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美光发布176层3D NAND闪存

2020-11-12 16:02 次阅读

存储器厂商美光宣布,其第五代3DNAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3DNAND闪存技术以及架构,可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储的应用效能。

据了解,176层3DNAND闪存是美光第二代替换闸(ReplacementGate)架构,是目前全球技术最为先进的NAND节点,相较于前代3DNAND相比,美光176层3DNAND闪存在读取及写入延迟方面提升35%。

美光176层闪存其实是基于两个88层叠加而成,第一批为TLC颗粒,单个Die的容量为512Gb(64GB),当然后期很可能会加入QLC。

据悉,美光176层3DNAND闪存可提供更好的服务质量,可加速数据密集环境和工作负载,例如数据库、人工智能引擎以及大数据分析等。

得益于新的闪存架构和堆叠技术,美光将176层闪存的厚度控制在45微米,基本上与早期的64层浮动栅极3DNAND相当,所以,即使在一颗芯片内封装16个Die,做到1TB的单颗容量,厚度也不会超过1.5毫米,可以轻松放入智能手机、存储卡。

责任编辑:haq

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