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全球存储芯片业正被持续装进韩企的口袋

2020-11-24 16:48 次阅读

全球存储芯片业正被持续装进韩企的口袋。

继最近SK海力士官宣收购英特尔NAND闪存业务及其位于大连的Fab68厂后,SK海力士相对薄弱的NAND实力得到进一步补足。

作为全球存储芯片前年老二,SK海力士一直在老大三星的光环下承压前行。这两家韩国公司的版图,已覆盖超过72%的全球DRAM市场和超过45%的全球NAND闪存市场。

凭借暴利的存储芯片,三星和SK海力士一路赚得体满钵满,不断扩充疆域、扩大投资,付诸各种努力捍卫这块血赚的地盘。

回顾韩企存储芯片上位史,这是一个颇为励志的故事,在巨头环伺时另起炉灶,从零技术基础起步,到技术领先全球,再到用市场手段逼退竞争对手,韩企如何一步步称霸全球存储芯片市场?这是一个极其值得分析的经典案例。

▲2018年全球半导体细分市场规模分布:存储器是全球最大的半导体细分市场。

01

从零,到第一

全球存储芯片第一的板凳很难捂热,美国日本各坐了十年左右,而韩国一直坐到今天。

起初英特尔在70年代前后凭存储器起家,当了十年的存储器老大;然后80年代日本凭借集中五家企业的实力集中力量攻关技术,火速攻占存储市场,带领日本半导体走向世界巅峰,甚至一度将美国硅谷企业打得毫无还手之力,英特尔被逼到差点倒闭。

等美国看不惯日本半导体崛起、出手打压的时候,早已蓄力的韩国三星、SK海力士等企业开始明夺市场,一边靠逆势扩张竞争,另一边积极抱美国大腿。

美韩联合下,日本半导体兵败如山倒,日企存储芯片界仅存的“独苗尔”必达在2012年宣告破产,被美国美光科技并购。

不过尔必达曾占有的市场,却并没有随着并购而通通装进美光的口袋,相当一部分市场被三星和SK海力士进一步蚕食。

从TrendForce数据可以看到,2011年第一季度,全球DRAM市场前五分别是韩国三星、SK海力士、日本尔必达、美国美光科技、中国台湾南亚科技,两家韩企合计市占率约为62.7%,尔必达和美光合占近1/4的市场。

而到2017年,两大韩厂DRAM市占率合计达74.2%,较2011年占比更大,第三名美光仅占不到1/5的全球市场。

存储芯片业务给三星和SK海力士带来了丰厚的回报。2017年得益于存储芯片价格持续上涨,三星半导体部门收入首次超过英特尔,成为全球销售额最高的半导体企业;SK海力士也在同一年营收超过美光,位列全球第三。

▲2017年全球半导体企业销售额TOP10(来源:Gartner)

2019年受存储芯片价格回落影响,三星、SK海力士、美光等均出现业绩下滑,但这并不影响这两家韩企的半导体销售额稳居全球前四。

从1993年三星首次登顶起,内存产业格局风云变幻,当年开创DRAM芯片先河的英特尔、德州仪器、IBM等元老在20世纪末退出市场,德企奇梦达、日企尔必达破产,三星、SK海力士、美光三家垄断超过90%的市场份额。

如今,六大玩家瓜分99%市场的NAND闪存领域中,排名第六的SK海力士上周又宣布要收购排名第五的英特尔NAND业务。如果这一交易顺利完成,SK海力士有望跃升至NAND市场第二或第三名,而韩企将坐拥全球NAND领域的半壁江山。

▲2019年第四季度全球NAND品牌厂商营收排名(来源:行业分析机构DRAMeXchange)

当然了,地位最稳的仍是三星,这家存储芯片技术和市场都遥遥领先的韩企,已经稳坐全球存储芯片老大的位置长达27年。

02。

暴走三星,“自杀式”逆袭上位

三星能从零技术背景到成功问鼎全球第一,有几个因素功不可没。

首先要有足够资本担得起风险。技术研发、规模生产都离不开大量资金投入,尤其在价格下跌、产能过剩的存储器低谷时期,没有充足的资金,很难撑过亏损的逆境。

而三星是韩国政府扶持的家族企业,足够有钱,可以任性。在半导体事业起步阶段,三星宛如孤注一掷的赌徒,一边负债累累,一边持续进行“自杀式”投资,不断砸重金研发扩产。

关键底气是核心技术实力过硬。三星就成功走出了一条从技术复制到创新超越的路。

三星1983年刚开始研发DRAM时,没有任何技术基础,先是从美日企业购买技术授权,派专家赶赴美日企业学习,进而开发出第一款64KBDRAM,与世界先进技术之间的差距逾4年。

随后三星从美日网罗大量半导体人才,不顾亏损大力投资技术研发。仅用6年时间,三星便研发出领先全球的16MDRAM,实现技术前进5代。随后1993年,三星因16MDRAM量产跃居存储芯片市场第一,从此蝉联至今。

▲韩国三星DRAM技术能力变化过程

扩张存储器市场,三星有一大杀招——押注“逆周期定律”。当存储器市场不景气,其他企业削弱投资、减少生产时,三星反其道而行之,冒着血亏的风险继续投资和扩大生产规模,通过规模效应压低成本,进一步加剧行业亏损,逼对手纷纷出局。

这种逆势扩张策略,三星在20世纪80年代、90年代,以及2008年金融危机前后均曾实施。

经过二十几年的竞争,内存生产厂家从上世纪80年代的四五十家,到2008年仅剩韩国三星与SK海力士、德国奇梦达、美国美光、日本尔必达五家。2008年内存价格再次暴跌,几年后奇梦达、尔必达先后破产,韩企迎来全面胜利。

▲2008年金融海啸后经济前景未明,三星仍加码于资本支出与研发费用。

强大的市场调研能力也至为关键。三星充分发挥丰富的市场调研能力,将优秀人才提拔为市场调研专员派往各个国家和地区,准确把握市场变化和需求,为经营决策提供参考。

信息收集带来的精准数据分析,辅助三星预判到时代更迭带来的空前机遇。90年代个人电脑(PC)取代大型机成为主流,DRAM需求发生变化,日企陷入创新窘境,被韩企用更加便宜、小巧、方便的技术战胜。

日企尔必达依然遵照先前的生产逻辑,近乎病态地追求均一性和高成品率,却忽略了相较于高品质,低成本和高规模才是PC用DRAM的核心竞争力所在。

这给三星等不拘泥于高成本率的韩企一个巨大的机会,三星采取四代产品同时研发的策略,致力于提高生产效率和降低每颗DRAM芯片的成本,至于成品率,提升至能满足市场需求的水准就足够了。通过大批量生产廉价DRAM,三星很快在市占率上超过日企。

▲1970-2013年各种机器迭代

除了自己做研发生产,韩企还投资竞争对手。

2017年,日本最大的集成电路公司东芝存储器是全球第四大存储芯片巨头、第二大NAND闪存芯片巨头,然而因为东芝集团的巨额亏损,东芝存储器被以180亿美元卖给美国贝恩资本主导的联盟,全球第二大存储芯片商SK海力士也顺势成了东芝存储器的股东。

如今的三星和SK海力士,坐拥全球最先进的存储器技术和产能,即便面对不稳定的周期变化,依然能呈现出风雨不动安如山的姿态。

03。

角逐中国市场,持续加固优势

无论是日企赶超美企,还是韩企赶超日企,这些逆袭的故事,都给亟待实现我国半导体产业自主可控的梦想埋下了希望的种子。

作为全球最大的电子产品制造国和全球最大的电子产品消费市场,中国大陆对存储芯片需求旺盛,且依赖进口的程度仍相当高,为以三星、SK海力士为代表的国际存储芯片玩家贡献了相当丰厚的收入。

▲2015-2019年间,三星和SK海力士在中国的营收(来源:彭博社)

但当中国资本开始为自主可控争取更多可能时,韩企的危机意识油然而生。

2015年7月,紫光集团向美国美光提出230亿美元的收购邀约,然而美光以担心被美国政府阻挠为由拒绝了这一交易。

走收购外企的捷径不成,那就自己造。从2016年起,福建晋华、合肥长鑫、长江存储三大国产存储芯片企业均陆续投资发力,砸千亿级资金,兴建DRAM或NANDFlash芯片生产线。

这令韩企感到空前的警惕。

可以看到,过去几年,三星、SK海力士正持续采取一些措施来巩固自己的地盘。

其一,控制产能,避免存储芯片价格下滑。

韩国存储芯片巨头是控制产能、玩价格战的老手。他们拥有充沛的资金,能游刃有余地抵御市场低迷,还擅长通过控制产量影响市场。

十年前欧盟委员会曾向包括三星、SK海力士、英飞凌、日立、美光在内的10家内存制造商开出3.31亿欧元罚单,原因就是它们操控了内存价格,而美光由于当了污点证人被免于处罚。

2018年7月,三星被曝通过控制内存产能来延缓内存降价,外媒Semiwiki报道称,这一举措导致一些半导体设备供应商的设备出货量短期内下降了10-25%。2019年三星、SK海力士以及美国美光均考虑通过减产弥补降价损失。

其二,积极在中国大陆建新厂。

2018年3月,三星在西安举行存储芯片二期项目开工奠基仪式,总投资额为70亿美元,这是三星继2012年在西安高新区花108亿美元投资一期NAND闪存芯片项目后的又一笔投资。

2019年12月,三星西安闪存芯片项目二期第二阶段80亿美元投资启动,二期项目预计至2021年下半年竣工,建成后将新增月产能13万片。今年3月,三星西安一期项目在1月、2月实现满产生产,月产13万片存储芯片。

SK海力士早在2005年就在无锡高新区建设了工厂,累计总投资超100亿美元。

2017年10月,SK海力士二工厂项目正式签约,在去年4月正式竣工,预计完全投产后,月产能将提升至18万片12英寸晶圆,海力士无锡公司也将成为全球单体投资规模最大、月产能最大、技术最先进的10纳米级DRAM产品生产基地。

不过由于今年疫情影响,三星二期项目和SK海力士的无锡工厂推迟了大约3个星期。

而如果SK海力士能顺利收购英特尔NAND闪存业务,也将把生产非易失性存储器的大连英特尔工厂一并收之麾下。

其三,拉大技术差距,引入EUV技术。

EUV光刻技术是实现更先进芯片制程的关键技术,此前主要被用于生产7nm及以下的逻辑芯片,而今年,三星和SK海力士均释放了将其引入存储芯片生产线的讯号。

据韩媒报道,今年8月,三星“平泽2号”半导体工厂已开始运营,将生产全球首个基于EUV的移动DRAM产品。三星电子的一位发言人透露,使用EUV的1a工艺,生产效率是基于12英寸晶圆的1x工艺的两倍。

SK海力士也在加速推进基于1a工艺的EUVDRAM产品。此前SK海力士已在M16芯片厂园区内安装了两台EUV光刻机,计划将EUV技术应用于下一代DRAM芯片生产。

一台EUV光刻机造价超过1亿美元,数量又极其稀缺,迄今中国大陆企业产线尚未拿到一台EUV光刻设备。如果韩企基于EUV的DRAM产品落地,将进一步拉大与中国大陆企业间的技术差距。

04。

结语:存储芯片市场竞争门槛升级

如今存储芯片发展愈发集中,尤其是DRAM内存市场,持续向三星、SK海力士、美光三家聚拢。如果SK海力士最终成功收购和吸收英特尔NAND业务,全球存储芯片市场的大半江山都将成为韩企的囊中之物。

而从历史经验来看,争夺存储芯片市场将不可避免地需要更多资金的投入,这也意味着未来竞争的门槛进一步增高,其他玩家如想突围,将面临技术、成本以及市场的多重竞争。

责任编辑:haq

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【MTO-EV033开发板试用体验连载】性能好得令人发指

这几款是什么芯片,请问谁有用过,请大侠指教下

发表于 12-31 09:03 363次 阅读
这几款是什么芯片,请问谁有用过,请大侠指教下

教程 NAS网络存储中建立iSCSI 增加电脑硬盘存储空间

iSCSI Target 可以轻松管理iSCSI服务,iSCSI Target 是一个网络磁盘空间,可以被iSCSI 服务器或NAS 存储设...
发表于 12-30 18:12 101次 阅读
教程 NAS网络存储中建立iSCSI 增加电脑硬盘存储空间

请问如下芯片是何芯片?如何替换

西屋取暖器数显控制板上用。
发表于 12-29 17:51 327次 阅读
请问如下芯片是何芯片?如何替换

求 Kv56 芯片的相关学习资料!!!

发表于 12-29 17:41 909次 阅读
求 Kv56 芯片的相关学习资料!!!

以太网MAC芯片与PHY芯片的关系是什么

如何实现单片以太网微控制器? 以太网MAC是什么? 什么是MII? 以太网PHY是什么? 网卡上除RJ-45接口外,还需要其...
发表于 12-28 06:22 0次 阅读
以太网MAC芯片与PHY芯片的关系是什么

芯片制造全工艺流程解析

芯片制造全工艺流程详情
发表于 12-28 06:20 0次 阅读
芯片制造全工艺流程解析

请问TI的充电管理芯片一般都有个PMID,这个PMID是什么的缩写

请问TI的充电管理芯片一般都有个PMID管脚,这个PMID是什么的缩写 ...
发表于 12-24 20:20 101次 阅读
请问TI的充电管理芯片一般都有个PMID,这个PMID是什么的缩写

如何正确保存不用的芯片?

  一颗FLASH闪存芯片,可以经历10万次擦写,它的寿命长达10年;而合格性能良好的CUP,寿命甚至可长达10-20年之久。这真...
发表于 12-24 17:29 606次 阅读
如何正确保存不用的芯片?

STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V
发表于 05-20 16:05 75次 阅读
STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

FPF2290 过压保护负载开关

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 129次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 227次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 109次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 85次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 158次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 107次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 129次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 153次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 120次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 114次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 257次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 219次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 152次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 122次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 110次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 290次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 00:02 122次 阅读
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 247次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 611次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5