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12英寸晶圆代工市场产能紧张程度加重?

2020-12-02 16:28 次阅读

今年下半年以来晶圆代工产能奇缺,代工费用也是持续上涨,并且已向下传导到了封测端,使得封测产能也被挤爆,封测价格也是出现了一波上涨,而下游的很多芯片也都出现了缺货及价格上涨的情况。有分析称,晶圆代工产能紧缺问题将持续至明年年中。而昨日台湾晶圆代工大厂力积电董事长黄崇仁在接受采访时则表示,全球晶圆代工产能不足将持续到2022年之后,目前已经有客户出现了恐慌的情绪。

晶圆产能紧缺将持续至2022年?

11月30日,台湾晶圆代工大厂力积电召开法人说明会,力积电董事长黄崇仁对外表示,由于需求成长率大于产能成长率,且包括5GAI等应用带动更多需求,使得晶圆代工市场出现了产能紧缺,而新建晶圆厂成本高昂,并且从兴建到量产至少需要三年,因此新建产能的“远水”难救“近火”。目前产能吃紧已经到了客户会恐慌的情况。黄崇仁对认为,全球晶圆代工产能不足会持续到2022年之后。

黄崇仁表示,今年晶圆代工产能不足,除了需求端爆发之外,另一大原因在于产能增加十分有限。

黄崇仁援引相关数据称,近几年来除了台积电、三星等积极扩充先进制程产能外,其它晶圆代工厂的成熟制程的产能增加很少,过去五年产能成长率不到5%。但是2020-2021年的全球晶圆产能需求成长率却达了30~35%,2022年之后,随着5G及AI相关的大量应用的增长又会带动庞大需求。

但是在供应方面,目前半导体产业如果要兴建新的晶圆厂,一定会优先投资制程更为先进的晶圆厂,而对于像40nm或28nm等成熟制程的晶圆厂的投资则很少。并且,新建晶圆厂的成本高昂,从建厂到量产需要三年左右的时间,而近期在成熟制程上,很少有新的投资建厂计划。

12英寸晶圆代工市场产能紧张程度加重?

目前力积电拥有2座8英寸及3座12英寸晶圆厂,产能利用率已达100%。黄崇仁表示,虽然力积电12英寸晶圆产能有10万片,但是现在连两三百片的产能也挤不出,产能已紧缺到不可思议,客户对于产能的需求甚至已经达到了恐慌的程度。

黄崇仁的话并非危言耸听。早在今年10月中旬,芯谋研究的顾文军就在微博上发文表示,“一个(芯片)设计公司的老总为了拿到产能近日给代工厂的高管下跪!”

为了解决产能不足的问题,力积电已计划在明年3月建全新的基于成熟制程的12英寸晶圆厂。不过,黄崇仁也表示,从建厂到量产需要三年左右的时间。总体来看,新产能“远水”救不了“近火”,产能会一路缺到2022年之后。

8吋产能爆满,扩产受限,“涨”声不断

自2019下半年以来,8英寸晶圆产能就已经很紧张,叠加今年新冠疫情的影响,以及传统旺季的来临,今年下半年CMOS图像传感芯片、指纹识别芯片、电源管理芯片、显示驱动IC、射频芯片、MEMS传感器MOSFET、部分特殊存储芯片、部分MCU芯片等主要依赖于8吋晶圆的芯片需求爆发,进一步加重了8英寸晶圆的产能的紧缺问题。

根据资料显示,世界先进、华虹宏力在2020Q3的8英寸晶圆厂产能利用率均超过100%,联电,中芯国际的8英寸晶圆厂产能利用率也处在95%的高位附近。工厂已经超负荷运转,供货期也相应延长,以功率器件IGBT为例,当前的供货期远高于IGBT正常7-8周的供货期。英飞凌安森美Microsemi等IGBT供应商2020Q1的供货期已达13-30周。

另外,随着近年来6英寸晶圆厂的陆续大量关闭,使得近年来原本依赖于6英寸晶圆的器件,如分立器件、功率器件、MEMS、模拟芯片等产品需求切换至8英寸晶圆,这也持续的加重了8英寸产能的负担。有数据显示,在2010~2016年间,约超过20座6英寸晶圆厂关闭。

目前模拟芯片和功率器件适配8英寸晶圆主要有两大优势:1)8英寸晶圆已具备了成熟的特种工艺,上述芯片对特种工艺的要求较高。2)8英寸晶圆相对于12英寸晶圆线具有成本优势,剩余折旧额较低等。这也使得越来越多的“钉子户”集聚在8英寸晶圆产能上。

同样对于聚焦于成熟制程的晶圆厂来说,现有的8英寸晶圆厂大多都已经完成折旧,在市场产能紧缺及涨价效应下,更具经济效益。但是如果贸然新建新的8英寸晶圆厂,不仅需要大幅增加资金投入,而且即使现在建也要两三年后才能量产,届时市场需求是否还有现在这么旺盛?这将是一个大问题。如果量产后,市场需求不足,产能利用率低下,再加上高额的折旧费用,那真是血亏了。毕竟12英寸晶圆厂已经是大势所趋。所以,8英寸晶圆厂的数量近年来一直是没有怎么增加,而是维持在一个平衡。

根据SEMI(国际半导体产业协会)预计,2019年至2022年,全球8英寸晶圆产量将增加70万片,增加幅度为14%,年均增速约为4.5%;其中,MEMS传感器相关产能约增加25%,功率器件产能约增加23%,年均增速约为6%。未来几年将推升全球8寸晶圆厂产能至每月接近650万片。

另外需要指出的是,现存的8英寸晶圆当中有一些还把持在IDM厂商手中,并且部分转向12英寸晶圆厂的IDM厂商还会将一些依赖于8英寸晶圆的产品外包出去,这些也会进一步挤压8英寸晶圆代工市场。

总体来看,8英寸晶圆的供给增速落后于市场需求增速,在很多细分领域差距更为明显。

而从供给端来看,虽然在2008年以前,8英寸晶圆厂还是主流,但随着更具利用效率的12英寸晶圆厂的每年新建数量的增加(12英寸晶圆的可利用面积达到了8英寸晶圆的两倍),12英寸晶圆厂已经成为当前主流。与此同时,不少的8英寸晶圆厂也开始关闭,转向12英寸晶圆厂。资料显示,1999年到2018年间,全球总共关闭了76家8英寸晶圆厂。

由于12英寸晶圆厂已经成为当前主流,这也使得上游的半导体设备厂近年来也开始将产品线转向12英寸产线,很多8英寸产线所需的半导体设备已经停产,二手设备昂贵又流通量少,导致8英寸晶圆新产能增长有限。

去年国产半导体设备龙头北方华创副总裁、首席科学家刘韶华在“2019中国(珠海)集成电路产业高峰论坛”上就曾表示,由于车用半导体、物联网MCU、PMIC、CIS、分立器件、MEMS、指纹识别芯片等对于8英寸厂投片需求的持续增长,以及部分MOSFET由6英寸厂转向8英寸厂,致使目前8英寸晶圆代工厂的产能爆满,大厂的产能利用率持续维持在90%以上。虽然当时(2019年12月)国内不少8英寸产线正在扩产,在建的产线有6条,但是未来较长一段时间内产能很难增加,关键瓶颈在于核心设备的紧缺。

刘韶华当时曾表示,上游的设备大厂现在更多的关注于12英寸设备,对于8英寸设备的供应量已经减少,与此同时,市场上流通的二手8英寸设备也比较有限。根据SurplusGlobal统计,近年来全球8英寸二手设备供应量逐年萎缩,2018、2019年供应已不足500台。而新建一个月产能9万片的8英寸成熟制程工厂,大约需要800台各类设备。显然,上游的8英寸设备供应目前是极其紧缺的,这也推动了二手8英寸设备的价格持续上涨。

正是由于上游8英寸设备供应的紧缺,也直接导致了目前8英寸的产能很难在短时间进行扩大。即便是现在新建8英寸晶圆厂也需要2-3年才能实现达产,这也意味着目前8英寸产能爆满的状况,难以在短时间内得到缓解。

在此背景之下,今年下半8英寸晶圆代工市场产能持续爆满,供不应求,价格也是水涨船高。此前就有产业链人士透露,在今年8月份,包括台积电、联华电子在内的芯片代工商将8英寸晶圆代工报价提高了10%-20%。近日,又有消息称,今年四季度包括联华电子、格芯和世界先进在内的纯代工企业将8英寸晶圆代工报价提高了约10%-15%。另有预测称,2021年,8英寸晶圆代工报价可能最多还将上涨40%。

12吋产能同样紧缺

受新冠疫情影响,由于上半年厂商对于市场的预判、产品的规划及备货都偏保守,而随着下半年国内疫情的控制,以及在5G及AI推动下的以智能手机、PC、平板电脑等为代表的消费电子、服务器、汽车电子需求快速反弹,也推动了中高端芯片对于12英寸晶圆投片量的大幅增长。

比如台积电的7nm及5nm产能就一直很紧张,即使9月15日断供华为之后,台积电三季度也创下了新记录达到约121.4亿美元,而对于四季度营收预计,即使华为贡献的营收为0,其营收也将会在124-127亿美元之间,依然会保持增长。而这也主要得益于AMDCPU/GPU、苹果A14/M1等芯片的需求。

另外,主要基于成熟制程的联电的12英寸晶圆代工厂,下半年来得益于联电80/90nm制程的TDDI芯片投片量增加,以及三星、联发科、瑞昱等大客户订单的增加,产能也是持续满载。

据此前台湾媒体的报道显示,联发科因应物联网应用需求增长,紧急增加联电22纳米下单量;瑞昱主动式降噪无线蓝牙耳机IC、扩充底座控制IC订单也涌入联电;三星的ISP影像处理器也从9月开始追加联电12寸厂投片量,估计总量将达1万片,而且三星28纳米OLED驱动芯片需求增加,都推动了联电12英寸晶圆代工厂产能的紧张。

根据富邦投顾最新的研报资料也显示,由于目前半导体增长主要來自HPC/AI/5G/ADAS等需要先进制程支援的应用领域需求的快速增长,这也使得高阶晶圆的投片量大幅增加,推动12英寸晶圆代工产能需求在2020年下半年出现供应吃紧的情況,并预计2021-2022年供应吃紧情況仍不易缓解。

另外,前面提到,相对于12英寸晶圆来说,目前8英寸晶圆已具备了成熟的特种工艺,并且成本优势明显。而对于现有的8英寸晶圆代工厂商来说,转向12英寸晶圆厂,不仅整体投入成本高,量产后,折旧成本也很高,并且基于8英寸晶圆产能的相关芯片产品的售价也偏低,因此不论是扩产还是新建8英寸晶圆厂都没有太大的成本效益。而且更为关键的是,其众多的客户仍然还是停留在8英晶圆产能上。

特别是对于像PMIC(电源管理芯片)、LDDI(大尺寸显示驱动芯片)等产品来说,在8英寸晶圆厂生产是最具成本效益的,并且此类产品也没有往12英寸晶圆厂及先进工艺转进的必要性。

不过,随着8英寸晶圆代工产能的持续紧缺,以及代工费用的持续上涨,也确实迫使部分客户不得不开始对于一些适合转向12英寸晶圆代工厂生产的相关产品(比如OLED驱动芯片、CMOS图像传感器等)进行更改设计,逐步转向12英寸晶圆代工厂生产。

这也进一步加重了12英寸晶圆代工市场产能紧张的问题。

虽然根据ICInsights统计和预测,2020年全球将有10座新的12英寸晶圆厂进入量产阶段,全球晶圆产能将新增相当于1790万片8英寸晶圆,2021年新增产能将创历史新高,达到约相当于2080万片8英寸晶圆。但是这其中相当大一部分都属于是三星、SK海力士、长江存储等存储厂商用于生产自家存储芯片的产能,只有华虹无锡的12英寸晶圆厂是基于成熟制程的12英寸晶圆代工厂。

资料显示,无锡12英寸晶圆厂目前已经有包括90纳米嵌入式闪存、65纳米逻辑与射频工艺平台、分立器件三个平台进入量产阶段,预计在2020年底月产量有望达到2万片。预计2021年该厂产能有望扩张到4万片/月,产能有望在2021年四季度达到接近满产。

正如前面力积电董事长黄崇仁所指出的那样,目前新建12英寸晶圆厂大都是追求先进制程,而基于成熟制程的12英寸晶圆代工厂可谓是少之又少。而这也在一定程度上限制了现有的基于8英寸晶圆的成熟制程产品向12英寸晶圆转移。

小结:

综合来看,目前晶圆代工市场市场的产能紧缺及涨价的情况,短期内是难以解决的,并且产能紧缺的问题可能确实会一直持续至2022年之后。这主要是由于此前的一些新建产能可能要在未来两年才能得到释放,而今明两年新建的产能也要等到2022年之后才能量产。另外一些客户的产品由8吋转向12吋也需要时间。

对于芯片设计厂商来说,能否抢到足够的产能,也就成为了未来两年能否在市场竞争当中脱颖而出的关键。简单来说,对于有实力的芯片设计大厂,这或许将是一次机会,但是对于实力较弱的中小型芯片设计厂商来说,这可能将是一场灾难。
责任编辑:tzh

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的头像 Les 发表于 01-19 11:15 438次 阅读
三星失去中国市场为何还能全球第一

三星Galaxy Z Flip 3核心配置升级:骁龙888处理器 新型屏幕 折痕更小

据此前消息,三星将会在今年上半年推出新一代折叠屏手机——Galaxy Z Flip 3。 今日,国外....
的头像 工程师邓生 发表于 01-19 11:14 211次 阅读
三星Galaxy Z Flip 3核心配置升级:骁龙888处理器 新型屏幕 折痕更小

2021年全球晶圆代工产业将呈两位数增长

随着科技的发展,手机的更新换代越来越快,各大手机厂商每年都要发布大量的手机新品,这也促进了晶圆代工产....
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2021年全球晶圆代工产业将呈两位数增长

三星推电池续航高达21天的智能手环

除了Galaxy S21系列手机、Galaxy Buds Pro降噪耳机之外,三星今晚还发布了一款智....
发表于 01-19 10:55 168次 阅读
三星推电池续航高达21天的智能手环

三星Galaxy Buds Pro正式上架京东开售

1月18日晚间,三星Galaxy国内新品发布会如期举行。在这场大会上,三星正式发布了Galaxy B....
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三星Galaxy Buds Pro正式上架京东开售

三星S21系列国行版发布:不再赠送耳机

三星电子今日正式发布了Galaxy S21 5G系列国行版。该系列共有三个版本,分别是售价4999元....
的头像 我快闭嘴 发表于 01-19 09:49 268次 阅读
三星S21系列国行版发布:不再赠送耳机

哪些因素推动着市场格局不断变化

当今的行业正在经历翻天覆地的变化,这主要是由于终端市场需求变化和重大整合引起。几十年前,业内有许多家公司,它们多半活跃于...
发表于 01-15 07:46 0次 阅读
哪些因素推动着市场格局不断变化

半导体芯片行业的运作模式有哪些

半导体芯片行业的运作模式
发表于 12-29 07:46 0次 阅读
半导体芯片行业的运作模式有哪些

集成多种高端技术,半导体洁净室专用检测仪器

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等...
发表于 12-28 11:21 101次 阅读
集成多种高端技术,半导体洁净室专用检测仪器

晶圆级三维封装技术发展

先进封装发展背景 晶圆级三维封装技术发展 ...
发表于 12-28 07:15 0次 阅读
晶圆级三维封装技术发展

24A电流的MOS管可替代25N50型号参数,应用在AC-DC开关电源。

我们先来了解开关电源芯片实际是利用电子开关器件MOS管,通过控制电路,使电子开关器件不停地“接通”和“关断”,让电子开关...
发表于 12-19 11:14 651次 阅读
24A电流的MOS管可替代25N50型号参数,应用在AC-DC开关电源。

A,S,C,C 在半导体行业分别是哪几家?

A,S,C,C 在半导体行业分别是哪几家?
发表于 12-18 16:54 505次 阅读
A,S,C,C 在半导体行业分别是哪几家?

二极管类型及特性参数

半导体元器件之二极管
发表于 12-16 07:11 101次 阅读
二极管类型及特性参数

半导体面临的五大重大变革解析

巨变一:模拟硬件方面需根本性突破 巨变二:全新的内存和存储解决方案 巨变三:通信需要新的研究方向 巨变四:硬件研究需要突...
发表于 12-15 07:55 101次 阅读
半导体面临的五大重大变革解析

半导体无尘车间测试尘埃粒子浓度等级设备

半导体产业中的检测设备贯穿于半导体生产制造流程(包括IC设计、制造以及封测),主要用于检测产品在生产过程中和成品产出后的各...
发表于 12-11 09:19 404次 阅读
半导体无尘车间测试尘埃粒子浓度等级设备

半导体工艺几种工艺制程介绍

  半导体发展至今,无论是从结构和加工技术多方面都发生了很多的改进,如同Gordon E. Moore老大哥预测的一样,半导体器件的...
发表于 12-10 06:55 101次 阅读
半导体工艺几种工艺制程介绍

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 1541次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 343次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/µs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比 数字温度传感器   Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG)   TMP422-...
发表于 01-08 17:51 278次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 380次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 656次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 313次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 468次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 731次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 1672次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 990次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 191次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 370次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 342次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
发表于 01-08 17:51 404次 阅读
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
发表于 01-08 17:51 601次 阅读
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
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TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
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LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
发表于 01-08 17:51 343次 阅读
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
发表于 01-08 17:51 315次 阅读
LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
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LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器