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芯片光刻技术的基本原理及主要步骤

传感器技术 2020-11-11 10:14 次阅读

集成电路的制造过程中,有一个重要的环节——光刻,正因为有了它,我们才能在微小的芯片上实现功能。

根据维基百科的定义,光刻是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤,该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构,然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆,还可以是其他金属层、介质层,例如玻璃、SOS中的蓝宝石。

光刻技术的基本原理

光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点,将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。

光刻半导体芯片二氧化硅的主要步骤是:

1、涂布光致抗蚀剂;

2、套准掩模板并曝光;

3、用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层;

4、用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层;

5、去除已感光的光致抗蚀剂层。

光刻技术的不断发展从三个方面为集成电路技术的进步提供了保证:

其一是大面积均匀曝光,在同一块硅片上同时做出大量器件和芯片,保证了批量化的生产水平;

其二是图形线宽不断缩小,使用权集成度不断提高,生产成本持续下降;

其三,由于线宽的缩小,器件的运行速度越来越快,使用权集成电路的性能不断提高。随着集成度的提高,光刻技术所面临的困难也越来越多。

光刻技术的种类

光学光刻

光学光刻是通过广德照射用投影方法将掩模上的大规模集成电路器件的结构图形画在涂有光刻胶的硅片上,通过光的照射,光刻胶的成分发生化学反应,从而生成电路图。限制成品所能获得的最小尺寸与光刻系统能获得的分辨率直接相关,而减小照射光源的波长是提高分辨率的最有效途径。因为这个原因,开发新型短波长光源光刻机一直是各个国家的研究热点。目前,商业化光刻机的光源波长已经从过去的汞灯紫外光波段进入到深紫外波段(DUV),如用于0.25微米技术的分子激光(波长为248纳米)和用于0.18微米技术的准分子激光(波长为193纳米)。

除此之外,根据光的干涉特性,利用各种波前技术优化工艺参数也是提高分辨率的重要手段。这些技术是运用电磁理论结合光刻实际对曝光成像进行深入的分析所取得的突破。其中有移相掩膜、离轴照明技术、邻近效应校正等。运用这些技术,可在目前的技术水平上获得更高分辨率的光刻图形。如1999年初Canon公司推出的FPA-1000ASI扫描步进机,该机的光源为193纳米,通过采用波前技术,可在300毫米硅片上实现0.13微米光刻线宽。

光刻技术是包含光刻机、掩模、光刻材料等一系列技术,涉及光、机、电、物理、化学、材料等多个研究方向。目前科学家正在探索更短波长的F2激光(波长为157纳米)光刻技术。由于大量的光吸收,获得用于光刻系统的新型光学及掩模衬底材料是该波段技术的主要困难。光科技束是很多学科的综合,任何一门学科的突破就能对光刻技术的发展做出巨大贡献。

电子束光刻

电子束光刻技术是微型技术加工发展的关键技术,他在纳米制造领域中起着不可替代的作用。电子束光刻主要是刻画微小的电路图,电路通常是以纳米微单位的。

随着中国纳米技术和纳米电子学的蓬勃发展,纳米加工技术的研究越来越重要,而电子束光刻技术将是纳米结构图形加工中非常重要的手段。电子束光刻技术要应用于纳米尺度微小结构的加工和集成电路的光刻,必须解决几个关键的技术问题:电子束高精度扫描成像曝光效率低;电子在抗蚀剂和基片中的散射和背散射现象造成的邻近效应;在实现纳米尺度加工中电子抗蚀剂和电子束曝光及显影、刻蚀等工艺技术问题。

实践证明,电子束邻近效应校正技术、电子束曝光与光学曝光系统的匹配和混合光刻技术及抗蚀剂曝光工艺优化技术的应用,是一种提高电子束光刻系统实际光刻分辨能力非常有效的办法。电子束光刻最主要的就是金属化剥离,第一步是在光刻胶表面扫描到自己需要的图形。第二部是将曝光的图形进行显影,去除未曝光的部分,第三部在形成的图形上沉淀金属,第四部将光刻胶去除,在金属剥离的过程中,关键在于光刻工艺的胶型控制。最好使用厚胶,这样有利于胶剂的渗透,形成清晰的形貌。

聚焦粒子束光刻

聚焦离子束(FocusedIonbeam,FIB)的系统是利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微切割仪器,她的原理与电子束光刻相近,不过是有电子变成离子。目前商业用途系统的离子束为液态金属离子源,金属材质为镓,因为镓元素具有熔点低、低蒸气压、及良好的抗氧化力;典型的离子束显微镜包括液相金属离子源、电透镜、扫描电极、二次粒子侦测器、5-6轴向移动的试片基座、真空系统、抗振动和磁场的装置、电子控制面板、和计算机等硬设备,外加电场于液相金属离子源可使液态镓形成细小尖端,再加上负电场(Extractor)牵引尖端的镓,而导出镓离子束,在一般工作电压下,尖端电流密度约为1埃10-8Amp/cm2,以电透镜聚焦,经过一连串变化孔径(AutomaticVariableAperture,AVA)可决定离子束的大小,再经过二次聚焦至试片表面,利用物理碰撞来达到切割之目的。

在成像方面,聚焦离子束显微镜和扫描电子显微镜的原理比较相近,其中离子束显微镜的试片表面受镓离子扫描撞击而激发出的二次电子和二次离子是影像的来源,影像的分辨率决定于离子束的大小、带电离子的加速电压、二次离子讯号的强度、试片接地的状况、与仪器抗振动和磁场的状况,目前商用机型的影像分辨率最高已达4nm,虽然其分辨率不及扫描式电子显微镜和穿透式电子显微镜,但是对于定点结构的分析,它没有试片制备的问题,在工作时间上较为经济。

聚焦离子束投影曝光除了前面已经提到的曝光灵敏度极高和没有邻近效应之外还包括焦深大于曝光深度可以控制。离子源发射的离子束具有非常好的平行性,离子束投影透镜的数值孔径只有0.001,其焦深可达100μm,也就是说,硅片表面任何起伏在100μm之内,离子束的分辨力基本不变。而光学曝光的焦深只有1~2μm为。她的主要作用就是在电路上进行修补,和生产线制成异常分析或者进行光阻切割。

移相掩模

光刻分辨率取决于照明系统的部分相干性、掩模图形空间频率和衬比及成象系统的数值孔径等。相移掩模技术的应用有可能用传统的光刻技术和i线光刻机在最佳照明下刻划出尺寸为传统方法之半的图形,而且具有更大的焦深和曝光量范围。例如使用PSM,在NA=0.5,λ=248nm,分辨率可达0.15um;NA=0.6,λ=365nm,实际分辨率可达0.2um。相移掩模方法有可能克服线/间隔图形传统光刻方法的局限性。

随着移相掩模技术的发展,涌现出众多的种类,大体上可分为交替式移相掩膜技术、衰减式移相掩模技术;边缘增强型相移掩模,包括亚分辨率相移掩模和自对准相移掩模;无铬全透明移相掩模及复合移相方式(交替移相+全透明移相+衰减移相+二元铬掩模)几类。尤其以交替型和全透明移相掩模对分辨率改善最显著,为实现亚波长光刻创造了有利条件。全透明移相掩模的特点是利用大于某宽度的透明移相器图形边缘光相位突然发生180度变化,在移相器边缘两侧衍射场的干涉效应产生一个形如“刀刃”光强分布,并在移相器所有边界线上形成光强为零的暗区,具有微细线条一分为二的分裂效果,使成像分辨率提高近1倍。

光学曝光技术的潜力,无论从理论还是实践上看都令人惊叹,不能不刮目相看。其中利用控制光学曝光过程中的光位相参数,产生光的干涉效应,部分抵消了限制光学系统分辨率的衍射效应的波前面工程为代表的分辨率增强技术起到重要作用,包括:移相掩模技术、光学邻近效应校正技术、离轴照明技术、光瞳空间滤波技术、驻波效应校正技术、离焦迭加增强曝光技术、表面成像技术及多级胶结构工艺技术。在实用化方面取得最引人注目进展的要数移相掩模技术、光学邻近效应校正技术和离轴照明技术,尤其浸没透镜曝光技术上的突破和两次曝光技术的应用,为分辨率增强技术的应用更创造了有利条件。

X射线光刻

软X射线投影光刻作为特征线宽小于0.1μm的集成电路制造技术,倍受日美两个集成电路制造设备生产大国重视。随着用于软X射线投影光刻的无污染激光等离子体光源、高分辨率大视场投影光学系统、无应力光学装调工艺、深亚纳米级镜面加工和多层膜制备、低缺陷反射式掩膜、表面成像光刻胶、精密扫描机构等关键技术均取得了突破。

光刻技术的详细工序

一、清洗硅片(WaferClean)

清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少针孔和其它缺陷,提高光刻胶黏附性

基本步骤:化学清洗——漂洗——烘干。

硅片经过不同工序加工后,其表面已受到严重沾污,一般讲硅片表面沾污大致可分在三类:

1、有机杂质沾污:可通过有机试剂的溶解作用,结合超声波清洗技术来去除。

2、颗粒沾污:运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径≥0.4μm颗粒,利用兆声波可去除≥0.2μm颗粒。

3、金属离子沾污:必须采用化学的方法才能清洗其沾污,硅片表面金属杂质沾污有两大类:

a.一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。

b.另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着(尤如“电镀”)到硅片表面。

硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污。

二、预烘和底胶涂覆(Pre-bakeandPrimerVapor)

由于光刻胶中含有溶剂,所以对于涂好光刻胶的硅片需要在80度左右的。硅片脱水烘焙能去除圆片表面的潮气、增强光刻胶与表面的黏附性、通常大约100°C。这是与底胶涂覆合并进行的。

底胶涂覆增强光刻胶(PR)和圆片表面的黏附性。广泛使用:(HMDS)六甲基二硅胺、在PR旋转涂覆前HMDS蒸气涂覆、PR涂覆前用冷却板冷却圆片。

三、光刻胶涂覆(PhotoresistCoating)

光刻胶涂覆通常的步骤是在涂光刻胶之前,先在900-1100度湿氧化。氧化层可以作为湿法刻蚀或B注入的膜版。作为光刻工艺自身的第一步,一薄层的对紫外光敏感的有机高分子化合物,即通常所说的光刻胶,要涂在样品表面(SiO2)。首先光刻胶被从容器中取出滴布到置于涂胶机中的样品表面,(由真空负压将样品固定在样品台上),样品然后高速旋转,转速由胶粘度和希望胶厚度确定。在这样的高速下,胶在离心力的作用下向边缘流动。

涂胶工序是图形转换工艺中最初的也是重要的步骤。涂胶的质量直接影响到所加工器件的缺陷密度。为了保证线宽的重复性和接下去的显影时间,同一个样品的胶厚均匀性和不同样品间的胶厚一致性不应超过±5nm(对于1.5um胶厚为±0.3%)。

光刻胶的目标厚度的确定主要考虑胶自身的化学特性以及所要复制图形中线条的及间隙的微细程度。太厚胶会导致边缘覆盖或连通、小丘或田亘状胶貌、使成品率下降。在MEMS中、胶厚(烤后)在0.5-2um之间,而对于特殊微结构制造,胶厚度有时希望1cm量级。在后者,旋转涂胶将被铸胶或等离子体胶聚合等方法取代。常规光刻胶涂布工序的优化需要考虑滴胶速度、滴胶量、转速、环境温度和湿度等,这些因素的稳定性很重要。

四、前烘(SoftBake)

完成光刻胶的涂抹之后,需要进行软烘干操作,这一步骤也被称为前烘。前烘能够蒸发光刻胶中的溶剂溶剂、能使涂覆的光刻胶更薄。

在液态的光刻胶中,溶剂成分占65%-85%。虽然在甩胶之后,液态的光刻胶已经成为固态的薄膜,但仍有10%-30%的溶剂,容易沾污灰尘。通过在较高温度下进行烘培,可以使溶剂从光刻胶中挥发出来(前烘后溶剂含量降至5%左右),从而降低了灰尘的沾污。同时,这一步骤还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力,从而提高光刻胶衬底上的附着性。

在前烘过程中,由于溶剂挥发,光刻胶厚度也会减薄,一般减薄的幅度为10%-20%左右。

五、对准(Alignment)

光刻对准技术是曝光前一个重要步骤作为光刻的三大核心技术之一,一般要求对准精度为最细线宽尺寸的1/7---1/10。随着光刻分辨力的提高,对准精度要求也越来越高,例如针对45am线宽尺寸,对准精度要求在5am左右。

受光刻分辨力提高的推动,对准技术也经历迅速而多样的发展。从对准原理上及标记结构分类,对准技术从早期的投影光刻中的几何成像对准方式,包括视频图像对准、双目显微镜对准等,一直到后来的波带片对准方式、干涉强度对准、激光外差干涉以及莫尔条纹对准方式。从对准信号上分,主要包括标记的显微图像对准、基于光强信息的对准和基于相位信息对准。

对准法则是第一次光刻只是把掩膜版上的Y轴与晶园上的平边成90,如图所示。接下来的掩膜版都用对准标记与上一层带有图形的掩膜对准。对准标记是一个特殊的图形(见图),分布在每个芯片图形的边缘。经过光刻工艺对准标记就永远留在芯片表面,同时作为下一次对准使用。

对准方法包括:

a、预对准,通过硅片上的notch或者flat进行激光自动对准

b、通过对准标志,位于切割槽上。另外层间对准,即套刻精度,保证图形与硅片上已经存在的图形之间的对准。

六、曝光(Exposure)

在这一步中,将使用特定波长的光对覆盖衬底的光刻胶进行选择性地照射。光刻胶中的感光剂会发生光化学反应,从而使正光刻胶被照射区域(感光区域)、负光刻胶未被照射的区域(非感光区)化学成分发生变化。这些化学成分发生变化的区域,在下一步的能够溶解于特定的显影液中。

在接受光照后,正性光刻胶中的感光剂DQ会发生光化学反应,变为乙烯酮,并进一步水解为茚并羧酸(Indene-Carboxylic-Acid,CA),羧酸在碱性溶剂中的溶解度比未感光部分的光刻胶高出约100倍,产生的羧酸同时还会促进酚醛树脂的溶解。利用感光与未感光光刻胶对碱性溶剂的不同溶解度,就可以进行掩膜图形的转移。

曝光方法:

a、接触式曝光(ContactPrinting)掩膜板直接与光刻胶层接触。

b、接近式曝光(ProximityPrinting)掩膜板与光刻胶层的略微分开,大约为10~50μm。

c、投影式曝光(ProjectionPrinting)。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。

d、步进式曝光(Stepper)

七、显影(development)

通过在曝光过程结束后加入显影液,正光刻胶的感光区、负光刻胶的非感光区,会溶解于显影液中。这一步完成后,光刻胶层中的图形就可以显现出来。为了提高分辨率,几乎每一种光刻胶都有专门的显影液,以保证高质量的显影效果。

显影工序使将在曝光过程中形成的隐性图形成为光刻胶在与不在的显性图形,以作为下一步加工的膜版。显影中进行的是选择性溶解的过程,最重要的是曝光区和未曝光区之间溶解率的比值(DR)。商用正胶有大于1000的DR比,在曝光区溶解速率为3000nm/min,在未曝光区只有几nm/min。

现在有二种显影方法,一是湿显影,他IC和微加工中正广泛使用,另一种是干显影。

八、坚膜(HardBake)

刻胶显影完成后,图形就基本确定,不过还需要使光刻胶的性质更为稳定。硬烘干可以达到这个目的,这一步骤也被称为坚膜。在这过程中,利用高温处理,可以除去光刻胶中剩余的溶剂、增强光刻胶对硅片表面的附着力,同时提高光刻胶在随后刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性能力。另外,高温下光刻胶将软化,形成类似玻璃体在高温下的熔融状态。这会使光刻胶表面在表面张力作用下圆滑化,并使光刻胶层中的缺陷(如针孔)减少,这样修正光刻胶图形的边缘轮廓。

用O2等离子体对样品整体处理,以清除显影后可能的非望残留叫de-scumming。特别是负胶但也包括正胶,在显影后会在原来胶-基板界面处残留聚合物薄层,这个问题在结构小于1um或大深-宽比的结构中更为严重。当然在De-scumming过程中留胶厚度也会降低,但是影响不会太大。

最后,在刻蚀或镀膜之前需要硬烤以去除残留的显影液和水,并退火以改善由于显影过程渗透和膨胀导致的界面接合状况。同时提高胶的硬度和提高抗刻蚀性。硬烤温度一般高达120度以上,时间也在20分左右。主要的限制是温度过高会使图形边缘变差以及刻蚀后难以去除。

九、刻蚀或离子注入

刻蚀是半导体器件制造中利用化学途径选择性地移除沉积层特定部分的工艺。刻蚀对于器件的电学性能十分重要。如果刻蚀过程中出现失误,将造成难以恢复的硅片报废,因此必须进行严格的工艺流程控制。半导体器件的每一层都会经历多个刻蚀步骤。

刻蚀一般分为电子束刻蚀和光刻,光刻对材料的平整度要求很高,因此,需要很高的清洁度。但是,对于电子束刻蚀,由于电子的波长极短,因此分辨率与光刻相比要好的多。因为不需要掩模板,因此对平整度的要求不高,但是电子束刻蚀很慢,而且设备昂贵。

对于大多数刻蚀步骤,晶圆上层的部分位置都会通过“罩”予以保护,这种罩不能被刻蚀,这样就能对层上的特定部分进行选择性地移除。在有的情况中,罩的材料为光阻性的,这和光刻中利用的原理类似。而在其他情况中,刻蚀罩需要耐受某些化学物质,氮化硅就可以用来制造这样的“罩”。

离子注入是一种将特定离子在电场里加速,然后嵌入到另一固体材料之中的技术手段。使用这个技术可以改变固体材料的物理化学性质,现在已经广泛应用于半导体器件制造和某些材料科学研究。离子注入可以导致核转变,或改变某些固体材料的晶体结构。

十、光刻胶的去除

光刻胶的主要功能是在整个区域进行化学或机械处理工艺时,保护光刻胶下的衬底部分。所以当以上工艺结束之后,光刻胶应全部去除,这一步骤简称去胶。只有那些高温稳定的光刻胶,例如光敏感聚酰亚胺,可以作为中间介质或缓冲涂层而留在器件上。

为避免对被处理表面的任何损伤,应当使用低温下温和的化学方法。超声波的应用也可以增强剥离效能。因为有腐蚀问题、一些已知的剥离液不能作用与铝等金属表面;在此情况下、臭氧或氧等离子体(灰化)是首先采用的。这些等离子体同样成功地作为非铝表面的光刻交剥离剂,但是,器件表面的损坏仍是要解决的问题。

刻蚀或离子注入之后,已经不再需要光刻胶作保护层,可以将其除去。

去胶的方法分类如下:

湿法去胶:a、有机溶剂去胶:利用有机溶剂除去光刻胶;b、无机溶剂:通过使用一些无机溶剂,将光刻胶这种有机物中的碳元素氧化为二氧化碳,进而而将其除去

干法去胶:利用等离子体将光刻胶剥除。

除了这些主要的工艺以外,还经常采用一些辅助过程,比如进行大面积的均匀腐蚀来减小衬底的厚度,或者去除边缘不均匀的过程等等。一般在生产半导体芯片或者其它元件时,一个衬底需要多次重复光刻。

责任编辑:xj

原文标题:芯片光刻技术解读

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vincent2021
非常赞!!!!!!!!!!!!!!!!!!

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的头像 璟琰乀 发表于 02-25 14:16 245次 阅读
上汽集团与地平线合作生产汽车芯片

英伟达游戏业务销售额达到25亿美元

据Nvidia Corp.周三报道,由于假日期间人们对游戏芯片需求和对加密货币采矿的新兴趣带来的供应....
的头像 我快闭嘴 发表于 02-25 14:09 130次 阅读
英伟达游戏业务销售额达到25亿美元

台积电被列为晶圆产能领先者

在平时我们谈到台积电的时候,很多时候都会讲到他们在技术方面的傲视群雄,但其实台积电在产能方面,也优势....
的头像 我快闭嘴 发表于 02-25 14:07 233次 阅读
台积电被列为晶圆产能领先者

联发科在 2020 年营收暴涨至 100 亿美元,将会进军其他芯片细分领域

据台湾《电子时报》报道,台湾芯片企业联发科在 2020 年营收暴涨至 100 亿美元(约 645 亿....
的头像 工程师邓生 发表于 02-25 14:01 169次 阅读
联发科在 2020 年营收暴涨至 100 亿美元,将会进军其他芯片细分领域

曝高通将与台积电携手打造4nm芯片

高通在去年12月带来了史上最强的骁龙888芯片,采用三系的5nm制程工艺,带来了前所有的强大性能。 ....
的头像 工程师邓生 发表于 02-25 13:37 210次 阅读
曝高通将与台积电携手打造4nm芯片

DSP芯片的应用总结详细资料说明

数字信号处理( Digital Signal Processing ,简称DSP )是一门涉及许多学....
发表于 02-25 11:52 19次 阅读
DSP芯片的应用总结详细资料说明

A7105芯片的资料和电路原理图及其模块应用说明

基于A7105 核心芯片的无线模块, 目前市场上应用最多和最成熟的是在无线遥控领域,在这个领域中, ....
发表于 02-25 11:52 26次 阅读
A7105芯片的资料和电路原理图及其模块应用说明

PC订单需求旺盛,联宝科技新招聘员工近万人

在合肥联宝科技工作了7年的曲松涛,刚刚经历了史上最早开工的春节。
的头像 我快闭嘴 发表于 02-25 11:45 582次 阅读
PC订单需求旺盛,联宝科技新招聘员工近万人

中芯国际500亿赴京建厂,或为扩大产能

目前中芯国际的7nm工艺已实现脱离EUV光刻机进行生产。 据北京亦庄官方信息披露,中芯国际联合国家集....
的头像 璟琰乀 发表于 02-25 11:45 306次 阅读
中芯国际500亿赴京建厂,或为扩大产能

新款iMac或将拥有多达五种配色

此前苹果曾表示将在两年时间内将自家所有Mac产品线更换为ARM芯片,而在近期有爆料称,苹果大概率将在....
的头像 lhl545545 发表于 02-25 11:44 135次 阅读
新款iMac或将拥有多达五种配色

美国寒潮下全球“缺芯”周期或拉长至明年

受寒潮影响,美国出现大面积断电,三星位于德州奥斯汀的晶圆厂Line S2于2月16日开始进行部分断电....
的头像 我快闭嘴 发表于 02-25 11:41 217次 阅读
美国寒潮下全球“缺芯”周期或拉长至明年

摩尔定律终结后量子计算将担重任

一台30个量子比特的量子计算机的计算能力和一台每秒万亿次浮点运算的经典计算机水平相当。据科学家估计,....
的头像 我快闭嘴 发表于 02-25 11:36 434次 阅读
摩尔定律终结后量子计算将担重任

中芯国际投资的超级晶圆厂启动,月产能10万片

国内又一超级晶圆厂启动! 据“北京亦庄”消息,北京经开区“两区”建设129个集中签约项目之一——中芯....
的头像 璟琰乀 发表于 02-25 11:31 306次 阅读
中芯国际投资的超级晶圆厂启动,月产能10万片

英特尔新款i9曝光:最强14nm芯?

2月24日消息,据IT之家报道,近期桌面版i9-11900K在CPU-Z平台的基准测试成绩曝光,单核....
的头像 璟琰乀 发表于 02-25 11:21 218次 阅读
英特尔新款i9曝光:最强14nm芯?

紫光展锐首款6纳米5G芯片亮相MWC

2月23日-25日阔别一年的MWC(世界移动通信大会)在上海成功举办。本次MWC上海站的活动主题是“....
的头像 我快闭嘴 发表于 02-25 11:18 269次 阅读
紫光展锐首款6纳米5G芯片亮相MWC

楼宇自控系统的应用设计及安装事项

现在的楼宇自控系统是一种集散式控制系统DCS,DCS是一种管理控制的模式,其实质是集中管理分散控制。
发表于 02-25 11:09 235次 阅读
楼宇自控系统的应用设计及安装事项

小米33W氮化镓充电套装在小米有品开启首销

随着技术的飞速发展,快充已经成为智能手机的标配,甚至,不少手机厂商还将“百瓦级”快充作为宣传自家旗舰....
的头像 lhl545545 发表于 02-25 10:56 223次 阅读
小米33W氮化镓充电套装在小米有品开启首销

Intel新任CEO入职一周:才刚刚起步

今年1月份,Intel突然宣布时任CEO司睿博将于2月份离职,接替他的是帕特·基辛格(Pat Gel....
的头像 lhl545545 发表于 02-25 10:41 234次 阅读
Intel新任CEO入职一周:才刚刚起步

NVIDIA为何将RTX 3060挖矿性能减半?

今晨,NVIDIA公布2021财年第四财季及全年财报,其中季度营收50亿美元,同比大涨41%,净利润....
的头像 lhl545545 发表于 02-25 10:34 330次 阅读
NVIDIA为何将RTX 3060挖矿性能减半?

Redmi K40系列京东平台预约量突破51万人

2月24日晚,小米集团中国区总裁、Redmi品牌总经理卢伟冰透露,今年芯片太缺了,是极缺。
的头像 lhl545545 发表于 02-25 10:21 532次 阅读
Redmi K40系列京东平台预约量突破51万人

英伟达第四财季营收突破50亿美元,创下历史新高

2月25日消息,美国当地时间周三, 芯片巨头英伟达发布了截至2021年1月31日的2021财年第四财....
的头像 我快闭嘴 发表于 02-25 10:19 205次 阅读
英伟达第四财季营收突破50亿美元,创下历史新高

基于DSP芯片TMS320F2812实现感应加热电源的设计

目前,感应加热电源已广泛用于金属熔炼、透热、焊接、弯管、表面淬火等热加工和热处理行业。然而传统感应加....
发表于 02-25 10:19 381次 阅读
基于DSP芯片TMS320F2812实现感应加热电源的设计

芯片短缺现象持续到2022年 通用汽车高管认为能完成今年目标

世界范围内的芯片短缺现象预计还会持续三四个季度,如果准确的话,要到2022年的某个时候,行业才会恢复....
的头像 21克888 发表于 02-25 10:15 660次 阅读
芯片短缺现象持续到2022年 通用汽车高管认为能完成今年目标

预计:芯片短缺将让今年全球汽车产业减产606亿美元

通用汽车高管认为,全球芯片短缺迫使汽车制造商减产并关闭工厂的情况正在开始改善,并相信该公司将实现今年....
的头像 我快闭嘴 发表于 02-25 09:39 175次 阅读
预计:芯片短缺将让今年全球汽车产业减产606亿美元

555芯片等效图各功能区分析

  一、芯片引脚定义   二、芯片内部结构   三、等效图组成说明   四、等效图各功能区分析:分压电路 + 电压比较器  ...
发表于 02-25 07:37 0次 阅读
555芯片等效图各功能区分析

半导体常见的产品分类有哪些

半导体材料 半导体的功能分类 集成电路的四大类 ...
发表于 02-24 07:52 0次 阅读
半导体常见的产品分类有哪些

如何创建一颗芯片?

创建一颗芯片 从智能嵌入式到IoT,都可以使用ARM Cordio ...
发表于 02-22 07:48 0次 阅读
如何创建一颗芯片?

这个芯片是什么型号?那个标志是什么厂家的?

发表于 02-20 15:15 84次 阅读
这个芯片是什么型号?那个标志是什么厂家的?

HM5936B芯片资料

HM5936B是一款集成了锂电池充电管理,锂电池保护,DC-DC升压限流,3档风量可调风扇驱动功能于一体的电源管理IC;专用于...
发表于 02-19 15:40 115次 阅读
HM5936B芯片资料

HM5936B芯片资料

HM5936B是一款集成了锂电池充电管理,锂电池保护,DC-DC升压限流,3档风量可调风扇驱动功能于一体的电源管理IC;专用于...
发表于 02-19 15:17 0次 阅读
HM5936B芯片资料

ADI芯片丝印

哪位可以帮忙提供一下ADI的Tiny Part Number Cross Reference文档?...
发表于 02-05 14:34 101次 阅读
ADI芯片丝印

DC-DC降压恒流IC外围少 效率高 无频闪调光 输入电压5-100V PWM调光H7230

东莞市惠海半导体有限公司专业研发、设计、生产、销售共阳极无频闪高辉度5-100V DC-DC降压恒流调光IC。可应用于感应灯IC...
发表于 02-05 10:13 104次 阅读
DC-DC降压恒流IC外围少 效率高 无频闪调光 输入电压5-100V PWM调光H7230

有没有认识这款芯片的

找不到这款芯片的手册,有没有认识这款芯片的大神,或者能替代的,非常感谢,有偿 ...
发表于 02-04 20:42 707次 阅读
有没有认识这款芯片的

DC-DC选型目录大全分享-降压恒流、降压恒压芯片、升压恒压芯片、升压恒流芯片、线性恒流芯片

发表于 02-04 10:15 68次 阅读
DC-DC选型目录大全分享-降压恒流、降压恒压芯片、升压恒压芯片、升压恒流芯片、线性恒流芯片

STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通(STM795只)用于外部LPSRAM( 7 ns最大值丙延迟) 手册(按钮)复位输入 200毫秒(典型值)吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒(典型值) 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置,其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V
发表于 05-20 16:05 87次 阅读
STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 149次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 161次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 136次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV7812 线性稳压器 1 A 12 V.

线性稳压器是单片集成电路,设计用作固定电压调节器,适用于各种应用,包括本地,卡上调节。这些稳压器采用内部限流,热关断和安全区域补偿。通过充分的散热,它们可以提供超过1.0 A的输出电流。虽然主要设计为固定电压调节器,但这些器件可以与外部元件一起使用,以获得可调电压和电流。 特性 输出电流超过1.0 A 无需外部元件 内部热过载保护 内部短路电流限制 输出晶体管安全区域补偿 输出电压提供1.5%,2%和4%容差 无铅封装可用 应用 可用于Surface Mount D 2 PAK和Standard 3 -Lead Transistor Packages 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 136次 阅读
NCV7812 线性稳压器 1 A 12 V.

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 118次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 277次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 237次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 160次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 126次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 125次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

NCV896530 双输出降压转换器 低电压 2.1 MHz

530双路降压DC-DC转换器是一款单片集成电路,专用于下游电压轨的汽车驾驶员信息系统。两个通道均可在0.9 V至3.3 V范围内进行外部调节,并可提供高达1600 mA的电流。转换器的工作频率为2.1 MHz,高于敏感的AM频段,并且相位差180°,以减少轨道上的大量电流需求。同步整流提高了系统效率。 NCV896530提供汽车电源系统的其他功能,如集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.1 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCV896530采用节省空间的3 x 3 mm 10引脚DFN封装。 特性 优势 同步整改 效率更高 2.1 MHz开关频率 电感更小,没有AM频段发射 热限制和短路保护 故障保护 2输出为180°异相 降低输入纹波 内部MOSFET 降低成本和解决方案规模 应用 音频 资讯娱乐t 仪器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 05:02 142次 阅读
NCV896530 双输出降压转换器 低电压 2.1 MHz

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 310次 阅读
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

2双级降压DCDC转换器是一款单片集成电路,专用于为采用1节锂离子电池或3节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用提供新型多媒体设计的核心和I / O电压。两个通道均可在0.9V至3.3V之间进行外部调节,每个通道可提供高达1.6A的电流,最大电流为1.0A。转换器以2.25MHz的开关频率运行,通过允许使用小电感(低至1uH)和电容器并以180度异相工作来减小元件尺寸,从而减少电池的大量电流需求。自动切换PWM / PFM模式和同步整流可提高系统效率。该器件还可以工作在固定频率PWM模式,适用于需要低纹波和良好负载瞬变的低噪声应用。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。该器件还可以与2.25 MHz范围内的外部时钟信号同步。 NCP1532采用节省空间的超薄型3x3 x 0.55 mm 10引脚uDFN封装。 特性 优势 97%效率,50uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 2.25MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容 模式引脚操作:仅在轻载或PWM模式下自动切换PWM / PFM模式 允许用户在轻载或低噪声和纹波性能之间选择低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 复位输出引脚...
发表于 07-30 03:02 203次 阅读
NCP1532 降压转换器 DC-DC 双通道 低Iq 高效率 2.25 MHz 1.6 A.

NCP1522B 降压转换器 DC-DC 3 MHz 600 mA

2B降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,针对便携式应用进行了优化,采用单节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电。该器件采用0.9 V至3.3 V的可调输出电压,可提供高达600 mA的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部部件数量。该器件还内置3 MHz(标称)振荡器,通过允许更小的电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1522B采用节省空间的薄型TSOP5和UDFN6封装。 特性 优势 94%效率,50 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池寿命和'播放时间' 3.0 MHz开关频率 允许使用更小的电感(低至1uH)和电容 轻负载条件下PWM和PFM模式之间的自动切换 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.3V 应用 终端产品 电源f或应用处理器 核心电压低的处理器电源 智能手机手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 数码相机和摄像机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 02:02 168次 阅读
NCP1522B 降压转换器 DC-DC 3 MHz 600 mA

NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

9降压型DC-DC转换器是一款单片集成电路,适用于由一节锂离子电池或三节碱性/镍镉/镍氢电池供电的便携式应用。该器件可在外部可调范围为0.9 V至3.9 V或固定为1.2 V或1.35 V的输出范围内提供高达1.0 A的电流。它使用同步整流来提高效率并减少外部元件数量。该器件还内置1.7 MHz(标称)振荡器,通过允许使用小型电感器和电容器来减小元件尺寸。自动切换PWM / PFM模式可提高系统效率。 其他功能包括集成软启动,逐周期电流限制和热关断保护。 NCP1529采用节省空间的扁平2x2x0.5 mm UDFN6封装和TSOP-5封装。 特性 优势 96%效率,28 uA静态电流,0.3 uA关断电流 延长电池续航时间和'播放时间' 1.7 MHz开关频率 允许使用更小的电感和电容器 在轻负载条件下自动切换PWM和PFM模式 轻载时的低功耗 可调输出电压0.9V至3.9V 即使在PFM模式下,同类最佳低纹波 应用 终端产品 电池供电应用电源管理 核心电压低的处理器电源 USB供电设备 低压直流电源电源管理 手机,智能手机和掌上电脑 MP3播放器和便携式音频系统 电路图、引脚图和封装图...
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NCP1529 降压转换器 DC-DC 高效率 可调节输出电压 低纹波 1.7 MHz 1 A.

NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.

系列降压开关稳压器是单片集成电路,非常适合简单方便地设计降压型开关稳压器(降压转换器)。该系列的所有电路均能够以极佳的线路和负载调节驱动1.0 A负载。这些器件提供3.3 V,5.0 V,12 V,15 V的固定输出电压和可调输出版本。 此降压开关稳压器旨在最大限度地减少外部元件的数量,从而简化电源设计。标准系列电感器针对LM2575进行了优化,由多家不同的电感器制造商提供。 由于LM2575转换器是一种开关电源,与传统的三端线性稳压器相比,其效率要高得多,特别是在输入电压较高的情况下。在许多情况下,LM2575稳压器消耗的功率非常低,不需要散热器,也不会大幅降低其尺寸。 LM2575的特性包括在指定的输入电压和输出负载条件下保证4%的输出电压容差,以及振荡器频率的+/- 10%(0C至125C的+/- 2%)。包括外部关断,具有80 uA典型待机电流。输出开关包括逐周期电流限制,以及在故障条件下进行全保护的热关断。 特性 3.3 V,5.0 V,12 V ,15 V和可调输出版本 可调版本输出电压范围为1.23 V至37 V +/- 4%最大线路和负载条件 保证1.0 A输出电流 宽输入电压范围:4.75 V至40 V 仅需要4个外部元件 ...
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NCV2575 降压转换器 开关稳压器 可调输出电压 1.0 A.

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
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NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
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NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:♦HiSPi(SLVS) - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
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AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5