1.4微米像素传感器,能够以每秒42帧的速度捕获其完整的8 MP传感器分辨率,以60fps的速度捕获1080P视频.A-PixHS(tm )技术将安森美半导体的第二代背照式(BSI)像素技术和先进的高速传感器架构结合在一起,实现了许多创新功能。它旨在实现低z高度相机模块,以满足OEM和移动设备制造商的需求。 特性 高动态范围 应用 移动 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-29 16:02 204次 阅读
AR0835 CMOS图像传感器 8 MP 1/3

AR0522 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5 近红外增强

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0522可生成非常清晰,锐利的数码照片,并且能够捕捉连续视频和单帧,使其成为各种应用的理想选择。 特性 5 Mp,60 fps,优异的视频性能 小光学格式(1 / 2.5英寸) 彩色滤光片阵列:RGB和单色 1440p模式适用于16:9视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头着色校正 用于精确帧率控制的从模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4条车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 近红外线增强 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 机器视觉...
发表于 07-29 16:02 458次 阅读
AR0522 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5  近红外增强