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英特尔自研芯片的新战略解读

2020-11-25 15:10 次阅读

英特尔IntelCorp.)比任何一家公司都更有资格代表「硅谷」这个名称中富有历史感的「硅」字。他们在业界的领头羊地位不仅体现在引人瞩目的集成电路设计上,还包括在自家工厂把这些电路蚀刻到硅芯片上。

英特尔公司内部曾经的正统理念是以自研自产实现自我壮大,因而一直坚持自己制造那些被称为「计算机大脑」的旗舰芯片。在许多竞争对手外包生产、专注设计多时后,英特尔还在坚持初衷。

因此,当公司首席执行官鲍勃·斯旺(BobSwan)在7月23日的财报电话会议上表示英特尔考虑将一些最先进芯片的制造业务外包后,这便成为了美国失去其制造主导地位的一个标志性事件。

英特尔的自家工厂,连续两次在生产那些构成新一代中央处理器(简称CPU)芯片的基础电路方面受挫,这些芯片的晶体管要比以前的小。工厂试运行期间生产的大部分产品都要作废,承诺的产品交付时间也要推后。斯旺说,英特尔现在要重新考虑如何制造他们2023年及以后上市的芯片。

斯旺说他们最终可能会将生产外包,也可能会继续坚持自产,或是会采取一种新的模式,自己负责芯片生产的一部分工序,把其他的外包。他说:「(英特尔这一决定)体现了优势而不是弱点,公司有了更强的灵活性,可以决定在哪里制造我们的产品是最有效的方式。」

英特尔自研芯片的新战略解读

这家总部位于加利福尼亚州圣克拉拉市的公司承认,他们在工厂制造方面遇到了困难,因为电路变得如此之小,自产一些他们最重要的芯片可能在经济上并不划算。英特尔的坦诚在硅谷内外激起了回响。

「英特尔解决不了这个问题,」英特尔前董事大卫·约菲(DavidYoffie)如是说:「对国家而言会觉得这是一种损失。“至2018年,约菲在英特尔担任了29年的董事。

英特尔拒绝了让斯旺接受采访的请求,理由是他之前承诺过会在未来几个月内给出相关公司战略的最新情况。

按营收来算,英特尔仍是美国最大的芯片制造商,鉴于行业数年的发展周期,最近挫折可能几年内都不至于威胁到他们的销售情况。公司曾表示,受新冠大流行期间技术支出激增的推动,预计其2020年的销售额将打破纪录,每股收益则将接近创纪录水平。

在过去,制造问题也曾拖累过新一代CPU和其他先进芯片的推出进程。英特尔最初的计划是在约两年时间内实现尖端芯片的制造,现在已经无法按期实现了,但公司正试图避免这一计划进一步延迟,这也意味着关键芯片的生产需要外包。

斯旺在10月的一次财报电话会议上表示,英特尔必须在未来几个月内决定在哪里生产这些芯片。他在7月透露,英特尔已经决定将一种用于数据中心的强大新型图形处理器芯片的部分生产交给一家合约制造商。

「这更像是公司在外包探索上迈进了一小步,试着与外界趋势融合。」英特尔公司的纳威·谢诺伊(NavinShenoy)表示。谢诺伊负责英特尔最重要的一些涉及服务器和人工智能计算芯片的项目。他说,这样的策略转变引发了很多争论。

自斯旺宣布了这一消息以来,英特尔股价一直在下跌,11月5日收于45.68美元,较7月23日下跌了24%。标普半导体精选行业指数(TheS&PSemiconductorSelectIndustryIndex)在此期间则上涨了23%。

摩尔定律

美国的很多企业都将他们自己设计的产品外包出去生产。有人认为,最好是把资源投入到自己最擅长的创造性工作中去,制造产品的资本风险应该转移到那些劳动力成本较低的地方。从服装制造商到苹果公司(AppleInc.),他们都把产品制造委托给了海外的合约制造商。

而英特尔则不同。

这家成立于1968年的公司,通过设计和制造一代又一代个人电脑和其他设备内的「引擎」,成为体现美国技术领先地位的典范。公司联合创始人戈登·摩尔(GordonMoore)提出了推动世界历史上最伟大经济进步之一的定律。

摩尔定律描述的是工程师们如何按照预测节奏年复一年追寻缩小电路板尺寸的方法,这为世界提供了强大且低成本的芯片,这些芯片支撑着世界上所有那些被认为是技术带来的事物,如Google(Google)搜索、Facebook页面、智能手机应用和流媒体影片。

英特尔公司的正统理念正是利用了这个定律。如果芯片工程师直接和制造工程师合作,将新的芯片与新的生产设备相匹配,就能创造出更优秀的电路,但如果是和外部制造商合作,就会增加难度。

公司2020年的战略转变让人想起他们曾经遇到的另一场危机。1985年,他们放弃了随机存取存储器RAM),即一类数据存储芯片的巨大市场。英特尔是这项技术的主要参与者,认为公司需要保持这项业务以保持竞争力。但根据摩尔定律,数据内存芯片越来越便宜,英特尔无法跟上那些庞大的日本竞争对手,日本制造商投入了大量资本,不断升级工厂。芯片已经成为了大宗商品。

英特尔抛弃了内存市场,这在当时被认为是美国正在失去技术优势的象征。相反,这一举措对公司而言则是开创了一个繁荣的时代。他们将资源集中在CPU设计的强项上,因此获得了更高的利润,部分原因也是因为他们设计的电路享有知识产权的保护。

英特尔的芯片与微软公司(MicrosoftCorp.)的Windows操作系统相结合,形成了一统天下多年的「Wintel」双头垄断,两家公司因此所占据的优势,也让他们成为美国联邦反垄断监管机构的目标。

在21世纪,随着新兴互联网巨头公司的出现,英特尔失去了一些硅谷公司的光彩,但它仍然是市场上一股强大的力量,提供驱动新兴巨头产品的处理器。英特尔的芯片支持着世界上大多数个人电脑,几乎所有数据中心的服务器计算机中都有英特尔的芯片,这些数据中心负责处理公司的数据,微软、AlphabetInc.的Google和亚马逊公司(Amazon.com)在云计算业务中也使用英特尔的芯片。

公司目前有10个主要生产基地,其中四个在美国。

竞争对手策略

其他芯片制造商也在经历与制造环节的剥离。英特尔在处理器市场上的长期竞争对手超威半导体公司(AdvancedMicroDevicesInc.,简称AMD)十多年前就摆脱了制造工厂。专攻图形处理芯片多英伟达(NvidiaCorp.)一直以来都依赖外部制造商,今年他们超过了英特尔,成为美国市值最大的芯片公司。

这种转变不乏一些优势:芯片公司不必为工厂投入资本,也不必担心自己的工厂在需求减弱时面临产能过剩的问题。业界所谓的全球芯片生产「生态系统」倾向于标准化的设计和制造方法,在这套生态系统当中,当合约制造商出现问题的时候,那些为代工生产而设计的芯片往往更容易转移到另外的制造商手中。

据英特尔公司称,当譬如汽车芯片这类的新产品需求超过英特尔的产能时,英特尔的确会将一些制造工作外包出去,这部分总计约占其目前产能的20%。公司还经常让他们收购的芯片制造商继续使用外部制造商。

但他们坚持自己制造CPU。据英特尔现任和前任员工透露,公司的工程和管理文化弥漫着一种信心,认为他们能够克服在制造上紧跟摩尔定律所带来的挑战。

到2018年,竞争压力越来越大。在台湾积体电路制造公司(TaiwanSemiconductorManufacturingCo.,简称台积电)和韩国三星公司(SamsungElectronicsCo.)等芯片巨头的工厂里,一平方毫米的硅芯片上所能容纳的晶体管数量已经赶上了英特尔。他们根据合同为包括AMD和英伟达在内的一些英特尔竞争对手生产芯片,因此这些工厂和英特尔的工厂产生了实质意义上的竞争。

英特尔试图通过发明新型晶体管来应对这一局面,新晶体管在尺寸不变小的情况下性能提升。英特尔还并发明了新的方法将芯片组合在一起,使其具性能优势。

现代芯片工厂的建造成本动辄要花费数百亿美元,所使用的机器要能够印制只有几个原子宽度的电路。芯片行业不断向更小尺寸的电路迈进,不断将生产转移到那些有能力产出这种电路的新工厂设备。到2015年,可以生产出的最先进的芯片晶体管为14纳米(这种衡量方法泛指晶体管尺寸,大约相当于普通人头发宽度的万分之一)。

2018年,行业转向尺寸更小的10纳米芯片进发。英特尔当时的首席执行官布莱恩·科再奇(BrianKrzanich)押注公司可以用这一代产品达成空前的目标:在同样空间里填充2.7倍数量的晶体管。通常来说,晶体管密度每提高一倍,行业就会向前迈进一步,他设想如果成功的话,就可以使英特尔保持领先地位。

而科再奇2018年在面对分析师和股东时的这一说法,最后被证明是过于激进了。他说,为了到达那个目标,工程师们在开发过程中选择承担了极高的风险,最终导致的问题难以解决。

结果,英特尔反覆遭遇制造方面的障碍,产品的一再延期,再加上对芯片的需求激增,导致其CPU短缺,从而制约了全球个人计算机行业的销售。这其中有一个是物理问题。随着晶体管尺寸不断缩小,电流的走向开始变得不可预料,这就需要新的材料和芯片设计相结合,这对所有芯片制造商来说都是越来越大的障碍。

科再奇2018年出于其他原因被迫离开英特尔——该公司称是因为他与一名员工的自愿关系。他没有回应记者的置评请求。时任临时首席执行官的斯旺因在行业引起巨大反应的制造延期向客户致歉。

在那以后,英特尔解决了10纳米芯片的难题,但公司仍要继续应对一再推迟产品交付的后果。英特尔芯片设计与制造业务之间数十年来不断发展成的紧密联系,使得要克服生产问题变得极为复杂。由于英特尔针对自己的芯片制造工具做了优化,因此很难轻易寻求外部制造商的帮助,这让他们很难迅速从失误中恢复过来。

增加灵活性

英特尔正采取技术措施来提高制造灵活性。与此同时,英特尔从依赖外包的芯片制造商那里引入了新工程师,希望能够加快这种转变。一位熟悉英特尔的工程师表示,对他们来说,即便知道英特尔保留自己工厂带来了优势,但若因为内部工厂的原因而限制芯片设计是毫无道理的。

英特尔对NetSpeedSystems公司(NetSpeedSystemsInc.)的收购,以及NetSpeed首席执行官桑达里·米特拉(SundariMitra)的到来,都有助于加速芯片设计的标准化,让内部和外部的芯片架构师都能更容易利用任何制造工艺。

到了2019年,英特尔的工程师和高管们都在争论将来如何制造10纳米CPU芯片,这些芯片因为之前的工程延误而被耽搁。争论有时很变得很激烈,一些工程师敦促管理层,如果自己的设施造不了,就应该考虑让别人造,一些高管则认为自己的工厂可以解决他们的问题。

首席工程师文卡塔·穆西·伦杜钦塔拉(Venkata「Murthy」Renduchintala)2019年5月告诉分析师,英特尔已经从早期失误中吸取了教训,10纳米芯片已步入正轨。他告诉他们,英特尔的下一代7纳米CPU有望在2021年开始生产。

但他所说的并没有实现。英特尔表示,下一代CPU的制造现在比最初的计划晚了一年,产品上市时间要推迟六个月。英特尔对技术部门进行了调整,宣布了伦杜钦塔拉的离职。伦杜钦塔拉拒绝发表评论。英特尔拒绝对他的离职事件发表评论,他们援引当时的一份声明称,他的离职恰逢公司要进行管理层调整来提高芯片技术执行力。

斯旺在7月份的电话会议上告诉分析师:「我们会从务实的角度考虑,是否以及何时对在内自产或外包制造做出安排。」

斯旺表示,公司的新方针是按期生产市场领先的芯片。英特尔自己的工厂将是首选的制造方案,但如果需要,生产可以外包。斯旺已表示,英特尔仍计划对自己的工厂和未来的尖端晶体管技术进行大规模投资。

作为转向更多外包策略的一部分,英特尔正在对一些芯片采用所谓的「分解」,即使用不同地方的制造工艺来制造一块芯片的过程。英特尔可能会开始时在一家内部工厂生产一款芯片,然后转由另一家工厂生产,或者可能在英特尔工厂开始生产一款芯片,然后运到外部制造商那里,加上那些不由英特尔生产的部分。公司表示,他们正在开始有限度地使用这种类型的混合制造法,所制造的芯片包括一款即将面世的图形处理芯片。

「当你采用这种分解设计或模块化设计方案时,」英特尔的谢诺伊说,「我们可以就各种不同款式的芯片,选择不同的晶圆代工。」

斯旺在10月的分析师电话会议上表示,英特尔将在明年初决定如何制造2023年和2024年的芯片。

英特尔首席芯片架构师拉贾·科杜里(RajaKoduri)在8月的一次线上演示时表示,如果英特尔早点接受新的设计方法,就可以避免10纳米芯片的问题。他在8月的时候告诉《华尔街日报》(TheWallStreetJournal)记者,现在要等到2022年末或2023年,这种灵活性设计才会被广泛使用于多款芯片。

前英特尔工程师弗朗索瓦·皮德诺埃尔(FrançoisPiednoël)在英特尔工作了20年后于2017年离职。他说,外包会带来风险,因为这涉及到芯片设计过程中的变化,从而会牺牲性能。作为英特尔的股东,皮德诺埃尔正在努力让公司董事会吸收更多芯片设计方面的专业人才作为董事。目前的董事会只有一名半导体专家,尽管确实包括了那些目前或以前的雇主是主要半导体消费群体的董事。

皮德诺埃尔8月和9月都发布了YouTube影片表达了自己的不满,提出对英特尔芯片设计选择的怀疑,并批评了公司的企业文化。他说,已故公司首席执行官安迪·格罗夫(AndyGrove)确立的公司文化是要善于作战且要有协作精神,但现在的文化已经偏离了这种精神。

谢诺伊表示,英特尔仍然认为,拥有芯片工厂比起那些必须要依靠其他工厂的竞争对手来说更具优势。「在美国拥有先进技术制造,」他说,「是一项非常重要的竞争优势,我们不会丧失这项优势的。」
责任编辑:tzh

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嵌入式系统中单片机与处理器区别及散热设计
发表于 12-31 06:11 0次 阅读
嵌入式系统中单片机与处理器区别及散热设计分析

如何为您的数据集中器选择合适的处理器

为您的数据集中器选择合适的处理器
发表于 12-30 07:21 0次 阅读
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模拟集成电路的特点有哪些?

模拟集成电路的特点
发表于 12-30 07:19 0次 阅读
模拟集成电路的特点有哪些?

请问如下芯片是何芯片?如何替换

西屋取暖器数显控制板上用。
发表于 12-29 17:51 327次 阅读
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求 Kv56 芯片的相关学习资料!!!

发表于 12-29 17:41 909次 阅读
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以太网MAC芯片与PHY芯片的关系是什么

如何实现单片以太网微控制器? 以太网MAC是什么? 什么是MII? 以太网PHY是什么? 网卡上除RJ-45接口外,还需要其...
发表于 12-28 06:22 0次 阅读
以太网MAC芯片与PHY芯片的关系是什么

芯片制造全工艺流程解析

芯片制造全工艺流程详情
发表于 12-28 06:20 0次 阅读
芯片制造全工艺流程解析

STM32L552CCT6 STMicroelectronics STM32L5超低功耗微控制器

oelectronics STM32 L5超低功耗MCU设计用于需要高安全性和低功耗的嵌入式应用。这些MCU基于Arm树皮-M33处理器及其TrustZone,用于Armv8-M与ST安全实施结合。STM32 L5 MCU具有512KB闪存和256KB SRAM。借助全新内核和ST ART Acccelerator™, STM32 L5 MCU的性能进一步升级。这些STM32 L5 MCU采用7种形式封装,提供大型产品组合,支持高达125°C的环境温度。 特性 超低功耗,灵活功率控制: 电源范围:1.71V至3.6V 温度范围:-40°C至+85/+125°C 批量采集模式(BAM) VBAT模式下187nA:为RTC和32x32位储备寄存器供电 关断模式下,17nA(5个唤醒引脚) 待机模式下,108nA(5个唤醒引脚) 待机模式下,配备RTC,222nA 3.16μA停止2,带RTC 106μA/MHz运行模式(LDO模式) 62μA/MHz 运行模式(3V时)(SMPS降压转换器模式) ...
发表于 10-28 15:01 61次 阅读
STM32L552CCT6 STMicroelectronics STM32L5超低功耗微控制器

STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V
发表于 05-20 16:05 75次 阅读
STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 153次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 120次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV7812 线性稳压器 1 A 12 V.

线性稳压器是单片集成电路,设计用作固定电压调节器,适用于各种应用,包括本地,卡上调节。这些稳压器采用内部限流,热关断和安全区域补偿。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器,但这些器件可以与外部元件一起使用,以获得可调电压和电流。 特性 输出电流超过1.0 A 无需外部元件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 输出电压提供1.5%,2%和4%容差 无铅封装可用 应用 可用于Surface Mount D 2 PAK和Standard 3 -Lead Transistor Packages 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 127次 阅读
NCV7812 线性稳压器 1 A 12 V.

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 114次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 257次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 221次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 152次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 122次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 110次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

NCV896530 双输出降压转换器 低电压 2.1 MHz

530双路降压DC-DC转换器是一款单片集成电路,专用于下游电压轨的汽车驾驶员信息系统。两个通道均可在0.9 V至3.3 V范围内进行外部调节,并可提供高达1600 mA的电流。转换器的工作频率为2.1 MHz,高于敏感的AM频段,并且相位差180°,以减少轨道上的大量电流需求。同步整流提高了系统效率。 NCV896530提供汽车电源系统的其他功能,如集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.1 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCV896530采用节省空间的3 x 3 mm 10引脚DFN封装。 特性 优势 同步整改 效率更高 2.1 MHz开关频率 电感更小,没有AM频段发射 热限制和短路保护 故障保护 2输出为180°异相 降低输入纹波 内部MOSFET 降低成本和解决方案规模 应用 音频 资讯娱乐t 仪器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 05:02 134次 阅读
NCV896530 双输出降压转换器 低电压 2.1 MHz

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 290次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电路,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用提供新型多媒体设计的核心和I / O电压。两个通道均可在0.9V至3.3V之间进行外部调节,每个通道可提供高达1.6A的电流,最大电流为1.0A。转换器以2.25MHz的开关频率运行,通过允许使用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相工作来减小元件尺寸,从而减少电池的大量电流需求。自动切换PWM / PFM模式和同步整流可提高系统效率。该器件还可以工作在固定频率PWM模式,适用于需要低纹波和良好负载瞬变的低噪声应用。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.25 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCP1532采用节省空间的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引脚uDFN封装。 特性 优势 97%效率,50uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 2.25MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容 模式引脚操作:仅在轻载或PWM模式下自动切换PWM / PFM模式 允许用户在轻载或低噪声和纹波性能之间选择低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 复位输出引脚...
发表于 07-30 03:02 195次 阅读
NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

NCP1522B 降压转换器 DC-DC 3 MHz 600 mA

2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,针对便携式应用进行了优化,采用单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件采用0.9 V至3.3 V的可调输出电压,可提供高达600 mA的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部部件数量。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器,通过允许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1522B采用节省空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特性 优势 94%效率,50 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 3.0 MHz开关频率 允许使用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条件下PWM和PFM模式之间的自动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 应用 终端产品 电源f或应用处理器 核心电压低的处理器电源 智能手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 数码相机和摄像机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 02:02 156次 阅读
NCP1522B 降压转换器 DC-DC 3 MHz 600 mA

NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

9降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,适用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用。该器件可在外部可调范围为0.9 V至3.9 V或固定为1.2 V或1.35 V的输出范围内提供高达1.0 A的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部元件数量。该器件还内置1.7 MHz(标称)振荡器,通过允许使用小型电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。 其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1529采用节省空间的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 特性 优势 96%效率,28 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池续航时间和'播放时间' 1.7 MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容器 在轻负载条件下自动切换PWM和PFM模式 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.9V 即使在PFM模式下,同类最佳低纹波 应用 终端产品 电池供电应用电源管理 核心电压低的处理器电源 USB供电设备 低压直流电源电源管理 手机,智能手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 02:02 439次 阅读
NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.

系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线路和负载调节驱动1.0 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线路和负载条件 保证1.0 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...
发表于 07-30 01:02 231次 阅读
NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 122次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 247次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 611次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5