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韩国企业在EUV光刻技术方面取得了极大进展

中国半导体论坛 来源:中国半导体论坛 作者:中国半导体论坛 2020-11-19 14:13 次阅读

11 月 16 日消息据韩国媒体上周报道,韩国本土企业在 EUV 光刻技术方面取得了极大进展。但并没有提到是哪一家企业,合理推测应指代韩国整个半导体光刻产业。

EUV 光刻技术是多种先进技术的复合体,例如多层反射镜,多层掩模,防护膜,光源和注册表(registries)。

在过去的十年中,包括三星电子在内的全球公司进行了深入的研究和开发,以确保技术处于领先地位。最近,代工公司(意指三星)开始使用 5 纳米 EUV 光刻技术来生产智能手机的应用处理器(AP)。

按公司划分,全球六大公司的专利申请数占了总数的 59%,卡尔蔡司(德国)占 18%,三星电子(韩国)占 15%,ASML(荷兰)占 11%,S&S Tech(韩国)占 8%,台积电(台湾)为 6%,SK 海力士(韩国)为 1%。

从具体的技术项目来看,曝光装置技术申请专利占 31%,掩膜技术申请专利占 28%,其他申请专利占 9%。在工艺技术领域,三星电子占 39%,台积电占 15%。在光罩领域,S&S 科技占 28%,Hoya(日本)占 15%,汉阳大学 (韩国)占 10%,朝日玻璃 (日本)占 10%,三星电子占 9%。

据了解,韩媒还提到了韩国专利数量,据韩国知识产权局 (KIPO)发布的《近 10 年 (2011-2020 年)专利申请报告》显示,2019 年,韩国提交的专利申请数量为 40 件,超过了国外企业的 10 件。

韩媒称这是韩国提交的专利申请量首次超过国外企业。到 2020 年,韩国提交的专利申请也将是国外企业申请的两倍以上。

责任编辑:lq

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原文标题:韩媒:韩国本土企业在 EUV 光刻技术方面取得重大进展

文章出处:【微信号:CSF211ic,微信公众号:中国半导体论坛】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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