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为设计大偏振特性的自驱动紫外光电探测材料提供新思路

MEMS 2020-11-25 14:46 次阅读

紫外偏振光探测在通讯、遥感、近场成像等领域应用前景广阔,然而,在传统半导体材料中实现自驱动大偏振特性的紫外光电探测仍具挑战性。铁电半导体材料由于其固有的体光伏效应及其高偏振特性,在自驱动紫外偏振光电探测中展现出潜力,但是传统的无机铁电体因其半导体性能差,难以实现有效的光电探测。近年来兴起的金属卤素杂化钙钛矿铁电材料,因其耦合铁电自发极化和优良的半导体光电性能,为实现高效自驱动紫外偏振光电探测提供了一种有效策略。

中国科学院福建物质结构研究所结构化学国家重点实验室“无机光电功能晶体材料”研究员罗军华团队和副研究员姬成敏首次在二维杂化钙钛矿光铁电半导体中,实现了高灵敏的自驱动紫外偏振光电探测。研究发现,该化合物在零偏压下表现出大的光伏电压(~0.85V)和高的光电导开关电流比(~104)。该单晶探测器在本征体光伏的驱动下对偏振紫外光展现出高效自驱动探测,其探测偏振比达~6.8,超过之前的报道及商用化的ZnO、GaN和GeS2等紫外偏振光电探测材料。该研究为设计大偏振特性的自驱动紫外光电探测材料提供了新思路。


相关研究成果以Ferroelectricity-DrivenSelf-PoweredUltravioletPhotodetectionwithStrongPolarizationSensitivityinaTwo-DimensionalHalideHybridPerovskite为题,以通讯形式发表在《德国应用化学》(Angew.Chem.Int.Ed.2020,132,43,19095-19099)上,姬成敏为论文第一作者。研究工作得到国家自然科学基金重点项目和面上项目,国家杰出青年基金,中科院基础前沿0-1原始创新项目、战略性先导科技专项、青年创新促进会的支持。

责任编辑:lq

原文标题:福建物构所自驱动紫外偏振光探测的光铁电体研究获进展

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AFBR-2419TZ 50MBd微型链路光纤接收器,带有螺纹ST端口

AFBR-2419MZ 50MBd微型链路光纤接收器,带金属ST端口

AFBR-2419MZ光纤接收器设计用于Broadcom HFBR-14xxZ / -1712TZ光纤发射器和多模玻璃光纤电缆。具有透镜的光学系统确保了与接收器的一致耦合。接收器输出是数字CMOS / TTL信号。 AFBR-2419MZ接收器包含一个集成光电二极管的IC,可直接将输入的光信号转换为数字输出信号,而无需额外的外部电路。由于其集成设计,接收器具有非常高的EMC电阻。可实现宽接收器动态范围和高温度灵敏度。数据速率通常从100kBd到50MBd。可提供监视器(RSSI)输出,其输出电流与平均输入光功率成比例。   功能  符合RoHS标准  与Broadcom HFBR-14xxZ(820nm LED)和HFBR-1712TZ(850nm VCSEL)发射器配合使用  信号速率为100 kBd的数据传输高达50 MBd  接收器:集成PIN二极管和带CMOS / TTL输出逻辑的数字化IC  多模玻璃光纤电缆距离最远3 km  工作温度范围-40°C至+ 85°C  兼容10Base-FL标准   3.3 V和5 V电源电压操作   RSSI输出 应用程序 光学传输范围从100 kBd到50 MBd 工业控制和工厂自动化 高压隔离 消除接地回路 降低电压瞬变...
发表于 07-04 10:58 267次 阅读
AFBR-2419MZ 50MBd微型链路光纤接收器,带金属ST端口

AFCD-P34CW 8,10和14 Gb / s 850nm 1x4阵列PIN光电探测器

Broadcom AFCD-P34CW是一款高性能850nm,4通道PIN探测器阵列,位于300微米厚的基板上。阵列中的每个PIN设计用于支持多模光纤上的光链路,串行(NRZ)比特率高达14.025 Gb / s。 特性 高可靠性III- V顶部入口1x4 PIN阵列 高带宽性能 850nm中心波长的响应度  低电容  符合RoHs 应用程序 8/10/14 Gb / s数字通信链接 QSFP收发器
发表于 07-04 10:56 34次 阅读
AFCD-P34CW 8,10和14 Gb / s 850nm 1x4阵列PIN光电探测器

AFCD-P51GP 25 Gbps 850nm PIN光电探测器

Broadcom AFCD-P51GP是一款高性能850nm,单通道25 Gb / s PIN探测器,在150微米厚的基板上具有40微米的光学窗口直径。它旨在通过串行(NRZ)比特率高达25.78 Gb / s的多模光纤支持通信链路。 功能 高可靠性III-V顶级入口PIN 高带宽性能 850nm中心波长的高响应度  40μm光学窗口直径 低电容  SG联系人配置  符合RoHS标准 应用程序 25 Gb / s数字通信链接 小型可插拔收发器 小型有源光缆(AOC)...
发表于 07-04 10:56 44次 阅读
AFCD-P51GP 25 Gbps 850nm PIN光电探测器

AFCD-P54GM 4x25 Gbps 850nm PIN光电探测器阵列

Broadcom AFCD-P54GM是一款高性能850nm,4通道25 Gb / s PIN探测器阵列,光学窗口直径为40微米,宽度为150微米厚基板。阵列中的每个PIN设计用于支持多模光纤上的光链路,串行(NRZ)比特率高达25.78 Gb / s。 特性 高可靠性III- V顶部入口1x4 PIN阵列 高带宽性能  对850nm中心波长的响应度 40μm光学窗口直径 低电容  大光圈  SG联系人配置  符合RoHs 应用程序 100GbE SR4 QSFP28可插拔收发器 100GbE QSFP28有源光缆(AOC)...
发表于 07-04 10:55 63次 阅读
AFCD-P54GM 4x25 Gbps 850nm PIN光电探测器阵列

AFCD-P54GD 4x25 Gbps 850nm PIN光电探测器阵列

Broadcom AFCD-P54GD是一款高性能850nm,4通道25 Gb / s PIN探测器阵列,在150微米厚的基板上具有31微米的光学窗口直径。  阵列中的每个PIN都支持多模光纤上的光链路,串行(NRZ)比特率高达25.78125 Gb / s。 功能 高可靠性III-V顶部入口1x4 PIN阵列 高带宽性能  对850nm中心波长的响应度 31μm光学窗口直径 低电容  大光圈  SG联系人配置  符合RoHs 应用程序 100GbE SR4 QSFP28可插拔收发器 100GbE QSFP28有源光缆(AOC)...
发表于 07-04 10:55 72次 阅读
AFCD-P54GD 4x25 Gbps 850nm PIN光电探测器阵列

AFCD-P21KP 10 Gb / s 850nm PIN光电探测器

Broadcom AFCD-P21KP是一款高性能850nm 10 Gb / s PIN探测器,具有150微米厚的基板。  此PIN设计用于支持多模光纤上的光链路,串行(NRZ)比特率高达10.3125 Gb / s。  功能 高带宽性能  ; 850nm中心波长的高响应度 低电容  低串联电阻  符合RoHs 应用程序 数字通信链路最高可达10.3125 Gb / s 小型可插拔收发器 小型设备有源光缆(AOC)
发表于 07-04 10:55 20次 阅读
AFCD-P21KP 10 Gb / s 850nm PIN光电探测器

SPD3025-4 28-Gb / s GaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

SPD3025-4是一款台面结构,基于GaAs的1× 4 PIN光电二极管阵列,具有高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高性能光接收机设计。 光电二极管’低寄生效应使其成为高速,多模4x25Gb / s和4x28Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。   3焊盘G-S-G设计使用户能够灵活地进行跨阻放大器(TIA)的引线键合,并有助于减少相邻通道的串扰。...
发表于 07-04 10:55 123次 阅读
SPD3025-4 28-Gb / s GaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

SPD2025 28-Gb / s GaAs PIN光电二极管

SPD2025是一款台面结构的基于GaAs的PIN光电二极管,可为高带宽,高性能光接收机设计提供高响应度,低暗电流和低电容。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,多模25Gb / s和28Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能28Gb / s单通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 10:55 109次 阅读
SPD2025 28-Gb / s GaAs PIN光电二极管

AFCD-P51GC 25 Gbps 850nm PIN光电探测器

Broadcom AFCD-P51GC是一款高性能850nm单通道25 Gb / s PIN探测器,在150微米厚的基板上具有31微米的光学窗口直径。它旨在通过串行(NRZ)比特率高达25.78 Gb / s的多模光纤支持通信链路。 功能 高可靠性III-V顶级入口PIN 高带宽性能  850nm中心波长的高响应度  31μm光学窗口直径 低电容  SG联系人配置  符合RoHS标准 应用程序 25 Gb / s数字通信链接 小型可插拔收发器 小型有源光缆(AOC)...
发表于 07-04 10:55 39次 阅读
AFCD-P51GC 25 Gbps 850nm PIN光电探测器

SPD2012-4 GaAs 1×3阵列PIN光电二极管

SPD2012-4是一款台面结构的基于GaAs的PIN光电二极管阵列,提供四通道60mm顶部照明检测窗口,每通道带宽高达12GHz 。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,多模,4x10Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x10Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 10:55 123次 阅读
SPD2012-4 GaAs 1×3阵列PIN光电二极管

SPD2012-12 GaAs 1×12阵列PIN光电二极管

SPD2012-12是一款台面结构的基于GaAs的PIN光电二极管阵列,提供12通道60mm顶部照明检测窗口,每通道带宽高达12GHz 。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为QSFP28高速,多模,10x10Gb / s以太网,12x10Gb / s(120Gb / s),12倍和12.5Gb / s(150Gb / s)和12x14Gb / s(168Gb)的理想选择/ s)用于CXP收发器和有源光缆(AOC)。
发表于 07-04 10:54 50次 阅读
SPD2012-12 GaAs 1×12阵列PIN光电二极管

SPD2025-4X 28-Gb / s GaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

SPD2025-4X是一款台面结构,基于GaAs的1× 4 PIN光电二极管阵列,具有高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高电容性能光接收机设计。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,多模4x25Gb / s和4x28Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 10:54 107次 阅读
SPD2025-4X 28-Gb / s GaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

SPD2014-4 GaAs 1×4阵列PIN光电二极管

SPD2014-4是一款台面结构,基于GaAs的PIN光电二极管阵列,提供四通道60mm顶部照明检测窗口,每通道带宽高达12GHz 。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,多模,4x10Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x10Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 10:54 58次 阅读
SPD2014-4 GaAs 1×4阵列PIN光电二极管

LPD3030-4 28-Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

LPD3030-4是一款高性能1倍和4基于InGaAs的PIN光电二极管阵列,提供四通道高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高性能光接收机设计。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,单模,4x25Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x25Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 10:54 149次 阅读
LPD3030-4 28-Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

LPD3035-4 32 Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,具有250-μmGSG通道间距

LPD3035-4是一款高性能1倍和4基于InGaAs的PIN光电二极管阵列,提供四通道高响应度,低暗电流和低电容,适用于高带宽,高性能光接收机设计。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,单模,4x28Gb / s应用的理想选择,与当今高性能4x28Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)相结合。
发表于 07-04 09:47 52次 阅读
LPD3035-4 32 Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,具有250-μmGSG通道间距

LPD3012-4 10 Gb / s至14 Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm

LPD3012-4-32是一款基于InGaAs的高性能PIN光电二极管阵列,提供4通道32um顶部照明检测窗口,带宽高达12GHz每个频道。该产品具有高响应度,低暗电流,低电容和出色的可靠性。光电二极管的低寄生效应使其成为高速,单模,4x25Gb / s应用的理想选择,与当今的高性能4x25Gb / s四通道跨阻放大器(TIA)结合使用
发表于 07-04 09:47 67次 阅读
LPD3012-4 10 Gb / s至14 Gb / s InGaAs,1×4阵列PIN光电二极管,通道间距为250μm