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半导体制程将迎来三分天下的格局

2020-11-24 14:47 次阅读

随着半导体制程向着更先进、更精细化方向发展,不同节点范围和玩家的边界越来越明显。其中,最先进制程玩家只剩下台积电、三星英特尔这3家,而在10年前,至少有7家在专注于当时最先进制程的投资和研发。而在成熟制程方面,也是在近些年才被业界特别提及的,早些年,特别是在14nm量产之前,先进制程与成熟制程之间的差别并没有今天这么大,相应的玩家也不像今天这么“割裂”,特别是在逻辑芯片生产领域,当下,专注于成熟制程的厂商特点愈加突出。

上周,ICInsights发布了《2020-2024年全球晶圆产能》报告,该报告指出,半导体界对于不断缩小晶体管几何尺寸有着强烈的动机,因为这样做有很多好处,如更高的速度、更低的功耗、更低的单位面积成本等。但是,有时也会出现收益递减的问题,这就使得很多芯片设计人员和企业越来越怀疑高投入是否值得,特别是10nm以下制程技术相关的设备成本已经飙升至许多晶圆厂无法承受的地步。而且,微缩带来的成本优势也已经不再像以前那样明显了。

另外,设计难题(例如,继续缩小DRAM和NAND闪存单元的体积)阻碍了IC行业使用多年的微缩方法,而更复杂的逻辑芯片(如微处理器,ASICFPGA等)也在这方面面临更多挑战。

总之,ICInsights认为,随着芯片特征尺寸微缩速度持续放缓,芯片设计人员也发现越来越难以证明较高的成本能得到合理的回报。因此,先进与成熟制程之间的利弊愈加明确,不同公司所采用的制程也愈加有针对性。这就使得各种制程都有展现各自优势的空间。

半导体制程将迎来三分天下的格局

在这样的发展趋势下,按照ICInsights的统计和预测,各种半导体制程的市占率正向着相对更加均衡的方向发展。

在2019年,10nm以下先进制程的市占率仅为4.4%,而到2024年,其比例将增长到30%。在该时间段内,10nm-20nm制程的市占率将从38.8%,下降到26.2%;20nm-40nm制程的市占率将从13.4%,下降到6.7%;不过,从该统计和预测来看,40nm以上成熟制程的比例在这些年当中没有出现明显变化。

总体来看,到2024年,10nm以下,10nm-20nm,以及40nm以上制程各占市场约三分之一,到时将呈现出三分天下的格局。

最先进制程强势增长

10nm以下的先进制程呈现出快速增长的态势,如图所示,2020年市占率为10%,2022年的预测值就超过了20%,并在2024年增加至全球产能的30%。市场主要驱动力是7nm,以及今年刚量产的5nm,还有将于2022年量产的3nm(台积电和三星都宣布在2022年实现量产)。

5nm方面,台积电先于三星量产,并拿下了苹果和华为海思这两大客户,本来今年的产能是比较吃紧的,但TrendForce集邦咨询认为,由于受到华为禁令影响,2020年初才量产的5nm制程仅剩苹果一家客户,即便苹果积极导入自研MacCPU,其总投片量仍难以完全弥补海思空缺的产能,导致5nm产能利用率在今年下半年落在85%~90%之间。不过,到2021年,除了苹果持续以5nm+生产A15Bionic外,AMD5nmZen4架构产品也将开始小量试产,到时候,台积电5nm产能利用率有望维持在85~90%。

另外,TrendForce表示,2021年底至2022年,联发科英伟达高通都有5nm/4nm产品量产计划,加上AMDZen4架构的放量,以及英特尔CPU委外生产预估将于2022年采用5nm制程,庞大的需求量促使台积电着手进行5nm扩产。另外,苹果在2022年持续采用4nm生产A16处理器的可能性相当高,届时不排除台积电将进一步把5nm产能再扩大。

三星方面,英伟达Hopper架构Geforce平台GPU将持续委由三星代工,加上高通骁龙885及三星Exynos旗舰系列,可支撑三星5nm在2021年进一步扩产。虽然与台积电相比,三星处于下风,但由于具备5nm量产能力的只有这两家厂商,所以三星依然会对今后几年先进制程市场发展做出很大贡献。

7nm制程方面,台积电已经量产两年多时间了,牢牢掌控着这部分市场。虽然5nm产能非常吸睛,但目前来看,台积电营收主力仍为7nm制程。不久前,该公司宣布截止到7月,其7nm良品芯片(gooddie)累计出货量已超过10亿颗。同时,台积电优化7nm制程后推出的6nm已经开始进入生产阶段,并采用EUV技术取代部份浸润式光刻掩模。苹果、华为海思、高通、联发科、AMD、赛灵思、英伟达、博通等均是台积电7nm客户,且客户还在扩展,如英特尔和特斯拉,都是台积电潜在的7nm制程客户。

目前,大部分客户已经大幅追加第四季7nm订单,使得台积电7nm产能满载。

在过去两年里,因客户需求非常强烈,其产能得到快速提升,预估2020年7nm产能将是2018年的3.5倍。从近期台积电的财报来看,7nm制程是其近两个季度的主要营收来源,分别贡献了营收的35%和36%。据产业链消息人士透露,台积电计划将7nm制程工艺的月产能提升到13万片晶圆,并努力在年底提升至14万片。

10nm-20nm占比被压缩

10nm-20nm制程市场占比本来是最大的,如图所示,2019年接近40%,但随着10nm以下先进制程的崛起,10nm-20nm的市占率正在逐渐被蚕食。

该范围内的主力制程是16nm(主要由台积电提供),14nm(主要由三星、英特尔和格芯提供),12nm(主要由台积电和格芯提供),以及10nm(主要由台积电、三星提供)。芯片种类主要是逻辑芯片和高性能的存储芯片。

逻辑芯片主要以手机处理器,以及英特尔的CPU为代表,该部分市场较为成熟。

而采用10nm-20nm制程生产存储芯片的,主要是行业三强:三星、SK海力士和美光,这部分市场正处于成长期。在低于20nm的工艺中,韩国拥有66%的产能,与其他地区或国家相比,韩国的领先优势仍然明显得多,这主要是得益于三星、SK海力士对高密度DRAM和3DNAND闪存的重视。

美光是除韩国存储双雄之外另一支强劲力量,该公司在10nm-20nm制程DRAM方面一直在积极投入。在今年5月举行的线上存储半导体国际学会--国际存储半导体研讨会(IMW2020)上,美光公布了先进DRAM量产的相关路线图,相关数据显示,美光是以2019年1Z、2020年1α、2021年1β、2022年1γ、2023年1δ的形式(1Z、1α、1β和1γ等是10nm-20nm制程,具体数字根据不同公司的制程特点而略有不同),即“一年一代”的步骤量产先进DRAM。一直以来,美光和三星一样以“两年一代”的形式量产先进DRAM。然而,2019年以后,美光将方针改为了“一年一代”。这也从一个侧面反应出,虽然市占率被10nm以下先进制程压缩,但10nm-20nm制程依然具有强大的生命力和发展前景。

小众的20nm-40nm市场

可以看出,20nm-40nm制程的市占率一直都比较低,且随着时间的推移,将从13.4%,下降到6.7%,在几大板块中,降幅是最大的。

在20nm-40nm这一区间内,主要有20nm,22nm,28nm和32nm,而从性价比角度看,28nm无疑是最优的,其它几种制程节点的应用都比较有限。前些年,28nm的市占率还是比较高的,但随着先进制程的不断更新,逻辑芯片制程大都采用20nm以下制程了,而存储三巨头也都在向10nm+领域拓展。与此同时,大量的模拟和功率芯片本就不需要先进制程,可以看出,40nm以上成熟制程的市占率一直都比较稳定。这些使得原本处在性价比最高的过渡制程节点区间内的28nm,竞争力逐渐减弱,市场份额也会不断缩减。

稳定的成熟制程

40nm以上的成熟制程,无论是180nm以下,还是180nm以上的,市占率都很稳定。这也正是诸多晶圆代工厂长期专注于成熟工艺,而不向先进制程投入过多资本和精力的底气所在,同时,也是格芯和联电放弃最先进制程的主要原因。无论先进制程如何发展,未来,成熟制程工艺的市场依然会很广阔,依然具有很好的投资价值。

结语

综上,四大制程工艺板块的市占率及其变化情况,从侧面说明了:为什么近几年,在业内不断兴建12英寸晶圆厂的同时,8英寸产能总是供不应求,且一直没有很好的解决办法。大部分资本都投入到了20nm以下的先进制程(以12英寸晶圆为主),而40nm以上成熟工艺(以8英寸晶圆为主)在很大程度上被忽略,而这部分的市场需求和市占率一直都很高。要解决如此庞大市场的供需问题,恐怕短时间内还是难以找出立竿见影的解决方案,因为相关晶圆厂,设备等投资巨大,且需要较长的时间周期培育。今后几年,成熟工艺芯片供不应求的局面大概率还会持续下去。
责任编辑:tzh

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NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 109次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 85次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 160次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 107次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 129次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 153次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 120次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 114次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 259次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 221次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 152次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 122次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 112次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 290次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
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NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 247次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 613次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5