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SiC的发展与未来

安森美半导体 2020-11-09 10:56 次阅读

随着半导体材料步入第三代半导体时代,行业巨头在SiC/GaN器件和模块上早已布局多年。

事实上,从特性上来讲,SiC和GaN的优势是互补的,应用覆盖了电动汽车(EV)、新能源、光伏逆变器、智能电器、医疗、通信射频。

不过从细微差别来说,GaN(氮化镓晶体管适合于高效率、高频率、高功率密度要求的应用场合;碳化硅(SiC)由于热导率是GaN的三倍以上,因此在高温应用领域具有优势,因此多用于1200V以上高温大电力领域。

GaN作为后进者,由于器件水平发展历史原因,主要还是在消费和射频领域;而SiC则是极限功率器件的理想材料。

SiC这种宽紧带材料相比硅来说,拥有10倍的介电击穿场强、2倍电子饱和速度、3倍能带隙、3倍热导率。

这意味着,SiC器件可以获得明显的小型化、高能效、驱动强的系统性能。数据显示,SiC的总市场容量(TAM)按终端市场显示,到2022年将超过10亿美元,复合年增长率高达35%。

SiC应用十几年了,现在这个第三代半导体材料发展现状如何了?21ic中国电子网记者连线了安森美半导体电源方案部产品市场经理王利民,讲述安森美半导体在SiC上的故事。

聚焦三大领域

纵观半导体全球市场,安森美半导体位列前20大集成器件制造商,尤其是在功率半导体这一细分领域,通过一系列收购目前已成为全球第二大半导体分立和模块供应商。

王利民表示,安森美半导体的愿景是未来5年收入超过100亿美元,成为全球前十大的整合元器件厂商(IDM)。通过数据和排名,足以见得安森美半导体的实力。

王利民为记者介绍表示,在SiC方面,安森美半导体目前主要聚焦于电动汽车、可再生能源、5G和通信电源上。

1

电动汽车(EV):

安森美半导体认为电动汽车是未来几年SiC的主要驱动力,约占总市场容量的60%。通过SiC这项技术,每年可增加多达750美元的电池续航力。

前者,应用SiC器件的电动汽车可大幅提高效率,增强电动汽车续航能力;

后者,消费者关注主要在直流快充上,而直流快充充电桩需凭借大充电功率和效率实现。

2

可再生能源:

在太阳能逆变器领域,SiC二极管使用量非常巨大。数字显示,如今已安装307GW,至2025年将安装超过500GW的太阳能逆变器,预计10-15年将会有15%的能源来自太阳能。

SiC半导体可应用于太能能逆变器的Boost,并随着逆变器成本优化。王利民强调,行业已有不少厂家开始使用SiCMOSFET作为主逆变的器件替换过去的三电平控制复杂电路

3

5G和通信电源:

众所周知5G元年开启,带动了整个AIoT的发展,也是一个很大的市场。传统的开关电源在Boost和高压电源上,对功率密度一直有着持之以恒的追求,从最早通信电源的金标、银标,到现在5G通信电源、云数据中心电源,对电源的能效要求越来越高。SiC器件没有反向恢复,使得电源能效可以达到98%。

拥有三项优势

产品方面,安森美半导体提供大范围的SiCMOSFET和SiC二极管,并推出多代产品。

SiC二极管方面,包括650/1200V/1700V二极管产品组合;

SiCMOSFET则拥有650/750/900/1200/1700V产品。

那么,这些产品拥有哪些特性?王利民为记者介绍表示,安森美半导体的SiC产品方案具备领先的可靠性、高性价比、满足汽车规范这三个重要特性:

1

领先的可靠性

在H3TRB测试(高温度/湿度/高偏置电压)里,安森美半导体的SiC二极管可以通过1000小时的可靠性测试。实际测试中,还会延长到2000小时,大幅领先于市场的可靠性水平,对比竞争对手有着明显的优势。

王利民强调,事实上,安森美半导体曾经是JEDEC可靠性委员会的成员,宽禁带可靠性标准委员会现已并入JEDEC标准委员会,安森美半导体正是可靠性标准委员会的专家之一。

2

高性价比

通过对比SiCMOSFET、SiMOSFET、SiIGBT,不难发现在同样达到1200V击穿电压情况下,硅器件的面积甚至相差100倍,硅基IGBT开关损耗相差10倍。实际上,在替换过程中,硅器件性能还要差很多。

对于SiC,业界很多人都对会被其高昂的单器件价格“劝退”。然而事实上,业界越来越讲求整体方案性能,通过计算不难发现,同样的电源如果替换成SiC方案,其体积、功率密度和整体的BOM都会得到优化。

许多系统工程师也逐渐认识到减少尺寸和冷却要求的重要性,在同样的能源和硬件成本下,他们希望拥有更多的器件以及更广泛的应用设备,例如更高的电压和电流额定值以及更多的封装选项。

之前,21ic家也多次强调,“系统级”成本效益这一概念,且不说在整体上的成本优化,SiC的低发热的寿命延长事实上也是降低成本的一环。

3

车规级

众所周知,汽车对于电源是一大考验,不仅要求非常高的稳定性,对温度和参数上也要求严格。

安森美半导体的MOSFET涵盖了市面上所有主流的SiCMOSFET,包括20mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ,TO247封装,TO247的4条腿以及D2PARK的7条腿封装,并且所有的产品都提供工业规范和汽车规范。值得一提的是,900V的SiCMOSFET拥有20mΩ、60mΩ这种市面的主流规格。

事实上,需要冲击电流也是SiC二极管的一个痛点,这是因为,应用中无论是Boost还是PFC都需要扛住浪涌电流。

针对这一点,安森美半导体的SiC则拥有一处贴心的设计,以1200V15A的碳化硅二极管为例,在毫秒级安森美半导体的碳化硅二极管有10倍的过滤,在微秒级有50倍的过滤。

另外,行业内很多SiC二极管并不提供雪崩的量,以安森美半导体的1200V15ASiC二极管为例,雪崩电流接近200A(3500A/c㎡)。

SiC的未来

远观功率半导体的发展历史,从第一阶段的整流管、晶闸管第二阶段的GTO和BJT,第三阶段的IGBT,第四阶段的功率集成电路PIC和智能功率集成电路SPIC。

分立器件逐渐从单一器件转向集成化。但在不断迭代过程中,市场并没有吞并单一器件的市场,而是两者并存。

SiC亦是如此,从特性来说,模块在功率密度、额定功率和热性能实现了应用的最大差异化,这是SiC发展的未来。

而从王利民的观点来看,SiC整个市场则一直是分立器件和模块两者共存的市场。他表示,电动汽车领域SiCMOSFET或二极管市场容量确实是以模块为主,之所以叫模块是因为产品是SiC分立器件和成品封装到模块之中,同时也是一个单管的分立器件的成品。

他强调,未来很多客户也在看向模块,将SiC的晶圆集中到模块中。“我们认为,模块绝对是SiC器件的一个重要方向。”但需要注意的是,模块设计主要集中在比较大的功率上,比如几十千瓦或几百千瓦级别的车载逆变器。

实际上,碳化硅器件还有很多的应用领域,除了电动汽车以外,还有电动汽车上OBC和DC-DC。“通过市场得知,目前几乎所有的设计都以单管为主,因此在汽车领域,我们可以认为一大半的趋势是模块,一小半是单管。”

而非汽车领域,诸如太阳能逆变器、5G及通信电源、电动汽车充电桩,按照市场上来看还没有客户采用模块化的方案,基本都是单管方案。按照数量,市场是以单管为主,按照金额,或许更多市场将会是模块方向。

“当然,安森美半导体既提供分立器件也提供模块化产品,对于我们来说,SiC的器件一直都是我们的重点关注”,王利民如是说。

晶圆方面,王利民告诉记者,目前市面上4英寸和6英寸的SiC晶圆几乎占据市场100%,这是因为8英寸SiC晶圆仍然是太过于超前的技术概念,几乎所有厂商都无法处理超薄的超大SiC晶圆进行批量生产。

当然,在4英寸和6英寸产能上,此前安森美半导体宽禁带产品线经理BrandonBecker告诉记者,安森美半导体每年的产能都在翻番,以领先于客户的进度计划量。

谈及SiC的发展时,王利民表示,汽车的发展会带动未来的模块增长,而其中最大的增长还是会在主驱模块的市场上。

值得一提的是,安森美半导体是提供全生态的,包括提供器件、解决方案、仿真模型以及软件设计等整个一系列的碳化硅生态。而据王利民的介绍,安森美半导体还会持续地、大幅地在碳化硅领域进行投入和生态的建立。

原文标题:SiC将会是分立器件和模块共存的市场

文章出处:【微信公众号:安森美半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

责任编辑:haq

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纯电动汽车续航掉电快是为什么

NLU1GT86 单路2输入异或门 TTL电平

86 MiniGate™是一款先进的CMOS高速2输入异或门,占用空间极小。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT86输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.1 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容输入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 06:02 159次 阅读
NLU1GT86 单路2输入异或门 TTL电平

NLU1G86 单路2输入异或门

6 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入异或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G86输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.5 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 平衡传播延迟 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小Pb免费套餐 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 05:02 187次 阅读
NLU1G86 单路2输入异或门

NLU1G32 单路2输入或门

2 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入或门,占用空间极小。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1G32输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.7 ns(典型值)VCC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C 断电保护提供输入 输入时提供断电保护 过压容差(OVT)输入和输出引脚 超小型无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 146次 阅读
NLU1G32 单路2输入或门

NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源

78A是一款4位可配置双电源双向自动感应转换器,不需要方向控制引脚。 V CC I / O和V L I / O端口设计用于跟踪两个不同的电源轨,V CC 和V L 。 V CC 电源轨可配置为1.65V至5.5V,而V L 电源轨可配置为1.65V至5.5V。这允许V L 侧的电压逻辑信号在V CC 侧转换为更低,更高或相等值的电压逻辑信号,反之亦然。 NLSX4378A转换器在I / O线上集成了10K欧姆上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至V L 或V CC 。 NLSX4378非常适合开漏应用,例如I 2 C通信总线。 特性 优势 宽VCC工作范围:1.65V至5.5V 宽VL工作范围:1.65V至5.5V 允许连接多个电压系统 高速,24 Mb / s保证数据速率 最大限度地减少系统延迟 低位偏移 适合差异信号传输 小型包装 - 2.02 x 1.54mm uBump12 节省物理空间解决方案 应用 终端产 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,PDA,相机 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 225次 阅读
NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源

NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s双电源电平转换器

01是一款1位可配置双电源双向自适应传感转换器,不需要方向控制引脚.I / O VCC和I / O VL端口分别用于跟踪两个不同的电源轨,VCC和VL 。 VCC和VLsupply轨道均可配置为1.5 V至5.5 V.这样,VL侧的电压逻辑信号可在VCC侧转换为更低,更高的等值电压逻辑信号,反之亦然.NLSX4401转换器已集成I / O线上有10 k上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至VL或VCC。 NLSX4401非常适合开放式应用,如I2C通信总线。 特性 VL可以小于,大于或等于VCC 宽VCC工作范围:1.5 V至5.5 V 宽VL工作范围:1.5 V至5.5 V 高速,24 Mb / s保证日期速率 低位偏斜 启用输入和I / O引脚是过压容差(OVT)以使能输入和I / O引脚是过压容差(OVT)至5.5 V 非优先通电排序 断电保护 应用 终端产品 I2C,SMBus,PMBus 低压ASIC级别转换 手机,相机,消费品 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-03 04:02 85次 阅读
NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s双电源电平转换器

NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态

125 MiniGate™是一款先进的CMOS高速非反相缓冲器,占用空间极小。 NLU1GT125要求将3状态控制输入()设置为高,以将输出置于高阻态。器件输入与TTL型输入阈值兼容,输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何,当施加高达7.0伏的电压时,NLU1GT125输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速:t PD = 3.8 ns(典型值)V CC = 5.0 V 低功耗:I CC =1μA(Max),TA = 25°C TTL兼容输入:V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 17:02 64次 阅读
NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态

FSA839 低压 带关断隔功能的0.8Ω单刀双掷(SPDT)模拟开关

是高性能的单刀双掷(SPDT)模拟开关,用于由低电压(1.8V)基带处理器或ASIC驱动的音频应用。该器件在V CC = 4.5 V时具有0.8Ω(最大值)的超低R ON ,可在1.65V到5.5V的宽V CC 范围内工作。该器件采用亚微米CMOS FSA839在低电压ASIC和常规的音频放大器之间连接,CODEC在高达5.5V的工作电压范围内运行。控制电路允许控制引脚(Sel)上提供1.8V(典型值)信号。 应用 多媒体平板电脑 存储和外设 手机 WLAN网卡和宽带接入 PMP / MP3播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 08-01 01:02 63次 阅读
FSA839 低压 带关断隔功能的0.8Ω单刀双掷(SPDT)模拟开关

NXH240B120H3Q1 功率集成模块(PIM)3通道1200 V IGBT + SiC升压 80 A IGBT和20 A SiC二极管

B120H3Q1PG是一款3通道1200 V IGBT + SiC Boost模块。每个通道包括一个快速开关80 A IGBT,一个20 A SiC二极管,一个旁路二极管和一个IGBT保护二极管。该模块具有内置热敏电阻并具有压配销。 特性 优势 1200 V快速开关IGBT 降低IGBT的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 1200 SiC二极管 降低二极管的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 低Vf旁路二极管 提高旁路模式的效率 压合销 无焊接安装 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 分散式公用事业规模太阳能逆变器 商业串式逆变器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 113次 阅读
NXH240B120H3Q1 功率集成模块(PIM)3通道1200 V IGBT + SiC升压 80 A IGBT和20 A SiC二极管

NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

120H2Q0SG是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个40A / 1200V IGBT,两个15A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 2.2 V,ESW = 2180 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.4 V 用于高速切换的SiC二极管 可焊接引脚 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 08:02 70次 阅读
NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管

NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

B120H3Q0是一款功率集成模块(PIM),包含一个双升压级,由两个50A / 1200V IGBT,两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格:VCE(SAT)= 1.77 V,ESW = 2200 uJ 具有低VCE(SAT)的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管,在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格:VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 07:02 70次 阅读
NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管

FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

一种快速,可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图
发表于 07-31 04:02 112次 阅读
FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块

NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

低压差(LDO)线性稳压器将在固定输出电压下提供1.5 A电流。快速环路响应和低压差使该稳压器非常适用于低电压和良好负载瞬态响应非常重要的应用。器件保护包括电流限制,短路保护和热关断。 NCP566采用SOT-223封装。 特性 超快速瞬态响应(
发表于 07-30 08:02 53次 阅读
NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应

NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装

4是一款30A POL,适用于在小型电路板占板面积内要求高效率的应用。该器件将DC / DC控制器与两个高效mosfet集成在一个采用热增强型5mm x 6mm QFN封装的信号中。它采用获得专利的增强型斜坡脉冲调制控制架构,可提供超快的负载瞬变,从而减少外部电容和/或提供更好的瞬态容差。与传统的恒定时间控制器相比,新架构还改进了负载调节。 特性 优势 效率高 减少电力损失 快速装载瞬态 减少输出电容的数量 频率选择 优化效率和输出滤波器尺寸的权衡 0.6%准确参考 允许非常精确的输出电压 远程感知 提供准确的输出电压 启用输入和电力良好指标 二手用于控制排序 可调节电流限制 低电流设计的灵活性 可调节软启动 允许控制开启坡道 热增强型QFN封装 改善散热 指定-40C至125C 应用 终端产品 服务器 网络 电信 ASICs servere 存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 290次 阅读
NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装

NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A

3是一款20A降压转换器(内置MOSFET),工作电压范围为3V至21V,无需外部偏置。该固定式变频器具有高效率,可调节输出以提供低至0.6V的电压。可调电流限制允许器件用于多个电流水平。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,高效电压模式同步降压转换器,工作电压为3 V至21 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围为3V至21V 允许同一器件用于3.3V,5V和12V母线 300kHz,500kHz和1MHz开关频率 用户可选择的选项,允许在效率和解决方案尺寸之间进行优化权衡 无损耗低侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 低压输出以适应低压核心 外部可编程软启动 降低浪涌电流并防止启动时出现无根据的过电流 预偏置启动 防止反向电流流动 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情况消除,则允许重新启动 可调输出电压 灵活性 可调节电流限制 优化过流条件。允许较低饱和电流的较小电感器用于较低电流应用 输出过压保护和欠压电压保护 应用 终端产品 高电流POL应用 AS...
发表于 07-30 04:02 274次 阅读
NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A

NCP3231A 高电流同步降压转换器

1A是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出o电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 196次 阅读
NCP3231A 高电流同步降压转换器

NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器

1B是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 1MHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出ove r电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 04:02 109次 阅读
NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器

NCP3231 高电流同步降压转换器

1是一款高电流,高效率电压模式同步降压转换器,工作电压为4.5 V至18 V,输出电压低至0.6 V,最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低 - 侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出过压保护和欠压保护 使用热敏电阻或传感器进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电力良好输出 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC,FPGA,DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 142次 阅读
NCP3231 高电流同步降压转换器

NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET

2是一款低输入电压,6 A同步降压转换器,集成了30mΩ高侧和低侧MOSFET。 NCP1592专为空间敏感和高效应用而设计。主要特性包括:高性能电压误差放大器,欠压锁定电路,防止启动直到输入电压达到3 V,内部或外部可编程软启动电路,以限制浪涌电流,以及电源良好的输出监控信号。 NCP1592采用耐热增强型28引脚TSSOP封装。 特性 30mΩ,12 A峰值MOSFET开关,可在6 A连续输出源或接收器处实现高效率电流 可调节输出电压低至0.891 V,准确度为1.0% 宽PWM频率:固定350 kHz,550 kHz或可调280 kHz至700 kHz 应用 终端产品 低压,高密度分布式电源系统 FPGA 微处理器 ASICs 便携式计算机/笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 103次 阅读
NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET

NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

C转换器采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装,可提供高达30 A的电流。 特性 优势 效率高 降低功耗并减少散热问题 4.5 V至18 V输入范围 允许使用5 V或12 V母线进行操作 综合mosfets 简化设计并提高可靠性 可调节软启动时序,输出电压 设计灵活性 过压,欠压和过流保护 安全启动到预偏置输出 应用 终端产品 高电流POL应用 为asics,fpga和DSP供电 基站 服务器和存储 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 88次 阅读
NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A.

NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器

5是一款带内部MOSFET的15 A DC / DC转换器,设计灵活。该器件可提供低至0.6V至输入电压80%以上的可调输出电压。功能包括可调电流限制,输出电压和软启动时序。引脚可选功能可实现550 kHz或1 MHz的开关频率,选择DCM / CCM工作模式,以及在过流期间锁定或打嗝模式的能力。该器件可配置为在超声模式下工作,以避开音频带。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm TQFN封装。 特性 优势 准确0.6 V参考 可调输出以设置所需电压低至0.6 V DCM / CCM可选择选项 在不连续模式下操作以在轻负载下提高效率 550kHz / 1.1MHz开关频率 选择更高效率或更小输出滤波器的设计灵活性 超声波模式 保持电容器不发出声音 热增强型QFN封装 3个裸露焊盘散布更高 4.5 V至21 V的宽工作范围 允许跨多个应用程序使用 可调软启动 允许在通电期间平稳上升 应用 终端产品 计算/服务器 数据通信/网络 FGPA,ASIC,DSP电源 12 V负载点 桌面 服务器 网络 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 03:02 95次 阅读
NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器