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车厂逐渐导入,SiC晶圆供不应求

2020-12-29 16:12 次阅读

近日,英飞凌与GT Advanced Technologies(GTAT)已经签署碳化硅(SiC)晶棒供货协议,合同预期五年。英飞凌此举无疑是看到了SiC广阔的市场规模,据Yole预测,SiC市场规模在2021年将上涨到5.5亿美金,这期间的复合年均增长率预计将达19%。其实不止英飞凌,其他SiC厂商如ST、博世罗姆等也都看好SiC的稳步需求,开始紧锣密鼓的点兵布阵,他们或多方收购,或强强联合,貌似谁也不想在SiC这个飞速发展的市场中落下。在SiC广阔的市场需求下,得SiC晶圆者得天下,显然,SiC晶圆争夺战已然打响!

车厂逐渐导入,SiC晶圆供不应求

今年6月底,美国工程材料和光电元件领先企业II-VI宣布与通用电气(GE)签署合作协议,通用电气授权II-VI利用其专利技术进入碳化硅功率器件和模块制造领域。这意味着碳化硅革命应在电动车市场开启燎原之势。

这两年,由于SiC独有的优良特性,车厂陆续开始导入SiC器件,这对SiC晶圆的需求量是巨大的。在此需要科普一下,碳化硅功率器件生产过程主要包括碳化硅单晶生产、外延层生产、器件制造三大步骤,分别对应产业链的晶圆衬底、外延片、器件和模组三大环节。碳化硅上游产品为晶圆衬底。

早期用例,特斯拉已经将意法半导体的基于SiC MOSFET的功率模块集成到Model 3逆变器中。Model 3具有一个主逆变器,该逆变器需要24个电源模块,每个电源模块均基于两个碳化硅MOSFET裸片,每辆汽车总共有48个SiC MOSFET裸片。这些MOSFET由位于意大利卡塔尼亚的意法半导体晶圆厂制造。除此之外,其他包括OBC、一辆车附2个一般充电器、快充电桩等,都可以放上SiC,只是SiC久缺而未快速导入。

另外,早在2014年5月,丰田汽车宣布通过使用SiC功率半导体,将混合动力汽车的燃油效率提高10%(在日本国土交通省的JC08测试周期下),并减少了汽车的使用。与仅含Si功率半导体的当前PCU相比,功率控制单元(PCU)的尺寸缩小了80%。但由于SiC晶圆(基板)不足,丰田还未采用。

据GaN世界的报道,按照这个估算若循续渐进采用SiC后,该换的都换上SiC,平均2辆Tesla的纯电动车就需要一片6英寸SiC晶圆。当然,这算法未得到Tesla官方证实。

业者分析,单从Tesla可创造的需求来看,2020年如果不是COVID-19(新冠肺炎)带来销售及生产等多重变量,Tesla第1季宣称6月底美国工厂Model 3及Model Y的年产能将达50万辆,上海厂(Gigafactory 3)计划年底产能50万辆,使其总产能规模近100万辆,也就是说,Tesla一年平均约要50万片6英寸SiC。而目前全球SiC硅晶圆总年产能约在40万~60万片,如此就消耗掉全球当下SiC总产能。

即使在COVID-19及中美贸易战的紧张关系下,汽车产业销售受波及最明显,然而SiC晶圆生产大厂的布局丝毫不减,这都是对SiC在车用市场发展潜力持正面看法的表现。

国际大厂争先恐后加码扩产

据统计显示,目前全球生产碳化硅晶圆的厂商包括 CREE、英飞凌、罗姆半导体旗下 SiCrystal、II-IV、Norstel、新日铁住金及道康宁 (Dow Corning)等。还有一些新进者,如韩国的SK Siltron通稿收购杜邦(Dupont)SiC晶圆部门正在对该行业进行投资;Soitec也宣布与应用材料联合开发下一代碳化硅衬底的开发计划。

其中,CREE市占率高达6成之多,几乎独霸市场。Cree早在1991年就发布了全球首款商用SiC晶圆,并分别于2002年及2011年发布全球首款SiC JBS肖特基二极管及SiCMOS,2016年引领行业进入6英寸SiC晶圆时代。

2019年9月,Cree宣布计划2019-2024年投资7.2亿美元将SiC材料及晶圆产能扩充30倍,包括建造一座车规级8英寸功率及射频晶圆工厂,以及扩产超级材料工厂,计划2022年量产,完全达产后器件能够满足550万辆BEV需求,衬底能够满足2200万BEV需求。今年 5 月Cree更宣布,看好 5G 与电动车后市需求,将在未来5年内,斥资10亿美元用于扩大SiC碳化硅产能,在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。

2020年10月,Cree以高达3亿美元的价格出售了其LED产品部门给SMART Global Holdings,决定ALL in 碳化硅。Cree的产能已被下游大客户买断,主要客户包括ST、英飞凌、安森美

需要指出,意法半导体在(ST)不仅签署了超5亿美元的SiC晶圆购买合同,同时也在今年2月份以1.375亿美元现金收购了瑞典SiC晶圆制造商Norstel AB,Norstel生产150mmSiC裸晶圆和外延晶圆。意法半导体表示,交易完成后,它将在全球产能受限的情况下控制部分SiC器件的整个供应链。另据EE Times消息,不久前,意法半导体在其意大利卡塔尼亚工厂概述了大力发展碳化硅(SiC)业务,并将其作为战略和收入的关键部分的计划。

另外一个SiC晶圆厂罗姆对SiC的关注和布局就相对较早了,早在2009年Rohm收购了SiC晶圆供应商SiCrystal,随后在2010年推出首批批量生产的SiC肖特基二极管和MOSFET,2012年批量生产全SiC模块,2017年交付了6英寸SBD。SiCrystal是罗姆成为ST意法半导体之外最大的SiC元件大厂的主要原因,2020年初SiCrystal与ST签署了1.2亿美元的供货大单。SiCrystal也是中国SiC设计公司最多采购的供应商。

英飞凌公司布局碳化硅领域已超过30年。英飞凌的碳化硅材料主要采取外购的方式。2018年,英飞凌收购了碳化硅晶圆切割领域的新锐公司-Siltectra。Siltectra称其相比传统工艺将提高90%的生产效率。此次与GT Advanced Technologies签约之后,“GTAT的优质碳化硅晶棒将为当前和未来满足一流标准的有竞争力的碳化硅晶圆提供额外来源。这为我们雄心勃勃的碳化硅增长计划提供有力支持,充分利用我们现有的内部技术和薄晶圆制造的核心竞争力。”英飞凌工业功率控制事业部总裁Peter Wawer表示。

II-VI也计划将150毫米(6英寸)碳化硅材料的产能扩大5-10倍,同时扩大差异化200毫米材料技术的批量生产,以满足未来五年预期的不断增长的需求。

日本昭和电工也多次发表了产能扩充声明。昭和电工 SiC 晶圆月产能 2018年4月从 3000 片提高至 5000 片 (第 1 次增产),且将在2019年 9 月进一步提高至 7000 片 (第 2 次增产),而进行第 3 度增产投资后,将在 2019 年 2 月扩增至 9000 片的水准、达现行 (5000 片) 的1.8倍。

在半导体产业中,由于制造端设备成本最高,厂商必须考虑资本投入后的成本回收,因此如果没有看到终端需求有维持5年以上潜力,业者一般不会贸然扩产。而这些大厂的扩产也无疑证明了对SiC晶圆的看好。

国内SiC晶圆衬底缓缓起步

来到国内,目前国内出货量比较大或者比较知名的晶圆衬底企业有天科合达、山东天岳、河北同光、东莞天域、河北普兴、中科钢研、中电科二所和南砂晶圆等等。根据半导体时代产业数据中心出具的《2020年中国第三代半导体碳化硅晶片行业分析报告》数据显示:2020上半年全球半导体SiC晶片市场份额,美国CREE出货量占据全球45%,日本罗姆子公司SiCrystal占据20%,II-VI占13%;中国企业天科合达的市场占有率由2019年3%上升至2020年5.3%,山东天岳占比为2.6%。

北京天科合达主要生产2-6英寸SiC衬底片。2020年8月,天科合达的第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目项目在北京市大兴区顺利开工,总投资约9.5亿元人民币,总建筑面积5.5万平方米,新建一条400台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线,项目计划于2022年年初完工投产,建成后可年产碳化硅衬底12万片。

华为哈勃投资的山东天岳公司成立于 2011 年 12 月,公司自主开发了全新的高纯半绝缘衬底材料,目前量产产品以 4 英寸为主,此外其 4H 导电型碳化硅衬底材料产品主要有 2 英寸、3 英寸、4 英寸及 6 英寸。山东天岳还独立自主开发了 6 英寸 N 型碳化硅衬底材料。公司已经实现宽禁带半导体碳化硅材料产业化,技术水平达到国际领先。

厦门瀚天天成目前可提供标准的3英寸、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片,用于肖特基二极管(SBD)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、结型场效应晶体管(JFET)和双极结型晶体管(BJT)的制作。2012年3月9日,公司宣布开始接受商业化碳化硅半导体外延晶片订单,正式向国内外市场供应产业化3英寸和4英寸碳化硅半导体外延晶片。2014年4月,公司接受商业化6英寸碳化硅外延晶片订单,正式向国内外市场供应商业化6英寸碳化硅外延晶片。

东莞天域主要提供4-6英寸外延片,据公司官网介绍,天域(TYSiC)成立于2009年,是中国第一家从事碳化硅外延晶片市场营销、研发和制造的私营企业。2010年,天域与中国科学院半导体研究所合作,共同创建了碳化硅研究所,该研究所由该领域最优秀的人才组成。天域是中国第一家碳化硅半导体材料供应链的企业获得汽车质量认证(IATF 16949)。

三安光电这几年也从LED芯片向高阶化合物半导体扩展延伸,2020年8月19日,三安光电宣布收购北电新材料公司,北电新材于2019年拟投资约5.8亿元在福建安溪县湖头镇横山村建设碳化硅衬底生产项目,项目主要从事碳化硅衬底的生产,项目规划年产能3.6万片。2020年7月20日,长沙三安投资160亿元用于第三代半导体项目,主要研发、生产及销售6英寸SiC导电衬底、4英寸半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。

中电化合物半导体有限公司是一家由中国电子信息产业集团下属公司—华大半导体有限公司主导投资的,致力于开发、生产宽禁带半导体材料的高科技公司,成立于2019年11月。

中电化合物半导体已在杭州湾新区数字经济产业园建成含百级超净车间现材料生产线,正式向国内外市场供应商业化4-8英寸SiC和GaN材料。截至2020年12月,公司从6英寸晶体、衬底到外延已通线,6英寸sic外延等产品已通过客户验证。

露笑科技新建碳化硅衬底片产业化项目,引进具有国际先进水平的6英寸导电晶体生长炉、4英寸高纯半绝缘晶体生长炉等设备。去年11月,露笑科技与中科钢研、国宏中宇签订战略协议,与其共同研发适用于中科钢研工艺技术要求的4英寸、6英寸、8英寸乃至更大尺寸级别的碳化硅长晶设备。

另外,中鸿新晶在济南投资的第三代半导体项目,一期就包括6-8英寸碳化硅单晶生产、加工、碳化硅外延生产线各2条。

据业内人士分析指出,总体来看,在SiC衬底方面,国外主流产品已经完成从4寸向6寸的转化,并且已经成功研发8英寸SiC衬底片。而国内SiC衬底片市场现在以4英寸为主,6英寸目前还在研发过程中,产品的成品率相对较低。要知道SiC器件成本高的一大原因就是衬底贵,目前,衬底成本大约是加工晶片的50%,外延片是25%,器件晶圆生产环节20%,封装测试环节5%。SiC衬底不止贵,生产工艺还复杂,与硅相比,碳化硅很难处理、研磨和锯切,挑战非常大。所以大多数企业都是从Cree、罗姆或第三方供应商那里购买衬底。

结语

国际大厂起步早,还不断加速在SiC领域的布局,一方面将推动碳化硅材料的市场渗透率加速,另一方面也加速抢占碳化硅晶片市场份额。对此,我国迫切需要加快发展步伐,但国内本土SiC厂家与国外同行相比,虽然仍有一定差距,但还是很有希望可以迎头赶上,追赶的过程还是有盼头的。
责任编辑:tzh

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现代集成电路半导体器件书,胡正明

现代集成电路半导体器件书,胡正明
发表于 09-24 01:09 197次 阅读

什么是晶圆

什么是晶圆
发表于 09-23 14:26 303次 阅读

打印机的原理是什么

打印机原理        激光技术出现于60年代,真正投入实际应用始于70年代初期。最早的激光发射器是...
发表于 09-17 06:23 0次 阅读

半导体、芯片与集成电路有何区别

写在前面的题外话:电子元器件是电子元件和小型的机器、仪器的组成部分,其本身常由若干零件构成,可以在同类产品中通用;常指电...
发表于 09-15 09:04 101次 阅读

了解一下SiC器件的未来需求

引言:前段时间,Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火,现在我们结合最新的市场进展,针对其中使用的碳化硅SiC器件,来了...
发表于 09-15 07:42 0次 阅读

半导体的定义及其作用

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料,它在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域...
发表于 09-15 07:24 0次 阅读

集成电路与半导体

集成电路是一种微型电子器件或部件,它是采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制...
发表于 09-15 06:45 0次 阅读

NLU1GT86 单路2输入异或门 TTL电平

86 MiniGate™是一款先进的CMOS高速2输入异或门,占用空间极小。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT86输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.1 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容输入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 06:02 282次 阅读
NLU1GT86 单路2输入异或门 TTL电平

NLU1G86 单路2输入异或门

6 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入异或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G86输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.5 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 平衡传播延迟 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小Pb免费套餐 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 05:02 272次 阅读
NLU1G86 单路2输入异或门

NLU1G32 单路2输入或门

2 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G32输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.7 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 输入时提供断电保护 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小型无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 255次 阅读
NLU1G32 单路2输入或门

NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源

78A是一款4位可配置双电源双向自动感应转换器,不需要方向控制引脚。 V CC I / O和V L I / O端口设计用于跟踪两个不同的电源轨,V CC 和V L 。 V CC 电源轨可配置为1.65V至5.5V,而V L 电源轨可配置为1.65V至5.5V。这允许V L 侧的电压逻辑信号在V CC 侧转换为更低,更高或相等值的电压逻辑信号,反之亦然。 NLSX4378A转换器在I / O线上集成了10K欧姆上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至V L 或V CC 。 NLSX4378非常适合开漏应用,例如I 2 C通信总线。 特性 优势 宽VCC工作范围:1.65V至5.5V 宽VL工作范围:1.65V至5.5V 允许连接多个电压系统 高速,24 Mb / s保证数据速率 最大限度地减少系统延迟 低位偏移 适合差异信号传输 小型包装 - 2.02 x 1.54mm uBump12 节省物理空间解决方案 应用 终端产 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,PDA,相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 342次 阅读
NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源

NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s双电源电平转换器

01是一款1位可配置双电源双向自适应传感转换器,不需要方向控制引脚.I / O VCC和I / O VL端口分别用于跟踪两个不同的电源轨,VCC和VL 。 VCC和VLsupply轨道均可配置为1.5 V至5.5 V.这样,VL侧的电压逻辑信号可在VCC侧转换为更低,更高的等值电压逻辑信号,反之亦然.NLSX4401转换器已集成I / O线上有10 k上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至VL或VCC。 NLSX4401非常适合开放式应用,如I2C通信总线。 特性 VL可以小于,大于或等于VCC 宽VCC工作范围:1.5 V至5.5 V 宽VL工作范围:1.5 V至5.5 V 高速,24 Mb / s保证日期速率 低位偏斜 启用输入和I / O引脚是过压容差(OVT)以使能输入和I / O引脚是过压容差(OVT)至5.5 V 非优先通电排序 断电保护 应用 终端产品 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,相机,消费品 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 144次 阅读

NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态

125 MiniGate™是一款先进的CMOS高速非反相缓冲器,占用空间极小。 NLU1GT125要求将3状态控制输入()设置为高,以将输出置于高阻态。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT125输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.8 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容输入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 17:02 121次 阅读
NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态

FSA839 低压 带关断隔功能的0.8Ω单刀双掷(SPDT)模拟开关

是高性能的单刀双掷(SPDT)模拟开关,用于由低电压(1.8V)基带处理器或ASIC驱动的音频应用。该器件在V CC = 4.5 V时具有0.8Ω(最大值)的超低R ON ,可在1.65V到5.5V的宽V CC 范围内工作。该器件采用亚微米CMOS FSA839在低电压ASIC和常规的音频放大器之间连接,CODEC在高达5.5V的工作电压范围内运行。控制电路允许控制引脚(Sel)上提供1.8V(典型值)信号。 应用 多媒体平板电脑 存储和外设 手机 WLAN网卡和宽带接入 PMP / MP3播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 01:02 152次 阅读

NXH240B120H3Q1 功率集成模块(PIM)3通道1200 V IGBT + SiC升压 80 A IGBT和20 A SiC二极管

B120H3Q1PG是一款3通道1200 V IGBT + SiC Boost模块。每个通道包括一个快速开关80 A IGBT,一个20 A SiC二极管,一个旁路二极管和一个IGBT保护二极管。该模块具有内置热敏电阻并具有压配销。 特性 优势 1200 V快速开关IGBT 降低IGBT的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 1200 SiC二极管 降低二极管的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 低Vf旁路二极管 提高旁路模式的效率 压合销 无焊接安装 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 分散式公用事业规模太阳能逆变器 商业串式逆变器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 227次 阅读

NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

120H2Q0SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个15A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.4 V 用于高速切换的SiC二极管 可焊接引脚 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 149次 阅读

NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

B120H3Q0是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 152次 阅读

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-31 04:02 214次 阅读

NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

低压差(LDO)线性稳压器将在固定输出电压下提供1.5 A电流。快速环路响应和低压差使该稳压器非常适用于低电压和良好负载瞬态响应非常重要的应用。器件保护包括电流限制,短路保护和热关断。 NCP566采用SOT-223封装。 特性 超快速瞬态响应(
发表于 07-30 08:02 124次 阅读
NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装

4是一款30A POL,适用于在小型电路板占板面积内要求高效率的应用。该器件将DC / DC控制器与两个高效mosfet集成在一个采用热增强型5mm x 6mm QFN封装的信号中。它采用获得专利的增强型斜坡脉冲调制控制架构,可提供超快的负载瞬变,从而减少外部电容和/或提供更好的瞬态容差。与传统的恒定时间控制器相比,新架构还改进了负载调节。 特性 优势 效率高 减少电力损失 快速装载瞬态 减少输出电容的数量 频率选择 优化效率和输出滤波器尺寸的权衡 0.6%准确参考 允许非常精确的输出电压 远程感知 提供准确的输出电压 启用输入和电力良好指标 二手用于控制排序 可调节电流限制 低电流设计的灵活性 可调节软启动 允许控制开启坡道 热增强型QFN封装 改善散热 指定-40C至125C 应用 终端产品 服务器 网络 电信 ASICs servere 存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 453次 阅读

NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A

3是一款20A降压转换器(内置MOSFET),工作电压范围为3V至21V,无需外部偏置。该固定式变频器具有高效率,可调节输出以提供低至0.6V的电压。可调电流限制允许器件用于多个电流水平。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,高效电压模式同步降压转换器,工作电压为3 V至21 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围为3V至21V 允许同一器件用于3.3V,5V和12V母线 300kHz,500kHz和1MHz开关频率 用户可选择的选项,允许在效率和解决方案尺寸之间进行优化权衡 无损耗低侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 低压输出以适应低压核心 外部可编程软启动 降低浪涌电流并防止启动时出现无根据的过电流 预偏置启动 防止反向电流流动 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情况消除,则允许重新启动 可调输出电压 灵活性 可调节电流限制 优化过流条件。允许较低饱和电流的较小电感器用于较低电流应用 输出过压保护和欠压电压保护 应用 终端产品 高电流POL应用 AS...
发表于 07-30 04:02 402次 阅读

NCP3231A 高电流同步降压转换器

1A是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出o电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 318次 阅读

NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器

1B是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 1MHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出ove r电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 160次 阅读

NCP3231 高电流同步降压转换器

1是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低 - 侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出过压保护和欠压保护 使用热敏电阻或传感器进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电力良好输出 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 228次 阅读

NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET

2是一款低输入电压,6 A同步降压转换器,集成了30mΩ高侧和低侧MOSFET。 NCP1592专为空间敏感和高效应用而设计。主要特性包括:高性能电压误差放大器,欠压锁定电路,防止启动直到输入电压达到3 V,内部或外部可编程软启动电路,以限制浪涌电流,以及电源良好的输出监控信号。 NCP1592采用耐热增强型28引脚TSSOP封装。 特性 30mΩ,12 A峰值MOSFET开关,可在6 A连续输出源或接收器处实现高效率电流 可调节输出电压低至0.891 V,准确度为1.0% 宽PWM频率:固定350 kHz,550 kHz或可调280 kHz至700 kHz 应用 终端产品 低压,高密度分布式电源系统 FPGA 微处理器 ASICs 便携式计算机/笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 160次 阅读

NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

C转换器采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,可提供高达30 A的电流。 特性 优势 效率高 降低功耗并减少散热问题 4.5 V至18 V输入范围 允许使用5 V或12 V母线进行操作 综合mosfets 简化设计并提高可靠性 可调节软启动时序,输出电压 设计灵活性 过压,欠压和过流保护 安全启动到预偏置输出 应用 终端产品 高电流POL应用 为asics,fpga和DSP供电 基站 服务器和存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 182次 阅读

NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器

5是一款带内部MOSFET的15 A DC / DC转换器,设计灵活。该器件可提供低至0.6V至输入电压80%以上的可调输出电压。功能包括可调电流限制,输出电压和软启动时序。引脚可选功能可实现550 kHz或1 MHz的开关频率,选择DCM / CCM工作模式,以及在过流期间锁定或打嗝模式的能力。该器件可配置为在超声模式下工作,以避开音频带。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm TQFN封装。 特性 优势 准确0.6 V参考 可调输出以设置所需电压低至0.6 V DCM / CCM可选择选项 在不连续模式下操作以在轻负载下提高效率 550kHz / 1.1MHz开关频率 选择更高效率或更小输出滤波器的设计灵活性 超声波模式 保持电容器不发出声音 热增强型QFN封装 3个裸露焊盘散布更高 4.5 V至21 V的宽工作范围 允许跨多个应用程序使用 可调软启动 允许在通电期间平稳上升 应用 终端产品 计算/服务器 数据通信/网络 FGPA,ASIC,DSP电源 12 V负载点 桌面 服务器 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 222次 阅读