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原文标题：串联ESD电容放置规则
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CM1224 低电容ESD保护阵列
系列二极管阵列旨在为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供ESD保护。这些器件非常适用于保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成，它们将正或负ESD电流脉冲引导至正（VP）或负（VN）电源轨。齐纳二极管嵌入在VP和VN之间，具有两个优点。首先，它可以保护VCC导轨免受ESD冲击，其次，它不需要旁路电容，否则需要吸收正向ESD冲击接地。 CM1224可根据IEC 61000-4-2标准防止高达±8kV的ESD脉冲。这些设备特别适用于使用高速端口保护系统，如USB 2.0，IEEE1394（Firewire®，iLink™），串行ATA，DVI，HDMI和可移动存储中的相应端口，数码摄像机以及DVD- RW驱动器和其他需要极低负载电容和ESD保护的应用。 CM1224系列器件在小封装尺寸内具有无铅精加工。 特性 两个或四个ESD保护通道，最高8kV接触放电 通用高速数据线ESD保护 典型值为0.7pF的低通道输入电容，最小电容随温度和电压变化 典型值为0.02pF的通道输入电容匹配是差分信号的理想选择 齐纳二极管保护电源轨道并消除了对外部旁路电容的需求 终...
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CM1223 ESD保护阵列 低电容 带反向驱动保护
系列二极管阵列旨在为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供ESD保护。这些器件非常适用于保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成，它们将正或负ESD电流脉冲引导至正（VP）或负（VN）电源轨。齐纳二极管嵌入在VP和VN之间，用于吸收正ESD冲击并为VP轨提供ESD保护。集成了一个额外的二极管作为反向驱动电流保护。 CM1223可根据IEC 61000-4-2标准防止高达±8kV的ESD脉冲。此外，所有引脚都受到保护，免受大于±15kV的接触放电，如MIL-STD-883D（方法3015）人体模型（HBM）ESD规范所述。这些设备特别适用于使用高速端口保护系统，如USB2.0，IEEE1394（Firewire®，iLink™），串行ATA，DVI，HDMI和可移动存储中的相应端口，数码摄像机，DVD-RW驱动器，以及在小封装尺寸中需要极低负载电容和ESD保护的其他应用。 CM1223系列器件采用符合RoHS标准的无铅封装制造。 特性 两路，四路和八路ESD保护，集成反向驱动保护功能所有行 低通道输入电容1.0pF（典型值），电容随温度和电压变化最小 通道I / O与GND电...
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TPS736 单路输出 LDO、400mA、可调节电压（1.2 至 5.5V）、无电容、低噪声、反向电流保护
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