作者:BenabadjiMohammedSalim
更好的选择是使用专用的IC控制器来对电池电源和市电电源进行组合。诸如LT4351(参考文献3)之类的器件,由于镇流器MOSFET晶体管的Rdson非常低,因此所产生的正向压降仅为数十毫伏(mV)。但是,与下面简单的分立式解决方案相比,这类专用IC通常很昂贵,而且很难找到。
当我在设计需要长期使用的超低功耗便携式数据记录仪而想要提高其整体效率时,图1中的电路就至关重要。

图1:对于电源的线或应用,这种简化的分立式电路与二极管的方法相比可提高效率。
下面进行简要说明。如果存在主电源(Vin1),则N沟道MOSFET晶体管T3就会导通,进而会将P沟道MOSFETT2的栅极下拉而使T2导通。晶体管T1所看到的栅源电压(Vgs)是T2的漏源电压(Vds),该电压仅为数十mV。因此,T1关闭,外部电源通路(Vin2)处于开路状态。
现在,在间歇性Vin1断电的情况下,T3由于其栅极通过R1下拉而断开,并且T1导通。晶体管T2由于其栅极通过R2上拉而截止(T2的Vgs几乎为零)。
MOSFETT1和T2应选择低电平栅极类型并具有超低导通电阻特性(例如:T1=T2=PMN50XP[参考文献4],其在Vgs=3.3V时Rdson为60mΩ)。晶体管T3可以采用流行的2N7000(或表贴器件2N7002)。
存在主电源时,电路的静态电流约为20μA,否则近乎为零。因此,电池适合作为外部电源。
R1和R2的值并不重要。如果希望获得非常低的静态电流,则可以将它们选为数百kΩ;如果希望减少输入电源之间的换向时间,则可以将它们选为数十kΩ。
BenabadjiMohammedSalim在阿尔及利亚奥兰科技大学攻读计算机科学硕士学位。
参考文献
FundamentalsofpowersystemORing,MartinPatoka,EDN,March21,2007
Useopampstomakeautomatic-ORingpowerselector,BobZwicker,EDN,August11,2011
LT4351MOSFETDiode-ORController,LinearTechnologyCorporation
PMN50XPP-channelTrenchMOSextremelylow-levelFET,NXPSemiconductors,2007
编辑:hfy
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特性
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灵敏度:
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集成16位ADC
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Integrated MAXM17712/20/24电源管理专用IC (PMIC) 是喜马拉雅微型系统级IC (µSLIC) 电源模块,可实现散热更好、尺寸更小、更加简单的电源解决方案。这些IC将高效率150 mA同步降压直流-直流转换器和高PSRR、低噪声、50mA线性稳压器集成到µSLIC™电源模块中。该PMIC在4V至60V宽输入电压范围内工作。该降压转换器和线性稳压器可提供高达150mA和50mA输出电流。
直流-直流转换器的输出用作线性稳压器的输入。这些线性稳压器在不同模块中提供1.2V至3.3V固定输出电压。MAXM17712/20/24模块采用薄型设计,采用2.6mmx3mmx1.5mm µSLIC封装。典型应用包括工业传感器、暖通空调和楼宇控制、电池供电设备以及LDO替代品。
特性
易于使用:
4V至60V宽输入降压转换器
可调节及固定的输出电压模块
内部电感器和补偿
降压转换器输出电流高达150mA
线性稳压器输出的精度为±1.3%,FB精度为±2%
全陶瓷电容器、紧凑布局
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发表于 10-29 13:06 •
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MAX40027双路高速比较器具有280ps典型传播延迟。这些比较器具有极低过驱分散(25ps,典型值),因此非常适合用于飞行时间、距离测量应用。该器件的输入共模范围为1.5V至V+ 0.1V,与MAX40658、MAX40660和MAX40661等多个广泛使用的高速跨阻放大器的输出摆幅兼容。输出级为LVDS(低压差分信号),有助于最大限度地降低功耗,直接与诸多FPGA和CPU连接。互补输出有助于抑制每个输出线上的共模噪声。MAX40027采用小型、节省空间的3mm x 2mm、12引脚TDFN封装,带侧面可湿性侧翼,符合AEC-Q100汽车级认证要求。MAX40027的工作温度范围为-40°C至+125°C,可在2.7V至3.6V电源电压下工作。
特性
快速传播延迟:280ps(典型值)
低过驱色散:25ps(VOD=10mV至1V)
电源电压:2.7V至3.6V
2.7V电源时45.9mw(每个比较器)
节能型LVDS输出
温度范围:-40°C至+125°C
符合汽车类AEC-Q100标准
小型3mm x 2mm TDFN封装,带可湿性侧翼
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发表于 10-29 13:06 •
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miconductors LPC55S6x Arm Cortex-M33微控制器 (MCU) 采用Arm双核和Arm TrustZone 技术,适用于工业、楼宇自动化、物联网 (IoT) 边缘计算、诊断设备和消费电子应用。这些器件基于Armv8-M架构,采用低功耗40nm嵌入式闪存工艺,具有先进的安全特性。
LPC55S6x微控制器具有一套独特的安全模块,可为嵌入式系统提供层保护,同时保护最终产品在整个生命周期内免受未知或意外的威胁。这些块包括基于可信根和配置的SRAM PUF、来自加密图像的实时执行&...
发表于 10-29 13:06 •
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