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缺货涨价下 请给这颗国产芯片一点信任

2020-11-13 07:46 次阅读

2020年是特殊一年,受疫情及国际贸易环境剧烈变化的叠加影响,对全球的电子产业供应链尤其是中国的半导体产业带来了深远的改变。与此同时,5G的快速发展也推动了集成电路行业的进一步繁荣。

但另一方面,当前国内的半导体自给率还比较低。据WSTS&CSIA-Fabless的数据显示,截至2019年,国产芯片在全球市场的占比为10.3%,产值达到425.9亿美元。虽然相比2013年的4.3%有了长足的进步,但在高端芯片上对外的依存度仍然很高,仅在AP、通讯芯片、图像处理器等上国产芯片占比超过20%,而在其他诸如CPUGPUDSPDRAM等芯片上,国产芯片的自给率甚至不到0.5%。

MCU领先供应商|国信证券


不过随着今年国家提出新基建战略以及疫情等外部因素的影响下,都加速了半导体行业国产替代的步伐。

抓住机遇疫情之下业绩逆势上涨

值得注意的是,疫情对国内制造业产生了巨大的负面影响,集成电路行业作为制造业的一员,自然也不例外,但在这其中某些企业业绩却在逆势上涨。

兆易创新近期公布的财报显示,今年前三季度,该公司实现营收31.74亿元,同比增长44.02%;归属上市公司股东的净利润6.73亿美元,同比增长49.65%;归属上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润5.76亿元,同比增长45.77%。无独有偶,东芯半导体从2017年至2019年及2020年上半年的营业收入分别达到3.58亿元、5.1亿元、5.14亿元、3.12亿元,年复合增长率为19.77%。

兆易创新产品市场总监金光一对此表示,虽然今年Q1受到了疫情爆发的影响,但对兆易创新而言,反而在疫情的危机中找到了一些新的增长点,包括一些防疫设备、医疗器械大批量的出货,拉动了产品需求的上涨。

Q2季度进入到了国际贸易摩擦的新阶段,国家提出新基建7大方向,以及国产替代的概念,这对于本土半导体企业而言是个重大利好。客户从过去的被动等待,到如今的主动寻找替代,金光一认为,在如今的客户心中,对于国产芯片的接受程度要提升许多。

Q3季度遭遇到了半导体产业链的涨价和缺货的产业环境,得益于兆易创新多产线的布局,各个产品系列采用不同的封装厂的不同工艺来制作,有效规避了短缺的风险,增加了供货的弹性。同时封测厂也基本选择中国国内经过质量体系认证的厂商,因此具备了多产线的资源。

显然,即便在今年疫情影响下,仍有不少半导体厂商把握住了市场的机遇,积极拓展产品边界,提升自己的市占率,加速国产替代步伐。

国产MCU芯片不差但需要一些信任

针对近期半导体产业链涨价情况,以MCU为例,有业内人士反映,国际MCU大厂产品基本全线延期,新排单也基本不接。加上半导体大厂ST近期有多地举行罢工运动,导致其生产受到一定影响,业内分析此次罢工进一步加剧了MCU缺货涨价的情况。此外,国产MCU产品的市占率并不高,仅为10%。在持续缺货的背景下,也给国产MCU厂商带来了一定机遇。

2019年中国MCU市场份额|华泰证券


上海芯旺微电子有限公司副总裁丁丁对此表示,作为一家基于自主的KungFu指令集和架构研发高性能数模混合信号MCU&DSP产品的高新技术企业,芯旺微十多年来专注于汽车和通信领域,为用户提供差异化的产品,同时向用户提供集成开发环境、C编译器、仿真器编程器等等,实现了MCU芯片到工具链生态的全覆盖。目前芯旺微累计出货已经超过7亿片,预计2020年出货将超过1亿片。

当前芯旺微已经量产的KungFu系列MCU产品,8位有4个系列,如触控合一的MCU、有低功耗的MCU、通用控制的MCU,以及8位车规的MCU。32位量产的有单组电源超低功耗型MCU,可靠性极高的通用高性能MCU,车规级的32位MCU,以及一个比较特别的低功耗同时又平衡高性能的MCU。

丁丁提到,那些大客户为什么都选择信任国外一流的一线品牌厂商?信任的就是他们大批量过程中的一致性和可靠性,国内品牌应该在这个领域将问题解决好。芯旺微采用AEC-Q100标准去规范测试认证芯片,通常一个芯片的研发周期就在3年以上,就是为了保障可靠性和一致性。

全球MCU销售额及出货量|华泰证券


不过目前仍然存在一些问题,比如国产MCU的体量仍然很难做上去。丁丁认为问题主要出在产业生态上,大的主机厂、品牌的电器厂商都更多选择用国外的一流品牌,实际上国内的中小型公司很难获得他们的机会,没有这些大型企业的应用、使用,小厂很难得到高速的发展。

布局MCU领域的不仅是芯旺微,还有兆易创新、比亚迪等,如兆易创新便在寻求创建MCU的百货商店,将新型传感器存储器RAM等与MCU进行结合,发挥其端到端的整合能力。同时还开发了基于RSIC-V的MCU,打造新型实用的RSIC-V生态,通过产品+生态给客户提供本地化的服务。金光一认为,了解客户的需求,将服务做好,就一定不愁没有客户。

产业的生态建设其实并不难,难得是如何获得国内相关企业的信任。对此,丁丁表示,希望各大主机厂、各大品牌的电子厂商能对国产品牌开放一条通道。当然,这并不是要求企业立即大规模的使用国产品牌,因为这也会造成不可抵挡的重大损失。

丁丁表示,产品可以从相互的工程师之间的交流,到引用、启动设计,再到小批量、大批量采用,中间经历非常长的过程,如果产品有任何问题,可以在这个过程中及时发现,有效杜绝了不良产品的出现,减少企业的损失。给国内品牌一点信任,按照比较严谨的流程去走完验证过程,相信不到五年一定可以改变这个现状。

小步快走建设国产MCU生态

需要承认的是,目前国产的MCU与国外仍然存在一定的差距,一方面由于国外厂商布局较早,率先抢占了大部分市场;另一方面,受制于嵌入式Flash工艺、IP及模拟技术等,国产的MCU在高端产品上仍然与国际大厂存在一定距离。

对于国产的MCU,有工程师调侃道,资料用英文,数据不完整,描述很模糊,回答不准确。先用参数套,再用谎话编,前后不一致,就说版本变。如何改变这种刻板印象,还需要国内的MCU厂商共同努力。

国内的相关企业也的确在奋力追赶,比亚迪半导体有限公司产品总监杨云表示,车规的MCU产品,在历史上确实是有一些欠账,比亚迪也为此花了数年的时间。但在单核方面,比亚迪今年的装车量会达到500万,明年全年将达到1000万。明年比亚迪将推出多核MCU,届时不管是从产品性能或可靠性,还是工艺的先进性上,都应该与欧美持平。

丁丁表示,芯旺微的基因是创新,无论是自主的架构,还是生态链体系的建设,具体到每一颗产品,都在想尽办法从各个方面提升。比如在8位车规的MCU,无论是可靠性还是低功耗等等方方面面的指标不输国际领先品牌。

兆易创新非常看好中国半导体的发展和国产化的趋势,金光一表示,兆易创新是全球第一家推出RISC-V内核32位MCU的厂商,自去年推出这款产品以来,受到了全球市场非常积极的反馈。许多欧美的客户,甚至大学及研究机构都找上门来寻求合作。在今年2月份,德国纽伦堡的嵌入式国际展会上获得了全场唯一的硬件大奖,这代表着全球科技界对这款产品的认可。

另一方面,中国半导体的发展需要依靠人才的培养,因此兆易创新今年建立了一个人才培养的制度,从娃娃抓起,包括对青少年集成电路的科普,进入到高职院校、大学生,包括研究生这种高层次的人才培养,建立完善的人才体系。不仅是为企业,也是为行业输送人才。而这些人才也是企业未来的用户,把握住这些用户,便是把握住未来。

小结

纵观国内的MCU市场可以发现,市场规模增速飞快,但国产产品占比却并没有提升太多。国产MCU基本集中在8位上,而32位的MCU总市占率不足5%。此外,由于MCU占整机成本并不大,国产MCU与进口MCU价格上的差距,不足以让已经习惯使用进口MCU的厂商进行替换。

另一方面,MCU大厂ST的生态也束缚了国产厂商,甚至许多企业宣传产品与国际大厂软硬件兼容作为卖点,以此快速占领市场。虽然短期内行之有效,但长期来看,可能会面临知识产权的风险,并且容易陷入同质化竞争,无法向高端迈进。因此,拥有自主产权的MCU技术弥足珍贵。而做到这一点之后,企业需要做的是给国产MCU一点信任,让国产品牌有一个同台竞技的机会。

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LED1642GWXTTR STMicroelectronics LED1642GW 16通道LED驱动器

STLUX385A STMicroelectronics STLUX385A Digital LED Lighting Driver

relectronics STLUX385A 数字 LED 照明驱动器是 ST MASTERLUX™ 数字器件系列产品,专门用于照明和电源转换。STLUX385A 成功集成了多种架构和应用,从用于 LED 驱动的简单降压转换器、用于功率因数校正的升压转换器、用于可调光 LED 灯串的半桥谐振转换器,一直到 HID 灯镇流器中的全桥控制、无线电源充电器及电视电源等各种应用。 SMED SMED是由内部或外部事件触发的硬件状态机。 例如,在电源应用中,SMED可以关闭调节回路,当它检测到过流或短路时自动关闭电路,从而保护电路。 由于SMED是嵌入的,它们保证了比标准中断驱动微处理器提供的事件反应时间短。 特性 6SMED控制的PWM提供任何功率转换阶段(状态机事件驱动)的完全控制) 集成DALI(数字可寻址照明接口),实现控制、通信和监控功能 集成数字核心,使STLUX易于使用和可编程 新的...
发表于 11-11 09:07 36次 阅读
STLUX385A STMicroelectronics STLUX385A Digital LED Lighting Driver

STSPIN32F0ATR STMicroelectronics 无刷电机驱动器

oelectronics无刷电机驱动器是采用三相桥式配置的功率驱动器。其中包括用于霍尔效应传感器、PWM电流控制器和微控制器、DSP或FPGA的内置解码逻辑。这些器件包括针对过热、过流和欠压条件的保护和诊断特性。这样即可实现稳健可靠的设计。这些驱动器采用多种节省空间的散热增强型封装。STSPIN 3相BLDC电机驱动器IC为电机和运动控制提供了即用型解决方案。 视频 长使用寿命承诺 查看 特色产品 ...
发表于 11-10 09:07 50次 阅读
STSPIN32F0ATR STMicroelectronics 无刷电机驱动器

LDK220U50R STMicroelectronics LDK220 低压差稳压器

oelectronics LDK220 低压差稳压器以 2.5V 到 13.2V 范围的输入电压,提供 最大为 200mA 的输出电流 ,而典型压差仅为 100mV。它通过 输出上的陶瓷电容保持稳定。启用逻辑控制功能 可将 LDK220 置于关闭模式,从而实现 低于 1μA 的总电流消耗。该器件还包含短路恒定 电流限制和热保护。 LDK220 极低的压降、低静态电流和低噪声的特性,使其非常适合电池供电应用。 特性 输入电压从2.5到13.2V 非常低的下降电压(100米V型。 @100米负荷) Low quiescent current (typ. 40μA, 1μA in off mode) 低噪音 Output voltage tolerance: ±2.0% @ 25°C 保证输出电流200mA 可根据要求提供宽范围的输出电压:从1.2V固定到12V,有100MV的步进和可调 逻辑控制的电子关机 Compatible with ceramic capacitor COUT = 1μF 内部电流和热极限 可在SOT23-5L、SOT323-5L和DFN6-1.2x1.3包中使用 Temperature range: -40°C to 125°C ...
发表于 11-09 12:07 40次 阅读
LDK220U50R STMicroelectronics LDK220 低压差稳压器

STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

oelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管是一款超高性能功率肖特基二极管。该器件采用宽带隙材料,可以设计具有650V额定电压的肖特基二极管结构。得益于肖特基结构,在关闭时不会显示恢复,且振铃模式可以忽略不计。即使是最轻微的电容式关断特性也不受温度影响。这些器件特别适用于PFC应用,它们可以提高硬开关条件下的性能。高正向浪涌能力确保在瞬态阶段具有良好的稳健性。 STPSC12065-Y和STPSC20065-Y器件符合AEC-Q101标准,可用于汽车应用。STPSC12065-Y和STPSC20065-Y是支持PPAP且符合ECOPACK®2标准的元件。 特性 无反向恢复或可忽略不&...
发表于 11-09 12:07 38次 阅读
STPSC2H065B-TR STMicroelectronics STPSC 650V肖特基碳化硅二极管

PWD5F60TR STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器

oelectronics PWD5F60高密度功率驱动器在单一紧凑型系统级封装 (SiP) 中集成了栅极驱动器和四个N通道功率MOSFET,采用双半桥配置。集成式功率MOSFET的漏源导通电阻或RDS (ON) 为1.38Ω,漏源击穿电压为600V。嵌入式栅极驱动器的高侧可方便地通过集成自举二极管供电。PWD5F60功率驱动器的集成度高,因此能在空间受限的应用中高效地驱动负载。 PWD5F60接受在10V至20V宽范围内的电源电压 (VCC),在上、下驱动部分均具有欠压闭锁 (UVLO) 保护功能,以防电源开关在低效率或危险条件下工作。PWD5F60具有宽输入电压范围,因此可轻&...
发表于 11-09 12:07 38次 阅读
PWD5F60TR STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器

STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

oelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU) 不仅扩展了超低功耗产品组合,还提高了产品性能,采用Arm® 树皮-M4内核(具有DSP和浮点单元 (FPU),频率为120MHz)。STM32L4P5产品组合具有512KB至1MB闪存,采用48-169引脚封装。STM32L4Q5具有1MB闪存,提供额外加密加速器引擎(AES、HASH和PKA)。 特性 超低功率,灵活功率控制 电源:1.71V至3.6V 温度范围:-40°C至85°C或-40°C至125°C 批量采集模式(BAM) VBAT模块中150nA:为RTC和32x32位储备寄存器供电 关断模式下,22nA(5个唤醒引脚ʌ...
发表于 11-06 09:07 71次 阅读
STM32L4P5AGI6 STMicroelectronics STM32L4P5/STM32L4Q5 32位微控制器 (MCU)

ST715C50R STMicroelectronics 低静态电流LDO线性稳压器

oelectronics低静态电流LDO线性稳压器经过优化提供超低静态电流 (I)。I比其供电的平均负载电流低,或者相当。该功能对于电力有限的应用非常有必要,例如电池供电的设备或长时间待机、符合环保标准的设备。这延长了电池寿命,降低了整体功耗。 这些低静态电流LDO稳压器非常适合用于便携式消费类电子设备,例如智能手机、智能手表、蓝牙耳机和可穿戴设备。工业、智能建筑和智能家居传感器还得益于超低静态电流(工作和禁用(待机) 模式下...
发表于 11-05 17:07 26次 阅读
ST715C50R STMicroelectronics 低静态电流LDO线性稳压器

LD56100DPU33R STMicroelectronics LD56100超低噪声线性稳压器

oelectronics LD56100超低噪声线性稳压器在1.8-5.5V输入电压范围内提供1A电流,典型压差为120mV。LD56100采用DFN8 (1.2x1.6mm) 封装,在最大程度上节约空间。该器件通过输出上的陶瓷电容保持稳定。LD56100适合用于低功耗电池供电应用,具有超低压差、低静态电流、快速瞬态响应和内部软启动电路等功能。 特性 输入电压:1.8V至5.5V 超低压差(120mV典型值,1A负载和VOUT=3.3V时) 非常低的静态电流(无负载时的典型值为100μA,断开模式下典型值为0.03μA) 输出电压容差:±1%(-40°C至+85°C) 超低噪声ʍ...
发表于 11-05 17:07 42次 阅读
LD56100DPU33R STMicroelectronics LD56100超低噪声线性稳压器

VN7000AYTR STMicroelectronicsVND70x0汽车用高侧驱动器

半导体 VND70x0 车用高侧驱动器是单或双通道高侧驱动器,采用 ST 专有 VIPower® M0-7 技术制造,并采用 SO-8、PowerSSO-12 和 PowerSSO-16 封装形式。这些器件用于通过 3V 和 5V CMOS 兼容型接口驱动 12V 汽车接地负载。 特性 极低电压操作,用于深冷分级应用 合格汽车 综合的普遍的一般常规 单通道或双通道智能高侧驱动器与多感觉或电流感觉模拟反馈 非常低的待机电流 兼容3V和5VCMOS输出 多感官诊断功能 多路/电流感知模拟反馈:高精度比例电流镜负载电流、VCC电源电压和TCHIP器件温度 过载和短到地面(功率限制)指示 热停机指示 OFF-状态开负载检测 输出短到VCC检测 感觉启用/禁用 贸易保护措施(向歹徒缴纳的)保护费 未压缩关机 高压钳 负载电流限制 快速热瞬变的自限制 具有专用故障复位引脚的超温或功率限制的可配置闭锁 地面损失和VCC损失 带有外部组件的反向电池 静电放电保护 ...
发表于 10-30 14:06 42次 阅读
VN7000AYTR STMicroelectronicsVND70x0汽车用高侧驱动器

PWD13F60 STMicroelectronics PWD13F60栅极驱动器

oelectronics PWD13F60栅极驱动器是一款高密度电源驱动器和高压全桥,带集成栅极驱动器。PWD13F60器件接受电源电压范围广,受低压UVLO检测保护。这些PWD13F60栅极驱动器电源系统级封装和高压功率MOSFET具有低R (320mΩ) 和600V漏源击穿电压。PWD13F60栅极驱动器轻松连接微控制器和DSP单位或霍尔效应传感器,输入引脚范围广。这些PWD13F60栅极驱动器还具有宽驱动器电源电压、内部自举二极管,输出与输入同步,让设计更加灵活、简单和快速。PWD13F60采用10mmx13mmx1.0mm VFQFPN封装。典型应用包括工厂自动化、电机驱动器(用于工业和家用电器)、风扇和泵以及电源装置。 特性 电力系统级封装集成栅极驱动器和高压功率MOSFET 低R DS(开启)=320mΩ BVDSS =600伏 适合用作 全桥 双独立半...
发表于 10-30 14:06 46次 阅读
PWD13F60 STMicroelectronics PWD13F60栅极驱动器

LDLN025M18R STMicroelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO

oelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO的输入电压范围为1.5V至5.5V,250mA负载下的压差极低。LDLN025可延长需要长待机时间应用的电池寿命。该LDO的静态电流非常低,空载时仅12μA。LDLN025提供非常干净的输出,得益于其超低噪声值和高电源抑制比 (PSRR) 特性,非常适合用于超敏感型负载。该LDO采用陶瓷电容器,因此性能稳定。 特性 超低输出噪声:6.5μ VRMS 工作输入电压范围:1.5V至5.5V 输出电流高达250mA 非常低的静态电流:空载时为12μA 超低压差:250mV (250mA) 极高PSRR:80dB@100Hz、60dB@100kHz 线路、负载和温度范围内...
发表于 10-30 14:06 40次 阅读
LDLN025M18R STMicroelectronics LDLN025 250mA超低噪声LDO

LDL212PV33R STMicroelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC

oelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC可在2.5V至18V输入电压范围内提供最大1.2A电流。LDL212在1.2A电流下的典型压差值为350mV。LDL212适合用于在SMPS中实现直接稳压和在直流-直流转换器中实现二次线性稳压。该 IC 在 120Hz 时具有 87dB 的高电源抑制比,100kHz 时为 40dB。LDL212 采用使能逻辑控制功能实现关断模式,从而降低总电流消耗。该器件还具有限流、SOA和热保护功能。 特性 输入电压范围:1.6V至5.5V 极低压差(1A负载下的典型值为300mV) 低静态电流(无负载时的典型值为35μA,断开模式下的典型值为1μA) 输出电压容差:±2...
发表于 10-30 11:06 24次 阅读
LDL212PV33R STMicroelectronics LDL212 1.2A低压降线性稳压器IC

LED2001PHR STMicroelectronics LED200x Monolithic Step-Down DC-DC Converters

oelectronics LED200x单片步进式DC-DC转换器是850k Hz的转换器,设计成精确的恒流源,可调节的电流能力可达4ADC。 嵌入式PWM调光电路提供LED亮度控制。 由于高开关频率和陶瓷输出电容兼容性,整体应用的尺寸被最小化。 器保护,防止热过热,过流和输出短路。 特性 3V到18V工作输入电压范围 850千赫兹固定开关频率 100mV类型。 电流感电压下降 PWM调光 ± 7% output current accuracy 同步整改 95mΩ HS / 69mΩ LS typical R DS(开启) 峰电流模式架构 嵌入式补偿网络 内部限流 陶瓷输出电容器兼容 热停机 申请 高亮度LED驱动 一般照明 卤素子弹再置术 签名 ...
发表于 10-30 11:06 30次 阅读
LED2001PHR STMicroelectronics LED200x Monolithic Step-Down DC-DC Converters

STSPIN32F0B STMicroelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器

oelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器是一款系统级封装器件,提供的集成解决方案适用于使用不同驱动模式驱动三相无刷电机。STSPIN32F0B控制器内置三个半桥栅极驱动器,能够驱动功率MOSFET,电流能力为600mA(拉电流和灌电流)。得益于集成联锁功能,不能同时驱动相同半桥的高侧和低侧开关。 该器件设有内部直流/直流降压转换器,可提供3.3V电压,适合为MCU和外部元件供电。另外,内部LDO线性稳压器可为栅极驱动器提供电源电压。集成运算放大器可用于信号调理,从而在&#...
发表于 10-30 10:06 58次 阅读
STSPIN32F0B STMicroelectronics STSPIN32F0B高级单分流BLDC控制器

STCMB1TR STMicroelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC

oelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC包含高电压双端控制器、高达800V额定电压部分以及监视这三块运行的胶合逻辑。PFC部分采用专有的恒定导通时间控制方法,无需正弦输入参考。这可减少系统成本和外部零部件数量。 特性 一般特性 SO20W封装 800V高压启动,带集成输入电压检测 有源输入滤波电容放电电路,可降低待机功耗,通过IEC 62368-1和UL Demko认证 适用于两款转换器的独立调试模式 PFC控制器特性 增强型恒定导通时间PFCʌ...
发表于 10-30 10:06 18次 阅读
STCMB1TR STMicroelectronics STCMB1转换模式 (TM) PFC

LD39100PU18RY STMicroelectronics LD39100低噪声稳压器

oelectronics LD39100低噪声稳压器最大电流为1A, 输入电压范围为1.5-5.5V,典型压差为200mV。该器件的输入和输出采用陶瓷电容器,具有超低压差、低静态电流和低噪声等特点。这些特性让LD39100非常适合低功率电池供电应用。电源抑制在低频率时为70dB,在10kHz时开始滚降。通过使能逻辑控制功能,LD39100可在消耗总电流低于1μA时处于关断模式。该器件还具有短路恒流限制和热保护功能。LD39100还提供符合AEC-Q100标准的版本,采用侧面可湿的DFN6 (3x3mm) 封装。 特性 符合AEC-Q100标准 输入电压范围:1.5V至5.5V 超低压差(1A负载时的典型值为200mV) 极低静态电流(无负载时的典型值为20μA,1A负载时的典ࣁ...
发表于 10-30 10:06 34次 阅读
LD39100PU18RY STMicroelectronics LD39100低噪声稳压器

L6498DTR STMicroelectronics L6498高压半桥驱动器

oelectronics L6498高压半桥驱动器是采用BCD6“离线”技术制造的高压器件。该驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。 两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流,因此L6498特别适合用于中大容量功率MOSFET/IGBT。由于集成联锁功能,所以输出不能同时驱动高位。位于下、上驱动部分的独立UVLO保护电路防止在低效率或...
发表于 10-30 10:06 43次 阅读
L6498DTR STMicroelectronics L6498高压半桥驱动器

L6494LDTR STMicroelectronics L6494高压高侧/低侧2A栅极驱动器

oelectronics L6494高压高/低侧2A栅极驱动器是用于N通道功率MOSFET或IGBT的单芯片半桥栅极驱动器。这些高压器件采用BCD6“离线”技术制造。高侧(浮动)截面设计承受高达500V的直流电压轨,具有600V瞬态耐受电压。逻辑输入端兼容CMOS/TTL,低至3.3V,可轻松连接微控制器或DSP等控制单元。 该器件是单输入栅极驱动器,具有可编程死区时间,并设有低电平有效关断引脚。L6494特别适合中、高容量功率MOSFET/IGBT。两个器件输出实现灌2.5A和源2A电流, 位于下、上驱动部分的独立UV...
发表于 10-29 13:06 10次 阅读
L6494LDTR STMicroelectronics L6494高压高侧/低侧2A栅极驱动器