存储器厂商美光宣布，其第五代3DNAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3DNAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储的应用效能。
据了解，176层3DNAND闪存是美光第二代替换闸（ReplacementGate）架构，是目前全球技术最为先进的NAND节点，相较于前代3DNAND相比，美光176层3DNAND闪存在读取及写入延迟方面提升35%。
美光176层闪存其实是基于两个88层叠加而成，第一批为TLC颗粒，单个Die的容量为512Gb（64GB），当然后期很可能会加入QLC。
据悉，美光176层3DNAND闪存可提供更好的服务质量，可加速数据密集环境和工作负载，例如数据库、人工智能引擎以及大数据分析等。
得益于新的闪存架构和堆叠技术，美光将176层闪存的厚度控制在45微米，基本上与早期的64层浮动栅极3DNAND相当，所以，即使在一颗芯片内封装16个Die，做到1TB的单颗容量，厚度也不会超过1.5毫米，可以轻松放入智能手机、存储卡。
责任编辑：haq
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