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慧智微“S55255”冲击5G射频前端市场

传感器技术 2020-11-12 13:53 次阅读

射频芯片一直被称为“模拟芯片皇冠上的明珠”,其重要性不言而喻,伴随着移动通信的跨越式发展,中国俨然已经形成了全球规模最大、最有活力的消费电子市场,在这片沃土上也涌现了不少射频芯片厂商。今年以来,国产射频市场呈现出前所未有的火爆场景,据统计,光在今年上半年,就有多家射频企业拿到了新一轮的融资,融资规模高达数亿元。在资本与外部压力的推动下,国内射频市场逐渐壮大,并诞生了一些实力不俗的企业。值此之际,被业界称为“国内集成电路产品和技术发展风向标”的“中国芯”集成电路产业促进大会在今年将其重要奖项之一——“年度重大创新突破产品奖”颁给了广州慧智微电子有限公司(简称:慧智微),其实力可见一斑。

第十五届“中国芯”优秀产品

慧智微“S55255”冲击5G射频前端市场

据悉,慧智微是领先的高性能微波射频前端芯片提供商,致力于通过软件定义的射频芯片使能万物互联的智能世界。其成立于2011年,总部位于广州。在“中国芯”集成电路产业促进大会中,慧智微获年度重大创新突破产品奖的产品是一款型号为“S55255”的全集成5G新频段射频前端收发模组(L-PAMiF)。这是慧智微继2017年以及2019年之后,第三次在“中国芯”获奖。

年度重大创新突破产品颁奖现场“年度重大创新突破产品奖”申报条件指出:该奖项授予本年度有重大技术创新,填补国内技术或市场空白,具有明显进口替代且有显著经济社会效益的单款芯片产品。基于此,我们深入了解一下这款产品的独到之处。资料显示,“S55255”是国内第一颗多频全集成射频前端收发模组,实现了高集成模组化的重大创新突破,它集成了n77/n78/n79功率放大器(PA)、射频滤波器,低噪声放大器(LNA)、耦合器和射频收发/轮发开关,代表了当前5G射频前端最高集成水平。这意味着慧智微成为了国内第一家、全球第二家拥有此能力的射频前端供应商。在产品表现上,该芯片集成度也明显高于其他竞争方案,一颗“S55255”可以替代同类产品两颗甚至三颗芯片,使得射频性能大大提升,尺寸和成本缺明显下降。这款产品无论在国内还是全球市场,都是十分优秀的存在。当然,我们更应该看见,这款产品带来的深远意义——它使巨头包揽下的5G射频市场出现了缺口,吹响了国产厂商进军5G终端全球市场的冲锋号角。该产品在5G头部客户的突破和规模量产更是证明其获得“年度重大创新突破产品奖”的实至名归。

射频前端市场现状

之所以这样说,是因为在目前的全球射频前端市场中,Broadcom、Murata、Qorvo以及Skyworks等国际巨头占据了大部分市场,国内企业加起来只占市场容量的5%左右,本质上这是一个由国外主导、高速增长的市场。

2019年射频前端市场份额来源:MobileExpert2020射频的重要性不言而喻,资料显示,射频前端(RFFE)是智能手机等移动通信产品的核心组件,起到收发射频信号的作用,主要包括功率放大器、双工器、射频开关、滤波器、低噪放大器五个组成部分。随着5G商用化,射频前端器件市场规模可期。MobileExpert2020的数据显示,2020年之后4G(灰色线条)开始变成存量市场份额开始往下掉,5G(黄色线条)开始起量,2020年移动端出货量将达到2亿部,预测和今年的出货量基本相当,明年将会达到4亿部,2022年到6亿部。2025年5G终端会超过4G终端出货量,排名升至第一,5G在未来五年将保持高增长发展趋势。

移动终端预测来源:MobileExpert20205G的应用将带动手机频段提升,每添加一个频段就会新增约2个滤波器、1个功率放大器和1个天线开关。以价值最高的功率放大器(PA)为例,据业内总结,4G手机内PA数量平均为5至7个,5G手机则在十个以上;另一方面,全球基站数量正在快速上升,双重需求自然拉动射频器件数量上涨。因此,分析机构预测,2023年射频前端市场规模有望突破352亿美元,年复合增长率达到14%。

射频前端的国产化之路

叠加近年来多模多频全网通、4G向4G+演进带来的市场机遇期,国产射频厂商正在努力寻求突破之法。事实上,早在2004年,国内厂商就在寻求射频国产化,其中功率放大器也是国内射频前端厂商最为大力投入的环节。在近16年的奋斗中,本土射频前端厂商仍在努力抢占市场份额,国产化进度依然只是刚刚起步,这涉及到方方面面的因素。首先是技术层面,射频前端市场主要工艺是砷化镓(GaAs)工艺,化合物半导体工艺的迭代速度慢,该工艺在20年前就已经走向成熟,这20年,实际上主要的进步是在外延层上的进步,而在工艺节点本质上的进步并不多。其次是出于行业特点,没有办法通过仿真的完全取代调试和迭代优化,因此需要大量经验积累。这两个因素导致结果就是,该行业在技术上的积累效应很明显这就导致这个行业的领先的国际厂商有很强的“马太效应”,他们有很好的技术积累,有成规模的技术团队,使得国际厂商可以又快又好的推出产品。这些先进厂商拥有大量具有10年甚至20年经验的工程师,这些有多年海外大厂项目经验的工程师就是行业的重要资源。当前,国内的射频行业人才以3-5年工作经验的人才为主,对于产业推动作用更大的10年以上成熟射频工程师相对稀缺。事实上,除了技术难题,商业层面,国内射频厂商还要面临大厂的价格竞争,并克服潜在的专利侵权问题。国外企业多是IDM模式,国内企业主要以Fabless(无工厂芯片供应商)为主,国外厂商由于有自己的晶圆厂,并且有足够的量来支撑运营成本的降低,同样的实现方案下,国外企业要比国内企业成本低20%。如果国外厂商将毛利率控制在30%以内,加之15%的品牌溢价,国内企业恐无利可图。此外,国际射频大厂往往在砷化镓技术发展初期就拥有基础核心专利,经过20年以上的专利积累和布局,即使有厂商可以突破价格难关,在未来也很可能面临大厂的专利制约。在与国际龙头竞争时,这些困难化作的“三个关口”已经严重影响到了国内射频厂商的发展,大部分国产射频厂商无法往高端市场发展,只能在中低端市场进行同质竞争,一旦利润无法支撑将只能惨淡收场。

慧智微电子闯“三关”

闯过国际大厂摆在前面的“三个关口”,获取主序市场主要份额,成为了慧智微的努力方向。

慧智微CEO李阳曾在《广州日报》的采访中指出:“在集成电路产业在中国加速发展的大背景下,过去采用技术跟随和单纯模仿的做法已经不适应新的发展环境。业界巨头在芯片某一领域内已经有了众多技术积累,供应链上的议价能力也远比国内中小公司强。要想在射频前端领域超越传统巨头,必须用创新的技术做出性能好,成本低的芯片解决方案。这就必然要求公司有创新的基因,在性能和成本看似矛盾的两方面用技术创新做到极致。”

因此在技术方面,慧智微创新性地采用了可重构射频前端方案,来突破国际厂商给出的“三个关口”。以往的射频前端解决方案,通常采用每个频段用一个单频段功率放大器的方案,随着频段增多,功率放大器数目会快速上升,成本增加,面积增大。而可重构技术,是用软件的方式定义硬件,使用同一组器件便能够在多个频段和多种模式间重复用,使得基于该技术的功率放大器产品具有尺寸小、支持频段多、低成本等特点。在性能方面,可重构技术架构通过窄带调谐,实现性能的优化;在成本方面,链路复用根本性降低成本,在采购量不大时,已有成本优势;在专利方面,技术架构工艺创新,获得新基础专利,规避原有专利。通过可重构的技术架构,慧智微实现了对性能关、成本关、专利关的三关突破。有报道显示,在市场进入早期,慧智微的主要订单来自于海外运营商订单的客户,这些客户对性能要求高,需要经过运营商的严格测试认证。同时,对产品知识产权的关注高,需要无知识产权风险的产品。早期海外运营商大规模、多地区的出货,都证明了慧智微产品的可靠性。一路过关斩将,慧智微始终坚持采用自有知识产权进行产品设计。2017年,慧智微投入5G射频前端模组的技术预研,开展大带宽、高频率、高效率PA、快速切换开关的技术研究,并在两年之后,正式实现Agi5G套片的量产,满足了行业内对关键芯片的需求。2019年12月,该方案正式量产,并打通了上下游供应链保障产能,并在之后实现支持实现5G终端批量量产。经过近半年的实践,慧智微5G产品已经完成MTK、高通、展锐三大平台适配,已经完成了20个5G项目适配,掌握5G配置核心技术,可以帮助客户快捷实现5G配置和项目量产。得益于去年12月份的率先量产以及方案与产品的卓越性,该方案正在被业内头部客户采用,目前头部客户已经基于该产品开始大规模量产成品。慧智微踏踏实实地走在了行业前端并实施落地。

总结

随着5G商用为智能手机等通讯设备行业注入活力,射频前端产业也将攫得新机,不仅全球市场将得到扩张,国内射频厂商也有望突破瓶颈,弯道超车。但诚如李阳博士所言,想要在射频前端领域超越传统巨头,就必须要用创新的技术做出性能好,成本低的芯片。在这条难走的路上,慧智微已经开始快跑,并做出了一番成绩。其5G产品成熟且已经出货,能够与大厂比肩,处于国际领先的水平。值此之际,如何把握住机遇将成为所有国产厂商需要思考的问题。慧智微依靠长期持续技术创新和沉淀,为行业“补短板、填空白”,最终实现了5G射频前端的突破。

责任编辑:lq

原文标题:国产射频公司在5G时代悄然崛起

文章出处:【微信号:WW_CGQJS,微信公众号:传感器技术】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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SX1278技术资料与模块简介

sx1278是半双工传输的低中频收发器,接收的射频信号首先经过低噪声放大器(LNA),LNA输入为单端形式。然后信号转为差分信...
发表于 12-23 17:14 909次 阅读
SX1278技术资料与模块简介

全球5G商用中国领先

华为首款5G 基站核心芯片,今天你们继续“封杀“我还是全世界最强...
发表于 12-18 06:19 0次 阅读
全球5G商用中国领先

CC1200 低功耗高性能射频收发器

信息描述CC1200 器件是一款全集成单芯片射频收发器,此器件设计用于在成本有效无线系统中实现极低功耗和低压运行的高性能。 所有滤波器都已集成,因此无需昂贵的外部表面声波 (SAW) 和中频 (IF) 滤波器。 该器件主要用于 ISM(工业、科学和医疗)以及处于 164-190MHz,410-475MHz 和 820-950MHz 的 SRD(短程设备)频带。 CC1200 器件提供广泛硬件支持,以实现数据包处理、数据缓冲、突发传输、空闲信道评估、链路质量指示和无线电唤醒。 CC1200 器件的主要运行参数可由 SPI 接口控制。 在典型系统中,CC1200 器件将与一个微控制器和极少的外部无源组件配合使用。 CC1200 和 CC1120 器件都是高性能收发器系列产品。 CC1120 器件多针对窄带应用进行了优化,而 CC1200 器件则针对宽带应用进行了优化,但是它也能够有效涵盖低至 12.5kHz 信道的窄带应用。特性RF 性能和模拟特性:高性能、单芯片收发器 出色的接收器灵敏度:1.2kbps 时为 -123dBm 50kbps 时为 -109dBm阻断性能:10MHz 时为 86dB邻道选择性:12.5kHz 偏移时高达 60dB极低相位噪声:10kHz 偏移 (169 MHz) 时为-114dBc/Hz步长为 0.4dB,高达 +16dBm 的可编...
发表于 04-18 22:32 113次 阅读
CC1200 低功耗高性能射频收发器

TPS795 超低噪声、高 PSRR、快速、射频、500mA 低压降线性稳压器

信息描述 The TPS795 family of low-dropout (LDO), low-power linear voltage regulators features high power-supply rejection ratio (PSRR), ultralow noise, fast start-up, and excellent line and load transient responses in small outline, 6-pin SOT-223 and 3-mm × 3-mm WSON packages. Each device in the family is stable with a small 1-µF ceramic capacitor on the output. The family uses an advanced, proprietary BiCMOS fabrication process to yield extremely low dropout voltages (for example, 110 mV at 500 mA). Each device achieves fast start-up times (approximately 50 µs with a 0.001-µF bypass capacitor) while consuming very low quiescent current (265 µA, typical). Moreover, when the device is placed in standby mode, the supply current is reduced to less than 1 µA. The TPS79530 device exhibits approximately 33 µVRMS of output voltage noise at 3-V output with a 0.1-µF bypass capacitor. Applications with analog components that are noise-sen...
发表于 04-18 22:20 101次 阅读
TPS795 超低噪声、高 PSRR、快速、射频、500mA 低压降线性稳压器

TPS730 低噪声、高 PSRR、射频 200mA 低压降线性稳压器

信息描述The TPS730 family of low-dropout (LDO) low-power linear voltage regulators features high power-supply rejection ratio (PSRR), low noise, fast start-up, and excellent line and load transient responses in a small SOT-23 package. NanoStar packaging gives an ultrasmall footprint as well as an ultralow profile and package weight, making it ideal for portable applications such as handsets and PDAs. Each device in the family is stable, with a small, 2.2-µF ceramic capacitor on the output. The TPS730 family uses an advanced, proprietary BiCMOS fabrication process to yield low dropout voltages (for example, 120 mV at 200 mA, TPS73030). Each device achieves fast start-up times (approximately 50 µs with a 0.001-µF bypass capacitor) while consuming low quiescent current (170 µA typical). Moreover, when the device is placed in standby mode, the supply current is reduced to less than 1 µA. The TPS73018 exhibits approximately 33 µVRMS ...
发表于 04-18 22:19 109次 阅读
TPS730 低噪声、高 PSRR、射频 200mA 低压降线性稳压器

HMC939ALP4E 1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位数字衰减器,0.1 - 33 GHz

和特点 衰减范围:1 dB LSB步进至31 dB 插入损耗:典型值6 dB(33 GHz) 衰减精度:±0.5 dB(典型值) 输入线性度o0.1 dB压缩(P0.1dB):24 dBm(典型值)o三阶交调点(IP3):40 dBm(典型值) 功率处理:27 dBm 双电源供电:±5 V CMOS/TTL兼容并行控制 24引脚、4 mm × 4 mm LFCSP封装HMC939ATCPZ-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准) 下载HMC939ATCPZ-EP数据手册(pdf) 军用温度范围:-55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 产品详情 HMC939ALP4E是一款5位数字衰减器,以1 dB步长提供31 dB的衰减控制范围。HMC939ALP4E在100 MHz至33 GHz的指定频率范围内提供最佳的插入损耗、衰减精度和输入线性度。HMC939ALP4E需要VDD = +5 V和VSS = −5 V双电源电压供电,通过集成片内驱动器提供CMOS/TTL兼容并行控制接口。该器件采用符合RoHS标准的紧凑型4 mm × 4 mm LFCSP封装。有关HMC939ALP4E的裸片版本,请参见HMC939A-DIE。应用 测试仪器仪表 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT) 军...
发表于 02-22 12:16 177次 阅读
HMC939ALP4E 1.0 dB LSB GaAs MMIC 5位数字衰减器,0.1 - 33 GHz

ADL5367 900 MHz 平衡混频器,内置高端本振(LO)缓冲器和RF巴伦

和特点 功率转换损耗:7.0 dB RF频率范围:500 MHz至1500 MHz IF频率范围:DC至450 MHz 10 dBm阻塞单边带噪声指数:17 dB 输入IP3:37 dBm 输入P1dB :25 dBm 本振驱动:0 dBm(典型值) 单端50Ω RF与本振输入端口 高隔离度单刀双掷(SPDT)本振输入开关 单电源电压:3.3至5 V 5 mm × 5 mm,20引脚裸露焊盘LFCSP封装 2000V HBM / 500V FICDM ESD性能产品详情 ADI参考设计:混合信号数字预失真(MSDPD)平台ADL5367利用一个高线性度双平衡无源混频器内核以及集成的RF与本振平衡电路来实现单端工作。ADL5367内置一个RF巴伦,能够利用高端本振注入,在700至1000 MHz的RF输入频率范围内实现最佳性能。(用于低端本振注入的引脚兼容器件也已供应。)平衡的无源混频器提供良好的本振至射频泄漏(典型值优于-20 dBm),以及出色的互调性能。在手机应用中,带内阻塞信号可能会导致动态性能下降,ADL5367的平衡混频器内核能够提供极高的输入线性度,非常适合于要求严苛的手机应用。对于低压应用,ADL5367能在低至3V的电压下工作,并大幅降低直流电流。两个数字逻辑输入使得用户能够控制一个内部电阻串数模...
发表于 02-22 12:16 159次 阅读
ADL5367 900 MHz 平衡混频器,内置高端本振(LO)缓冲器和RF巴伦

AD8346 2.5 GHz 直接变频正交调制器

和特点 输出频率范围:800 MHz至2.5 GHz I/Q基带频率范围:DC至70 MHz 输出功率:–3 dBm P1 dB 本底噪声:–147 dBm/Hz 正交相位精度:1°(均方根值) 振幅平衡:0.2 dB 低功耗,具有省电功能 2.7 V至5.5 V单电源 与 AD8345 / AD8349引脚兼容 产品详情 AD8346是一款硅I/Q正交调制器,设计用于800 MHz至2.5 GHz频率范围。该器件针对低功耗应用进行了优化,对于给定的电源电流,仍能提供极低的本底噪声和高输出功率。AD8346只需要–10 dBm LO驱动电平,提供额定50 Ω缓冲输出。该器件可提供出色的振幅和相位平衡以及边带抑制特性,支持高阶/高容量QAM调制无线电。此外,AD8346已经过测试,用于直接上变频CDMA IS95调试器时,可提供–72dBc ACPR。AD8346采用16引脚超薄紧缩小型(TSSOP)封装,额定温度范围为–40°C至+85°C。供货提供样片和评估板,产品型号分别为AD8346ARU和AD8346-EVAL。其它调制器/解调器产品AD8345 - 250MHz - 1GHz RF / IF正交调制器AD8347 – 800MHz - 2.7 GHz RF / IF正交解调器AD8349 – 800MHz - 2.7 GHz直接上变频正交调制器 方框图...
发表于 02-22 12:15 129次 阅读
AD8346 2.5 GHz 直接变频正交调制器

HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

和特点 低噪声指数:2 dB(典型值) 高增益:25.0 dB(典型值) P1dB 输出功率:13.5 dBm,24 GHz 至 40 GHz 高输出 IP3:25.5 dBm(典型值) 裸片尺寸:1.309 mm × 1.48 × 0.102 mm 产品详情 HMC1040CHIPS 是一款砷化镓 (GaAs)、赝晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、微波单片集成电路 (MMIC) 低噪声宽带放大器,工作范围为 20 GHz 至 44 GHz。HMC1040CHIPS 具有自偏置功能,并提供 25.0 dB 的典型增益、2 dB 的典型噪声指数和 25.5 dBm 的典型输出三阶交调点 (IP3),只需要 65 mA 电流,2.5 V 电源电压。15.5 dBm 的典型饱和输出功率 (PSAT) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 Analog Devices, Inc. 众多平衡式同样正交 (I/Q) 或镜频抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。HMC1040CHIPS 还具有可在内部匹配至 50 Ω 的输入和输出,使其适用于基于表面安装技术 (SMT) 的高容量微波无线电应用。应用 软件定义无线电 电子战 雷达应用 卫星通信 电子战 仪器仪表 电信 方框图...
发表于 02-22 12:14 142次 阅读
HMC1040-DIE 20 GHz 至 44 GHz、GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器

ADL5541 射频/中频( RF/IF)增益模块,工作频率50 MHz 至6 GHz ,增益15 dB

和特点 固定增益:15 dB 工作频率:6 GHz 内部匹配的50Ω输入/输出电阻 内置偏置控制电路 输出IP3 44 dBm @ 500 MHz 40 dBm @ 900 MHz 输出1 dB压缩点:19.7 dBm @900 MHz 噪声系数:3.5 dB @ 900 MHz 单电源供电:5V 8引脚LFCSP小尺寸封装 与20 dB增益的ADL5542 引脚兼容 1 kV静电放电(ESD)保护(Class 1C) 产品详情 ADL5541是一款15 dB宽带的线性放大器,工作频率高达6 GHz。该放大器可以用于各种有线电视、手机以及仪器设备。 ADL5541可以提供15 dB增益,在频率、温度与电源范围内稳定工作, 器件一致性好。该增益模块内部匹配输入电阻为50Ω,在6 GHz以内其输入回波损耗为10 dB以下。它工作时只要求输入/输出交流耦合电容器、电源去耦合电容器以及外部电感。 ADL5541采用InGaP HBT工艺制作,静电放电(ESD)保护额定值为1 kV (Class 1C)。它采用3 mm × 3 mm LFCSP封装,带裸露焊盘,具有出色的热阻性能。 ADL5541采用5 V单电源供电,功耗90 mA,工作温度范围:-40°C至+85°C。 现在可以供应完全符合RoHS标准的评估板。 ADL5542为系列产品,可提供增益20 dB,与ADL55...
发表于 02-22 12:14 155次 阅读
ADL5541 射频/中频( RF/IF)增益模块,工作频率50 MHz 至6 GHz ,增益15 dB

AD8341 RF矢量调制器,1.5 GHz 至2.4 GHz

和特点 工作频率范围:1.5 GHz至2.4 GHz 幅度控制范围:30 dB 笛卡尔I/Q基带频率范围:DC至230 MHz 输出三阶交调截点:+17.5 dBm 相位控制范围:360° 输出1dB压缩点:+8.5 dBm 输出开关禁用功能 5V单电源 与AD8340引脚兼容 产品详情 单芯片RF振幅与移相器AD8341是一款高性能RF矢量调制器,输入频率范围为1.5 GHz至2.4 GHz,可连续、独立地调整振幅和相位。通过宽带笛卡尔I/Q接口,可实现完整的360°相位调整和30 dB以上的增益控制。I和Q接口提供230 MHz的全功率信号带宽,可通过单端或差分方式驱动,具有±500 mV满量程输入。AD8341采用24引脚LFCSP封装,额定温度范围为–40°C至+85°C。供货提供样片和评估板,产品型号分别为AD8341ACP和AD8341-EVAL。同类产品AD8302 - 低频至2.7 GHz RF/IF增益相位检波器AD8340 - RF矢量调制器,700 MHz至1000 MHz其它调制器/解调器产品AD8345 - 250 MHz至1000 MHz低噪声RF/IF调制器AD8346 - 800 MHz至2.5 GHz低功耗直接上变频调制器AD8347 - 800 MHz至2.7 GHz直接变频解调器AD8348 - 50 MHz至1000 MHz RF/IF正交解调器AD...
发表于 02-22 12:13 61次 阅读
AD8341 RF矢量调制器,1.5 GHz 至2.4 GHz

ADL6010 快速响应、45 dB 范围、 0.5 至 40 GHz 功率检波器

和特点 具有线性度的肖特基二极管检波器 宽带50 Ω输入阻抗 具有最小斜率变化的精确响应范围:0.5 GHz至43.5 GHz 输入范围:−30 dBm至+15 dBm,参考50 Ω 出色的温度稳定性 2.1 V/VPEAK(输出电压根据输入峰值电压)斜率(10 GHz) 快速包络带宽: 40 MHz 快速输出上升时间: 4 ns 低功耗: 1.6 mA (5.0 V) 2 mm x 2 mm、6引脚LFCSP封装 产品详情 ADL6010是一款多功能微波频谱宽带包络检波器, 以单个易于使用的6引脚封装提供一流的精度和极低的功耗(8 mW)。 该器件输出的基带电压与射频(RF)输入信号的瞬时幅度成正比。 它的RF输入具有非常小的斜率变化,以便包络从0.5 GHz到43.5 GHz的输出传递函数检波器单元使用专利的八肖特基二极管阵列,后接新颖的线性化电路,可创建相对于输入电压幅度,总比例因子(或传递增益)标称值为?2.2的线性电压表虽然ADL6010本质上并不是一款功率响应器件,但以这种方式指定输入依然是很方便的。 因此,相对于50 Ω源输入阻抗,允许的输入功率范围为−30 dBm至+15 dBm。 对应的输入电压幅度为11.2 mV至1.8 V,产生范围从25 mV左右到4 V以上共模(COMM)的准直流输出。平衡检波器拓扑...
发表于 02-22 12:12 241次 阅读
ADL6010 快速响应、45 dB 范围、 0.5 至 40 GHz 功率检波器

HMC253AQS24 GAAS MMIC SP8T非反射式开关,DC - 2.5 GHz

和特点 低插入损耗(2 GHz):1.1dB 单正电源:Vdd = +5V 集成式3:8 TTL解码器 24引脚QSOP封装 产品详情 HMC253AQS24和HMC253AQS24E均为低成本非反射SP8T开关,采用24引脚QSOP封装,宽带工作频率范围为DC至2.5 GHz。该开关提供单正偏置和真TTL/CMOS兼容性。该开关上集成了3:8解码器,仅需三个控制线和一个正偏置即可选择每个路径。HMC253AQS24和HMC253AQS24E SP8T将替代SP4T和SPDT MMIC开关的多种配置。应用 CATV/DBS CDMA 蜂窝/PCS 方框图...
发表于 02-22 12:10 579次 阅读
HMC253AQS24 GAAS MMIC SP8T非反射式开关,DC - 2.5 GHz

HMC647A GaAs MMIC 6位数字移相器,2.5-3.1 GHz

和特点 低RMS相位误差: 1.5° 低插入损耗: 4 dB 高线性度: +50 dBm 正控制逻辑 360°覆盖,LSB = 5.625° 28引脚QFN无引脚SMT封装: 36mm2产品详情 HMC647ALP6E是一款6位数字移相器,额定频率范围为2.5至3.1 GHz,提供360度相位覆盖,LSB为5.625度。 HMC647ALP6E在所有相态具有1.5度的极低RMS相位误差及±0.4 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/+5V的正控制逻辑控制。HMC647ALP6E采用紧凑型6x6 mm塑料无引脚SMT封装,内部匹配50 Ohms,无需任何外部元件。 应用 EW接收器 气象和军用雷达 卫星通信 波束成形模块 相位抵消 方框图...
发表于 02-22 12:07 167次 阅读
HMC647A GaAs MMIC 6位数字移相器,2.5-3.1 GHz

ADMV1011 17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器

和特点 RF输出频率范围:17 GHz至24 GHz IF输入频率范围:2 GHz至4 GHz LO输入频率范围:8GHz至12 GHz,集成2×乘法器 边带抑制:32 dB(下边带) P1dB:25 dBm 增益调节:30 dB 输出IP3:33 dBm 匹配50 Ω RF输出、LO输入和IF输入 32引脚、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装 产品详情 ADMV1011是一款采用紧凑的砷化镓(GaAs)设计、单芯片微波集成电路(MMIC)、双边带(DSB)上变频器,采用符合RoHS标准的封装,针对工作频率范围为17 GHz至24 GHz的点对点微波无线电设计进行优化。ADMV1011提供21 dB的转换增益,具有针对下边带和上边带的32 dBc和23 dBc边带抑制性能。ADMV1011采用射频(RF)放大器,前接由驱动放大器驱动集成2×乘法器的本振(LO)的同相/正交(I/Q)双平衡混频器。还提供IF1和IF2混频器输入,需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带的滤波要求。ADMV1011为混合型DSB上变频器的小型替代器件,它无需线焊,可以使用表贴制造装配。ADMV1011上变频器采用紧凑的散热增强型、4.9 mm × 4.9 mm LCC封装。ADMV1011工作温度范围为−40°C至+85°...
发表于 02-22 12:06 247次 阅读
ADMV1011 17 GHz至24 GHz、GaAs、MMIC、I/Q上变频器

AD8343 DC至2.5 GHz 、高IP3有源混频器

和特点 高性能有源混频器 宽带操作,频率最高达2.5 GHz 转换增益:7 dB 输入IP3:16.5 dBm LO驱动:–10 dBm 噪声系数:14 dB 输入P1dB:2.8 dBm 差分LO、IF和RF端口 50 Ω LO输入阻抗 单电源供电:5 V(50 mA,典型值) 省电模式:20 µA(典型值)产品详情 AD8343是一款高性能、宽带有源混频器,具有极低交调失真,所有端口均具有宽带宽,非常适合要求严格的发射应用或接收通道应用。AD8343的典型变频增益为7 dB。集成的LO驱动器以低LO驱动电平,支持50 Ω差分输入阻抗,有助于将外部元件数降至最少。开发差分输入可以直接与差分滤波器接口,或通过平衡-不平衡变换器(变压器)驱动,由单端源提供平衡驱动。开集差分输出可以用来驱动差分中频信号接口,或通过匹配网络或变压器转换为单端信号。以VPOS电源电压为中心时,输出摆幅为±1 V。LO驱动器电路的典型功耗为15 mA。可利用两个外部电阻来设置混频器内核电流,以达到要求的性能,总电流为20 mA至60 mA。采用5 V单电源供电时,相应的功耗为100 mW至300 mW。AD8343采用ADI公司的高性能25 GHz硅双极性IC工艺制造,提供14引脚TSSOP封装,工作温度范围为−...
发表于 02-22 12:06 101次 阅读
AD8343 DC至2.5 GHz 、高IP3有源混频器

ADF7023 高性能、低功耗ISM频段FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器IC

和特点 超低功耗、高性能收发器 工作频段862 MHz至928 MHz431 MHz至464 MHz 支持的数据速率:1 kbps至300 kbps 电源电压范围:2.2 V至3.6 V 单端和差分PA 中频带宽可编程的低中频接收机:100 kHz、150 kHz、200 kHz、300 kHz 接收机灵敏度(BER)−116 dBm(1.0 kbps,2FSK、GFSK)−107.5 dBm(38.4 kbps,2FSK、GFSK)−102.5 dBm(150 kbps,GFSK、GMSK)−100 dBm(300 kbps,GFSK、GMS)−104 dBm(19.2 kbps,OOK) 极低功耗 RF输出功率范围:−20 dBm至+13.5 dBm(单端PA) 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情 ADF7023是一款工作在862 MHz至931 MHz和431 MHz至464 MHz频段的极低功耗、高集成度2FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器,这些频段覆盖免许可的433MHz、868MHz和915MHz ISM频段。它适合欧洲ETSI EN300-220、北美FCC (Part 15)、中国短程无线监管标准或其它类似地区标准下的电路应用。支持1 kbps至300 kbps的数据速率。发射RF频率合成器包含一个VCO和一个输出通道频率分辨率为400 Hz的低噪声小数N分频锁相环(PLL)。VCO的工作频...
发表于 02-22 12:06 187次 阅读
ADF7023 高性能、低功耗ISM频段FSK/GFSK/OOK/MSK/GMSK收发器IC

HMC-C584 0.1 GHz至40 GHz、31 dB、5位数字衰减器

和特点 1.0 dB LSB步进至31 dB 每位单正控制线 误码率:±1.0 dB(典型值) 输入IP3: 43 dBm CMOS兼容控制 密封模块 可现场更换的K型连接器 工作温度: -55℃至+85℃ 产品详情 HMC-C584是一款0.1 GHz至40 GHz、5位、砷化镓(GaAs) IC数字衰减器,封装在微型密封模块中。 这款宽带衰减器具有7 dB的典型插入损耗和43 dBm的输入IP3,位值为1 dB (LSB)、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB,总衰减范围为31 dB。 该器件的衰减精度很高,典型步长误差为±1.0 dB。 五个控制电压输入在0 V和5 V之间切换,用于选择每个衰减状态。 可移除的K型连接器可以拆卸,以便将模块的输入/输出引脚直接连接到微带或共面电路。应用 光纤和宽带电信 微波无线电和VSAT 军用无线电、雷达和电子对抗(ECM) 空间系统 测试仪器仪表 方框图...
发表于 02-22 12:06 142次 阅读
HMC-C584 0.1 GHz至40 GHz、31 dB、5位数字衰减器

ADRF6601 750 MHz至1160 MHz接收混频器,集成小数N分频PLL和VCO

和特点 集成小数N分频PLL的接收混频器 RF输入频率范围:300 MHz至2500 MHz 内部LO频率范围:750 MHz至1160 MHz 输入P1dB:14.5 dBm 输入IP3:31 dBm 通过外部引脚优化IIP3 SSB噪声系数IP3SET引脚断开:13.5 dBIP3SET引脚接3.3 V电压:14.6 dB 电压转换增益:6.7 dB 200 Ω IF输出匹配阻抗 IF 3 dB带宽:500 MHz 可通过三线式SPI接口进行编程 40引脚、6 mm × 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6601是一款高动态范围有源混频器,集成锁相环(PLL)和压控振荡器(VCO)。PLL/频率合成器利用小数N分频PLL产生fLO输入,供给混频器。基准输入可以进行分频或倍频,然后施加于PLL鉴频鉴相器(PFD)。PLL支持12 MHz至160 MHz范围内的输入基准频率。PFD输出控制一个电荷泵,其输出驱动一个片外环路滤波器。然后,环路滤波器输出施加于一个集成式VCO。VCO输出(2 × fLO)再施加于一个LO分频器和一个可编程PLL分频器。可编程PLL分频器由一个Σ-Δ调制器(SDM)进行控制。SDM的模数可以在1至2047范围内编程。有源混频器可将单端50 Ω RF输入转换为200 Ω差分IF输出。...
发表于 02-22 12:06 213次 阅读
ADRF6601 750 MHz至1160 MHz接收混频器,集成小数N分频PLL和VCO

ADRF6720-27 宽带(400 MHz至3 GHz)正交调制器,集成PLL/VCO和2.68 V输入偏置

和特点 集成小数N分频PLL的I/Q调制器 RF输出频率范围: 400 MHz至3,000 MHz 内部LO频率范围: 356.25 MHz至2855 MHz 输出P1dB: 10.8 dBm (2140 MHz) 输出IP3: 31.1 dBm (2140 MHz) 载波馈通: −44.3 dBm (2140 MHz) 边带抑制: -40.8 dBc(2,140 MHz) 噪底: −159.5 dBm/Hz (2140 MHz) 基带1 dB调制带宽: >1000 MHz 基带输入偏置电平: 2.68 V 电源: 3.3 V /425 mA 集成式RF可调谐巴伦,允许单端RF输出 多核集成式VCO HD3/IP3优化 边带抑制和载波馈通优化 高端/低端LO注入 可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程 40引脚6 mm x 6 mm LFCSP封装 产品详情 ADRF6720-27是一款集成频率合成器的宽带正交调制器,非常适合用于3G和4G通信系统。 ADRF6720-27内置一个高线性度宽带调制器、一个集成式小数N分频锁相环(PLL),以及四个低相位噪声多核压控振荡器(VCO)。 ADRF6720-27本振(LO)信号可从内部通过片内整数N分频或小数N分频频率合成器产生,也可从外部通过高频、低相位噪声LO信号产生。 内部集成式频率合成器利用多核VCO,实现356.25 MHz到28...
发表于 02-22 12:06 115次 阅读
ADRF6720-27 宽带(400 MHz至3 GHz)正交调制器,集成PLL/VCO和2.68 V输入偏置

ADRF6658 集成IF放大器的宽带双通道RX混频器

和特点 宽带、双通道、有源下变频混频器 低失真、快速建立、IF DGA RF输入频率范围:690 MHz至3.8 GHz RF输入端的可编程巴伦 差分和单端LO输入模式 差分IF输出阻抗:100 Ω 可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程 对于RF=1950 MHz、IF=281 MHz、高线性度模式: 电压转换增益,包括IF滤波器损耗:−5至+26.5 dB (更多详细信息,请参见数据手册) 灵活的省电模式,针对低功耗操作 通道使能后的上电时间:100 ns,典型值 3.3 V单电源 高线性度模式:440 mA 低功耗模式:260 mA 产品详情 ADRF6658是一款高性能、低功耗、宽带、双通道无线电频率(RF)下变频器,集成中频(IF)数字控制放大器(DGA),适用于宽带、低失真基站无线电接收机。 双通道Rx混频器为双平衡吉尔伯特单元混频器,具有高线性度和出色的图像抑制能力。 两款混频器均可将50 Ω RF输入转换为开集宽带IF输出。 在混频器输入前,RF输入端的内部可调谐巴伦可抑制RF信号谐波并衰减带外信号,从而减少输入反射和带外干扰信号。 灵活的本振(LO)架构允许使用差分或单端LO信号。 双通道IF DGA基于ADL5201和ADL5202,固定差分输出...
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ADRF6658 集成IF放大器的宽带双通道RX混频器

HMC6300 60 GHz毫米波发射器,57 GHz - 64 GHz

和特点 频段:57 - 64 GHz RF信号带宽:最高达1.8 GHz 针对1 dB压缩的输出功率:15 dBm 增益:5 - 35 dB 数字和模拟RF和IF增益控制 集成频率合成器 集成镜像抑制滤波器 部分外置的环路滤波器 支持外部LO 片内温度传感器 支持256-QAM调制 集成MSK调制器 通用模拟I/Q基带接口 三线式串行数字接口 符合RoHS标准的65引脚晶圆级球栅阵列封装 产品详情 HMC6300BG46是一款完整的毫米波发射器集成电路,采用符合RoHS标准的6 mm x 4 mm晶圆级球栅阵列(WLBGA)封装,工作频率范围为57 GHz至64 GHz,调制带宽高达1.8 GHz。集成式频率合成器在250、500或540 MHz步长下进行调谐,具有出色的相位噪声,支持高达64-QAM的调制。或者,可以注入外部LO,它支持用户可选LO特性或相位相干发射和接收操作以及高达256-QAM的调制。通过通用模拟基带IQ接口提供对各种调制格式的支持。发射器芯片还支持专用FSK、MSK、OOK调制格式,从而实现更低成本和功耗的串行数据链路,而无需使用高速数据转换器。差分输出向100 Ω负载提供高达15 dBm的线性输出功率。同时支持单端操作,最高12 dBm。与HMC6301BG46一起,完整的60 G...
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HMC6300 60 GHz毫米波发射器,57 GHz - 64 GHz