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中国预计到2030年成为世界最大的半导体生产基地

e星球 2020-11-25 11:20 次阅读

在首届慕尼黑华南电子展上,探索科技(TechSugar)作为本届展会的官方采访媒体之一,通过走访发现各厂商对国内电子行业信心满满,他们认为挑战往往与机遇并存,国产化正迎来大好发展时机,未来国内电子行业前景可观。

11月3日至5日,慕展首次将electronica品牌带至深圳,在华南地区首次开创新品牌展——慕尼黑华南电子展(electronicaSouthChina)。展会立足粤港澳大湾区,辐射华南、西南及东南亚市场,聚焦5G、物联网、蓝牙技术、汽车、工业电子、可穿戴、消费电子、智能家居等热门技术和应用。展会共汇聚意法半导体博世华为、NI、泰科天润、东芯半导体、时创意电子等650余家国内外优质企业,38,693名行业优质买家及精英共享此次电子盛会。今年,疫情爆发、美国禁令实施无一不对中国电子行业造成了冲击,致使多个领域都受到了不同程度的影响,在此大环境下,厂商们对未来国内电子行业发展又有着怎样的看法呢?探索科技(TechSugar)通过走访发现,各厂商对国内电子行业信心满满,他们认为挑战往往与机遇并存,国产化正迎来大好发展时机,未来国内电子行业前景可观。

1.

东芯半导体

东芯半导体成立于2014年11月,是国内优秀的中小容量存储芯片研发设计公司。作为Fabless芯片企业,东芯半导体聚焦中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的设计、生产和销售,是目前国内可以同时提供NAND/NOR/DRAM/MCP设计工艺和产品方案的本土存储芯片研发设计公司。

据东芯半导体副总经理陈磊介绍,此次带来的基于48nm的NORFlash在全球处于前端地位,与美国、台湾的竞争对手处于相同的技术节点上,还有明星产品24nmSLCNAND和28nmSPINANDFlash。目前NANDMCP产品包括“1+512”且可一直提供到“4+4”配置,非常契合功能手机、互联网模块的需求。和国内友商相比,东芯半导体具有以下特点:

存储器产品为自主IP设计,拥有完全的知识产权

与国内的晶圆制造商例如中芯国际合作研发了48nmNOR和28nmSPINAND,这也是目前国内的先进存储器

可为客户提供定制化产品

针对目前国内IC/存储器领域所面临的挑战,陈磊表示目前国内研发人才积累仍较薄弱,特别是存储器领域。其次,在产业链方面,国内半导体厂商一开始走的是Fabless(无工厂芯片供应商)模式,如何与上游晶圆厂、下游封装测试厂等整个产业链进行配合是一个相当大的挑战。中国IC/存储行业具有非常大的市场,其中全球存储器市场容量约有三分之二是由国内消耗的,这对于国内存储器厂商来说是有利的。但从全球范围来看也有不利的方面,国外竞争对手非常强势,它们本身技术足够强且产能充足,国内厂商相比就处于劣势地位。但从另一角度看,这也催促了国内产业链更有力地发展。

未来一年内,东芯半导体将主要在资本方面有一个大的跨越,陈磊提到东芯半导体已申报科创板上市,今后会继续扎根国内市场,在更好服务国内客户的同时积极发展国外市场。在产品研发方面,东芯半导体也会持续大量投入,不断丰富存储器产品系列以应对激烈的市场竞争。

2.

时创意电子

深圳市时创意电子有限公司(简称SCY)成立于2008年,目前是国内在存储芯片领域具备芯片设计、软固件研发、封装测试、制造及应用于一体的国家级高新技术企业。公司拥有芯片封装、测试和现代化模组工厂,形成了完整的供应链生态系统。产品及业务涵盖SSD固态硬盘、DRAM内存模组、嵌入式存储芯片(eMMC/LPDDR)、便携式存储产品的OEM、ODM等。

时创意电子在展会上带来了大容量嵌入式产品,包括256GBeMMC芯片、企业级与工业级的SSD等。据其市场部产品总监陶亮介绍,时创意电子是国内首发256GBeMMC芯片的企业,在极小的封装尺寸中实现了大存储容量,这需要很高的存储及软硬件技术。在企业级和工业级产品中,时创意电子针对产品固件、软硬件进行了极大的优化,提高了产品的可靠性、运行速度、性能。在公司定位上,时创意电子在全产业链都进行了布局,从设计研发到生产制造都能自行完成,可为客户提供一站式服务。时创意电子在市场上有两个立足点,一个是精益制造,另一个则是设计开发。国内半导体人才资源少,时创意电子除了引入行业优秀人才之外,还与高校展开合作以引进高校人才。

时创意电子从事eMMC芯片开发的时间并不长,只有一年时间,因此在产品推广和落地方面的确遇到了一些困难,陶亮说道:“客户在前期测试时,对我们的产品并没有太大的信心。产品落地时,我们通过对品质的把控、反复的测试,逐渐与客户建立起信任的关系。在疫情之前,我们的销售量也有了巨大的突破。”IC及存储器在早些年前是被国外垄断的行业,随着国内开始大力发展存储行业,越来越多的企业出现并推出优质产品,时创意电子也希望在这个行业环境下得到更好的发展。针对公司未来发展规划,陶亮表示时创意电子会朝着高端产品方向发展,并不断尝试新材料与新工艺,整个公司的规模也会扩大数倍以上。存储行业是一个需要长期发展的行业,时创意也将不遗余力的发展下去。

3.

拓普联科

拓普联科成立于2005年,经过15年的积累沉淀,已发展为国内PogoPin行业优秀企业,同时也是一站式跨学科精密零组件解决方案商。拓普联科的产品包括PogoPin、实心Pin、精密组件、连接器&线束等,主要应用于消费类电子,例如TWS耳机、VR/AR、无线充电等,及5G通信设施中的高频高速传输领域。在提及未来是否会扩展业务领域时,拓普联科副总经理黄海阳表示,未来PogoPin还将用于军工与汽车领域。今年美国禁令的实施对行业造成了冲击,黄海阳说道:“短期内来看,美国制裁的确带来了很大的影响。在今年的5G市场,拓普联科原本预计达到一亿的销售收入,但实际只完成了一半左右,一些项目也在推迟中,这对公司业务造成了一定的冲击。”但从长期来看,黄海阳表示行业一定还是会向好的趋势发展。

当下5G商用进程不断加快,智能化已然成为发展必然趋势,相应地也对组件提出更高要求。国内精密组件制造商比较分散,行业分层明显,在此竞争格局下企业若想在市场占据一席之地,具备自给自足能力是首要条件,且行业的头部效应明显,强者恒强,弱者恒弱,企业也需不断加强自身核心竞争力。据黄海阳介绍,拓普联科从PogoPin、实心Pin、模具开模到注塑都能自行完成,在组装方面,拓普联科也引入了自动化团队,现已基本掌握视觉识别、精密焊接、软硬件检测等环节技术,并在技术层面不断拉开与竞争对手的距离。对于OEM厂商来说,它们需要组件供应商来降低其人工成本,而拓普联科生逢其时,可在局部为客户提供自动化服务及方案,为OEM厂商带来便利。在装备制造业领域,它体现的是国家的基础研究能力。黄海阳表示,对于目前的社会,个人或企业需要耐得住寂寞,沉下心来,真正对基础科学进行深入研究。中国的工业能力已达到中等水平,若想继续往上走,就不能依赖西方的科学研究,要从现在开始提升自身基础研究能力。据了解,拓普联科计划在后年达到8个亿的销售规模,并努力向上市公司靠拢,担起应有的责任,在高速连接器方面做出贡献。中国要发展起自己的5G高速连接,而拓普联科也希望参与其中并制定出中国高速连接标准。

4.

海尔曼太通

海尔曼太通是在电缆紧固、固定、安装、连接、绝缘、保护和识別的高品质产品及网路连接解决方案领域的制造商和供应商,全球遍布30多家生产基地或者办事处。中国工厂于1997年在江苏无锡成立,迄今已经有23年,主要设计和生产塑料紧固件及线束保护周边的配件,产品广泛应用于汽车,白色家电,轨道交通,新能源等,在线束保护和电子等相关行业中享有较高的品牌知名度和市场占比。

海尔曼太通汽车事业部销售经理纪振国介绍道,其工厂年销售额约为12亿人民币。海尔曼太通在刚进入中国市场前10年中发展比较缓慢,当时主要依赖于国外的生产和技术,对市场的把握不是太敏感。到2000年,海尔曼太通调整了策略,并建立了有独立的设计和研发能力的团队,以高品质的产品作为核心,慢慢打开了新的局面,销售额也在逐年上升。

海尔曼太通的主要业务集中在汽车领域,客户群体主要生产制造线束。近些年整车项目开发进度加快,客户对于产品的要求越来越多,但在成本控制上的压力也越来越大,竞争也非常激烈。据了解,类似一两毛的小零件,有时候会有4-5家同时参与竞争,海尔曼太通全球有7万多种产品类型,如何推荐性价比更高的零件给客户是重要方向。此外,海尔曼太通还可以为客户提供开发设计服务,定制化服务,完整的卡丁,支架,自动捆扎等一系列的解决方案。国家正致力于改善环境,鼓励新能源汽车的发展。近些年很多公司也在跟进并不断投入,海尔曼太通也成立了独立的新能源开发事业部,开发了部分创新的产品,尤其在高压部分,对原材料和技术的要求较高,比如温度,阻燃等级,拉力方面。海尔曼太通非常注重产品质量,并为此在生产现场投入了自动化设备,机器人,采用中央集中供料系统,确保减少人为操作引起的风险,先进的在线视频检测设备可确保产品百分百合格,有些零件海尔曼太通在全球拥有专利保护。对于未来电子行业,实体经济需求将不再是唯一的模式,产品的普及,服务,售货包括客户的信息收集都要通过电子行业为平台去开拓去创新,海尔曼太通也将顺应市场趋势,满足市场需求,这是其业绩良好的关键所在。

5.

泰科天润

泰科天润成立于2011年,是一家集碳化硅半导体设计、制造、销售为一体的半导体原厂,在北京、湖南两地均设有生产线。在此次慕尼黑华南电子展上,泰科天润带来了新款超薄碳化硅封装产品,与传统TO贴片封装相比,厚度仅有1mm,超薄款的贴片封装非常适用于对空间要求非常严格的电源领域,比如PD快充。

泰科天润营销副总兼董事秋琪

据泰科天润营销副总兼董事秋琪介绍道,今年泰科天润在消费电子领域实现了突破,因氮化镓适配器热度不减,未来PD快充也将朝着大功率的方向发展,这就需要碳化硅芯片提供支持,这也是泰科天润非常重视的一个领域。

在中美贸易摩擦及全球大环境的影响下,国产化成为必然的趋势,这对国内半导体企业发展来说是有利的。秋琪说道,泰科天润作为本土的碳化硅品牌企业,采用了IDM发展模式,拥有两条位于国内的产线,从制造成本方面看,相较于国外友商,泰科天润实现了更高的性价比。其次,泰科天润产线自主可控且24小时全天候,在交货期方面具有优势。据了解,泰科天润从投入到产出时长一般为6-8周。未来碳化硅器件的发展方向是非常明确的,高功率密度、体积小型化、轻便化等趋势也在推动第三代半导体发展。秋琪表示,第三代半导体很大可能性会朝IDM模式发展,因为碳化硅、氮化镓等是新材料,且具备成熟工艺的代工厂较少。接下来三年内,泰科天润将继续扎根市场,争取市场占有率突破10%,并在提高性价比方面持续发力。品牌方面也不仅限于国内发展,去年泰科天润已经与全球知名代理商展开了合作,今年虽因疫情造成延缓,但未来疫情结束后,泰科天润在与合作商的配合下会在海外市场实现突破。

6.

捷捷微电

江苏捷捷微电子股份有限公司创建于1995年,专业从事半导体分立器件、电力电子元器件研发、制造和销售,具备一流的技术创新能力、良好的市场信誉和业务网络,是国内电力半导体器件领域中,晶闸管器件及芯片方片化IDM的半导体厂商。

展会上,捷捷微电带来了可控硅MOSFET、防护器件等优势产品,据其华南区域经理林升望说道,近年来捷捷微电在洗衣机领域的推广取得了显著成效,国内外许多知名品牌都在使用捷捷微电的可控硅产品。当下市场对产品品质的要求越来越高,捷捷微电在一些特殊应用场景中有很大的优势,IDM发展模式使其从芯片研发到封装,再到测试都能独立完成。目前国内IC器件研发主要面临品质、性能上的挑战,捷捷微电也非常注重研发方面,在林升望看来,国内IC器件的发展前景非常可观,在经历美国禁令后,国内品牌的受欢迎度得到明显提升,追求国产化的大环境也为国内企业带来了更多机遇。

总结

2020年的国际大环境有着许多变数,但这并没有减弱中国电子行业的发展力度,反而会使国内企业坚定不移的走自主研发道路。外媒《华尔街日报》曾指出,如果按照目前的趋势继续发展下去,未来几年中国大陆的产能将迅速增长,预计到2030年成为世界上最大的半导体生产基地。

原文标题:访谈丨挑战与机遇并存,电子行业国产化迎来大好发展时机!

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赛昉科技携手合作伙伴,共同助力中国RISC-V产业的发展

国内RISC-V头部厂商赛昉科技分别与紫光展锐和香港中华煤气集团旗下的港华能源进行战略签约仪式,本次....
的头像 我快闭嘴 发表于 01-15 09:57 256次 阅读
赛昉科技携手合作伙伴,共同助力中国RISC-V产业的发展

钙钛矿光伏电池的新方向分析

据报道,近期的一项研究结果表明,辣椒不仅可以帮助人们做出美味佳肴,还可能是更稳定、更高效钙钛矿太阳能....
的头像 我快闭嘴 发表于 01-15 09:49 144次 阅读
钙钛矿光伏电池的新方向分析

哪些因素推动着市场格局不断变化

当今的行业正在经历翻天覆地的变化,这主要是由于终端市场需求变化和重大整合引起。几十年前,业内有许多家公司,它们多半活跃于...
发表于 01-15 07:46 0次 阅读
哪些因素推动着市场格局不断变化

存储器的区域划分

程序存储器,数据存储器,寄存器和I\O端排列在同一顺序的4GB地址空间内,被控总线连接的部分。存储器本身不具有地址信息,它...
发表于 01-14 17:37 0次 阅读
存储器的区域划分

非易失性存储器平衡的方法

非易失性存储器平衡方法
发表于 01-07 07:26 0次 阅读
非易失性存储器平衡的方法

SRAM存储器详解

从三个层面认识SRAM存储器
发表于 01-05 07:09 0次 阅读
SRAM存储器详解

存储器ram的特点是什么

存储器ram的特点
发表于 01-05 06:57 0次 阅读
存储器ram的特点是什么

ram的结构和读写过程

  ram也叫主存,是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写(刷新时除外)且速度很快,通常作为操作系统或其他正在运...
发表于 12-31 06:18 0次 阅读
ram的结构和读写过程

半导体芯片行业的运作模式有哪些

半导体芯片行业的运作模式
发表于 12-29 07:46 0次 阅读
半导体芯片行业的运作模式有哪些

集成多种高端技术,半导体洁净室专用检测仪器

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等...
发表于 12-28 11:21 101次 阅读
集成多种高端技术,半导体洁净室专用检测仪器

SRAM是什么存储器看了就知道

SRAM是什么存储器
发表于 12-28 07:02 0次 阅读
SRAM是什么存储器看了就知道

采用PLD和嵌入式存储器实现W-CDMA调制解调器的设计

基于PLD和嵌入式存储器实现W-CDMA调制解调器的设计 ...
发表于 12-28 06:04 0次 阅读
采用PLD和嵌入式存储器实现W-CDMA调制解调器的设计

STM32H743ZGT6 STMicroelectronics STM32H7 高性能MCU

oelectronics STM32H7高性能MCU基于高性能Arm® Cortex®-M7 32位RISC内核,工作频率高达400MHz。Cortex-M7内核具有浮点单元 (FPU) 精度,支持Arm双精度(符合IEEE 754标准)和单精度数据处理指令与数据类型。STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存储器保护单元 (MPU),可增强应用的安全性。 该MCU采用高速嵌入式存储器,具有高达2MB的双区闪存、1 MB的RAM(包括192 KB的TCM RAM、864KB的用户SRAM以及4KB的备份SRAM)。另外,该器件还具有各种连接到APB总线、AHB总线、2x32位多AHB总线矩阵的增强型I/O和外设,以及支持内部和外部存储器访问的多层AXI互连。 该器件设有三个ADC、两个DAC、两个超低功耗比较器、一个低功耗RTC、一个高分辨率定时器、12个通用16位定时器、两个用于电机控制的PWM定时器、五个低功耗定时器和一个真随机数发生器 (RNG)。该器件支持四个用于外部Σ-Δ调制器 (DFSDM) 的数字滤波器,并设有标准和高级通信接口。 特性 核心 ...
发表于 10-28 14:50 128次 阅读
STM32H743ZGT6 STMicroelectronics STM32H7 高性能MCU

ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

标准的参数搜索 易于访问密钥产品参数 部件号搜索用于直接访问特定的产品 数据表的下载离线咨询 来采样和购买 最喜欢的部分数字管理 产品功能分享通过电子邮件或社交媒体 适用于Android™或iOS™操作系统 在Wandoujia应用程序商店,为中国用户提供 在STPOWER IGBT取景器是Android或iOS设备上使用的手机应用程序提供通过www.st.com在线产品组合中的一个用户友好的替代搜索,驱动用户使用以及便携式设备顺利和简单的导航体验。参数搜索引擎允许用户快速识别出最适合其应用合适的产品。此应用程序可在谷歌播放,App Store和Wandoujia。...
发表于 05-21 07:05 98次 阅读
ST-IGBT-FINDER ST-IGBT-FINDERSTPOWER IGBT取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产品查找程序

,零件编号和产品 技术数据表下载和离线咨询一系列的搜索功能 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表收藏栏目 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 可在安卓™和iOS™应用商店 ST-DIODE-FINDER是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索使用便携式设备的ST二极管的产品组合。您可以轻松地定义设备最适合使用参数或一系列的搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
发表于 05-20 18:05 79次 阅读
ST-DIODE-FINDER ST-DIODE-FINDERAndroid和iOS二极管产品查找程序

ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产品的取景器为Android和iOS

引导搜索 部分号码搜索能力 主要产品功能发现 数据表下载和离线咨询 产品功能分享通过电子邮件或社交媒体 样品订购所选产品的 主屏幕上的语言选择 ST-EEPROM-FINDER是探索意法半导体串行EEPROM组合最快和最明智的方式使用智能电话或平板。
发表于 05-20 17:05 66次 阅读
ST-EEPROM-FINDER ST-EEPROM-FINDER串行EEPROM产品的取景器为Android和iOS

ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

或产品号的产品搜索能力 技术数据表下载和离线咨询 访问主要产品规格(主要电气参数,产品一般说明,主要特点和市场地位) 对产品和数据表 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 适用于Android收藏节™和iOS™应用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的应用程序,它可以让你探索的ST功率MOSFET产品组合使用便携设备。您可以轻松地定义设备最适合使用参数搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。...
发表于 05-20 17:05 111次 阅读
ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机

ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产品查找用于移动设备

于Android和iOS电话移动应用 友好的用户界面 的直观的产品的选择: MEMS和传感器 评估工具 应用 参数搜索使用多个过滤器 部件号搜索 访问技术文档 从ST经销商在线订购 通过电子邮件或社交媒体最喜欢的部分数字管理经验分享 支持的语言:英语(中国,日本和韩国即将推出) 在ST-SENSOR-FINDER提供移动应用程序的Android和iOS,提供用户友好的替代通过MEMS和传感器网络产品组合搜索,驱动用户一起顺利和简单的导航体验。...
发表于 05-20 17:05 80次 阅读
ST-SENSOR-FINDER ST-SENSOR-FINDERMEMS和传感器产品查找用于移动设备

AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...
发表于 04-18 19:35 52次 阅读
AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...
发表于 04-18 19:35 60次 阅读
AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...
发表于 04-18 19:31 126次 阅读
AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...
发表于 04-18 19:31 90次 阅读
AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 104次 阅读
AD5253 四通道、64位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...
发表于 04-18 19:29 108次 阅读
AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...
发表于 04-18 19:29 203次 阅读
AD5252 I2C, 非易失性存储器、双通道、256位数字电位计

AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...
发表于 04-18 19:29 183次 阅读
AD5251 I2C, 非易失性存储器、双通道、64位数字电位计

AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...
发表于 04-18 19:28 246次 阅读
AD5235 非易失性存储器、双通道1024位数字电位计

AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...
发表于 04-18 19:28 208次 阅读
AD5231 非易失性存储器、1024位数字电位计

CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写保护的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 342次 阅读
CAT25128 EEPROM串行128-Kb SPI

CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...
发表于 04-18 19:13 1057次 阅读
CAT25256 EEPROM串行256-Kb SPI

CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...
发表于 04-18 19:13 138次 阅读
CAT25040 4-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI

60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 04-18 19:13 235次 阅读
CAT25160 EEPROM串行16-Kb SPI