今日启迪股份技术总监钮应喜博士发表了题为“碳化硅晶体生长、加工技术和装备”的主题演讲。
钮应喜博士指出,GaN/SiC器件的应用可以提供高频、高校、高功率密度的设计,其中,SiC器件对于提升效率降低装置损耗,实现节能具有重要意义,因此应用场景广泛。
2019年,SiC电子器件市场规模达5.6亿美元,预计2024年将超19亿美元。中低压需求较为强劲的是新能源汽车,“十四五”将是新能源汽车的爆发期,同时将拉动SiC产业快速发展。
钮应喜博士表示,SiC产业链包括晶体、衬底、外延、器件、模块和系统。SiC材料上国内主要是4英寸,6英寸在扩展中,8英寸处于研发阶段。
其中,SiC衬底市场长期被美国、欧洲、日本垄断,面对快速增长的市场形势,国内厂商纷纷布局,近几年,国内开展相关项目30余个。
最后,钮应喜博士指出在SiC单晶、衬底领域,应优化技术,降低成本,加快6英寸产能扩充,突破8英寸技术攻关;在SiC外延领域,应加快国产设备、辅助材料以及石墨件研发进度。
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